JPS6289770A - 新規なトリスアゾ化合物の製造方法 - Google Patents
新規なトリスアゾ化合物の製造方法Info
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- JPS6289770A JPS6289770A JP16808886A JP16808886A JPS6289770A JP S6289770 A JPS6289770 A JP S6289770A JP 16808886 A JP16808886 A JP 16808886A JP 16808886 A JP16808886 A JP 16808886A JP S6289770 A JPS6289770 A JP S6289770A
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- compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は新規なトリスアゾ化合物の製造方法に関するも
のである。
のである。
[従来の技術]
近年、有機光導電材料を用いた電子写真感光体が多数提
案されている0例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾール
と2.4.7−)ジニトロフルオレン−8−オンを含有
する感光層を設けた感光体、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールをピリリウム塩系色素で増感した感光層を設けた感
光体、有機顔料を主成分とする感光層を設けた感光体、
電荷発生層と電荷移送層とを積層した感光層を有する感
光体、染料と樹脂からなる共晶錯体を主成分とする感光
層を設けた感光体などがある。
案されている0例えば、ポリ−N−ビニルカルバゾール
と2.4.7−)ジニトロフルオレン−8−オンを含有
する感光層を設けた感光体、ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールをピリリウム塩系色素で増感した感光層を設けた感
光体、有機顔料を主成分とする感光層を設けた感光体、
電荷発生層と電荷移送層とを積層した感光層を有する感
光体、染料と樹脂からなる共晶錯体を主成分とする感光
層を設けた感光体などがある。
[発明の解決しようとする問題点]
前記の感光体はいくつかの勝れた特性を有讐るものであ
るが、セレンに代表される無機感光体に比べて概して光
感度の低いことが電子写真感光体としての大きい短所の
一つとなっている。
るが、セレンに代表される無機感光体に比べて概して光
感度の低いことが電子写真感光体としての大きい短所の
一つとなっている。
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、光導電材料とし
て勝れた特性を有する新規なトリスアゾ化合物の製造方
法を提供することにある。
て勝れた特性を有する新規なトリスアゾ化合物の製造方
法を提供することにある。
[問題点を解決するための手段]
即ち1本発明は一般式(I)
(但し、Xはアニオン官能基で、R2はアルキル基、シ
クロアルキル基又はアラルキル基)で示されるヘキサゾ
ニウム塩と、一般式CII)(但し、R1はアルキル基
、アルコキシ基、ニトロ基、ジアルキルアミノ基又はハ
ロゲン、nは0.1.2又は3の整数であって、nが2
又は3の整数である場合には同−又は異なった基のいず
れでもよい、) で示される化合物とを反応させることを特徴とする一般
式(m) (但し、 R1はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
、ジアルキルアミノ基又はハロゲン、nは0.1.2又
は3の整数であって、nが2又は3の整数である場合に
はR1は同−又は異なった基のいずれでもよい、R2は
アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基、) で示される新規なトリスアゾ化合物の製造方法を提供す
