JPS6289869A - 硬質炭素膜の気相合成法 - Google Patents
硬質炭素膜の気相合成法Info
- Publication number
- JPS6289869A JPS6289869A JP23200585A JP23200585A JPS6289869A JP S6289869 A JPS6289869 A JP S6289869A JP 23200585 A JP23200585 A JP 23200585A JP 23200585 A JP23200585 A JP 23200585A JP S6289869 A JPS6289869 A JP S6289869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- carbon film
- phase synthesis
- emission spectrum
- hard carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 9
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 title claims 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 15
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、プラズマＣＶＤ法によって基板上に所望の
性状の硬質炭素膜を正確に析出させ得る硬質炭素膜の気
相合成法に関する。
性状の硬質炭素膜を正確に析出させ得る硬質炭素膜の気
相合成法に関する。
ダイヤモンド若しくはこれに性状の近似した硬質炭素膜
の合成法の１つに、第４図に示すプラズマＣＶＤ法があ
る。
の合成法の１つに、第４図に示すプラズマＣＶＤ法があ
る。
この方法は、減圧された反応管内にＨ，＋ＣＨ。
の反応ガス２を供給し、このガスを一般には１３．５６
ＭＨｚの高周波（Ｒ，Ｆ）電源３により励起して反応管
１内に生じるプラズマ４中で化学反応を起こさせ、サセ
プタ５に保持される基板の表面に硬質炭素膜を析出成長
させるものであり、励起源としては、２．４５ＧＨ２の
マイクロ波電源を使うこともある。また、図の装置はＬ
型結合のいわゆるバレル形であるが、電極を反応管内に
おくＣ結合の平行平板形装置を用いる場合もある。
ＭＨｚの高周波（Ｒ，Ｆ）電源３により励起して反応管
１内に生じるプラズマ４中で化学反応を起こさせ、サセ
プタ５に保持される基板の表面に硬質炭素膜を析出成長
させるものであり、励起源としては、２．４５ＧＨ２の
マイクロ波電源を使うこともある。また、図の装置はＬ
型結合のいわゆるバレル形であるが、電極を反応管内に
おくＣ結合の平行平板形装置を用いる場合もある。
ところで、ダイヤモンドが気相合成されるメカニズムは
、未だ完全に解明されていないが、Ｈ２及びＣＨ４ガス
の解離の度合により、ダイヤモンドが生成されるか否か
が大きく支配されることは判っている。
、未だ完全に解明されていないが、Ｈ２及びＣＨ４ガス
の解離の度合により、ダイヤモンドが生成されるか否か
が大きく支配されることは判っている。
また、その解離の度合は、反応管内に４人するガスの圧
力、流量、流速、励起源の出力、反応管の形状、管内減
圧度等のプラズマ条件と基板の位置に依存しており、プ
ラズマ条件或いは基板位置に変化があると析質膜の性質
も変わる０例えば、ダイヤモンドになったり、ｉ−カー
ボン（アモルファス状ダイヤ）になったりする。
力、流量、流速、励起源の出力、反応管の形状、管内減
圧度等のプラズマ条件と基板の位置に依存しており、プ
ラズマ条件或いは基板位置に変化があると析質膜の性質
も変わる０例えば、ダイヤモンドになったり、ｉ−カー
ボン（アモルファス状ダイヤ）になったりする。
ところが、従来のプラズマＣＶＤ法による硬質炭素膜の
気相合成では、基板形状や反応管形状の変化に対して、
例えばダイヤモンドを得るためのプラズマ条件をどのよ
うに変化させるかと云う膜質制御のための指針が無く、
このため、基板形状等に変化がある場合には、その都度
、気相合成試験と、得られた膜の成分分析を繰り返して
プラズマ条件をその結果から求める必要があったが、こ
の方法は、時間的、労力的、経済的な無駄が非常に大き
く、商業ベースにのり難い。
気相合成では、基板形状や反応管形状の変化に対して、
例えばダイヤモンドを得るためのプラズマ条件をどのよ
うに変化させるかと云う膜質制御のための指針が無く、
このため、基板形状等に変化がある場合には、その都度
、気相合成試験と、得られた膜の成分分析を繰り返して
プラズマ条件をその結果から求める必要があったが、こ
の方法は、時間的、労力的、経済的な無駄が非常に大き
く、商業ベースにのり難い。
そこで、この発明は、基板形状等が変化しても膜質に合
ったプラズマ条件を容易に求めて析出する膜の性質を任
意にコントロールし得るようにすることを目的としてい
る。
ったプラズマ条件を容易に求めて析出する膜の性質を任
意にコントロールし得るようにすることを目的としてい
る。
上記の目的を達成するこの発明の方法は、反応管内に発
生するプラズマの発光スペクトルを分析し、この分析結
果をプラズマ条件の設定指針として利用する。
