JPS6239626B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6239626B2 JPS6239626B2 JP4171582A JP4171582A JPS6239626B2 JP S6239626 B2 JPS6239626 B2 JP S6239626B2 JP 4171582 A JP4171582 A JP 4171582A JP 4171582 A JP4171582 A JP 4171582A JP S6239626 B2 JPS6239626 B2 JP S6239626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- tris
- solution
- benzene
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なトリスアゾ化合物に関するもの
である。
である。
近年、有機光導電材料を用いた電子写真感光体
が多数提案されている。例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールと２・４・７−トリニトロフルオ
レン−９−オンを含有する感光層を設けた感光
体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールをピリリウム
塩系色素で増感した感光層を設けた感光体、有機
顔料を主成分とする感光層を設けた感光体、電荷
発生層と電荷移送層とを積層した感光層を有する
感光体、染料と樹脂からなる共晶錯体を主成分と
する感光層を設けた感光体などがある。
が多数提案されている。例えば、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールと２・４・７−トリニトロフルオ
レン−９−オンを含有する感光層を設けた感光
体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールをピリリウム
塩系色素で増感した感光層を設けた感光体、有機
顔料を主成分とする感光層を設けた感光体、電荷
発生層と電荷移送層とを積層した感光層を有する
感光体、染料と樹脂からなる共晶錯体を主成分と
する感光層を設けた感光体などがある。
前記の感光体はいくつかの勝れた特性を有する
ものであるが、セレンに代表される無機感光体に
比べて概して光感度の低いことが電子写真感光体
としての大きい短所の一つとなつている。
ものであるが、セレンに代表される無機感光体に
比べて概して光感度の低いことが電子写真感光体
としての大きい短所の一つとなつている。
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、光導電
材料として勝れた特性を有する新規なトリスアゾ
化合物を提供することにある。
材料として勝れた特性を有する新規なトリスアゾ
化合物を提供することにある。
即ち、本発明は、一般式〔〕
で示される新規なトリスアゾ化合物である。
上記の本発明のトリスアゾ化合物〔〕は下記
の方法によつて製造することができる。即ち、一
般式〔〕 （但し、Ｘはアニオン官能基） で示されるヘキサゾニウム塩と、一般式〔〕 （但し、Ｒはアルキル基、アルコキシ基、ニトロ
基、ジアルキルアミノ基またはハロゲン、ｎは
０、１、２または３の整数であつて、ｎが２また
は３の整数である場合には、Ｒは同一または異な
つた基のいずれでもよい。） で示される化合物とを反応させる。
の方法によつて製造することができる。即ち、一
般式〔〕 （但し、Ｘはアニオン官能基） で示されるヘキサゾニウム塩と、一般式〔〕 （但し、Ｒはアルキル基、アルコキシ基、ニトロ
基、ジアルキルアミノ基またはハロゲン、ｎは
０、１、２または３の整数であつて、ｎが２また
は３の整数である場合には、Ｒは同一または異な
つた基のいずれでもよい。） で示される化合物とを反応させる。
前記ヘキサゾニウム塩は、例えば１・２・４−
トリハロベンゼンとニトロスチレンを反応させて
製造される、一般式〔〕 で示される１・２・４−トリス（ニトロスチリ
ル）ベンゼンを還元して、一般式〔〕 で示される１・２・４−トリス（アミノスチリ
ル）ベンゼンとし、次いでジアゾ化することによ
り得ることができる。
トリハロベンゼンとニトロスチレンを反応させて
製造される、一般式〔〕 で示される１・２・４−トリス（ニトロスチリ
ル）ベンゼンを還元して、一般式〔〕 で示される１・２・４−トリス（アミノスチリ
ル）ベンゼンとし、次いでジアゾ化することによ
り得ることができる。
１・２・４−トリハロベンゼンとニトロスチレ