るものである。
クロアルキル基又はアラルキル基)で示されるヘキサゾ
ニウム塩と、一般式CII)(但し、R1はアルキル基
、アルコキシ基、ニトロ基、ジアルキルアミノ基又はハ
ロゲン、nは0.1.2又は3の整数であって、nが2
又は3の整数である場合には同−又は異なった基のいず
れでもよい、) で示される化合物とを反応させることを特徴とする一般
式(m) (但し、 R1はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
、ジアルキルアミノ基又はハロゲン、nは0.1.2又
は3の整数であって、nが2又は3の整数である場合に
はR1は同−又は異なった基のいずれでもよい、R2は
アルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基、) で示される新規なトリスアゾ化合物の製造方法を提供す
るものである。
本発明において、前記へキサゾニウム塩は、一般式(r
V) (但し、Yは臭素又は沃素 R2はアルキル基、シクロ
アルキル基又はアラルキル基を表わす)で示される1例
えば9−置換−3,6−シハロー1−ニトロカルバゾー
ルとp−ニトロスチレンを反応させて製造される、一般
式(V) で示される新規化合物の8−置換−3,8−ビス(p−
ニトロスチリル)−1−ニトロカルバゾールを還元して
、一般式(Vl) で示される9−置換−3,6−ビス(p−7ミノスチリ
ル)−1−7ミノカルバゾールをとし1次いでジアゾ化
することにより得ることができる。
V) (但し、Yは臭素又は沃素 R2はアルキル基、シクロ
アルキル基又はアラルキル基を表わす)で示される1例
えば9−置換−3,6−シハロー1−ニトロカルバゾー
ルとp−ニトロスチレンを反応させて製造される、一般
式(V) で示される新規化合物の8−置換−3,8−ビス(p−
ニトロスチリル)−1−ニトロカルバゾールを還元して
、一般式(Vl) で示される9−置換−3,6−ビス(p−7ミノスチリ
ル)−1−7ミノカルバゾールをとし1次いでジアゾ化
することにより得ることができる。
9−11換−3,6−シハロー1−ニトロカルバゾール
とp−ニトロスチレンの反応には通常、触媒と/\ロゲ
ン化水素捕捉剤とが必要とされる。触媒としては酢酸パ
ラジウム等の貴金属化合物とトリアリールホスフィンな
どのリン化合物との組み合せが適当である。
とp−ニトロスチレンの反応には通常、触媒と/\ロゲ
ン化水素捕捉剤とが必要とされる。触媒としては酢酸パ
ラジウム等の貴金属化合物とトリアリールホスフィンな
どのリン化合物との組み合せが適当である。
トリアリールホスフィンとしては、トリフェニルホスフ
ィン、トリー〇−トリルホスフィン、トリス(2,5−
ジイソ−プロピルフェニル)ホスフィン、トリーα−ナ
フチルホスフィン、トリス(2,3,4,5−テトラメ
チル)フェニルホスフィン、トリス(2−メチル−5−
t−ブチルフェニル)ホスフィン、トリス(p−カルボ
メトキシフェニル)ホスフォンなどのホスフィンを挙げ
ることができるが、特にトリー0−トリルホスフィン、
トリス(2−メチル−5−t−ブチルフェニル)ホスフ
ィンの使用が好ましい0本発明に使用するトリアリール
ホスフィンは酢酸パラジウム1モルに対して0.5〜1
0モルが適当である。また、酢酸パラジウムの使用量は
スチレン誘導体使用量の0.25〜2モル%が適当であ
る。
ィン、トリー〇−トリルホスフィン、トリス(2,5−
ジイソ−プロピルフェニル)ホスフィン、トリーα−ナ
フチルホスフィン、トリス(2,3,4,5−テトラメ
チル)フェニルホスフィン、トリス(2−メチル−5−
t−ブチルフェニル)ホスフィン、トリス(p−カルボ
メトキシフェニル)ホスフォンなどのホスフィンを挙げ
ることができるが、特にトリー0−トリルホスフィン、
トリス(2−メチル−5−t−ブチルフェニル)ホスフ
ィンの使用が好ましい0本発明に使用するトリアリール
ホスフィンは酢酸パラジウム1モルに対して0.5〜1
0モルが適当である。また、酢酸パラジウムの使用量は