生するプラズマの発光スペクトルを分析し、この分析結
果をプラズマ条件の設定指針として利用する。
発光スペクトルの分析は、第１図に示すように、反応管
１が石英系のガラス管から成る周知のプラズマＣＶＤ装
置に、監視部６、光ファイバ７、ポリクロメータ８、フ
ォトマルチプライヤ−チューブＳ１マルチチヤンネルデ
イテクタ及びコントローラ等から成る信号処理部１０、
モニタースコープ、プリンター等の表示部１１等で構成
される周知のプラズマ分析装置１２（プラズマ発光分光
装置）を組込んで行えばよい。第２図は、この分析装置
によって測定された発光スペクトルの一例を示すグラフ
であって、波長λ＝ ５６００〜６２００ （人）の領
域にあるスペクトルはＨ２及びＨ原子の発光スペクトル
を示している。
１が石英系のガラス管から成る周知のプラズマＣＶＤ装
置に、監視部６、光ファイバ７、ポリクロメータ８、フ
ォトマルチプライヤ−チューブＳ１マルチチヤンネルデ
イテクタ及びコントローラ等から成る信号処理部１０、
モニタースコープ、プリンター等の表示部１１等で構成
される周知のプラズマ分析装置１２（プラズマ発光分光
装置）を組込んで行えばよい。第２図は、この分析装置
によって測定された発光スペクトルの一例を示すグラフ
であって、波長λ＝ ５６００〜６２００ （人）の領
域にあるスペクトルはＨ２及びＨ原子の発光スペクトル
を示している。
本発明者等は、このＨ２及びＨ原子がダイヤモンドの合
成に大きく関与していると考え、λ＃６５００（人）の
波長域に生じる最大発光スペクトルＨαのピーク強度と
Ｈ２及びＨ原子のスペクトルのピ一り強度の関係を調べ
たところ、両者のピーク強度比によりダイヤモンドが析
出するか、ｉ−カーボンが析出するかを判断し得ること
を見い出した。
成に大きく関与していると考え、λ＃６５００（人）の
波長域に生じる最大発光スペクトルＨαのピーク強度と
Ｈ２及びＨ原子のスペクトルのピ一り強度の関係を調べ
たところ、両者のピーク強度比によりダイヤモンドが析
出するか、ｉ−カーボンが析出するかを判断し得ること
を見い出した。
即ち、λ＝ ５６００〜６２００ （人）の波長域にあ
るスペクトルピークが、最大発光スペクトルＨαとの強
度比で１／１００以上ある場合には完全なダイヤモンド
が得られるが、その強度比が１１５００以下である場合
は、析出膜がｉ−カーボンとなり、また、この強度比が
大きい程、析出膜中にＨ原子を含まない良質のダイヤ膜
となることが判った。
るスペクトルピークが、最大発光スペクトルＨαとの強
度比で１／１００以上ある場合には完全なダイヤモンド
が得られるが、その強度比が１１５００以下である場合
は、析出膜がｉ−カーボンとなり、また、この強度比が
大きい程、析出膜中にＨ原子を含まない良質のダイヤ膜
となることが判った。
そして、このピーク強度比から、そのピーク強度比を所
定の値、例えば１／１００以上に保つプラズマ条件を求
め、その条件を満足する調整・制御例えば反応ガスの圧
力、流量、流速調整、励起源の出力調整等を行えば、反
応管や基板の形状が変わっても所望の性質の炭素膜を得
ることが可能になり、また、プラズマ条件を変化させて
上記のピーク強度比を変えれば、膜質を任意にコントロ
ールできると云う結論に至った。
定の値、例えば１／１００以上に保つプラズマ条件を求
め、その条件を満足する調整・制御例えば反応ガスの圧
力、流量、流速調整、励起源の出力調整等を行えば、反
応管や基板の形状が変わっても所望の性質の炭素膜を得
ることが可能になり、また、プラズマ条件を変化させて
上記のピーク強度比を変えれば、膜質を任意にコントロ
ールできると云う結論に至った。
なお、発光スペクトルの中には、Ｈαのスペクトルに比
例するスペクトル、例えば第２図のＨβ等が含まれるの
で、このスペクトル強度をＨαに代えてＨ２及びＨ原子
のスペクトルとの比較に使ってもよい、但し、Ｈαのよ
うに、強度の大きなスペクトル程、Ｈ２及びＨ原子のス
ペクトルとの比較が容易である。
例するスペクトル、例えば第２図のＨβ等が含まれるの
で、このスペクトル強度をＨαに代えてＨ２及びＨ原子
のスペクトルとの比較に使ってもよい、但し、Ｈαのよ
うに、強度の大きなスペクトル程、Ｈ２及びＨ原子のス
ペクトルとの比較が容易である。
また、プラズマ条件は、その変化に伴うピーク強度比の
変化から容易に求めることができる。例えば、ガス圧は
、ピーク強度比が所定の値に達する迄圧力を上げるか又
は下げることによって求められる。励起源の出力等の他
の条件も同様の方法で求めればよく、このようにして求
めたプラズマ条件を気相合成中に保持すれば、所望の性
質の炭素膜を成長させることができる。
変化から容易に求めることができる。例えば、ガス圧は
、ピーク強度比が所定の値に達する迄圧力を上げるか又
は下げることによって求められる。励起源の出力等の他
の条件も同様の方法で求めればよく、このようにして求
めたプラズマ条件を気相合成中に保持すれば、所望の性
質の炭素膜を成長させることができる。
以下に、この発明の有効性を立証するために行った実験
の結果を記す。
の結果を記す。
第３図は、高周波プラズマＣＶＤ装置を用いたダイヤモ
ンドの気相合成において、第１図のＡｌＢの２地点で反
応管１内に生じたプラズマ４の発光スペクトルを調べた