ンの反応には通常、触媒とハロゲン化水素捕捉剤
とが必要とされる。触媒としては酢酸パラジウム
等の貴金属化合物とトリアリールホスフインなど
のリン化合物との組み合せが適当である。ニトロ
スチレンは好ましくはＰ−ニトロスチレンが選定
される。
ンの反応には通常、触媒とハロゲン化水素捕捉剤
とが必要とされる。触媒としては酢酸パラジウム
等の貴金属化合物とトリアリールホスフインなど
のリン化合物との組み合せが適当である。ニトロ
スチレンは好ましくはＰ−ニトロスチレンが選定
される。
トリアリールホスフインとしては、トリフエニ
ルホスフイン、トリ−Ｏ−トリルホスフイン、ト
リス（２・５−ジイソ−プロピルフエニル）ホス
フイン、トリ−α−ナフチルホスフイン、トリス
（２・３・４・５−テトラメチル）フエニルホス
フイン、トリス（２−メチル−５−ｔ−ブチルフ
エニル）ホスフイン、トリス（Ｐ−カルボメトキ
シフエニル）ホスフインなどのホスフインを挙げ
ることができるが、特にトリ−Ｏ−トリルホスフ
イン、トリス（２−メチル−５−ｔ−ブチルフエ
ニル）ホスフインの使用が好ましい。本発明に使
用するトリアリールホスフインは酢酸パラジウム
１モルに対して0.5〜10モルが適当である。ま
た、酢酸パラジウムの使用量はスチレン誘導体使
用量の0.25〜２モル％が適当である。
ルホスフイン、トリ−Ｏ−トリルホスフイン、ト
リス（２・５−ジイソ−プロピルフエニル）ホス
フイン、トリ−α−ナフチルホスフイン、トリス
（２・３・４・５−テトラメチル）フエニルホス
フイン、トリス（２−メチル−５−ｔ−ブチルフ
エニル）ホスフイン、トリス（Ｐ−カルボメトキ
シフエニル）ホスフインなどのホスフインを挙げ
ることができるが、特にトリ−Ｏ−トリルホスフ
イン、トリス（２−メチル−５−ｔ−ブチルフエ
ニル）ホスフインの使用が好ましい。本発明に使
用するトリアリールホスフインは酢酸パラジウム
１モルに対して0.5〜10モルが適当である。ま
た、酢酸パラジウムの使用量はスチレン誘導体使
用量の0.25〜２モル％が適当である。
ハロゲン化水素捕捉剤としては、２級アミン、
３級アミン類や炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリ
ウムなどの塩基性の塩などが適当である。このよ
うな２級アミン、３級アミンとしては、ジエチル
アミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ピペリジン、モ
ルホリン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチル
アミン、トリアミルアミン、テトラメチルエチレ
ンジアミン等のごくありふれたアミンでよく、そ
の使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより
少し過剰に使用する。反応溶媒としては一般的な
もの、例えば、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、トルエン、キシレン、ク
ロルベンゼン、Ｏ−ジクロルベンゼン、トリクロ
ルベンゼン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシドが用いられる。反応は75〜150
℃の温度範囲で行われる。
３級アミン類や炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリ
ウムなどの塩基性の塩などが適当である。このよ
うな２級アミン、３級アミンとしては、ジエチル
アミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ピペリジン、モ
ルホリン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチル
アミン、トリアミルアミン、テトラメチルエチレ
ンジアミン等のごくありふれたアミンでよく、そ
の使用量は発生するハロゲン化水素に当モルより
少し過剰に使用する。反応溶媒としては一般的な
もの、例えば、Ｎ・Ｎ−ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、トルエン、キシレン、ク
ロルベンゼン、Ｏ−ジクロルベンゼン、トリクロ
ルベンゼン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメ
チルスルホキシドが用いられる。反応は75〜150
℃の温度範囲で行われる。
このようにして得られる１・２・４−トリス
（ニトロスチリル）ベンゼン〔〕は還元して、
１・２・４−トリス（アミノスチリル）ベンゼン