スチレン誘導体使用量の0.25〜2モル%が適当であ
る。
ハロゲン化水素捕捉剤としては、2級アミン、3級アミ
ン類や炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基
性の塩などが適当である。このような2級アミン、3級
アミンとしては、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミ
ン、ピペリジン、モルホリン、トリエチルアミン、トリ
ーn−ブチルアミン、トリアミルアミン、テトラメチル
エチレンジアミン等のごくありふれたアミンでよ〈、そ
の使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより少し過
剰に使用する。
ン類や炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基
性の塩などが適当である。このような2級アミン、3級
アミンとしては、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミ
ン、ピペリジン、モルホリン、トリエチルアミン、トリ
ーn−ブチルアミン、トリアミルアミン、テトラメチル
エチレンジアミン等のごくありふれたアミンでよ〈、そ
の使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより少し過
剰に使用する。
反応溶媒としては一般的なもの、例えば、N、N−ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、トルエン、
キシレン、クロルベンゼン、O−ジクロルベンゼン、ト
リクロルベンゼン、トメチル−2−ピロリドン、ジメチ
ルスルホキシドが゛用いられる0反応は75〜150℃
の温度範囲で行なわれる。
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、トルエン、
キシレン、クロルベンゼン、O−ジクロルベンゼン、ト
リクロルベンゼン、トメチル−2−ピロリドン、ジメチ
ルスルホキシドが゛用いられる0反応は75〜150℃
の温度範囲で行なわれる。
このようにして、得られる新規化合物8−置換−3,6
−ビス(p−ニトロスチリル)−1−ニトロカルバゾー
ル(V)は還元して3−置換−3,トビス(p−7ミノ
スチリル)−1−アミンカルバゾールとし、ジアゾ化し
てヘキサゾニウム塩とするが、ジアゾ化は3−置換−3
,8−ビス(p−アミノスチリル)−1−7ミノカルバ
ゾールを希塩酸、希硫酸のような希薄無機酸中に加え、
さらに、これに亜硝酸ナトリウム水溶液を−lO〜lO
℃の温度に保ちつつ添加することにより行なわれる。
−ビス(p−ニトロスチリル)−1−ニトロカルバゾー
ル(V)は還元して3−置換−3,トビス(p−7ミノ
スチリル)−1−アミンカルバゾールとし、ジアゾ化し
てヘキサゾニウム塩とするが、ジアゾ化は3−置換−3
,8−ビス(p−アミノスチリル)−1−7ミノカルバ
ゾールを希塩酸、希硫酸のような希薄無機酸中に加え、
さらに、これに亜硝酸ナトリウム水溶液を−lO〜lO
℃の温度に保ちつつ添加することにより行なわれる。
このジアゾ化は30分〜2時間で完結する。この場合、
反応混合物は、例えば、硼弗化水素酸などを加えてヘキ
サゾニウム塩として沈殿させ。
反応混合物は、例えば、硼弗化水素酸などを加えてヘキ
サゾニウム塩として沈殿させ。
戸数して結晶を得ることが望ましい。
次いで前記へキサゾニウム塩(1)に前記化合物(n)
をヘキサゾニウム基に対して1〜10倍モル、好ましく
は2〜5倍モル量を添加して、カップリング反応を起こ
させる。実際には、この反応はN、N−ジメチルホルム
アミドやジメチルスルホキシドなどの有機溶媒にヘキサ
ゾニウム塩及びカップリング成分を溶解しておき、−1
0〜10℃の温度に保持しつつ、酢酸ナトリウム水溶液
などのアルカリ水溶液を滴下することにより行なわれる
。
をヘキサゾニウム基に対して1〜10倍モル、好ましく
は2〜5倍モル量を添加して、カップリング反応を起こ