グラフで、位置Ａのスペクトルがグラフ（ａ）に、位ｆ
Ｂのスペクトルがグラフ（ｂ）に示されている。
ンドの気相合成において、第１図のＡｌＢの２地点で反
応管１内に生じたプラズマ４の発光スペクトルを調べた
グラフで、位置Ａのスペクトルがグラフ（ａ）に、位ｆ
Ｂのスペクトルがグラフ（ｂ）に示されている。
この実験におけるガス流量、ガス圧、ガス流速、Ｒ，Ｆ
電源３の出力等のプラズマ条件は、経験的に求められた
条件の中で、ダイヤモンド生成領域が存在するものを選
んだ。
電源３の出力等のプラズマ条件は、経験的に求められた
条件の中で、ダイヤモンド生成領域が存在するものを選
んだ。
この２つのグラフのうち、（ａ）では、λ−５６００〜
６２００ （人）の波長域にあるＨｌ及びＨ原子スペク
トルのピーク強度が非常に大きく、そのＨαに対する比
が１／１００以上あるため、析出する膜はダイヤモンド
結晶であると推測された。
６２００ （人）の波長域にあるＨｌ及びＨ原子スペク
トルのピーク強度が非常に大きく、そのＨαに対する比
が１／１００以上あるため、析出する膜はダイヤモンド
結晶であると推測された。
一方、グラフ（ｂ）の場合、Ｈ２及びＨ原子の発光スペ
クトル強度が極めて小さく、Ｈαに対する比が１１５０
０以下であるため、析出する膜は、ｉ−カーボンである
と推察された。
クトル強度が極めて小さく、Ｈαに対する比が１１５０
０以下であるため、析出する膜は、ｉ−カーボンである
と推察された。
そこで、Ａ、 Ｂの各点においてサセプタ上で気相合成
されたｓｉ基板を反応管より取出し、その基板の表面に
形成された炭素膜を分析したところ、推測した通りの結
果が得られ、発光スペクトルの強度比がプラズマ条件の
設定指針となることが裏付けられた。
されたｓｉ基板を反応管より取出し、その基板の表面に
形成された炭素膜を分析したところ、推測した通りの結
果が得られ、発光スペクトルの強度比がプラズマ条件の
設定指針となることが裏付けられた。
以上述べた通り、本発明は、プラズマＣＶＤ法において
、反応管内に生じるプラズマの発光スペクトルを分析し
、その中に含まれるＨ２及びＨ原子のスペクトルピーク
強度と最大発光スペクトル又はそれに比例するスペクト
ルのピーク強度とを比較してその強度比から析出する炭
素膜の性質を予測する方法を採るので、ダイヤモンド又
はｉ−カーボンを析出させるためのプラズマ条件を上記
のピーク強度比を指針として容易に特定できる。
、反応管内に生じるプラズマの発光スペクトルを分析し
、その中に含まれるＨ２及びＨ原子のスペクトルピーク
強度と最大発光スペクトル又はそれに比例するスペクト
ルのピーク強度とを比較してその強度比から析出する炭
素膜の性質を予測する方法を採るので、ダイヤモンド又
はｉ−カーボンを析出させるためのプラズマ条件を上記
のピーク強度比を指針として容易に特定できる。
また、基板の位置に対応した発光スペクトルの分析を行
うことにより、どの位置にある基板の被膜がダイヤモン
ドとなるかｉ−カーボンになるかをプラズマ条件を変え
た場合にも特定できる。
うことにより、どの位置にある基板の被膜がダイヤモン
ドとなるかｉ−カーボンになるかをプラズマ条件を変え
た場合にも特定できる。
従って、この結果から析出する炭素膜の性質を任意に変
化させ、或いはコントロールすることが可能になり、さ
らに、所望しない性質の膜が形成される位置への基板の
セットを避けて経済的な無駄を省くことも可能になる。
化させ、或いはコントロールすることが可能になり、さ
らに、所望しない性質の膜が形成される位置への基板の
セットを避けて経済的な無駄を省くことも可能になる。
なお、以上の効果は、励起源にマイクロ波電源を使用し
た場合にも、同様に発揮される。
た場合にも、同様に発揮される。
第１図は、この発明の方法の一例を示す線図、第２図は
プラズマの発光スペクトルの一例を示すグラフ、第３図
の（ａ）、（ｂ）は、効果の立証実験において、第１図
の装置のＡ、Ｂ点で測定した発光スペクトルを示すグラ
フ、第４図は、周知のプラズマＣＶＤ装置を示す線図で
ある。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・反応ガス、３・
・・・・・Ｒ，Ｆ電源、４・・・・・・プラズマ、５・
・・・・・サセプタ、１２・旧・・プラズマ分析装置
プラズマの発光スペクトルの一例を示すグラフ、第３図
の（ａ）、（ｂ）は、効果の立証実験において、第１図
の装置のＡ、Ｂ点で測定した発光スペクトルを示すグラ
フ、第４図は、周知のプラズマＣＶＤ装置を示す線図で
ある。 １・・・・・・反応管、２・・・・・・反応ガス、３・
・・・・・Ｒ，Ｆ電源、４・・・・・・プラズマ、５・
・・・・・サセプタ、１２・旧・・プラズマ分析装置
Claims (1)
- プラズマＣＶＤ法による硬質炭素膜の気相合成法におい
て、反応管内に生じるプラズマの発光スペクトルを分析
装置を用いて測定し、この測定値に含まれる最大発光ス
ペクトルもしくはそれに強度の比例するスペクトルとＨ
、及びＨ原子の発光スペクトルとのピーク強度比からそ
のピーク強度比を所定の値に保持するプラズマ条件を求
めて析出する炭素膜の膜質をコントロールすることを特