とし、ジアゾ化してヘキサゾニウム塩とするが、
ジアゾ化は１・２・４−トリス（アミノスチリ
ル）ベンゼンを希塩酸、希硫酸のような希薄無機
酸中に加え、さらに、これに亜硝酸ナトリウム水
溶液を−10〜10℃の温度に保ちつゝ添加すること
により行われる。このジアゾ化は30分〜２時間で
完結する。この場合、反応混合物は、例えば硼弗
化水素酸などを加えてヘキサゾニウム塩として沈
澱させ、取して結晶を得ることが望ましい。
（ニトロスチリル）ベンゼン〔〕は還元して、
１・２・４−トリス（アミノスチリル）ベンゼン
とし、ジアゾ化してヘキサゾニウム塩とするが、
ジアゾ化は１・２・４−トリス（アミノスチリ
ル）ベンゼンを希塩酸、希硫酸のような希薄無機
酸中に加え、さらに、これに亜硝酸ナトリウム水
溶液を−10〜10℃の温度に保ちつゝ添加すること
により行われる。このジアゾ化は30分〜２時間で
完結する。この場合、反応混合物は、例えば硼弗
化水素酸などを加えてヘキサゾニウム塩として沈
澱させ、取して結晶を得ることが望ましい。
次いで、前記ヘキサゾニウム塩〔〕に前記化
合物〔〕をヘキサゾニウム基に対して１〜15倍
モル、好ましくは３〜８倍モル量を添加して、カ
ツプリング反応を起こさせる。実際には、この反
応はＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミドやジメチルス
ルホキシドなどの有機溶媒にヘキサゾニウム塩お
よびカツプリング成分を溶解しておき、−10〜10
℃の温度に保持しつゝ、酢酸ナトリウム水溶液な
どのアルカリ水溶液を滴下することにより行なわ
れる。
合物〔〕をヘキサゾニウム基に対して１〜15倍
モル、好ましくは３〜８倍モル量を添加して、カ
ツプリング反応を起こさせる。実際には、この反
応はＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミドやジメチルス
ルホキシドなどの有機溶媒にヘキサゾニウム塩お
よびカツプリング成分を溶解しておき、−10〜10
℃の温度に保持しつゝ、酢酸ナトリウム水溶液な
どのアルカリ水溶液を滴下することにより行なわ
れる。
かくして得られる本発明の新規なトリスアゾ化
合物は、電子写真用感光体の光導電素材として特
に有用である。従つて、例えば (1) トリスアゾ化合物からなる感光層 (2) トリスアゾ化合物をバインダー中に分散させ
た感光層 (3) トリスアゾ化合物を周知の電荷移動媒体中に
分散させた感光層 (4) 前記(1)〜(3)の感光層を電荷発生層とし、これ
に周知の電荷移動媒体を含む電荷移動層を積層
した感光層 などが新規トリスアゾ化合物の用途例として挙げ
ることができる。
合物は、電子写真用感光体の光導電素材として特
に有用である。従つて、例えば (1) トリスアゾ化合物からなる感光層 (2) トリスアゾ化合物をバインダー中に分散させ
た感光層 (3) トリスアゾ化合物を周知の電荷移動媒体中に
分散させた感光層 (4) 前記(1)〜(3)の感光層を電荷発生層とし、これ
に周知の電荷移動媒体を含む電荷移動層を積層
した感光層 などが新規トリスアゾ化合物の用途例として挙げ
ることができる。
以下に、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例のみに限定されるも
のではない。
るが、本発明はこれら実施例のみに限定されるも
のではない。
実施例
の合成
１・２・４−トリブロモベンゼン3.15部（重量
部、以下同じ）、Ｐ−ニトロスチレン4.92部、ト
リ−ｎ−ブチルアミン6.11部、トリ−Ｏ−トリル
ホスフイン0.182部、酢酸パラジウム0.067部、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン（以下、NMPと略
す）７部よりなる混合物を100℃で10時間反応さ
せた後、メタノール中に注加し、析出してくる生
成物を取し、クロロベンゼンより再結晶するこ
とにより橙色結晶の１・２・４−トリス（Ｐ−ニ
トロスチリル）ベンゼン3.29部（収率63％）を得
た。
部、以下同じ）、Ｐ−ニトロスチレン4.92部、ト
リ−ｎ−ブチルアミン6.11部、トリ−Ｏ−トリル
ホスフイン0.182部、酢酸パラジウム0.067部、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン（以下、NMPと略
す）７部よりなる混合物を100℃で10時間反応さ
せた後、メタノール中に注加し、析出してくる生
成物を取し、クロロベンゼンより再結晶するこ
とにより橙色結晶の１・２・４−トリス（Ｐ−ニ
トロスチリル）ベンゼン3.29部（収率63％）を得
た。