させる。実際には、この反応はN、N−ジメチルホルム
アミドやジメチルスルホキシドなどの有機溶媒にヘキサ
ゾニウム塩及びカップリング成分を溶解しておき、−1
0〜10℃の温度に保持しつつ、酢酸ナトリウム水溶液
などのアルカリ水溶液を滴下することにより行なわれる
。
かくして得られる本発明の新規なトリスアゾ化合物は、
電子写真感光体の光導電素材として特に有用である。従
って、例えば (1)トリスアゾ化合物からなる感光層(2)トリスア
ゾ化合物をバイングー中に分散させた感光層 (3)トリスアゾ化合物を周知の電荷移動媒体中に分散
させた感光層 (4)前記(1)〜(3)の感光層を電荷発生層とし、
これに周知の電荷移動媒体を含む電荷移動層を積層した
感光層 などが新規トリスアゾ化合物の用途例として挙げること
ができる。
電子写真感光体の光導電素材として特に有用である。従
って、例えば (1)トリスアゾ化合物からなる感光層(2)トリスア
ゾ化合物をバイングー中に分散させた感光層 (3)トリスアゾ化合物を周知の電荷移動媒体中に分散
させた感光層 (4)前記(1)〜(3)の感光層を電荷発生層とし、
これに周知の電荷移動媒体を含む電荷移動層を積層した
感光層 などが新規トリスアゾ化合物の用途例として挙げること
ができる。
以下に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
[実施例]
実施例1
3.8−ジブロモカルバゾール6.5部(重量部、以下
同じ)酢酸80部に溶解し、攪拌しながら酢酸10部に
溶解させた発煙硝酸(d−1,52)1.33部を室温
にて滴下し、滴下終了後、70℃に加熱し2時間反応さ
せた。冷却して析出してくる析出物を炉板し、クロロベ
ンゼンより再結晶することにより、3,8−ジブローl
−二トロ力ルバゾール5.17部(収率70%)を黄色
結晶として得た。
同じ)酢酸80部に溶解し、攪拌しながら酢酸10部に
溶解させた発煙硝酸(d−1,52)1.33部を室温
にて滴下し、滴下終了後、70℃に加熱し2時間反応さ
せた。冷却して析出してくる析出物を炉板し、クロロベ
ンゼンより再結晶することにより、3,8−ジブローl
−二トロ力ルバゾール5.17部(収率70%)を黄色
結晶として得た。
融点2B7.8℃。
3.6−ジプロモー1−ニトロカルバゾール5.0部を
ジメチルホルムアミド(以下、DMFと略す)45部中
に分散させた後、粉末のKOHo、8部を加えた。DM
FS部に溶解させたイソアミルブロマイド2.15部を
室温にて滴下し、滴下中に注加し、析出してくる析出物
を炉板し、充分水洗後、エタノールより再結晶すること
により、9−インアミル−3,6−ジプロモー1−ニト
ロカルバゾール4.00部(収率67%)を黄色結晶と
して得た。
ジメチルホルムアミド(以下、DMFと略す)45部中
に分散させた後、粉末のKOHo、8部を加えた。DM
FS部に溶解させたイソアミルブロマイド2.15部を
室温にて滴下し、滴下中に注加し、析出してくる析出物
を炉板し、充分水洗後、エタノールより再結晶すること
により、9−インアミル−3,6−ジプロモー1−ニト
ロカルバゾール4.00部(収率67%)を黄色結晶と
して得た。
8−イソアミル−3,6−ジプロモー1−二トロ力ルバ
ゾール4.00部、p−ニトロスチレン3.12部、ト
リーn−ブチルアミン3.88部、トリー〇−トリルホ
スフィン0.111部、酢酸パラジウム0.041部、
N−メチル−2−ピロリドン(以下、NMPと略す)1
5部からなる混合物を窒素雰囲気下で攪拌しながら10
0℃で10時間反応させた0反応物を大量のメタノール
中に注加することにより、析出してくる析出物を炉板し
た。充分メタノールで洗浄後、NMPより再結晶するこ
とにより、8−イソアミル−3,8−ビス(p−ニトロ
スチリル)−1−二トロ力ルバゾール−3,87部、(
収率74%)を橙色結晶として得た。
ゾール4.00部、p−ニトロスチレン3.12部、ト
リーn−ブチルアミン3.88部、トリー〇−トリルホ
スフィン0.111部、酢酸パラジウム0.041部、