徴とする硬質炭素膜の気相合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23200585A JPS6289869A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 硬質炭素膜の気相合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23200585A JPS6289869A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 硬質炭素膜の気相合成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289869A true JPS6289869A (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=16932450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23200585A Pending JPS6289869A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 硬質炭素膜の気相合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289869A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62228482A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-10-07 | Hitachi Ltd | 低温プラズマ処理装置 |
| JPS6487777A (en) * | 1987-07-15 | 1989-03-31 | Boc Group Inc | Method and apparatus for controlling thin film adhesion process by plasma |
| WO2004031440A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 薄膜成膜方法、薄膜成膜装置および薄膜成膜プロセスの監視方法 |
| JP2009513827A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-02 | シデル パルティシパション | プラズマを監視する方法、この方法を実施する装置、この方法を使用して膜をｐｅｔ中空体上に付着させる方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172218A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-11 | Minolta Camera Co Ltd | アモルフアスシリコン光導電層の製造方法 |
| JPS60182446A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス半導体膜の形成方法及びその装置 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP23200585A patent/JPS6289869A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172218A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-11 | Minolta Camera Co Ltd | アモルフアスシリコン光導電層の製造方法 |
| JPS60182446A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアス半導体膜の形成方法及びその装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62228482A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-10-07 | Hitachi Ltd | 低温プラズマ処理装置 |
| JPS6487777A (en) * | 1987-07-15 | 1989-03-31 | Boc Group Inc | Method and apparatus for controlling thin film adhesion process by plasma |
| WO2004031440A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 薄膜成膜方法、薄膜成膜装置および薄膜成膜プロセスの監視方法 |
| US8062716B2 (en) | 2002-09-30 | 2011-11-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method for forming thin film, apparatus for forming thin film, and method for monitoring thin film forming process |