鉄粉6.97部、濃塩酸2.44部、水11.6部、
NMP100部よりなる混合物に１・２・４−トリス
（Ｐ−ニトロスチリル）ベンゼン3.29部を加え90
〜100℃で５時間撹拌した後、熱時に20％炭酸ナ
トリウム水溶液でPH８とし、不溶物を熱時別す
る。液を水中に注加することによつて析出して
くる析出物を取し、クロロベンゼンより再結晶
することにより濃黄色結晶の１・２・４−トリス
（Ｐ−アミノスチリル）ベンゼン1.58部（収率58
％）を得た。
NMP100部よりなる混合物に１・２・４−トリス
（Ｐ−ニトロスチリル）ベンゼン3.29部を加え90
〜100℃で５時間撹拌した後、熱時に20％炭酸ナ
トリウム水溶液でPH８とし、不溶物を熱時別す
る。液を水中に注加することによつて析出して
くる析出物を取し、クロロベンゼンより再結晶
することにより濃黄色結晶の１・２・４−トリス
（Ｐ−アミノスチリル）ベンゼン1.58部（収率58
％）を得た。
１・２・４−トリス（Ｐ−アミノスチリル）ベ
ンゼン1.00部を濃塩酸5.8部、水5.8部から調整し
た希塩酸に加え、60℃で30分間撹拌し、次いで０
℃に冷却し、これに亜硝酸ナトリウム0.49部を水
２部に溶解した溶液を滴下した。その後、同温度
で30分間撹拌し、少量の不溶物を別し、その
液に42％硼弗化水素酸水溶液6.2部を加え、析出
してくる結晶を取し、水洗後、乾燥して、ヘキ
サゾニウムトリフルオロボレートを濃茶色結晶と
して得た。
ンゼン1.00部を濃塩酸5.8部、水5.8部から調整し
た希塩酸に加え、60℃で30分間撹拌し、次いで０
℃に冷却し、これに亜硝酸ナトリウム0.49部を水
２部に溶解した溶液を滴下した。その後、同温度
で30分間撹拌し、少量の不溶物を別し、その
液に42％硼弗化水素酸水溶液6.2部を加え、析出
してくる結晶を取し、水洗後、乾燥して、ヘキ
サゾニウムトリフルオロボレートを濃茶色結晶と
して得た。
このようにして得たヘキサゾニウム塩とカツプ
リング成分として、２−ヒドロキシ−３−ナフト
エ酸アニリド（ナフトールAS）2.02部とを冷却
したＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、
DMFと略す）200部に溶解し、これに酢酸ナトリ
ウム３水和物5.73部および水40部からなる水溶液
を４〜８℃にて約１時間で滴下し、その後、室温
にて３時間撹拌した。生成した沈澱物を取し、
水100部で３回洗浄した後、DMF150部で３回洗
浄し、さらにアセトンで１回洗浄した。これを乾
燥して表記のトリスアゾ化合物1.24部（収率42
％）を得た。融点269℃（分解） トリスアゾ化合物の赤外線吸収スペクトルを第
１図に示した。
リング成分として、２−ヒドロキシ−３−ナフト
エ酸アニリド（ナフトールAS）2.02部とを冷却
したＮ・Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、
DMFと略す）200部に溶解し、これに酢酸ナトリ
ウム３水和物5.73部および水40部からなる水溶液
を４〜８℃にて約１時間で滴下し、その後、室温
にて３時間撹拌した。生成した沈澱物を取し、
水100部で３回洗浄した後、DMF150部で３回洗
浄し、さらにアセトンで１回洗浄した。これを乾
燥して表記のトリスアゾ化合物1.24部（収率42
％）を得た。融点269℃（分解） トリスアゾ化合物の赤外線吸収スペクトルを第
１図に示した。
構造式
元素分析値
測定値(%) Ｃ：77.47 Ｈ：4.62 Ｎ：10.15
計算値(%) Ｃ：77.68 Ｈ：4.59 Ｎ：10.07
応用例
実施例で合成したトリスアゾ顔料とポリエステ
ル樹脂（東洋紡績製：バイロン200）を１：２の
重量比で混合し、これをｎ−ブチルアミンとエチ
レンジアミンの１：１（容積比）混合溶剤に溶解
させ8.4重量％の溶液を調製した。
ル樹脂（東洋紡績製：バイロン200）を１：２の
重量比で混合し、これをｎ−ブチルアミンとエチ
レンジアミンの１：１（容積比）混合溶剤に溶解
させ8.4重量％の溶液を調製した。
この溶液をアルミニウム基板上にアプリケータ
ーで塗布し、乾燥して厚さ約１μの電荷発生層を
形成した。
ーで塗布し、乾燥して厚さ約１μの電荷発生層を
形成した。
この上にＰ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ・Ｎ−ジフエニルヒドラゾンおよびポリカー
ボネート樹脂（テイジン製：パンライトＬ）を
１：１の重量比で配合し、テトラヒドロフランに
溶解し18重量％の溶液を作り、乾燥後の膜厚が約
10μになるようにアプリケーターで塗布した後、
乾燥し、電荷移送層を形成させた。このようにし