N−メチル−2−ピロリドン(以下、NMPと略す)1
5部からなる混合物を窒素雰囲気下で攪拌しながら10
0℃で10時間反応させた0反応物を大量のメタノール
中に注加することにより、析出してくる析出物を炉板し
た。充分メタノールで洗浄後、NMPより再結晶するこ
とにより、8−イソアミル−3,8−ビス(p−ニトロ
スチリル)−1−二トロ力ルバゾール−3,87部、(
収率74%)を橙色結晶として得た。
9−イソアミル−3,8−ビス(p−ニトロスチリル)
−1−二トロ力ルバゾール−3,87部、鉄粉7.3
8部、濃塩酸2.58 (容積)部、水1.23部、N
MP150部よりなる混合物を攪拌しながら80℃で1
3時間反応させた0反応混合物に20%炭酸ナトリウム
水溶液を加え、PH8に調整した0反応混合物を熱時枦
遇した後、炉液を大量の水に注加し、析出してくる析出
物を炉板し、水分水洗後、乾燥することにより、8−イ
ンアミル−3,6−ビス(p−アミノスチリル)−1−
7ミノカルバゾール3.13部、(収率98%)を黄色
結晶として得た。9−インアミル−3,6−ビス(P−
7ミノスチリル)−1−7ミノカルバゾール1.50部
を濃塩酸7.7部、水7.7部よりなる希塩酸に加え、
80℃で30分間攪拌した0次いで混合物を0℃に冷却
し、これに亜硝酸ナトリウム0.85部を水2.8部に
溶解した溶液を滴下した0滴下後、同温度で30分間攪
拌し、不溶物を炉別し、炉液に42%硼弗化水素酸水溶
液8.2部を加え、析出してくる結晶を炉板し、水洗後
乾燥して、ヘキサゾニウムトリフルオロポレートを濃茶
色結晶として得た。
−1−二トロ力ルバゾール−3,87部、鉄粉7.3
8部、濃塩酸2.58 (容積)部、水1.23部、N
MP150部よりなる混合物を攪拌しながら80℃で1
3時間反応させた0反応混合物に20%炭酸ナトリウム
水溶液を加え、PH8に調整した0反応混合物を熱時枦
遇した後、炉液を大量の水に注加し、析出してくる析出
物を炉板し、水分水洗後、乾燥することにより、8−イ
ンアミル−3,6−ビス(p−アミノスチリル)−1−
7ミノカルバゾール3.13部、(収率98%)を黄色
結晶として得た。9−インアミル−3,6−ビス(P−
7ミノスチリル)−1−7ミノカルバゾール1.50部
を濃塩酸7.7部、水7.7部よりなる希塩酸に加え、
80℃で30分間攪拌した0次いで混合物を0℃に冷却
し、これに亜硝酸ナトリウム0.85部を水2.8部に
溶解した溶液を滴下した0滴下後、同温度で30分間攪
拌し、不溶物を炉別し、炉液に42%硼弗化水素酸水溶
液8.2部を加え、析出してくる結晶を炉板し、水洗後
乾燥して、ヘキサゾニウムトリフルオロポレートを濃茶
色結晶として得た。
このようにして得たヘキサゾニウム塩とカップリング成
分として2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸アニリド(ナ
フトールAs)2.88部とを冷却したD M F 2
00部に溶解し、これに酢酸ナトリウム7.58部およ
び水50部からなる水溶液を4〜8℃の温度下にて約1
時間で滴下し1滴下後、室温にて3時間攪拌した。生成
した沈殿を炉板し、水200部で3回洗浄した後、D
M F 300部で3回洗浄し、さらにア七トンで1回
洗浄した。これを乾燥して下記構造式のトリスアゾ化合
物1.58部(収率38%)を得た。
分として2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸アニリド(ナ
フトールAs)2.88部とを冷却したD M F 2
00部に溶解し、これに酢酸ナトリウム7.58部およ
び水50部からなる水溶液を4〜8℃の温度下にて約1
時間で滴下し1滴下後、室温にて3時間攪拌した。生成
した沈殿を炉板し、水200部で3回洗浄した後、D
M F 300部で3回洗浄し、さらにア七トンで1回
洗浄した。これを乾燥して下記構造式のトリスアゾ化合
物1.58部(収率38%)を得た。
構造式
元素分析値
HN
実測値(%) 7B、78 5.01 10.8
4計算値(%) ??、05 4.93 10.