| JP2009513827A (ja) * | 2005-10-27 | 2009-04-02 | シデル パルティシパション | プラズマを監視する方法、この方法を実施する装置、この方法を使用して膜をｐｅｔ中空体上に付着させる方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU1797628C (ru) | Способ управлени плазменным осаждением тонких пленок в вакууме | |
| CA1194385A (en) | Device fabrication using gas-solid processes | |
| Muehle et al. | Extending microwave plasma assisted CVD SCD growth to pressures of 400 Torr | |
| JPS6289869A (ja) | 硬質炭素膜の気相合成法 | |
| JPH01198482A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成法 | |
| EP1162285A2 (en) | Method and apparatus for forming diamond film | |
| JPH0441672A (ja) | 高周波プラズマｃｖｄ法による炭素膜の形成法 | |
| US5518759A (en) | High growth rate plasma diamond deposition process and method of controlling same | |
| Barshilia et al. | Concentration of atomic hydrogen in the ground state in a CH4‐H2 microwave plasma | |
| EP0327051B1 (en) | Diamond and its preparation by chemical vapor deposition method | |
| JPH04212414A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| Lamara et al. | Diamond thin film growth by pulsed microwave plasma at high power density in a CH4–H2 gas mixture | |
| US6596339B1 (en) | Method and apparatus for non-contact, in-situ temperature measurement of a substrate film during chemical vapor deposition of the substrate film | |
| Chatei et al. | Optical emission diagnostics of permanent and pulsed microwave discharges in H2–CH4–N2 for diamond deposition | |
| Li et al. | Optical and mass spectroscopic properties of microwave CH4/H2/Ar plasma for diamond deposition in a resonance cavity | |
| JPS58190811A (ja) | アモルフアス水素化シリコン光導電膜の製造法 | |
| JPS62228482A (ja) | 低温プラズマ処理装置 | |
| JPH0225571A (ja) | 硬質炭素膜合成方法 | |
| Weimer et al. | Characterization of microwave plasma CVD of diamond by mass analysis and optical emission spectroscopy | |
| JP2003507152A (ja) | 高温気相プロセスの制御方法および該方法の使用 | |
| Lamara et al. | Correlation between the characteristics of a pulsed microwave plasma used for diamond growth and the properties of the produced films | |
| GB2700698A (en) | Microwave plasma reactor and method of operation | |
| JPH06157193A (ja) | 炭素膜形成方法 | |
| Ulczynski | Low-temperature deposition of transparent diamond films with a microwave cavity plasma reactor | |
| JPH02107772A (ja) | 硬質炭素膜の合成方法 |