て、２層からなる感光層を有する電子写真用感光
体が得られた。
−Ｎ・Ｎ−ジフエニルヒドラゾンおよびポリカー
ボネート樹脂（テイジン製：パンライトＬ）を
１：１の重量比で配合し、テトラヒドロフランに
溶解し18重量％の溶液を作り、乾燥後の膜厚が約
10μになるようにアプリケーターで塗布した後、
乾燥し、電荷移送層を形成させた。このようにし
て、２層からなる感光層を有する電子写真用感光
体が得られた。
この感光体について静電複写紙試験装置（川口
電機製作所製SP−428型）を用いて−6KVのコロ
ナ放電を15秒間行なつて負に帯電せしめた後、20
秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vo（Ｖ）
を測定し、次いで、タングステンランプによつて
その表面が照度20ルツクスになるように光照射
し、その表面電位がVoの1/2になるまでの時間
（秒）を測定し、半減露光量Ｅ1/2（ルツクス・
秒）を求めた。
電機製作所製SP−428型）を用いて−6KVのコロ
ナ放電を15秒間行なつて負に帯電せしめた後、20
秒間暗所に放置し、その時の表面電位Vo（Ｖ）
を測定し、次いで、タングステンランプによつて
その表面が照度20ルツクスになるように光照射
し、その表面電位がVoの1/2になるまでの時間
（秒）を測定し、半減露光量Ｅ1/2（ルツクス・
秒）を求めた。
その結果は、Vo＝−820v、Ｅ1/2＝27ルツク
ス・秒であり、暗所における電荷の保持性、光感
度がともに大であつた。
ス・秒であり、暗所における電荷の保持性、光感
度がともに大であつた。
第１図は実施例により製造された本発明トリス
アゾ顔料の赤外線吸収スペクトルを示す。
アゾ顔料の赤外線吸収スペクトルを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式［］ で示される新規なトリスアゾ化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4171582A JPS58160358A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 新規なトリスアゾ化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4171582A JPS58160358A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 新規なトリスアゾ化合物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16808886A Division JPS6289770A (ja) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | 新規なトリスアゾ化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58160358A JPS58160358A (ja) | 1983-09-22 |
| JPS6239626B2 true JPS6239626B2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=12616113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4171582A Granted JPS58160358A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | 新規なトリスアゾ化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58160358A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211772A (ja) * | 1986-07-18 | 1987-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 新規なトリスアゾ化合物の製造方法 |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4171582A patent/JPS58160358A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58160358A (ja) | 1983-09-22 |
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