70実施例2〜4 実施例1のトリスアゾ化合物の製造においてカップリン
グ成分として、第1表の化合物を用いた他は実施例1と
同じ方法で第1表に示す構造式のトリスアゾ化合物を製
造した。その結果を第1表に示す。
4計算値(%) ??、05 4.93 10.
70実施例2〜4 実施例1のトリスアゾ化合物の製造においてカップリン
グ成分として、第1表の化合物を用いた他は実施例1と
同じ方法で第1表に示す構造式のトリスアゾ化合物を製
造した。その結果を第1表に示す。
実施例5
実施例1のトリスアゾ化合物の製造においてイソアミル
ブロマイドに代えて沃化エチルを用いた他は同じ方法で
中間に、9−エチル−3,6−ビス(p−7ミノスチリ
ル)−1−アミノカルバゾールを合成し1次いで下記構
造式のトリスアゾ化合物を製造した。
ブロマイドに代えて沃化エチルを用いた他は同じ方法で
中間に、9−エチル−3,6−ビス(p−7ミノスチリ
ル)−1−アミノカルバゾールを合成し1次いで下記構
造式のトリスアゾ化合物を製造した。
元素分析値
HN
実測値(%) 78.23 3.72 12.2
1計算値(%) ?7.19 4.08 11.
11収率 39% [発明の効果] 本発明の製造方法に従えば、新規トリスアゾ化合物を容
易に製造し得ることができる。しかも製造されたトリス
アゾ化合物は従来の電子写真感光体に比して光導電材料
として優れた特性を有することが認められるものである
。
1計算値(%) ?7.19 4.08 11.
11収率 39% [発明の効果] 本発明の製造方法に従えば、新規トリスアゾ化合物を容
易に製造し得ることができる。しかも製造されたトリス
アゾ化合物は従来の電子写真感光体に比して光導電材料
として優れた特性を有することが認められるものである
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但し、Xはアニオン官能基で、R^2はアルキル基、
シクロアルキル基又はアラルキル基)で示されるヘキサ
ゾニウム塩と、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (但し、R^1はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
、ジアルキルアミノ基又はハロゲン、nは0、1、2又
は3の整数であって、nが2又は3の整数である場合に
は同一又は異なった基のいずれでもよい。) で示される化合物とを反応させることを特徴とする一般
式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (但し、R^1はアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基
、ジアルキルアミノ基又はハロゲン、nは0、1、2又
は3の整数であって、nが2又は3の整数である場合に
はR^1は同一又は異なった基のいずれでもよい。R^
2はアルキル基、シクロアルキル基又はアラルキル基。 ) で示される新規なトリスアゾ化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16808886A JPS6289770A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 新規なトリスアゾ化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16808886A JPS6289770A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 新規なトリスアゾ化合物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4171582A Division JPS58160358A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 新規なトリスアゾ化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289770A true JPS6289770A (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=15861619
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16808886A Pending JPS6289770A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 新規なトリスアゾ化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007332099A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Mitsubishi Chemicals Corp | アミン化合物、電子写真感光体、画像形成方法及び画像形成装置 |
| WO2015056442A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 国立大学法人 大阪教育大学 | 1-ニトロ-3,6-置換カルバゾール、その製造方法および1-アミノカルバゾールの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154560A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-14 | Asahi Glass Co Ltd | 新規なトリスアゾ化合物 |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP16808886A patent/JPS6289770A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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Cited By (3)
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| JP2015078142A (ja) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 国立大学法人 大阪教育大学 | 1−ニトロ−3,6−置換カルバゾール、その製造方法および1−アミノカルバゾールの製造方法 |
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