JPS6289936A - 光導波路素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の分野） 本発明は光導波路素子、特に詳細には温度変化により光
屈折率を変える温度光学材料からなる光導波層（路）を
有し、該光導波層内の導波光を層外に出射させて光走査
や光変調等に利用されうるようにした光導波路素子に関
するものでおる。

（従来の技術） 周知の通り従来より、光走査式の記録装置や、読取装置
が種々提供されている。このような装置において記録光
あるいは読取光を１次元的に走査する光走査装置として
従来より、 ■例えばガルバノメータミラーヤギ１ノゴンミラーく回
転多面鏡）等の機械式光鴻向器により光ビームを偏向走
査させるもの、 ■ＥＯＤ　（電気光学光偏向器）やＡＯＤ　（音官光学
光儂向器）なと固体光偏向素子を用いた光偏向器により
光ビームを偏向走査させるもの、■液晶素子アレイやＰ
ＬＺＴアレイ等のシャッタアレイと線光源とを組み合わ
せ、シャツタアレイの各シャッタ素子に個別的に駆動回
路を接続し、画像信号に応じて、０Ｎ１０ＦＦを選択し
て同時に聞くことにより線順次走査をさせるもの、ざら
には ■Ｌ　Ｅ　Ｄ等の発光素子を多数−列に並設し、各発光
素子に個別的に駆動回路を接続し、画像信号に応じて０
Ｎ１０ＦＦを選択して同時に発光させることにより線順
次走査させるもの等が知られている。

ところが上記■の機械式光偏向器は撮動に対して弱く、
またＦｊＭ械的耐久性も低く、その上調整が面倒でおる
という欠点を有している。ざらに光ビームを振って偏向
させるために光学系が大きくなり、記録装置や読取装置
の大型化を招くという問題もめる。

また■のＥＯＤやＡＯＤを用いる光走査装置に必っても
、上記と同様に光ビームを振って偏向させるために、装
置が大型になりやすいという問題かめる。持に上記ＥＯ
ＤヤＡＯＤは光偏向角が大きくとれないので、■の機械
式光偏向器を用いる場合よりもざらに光学系が大きくな
りがちでめる。

一方■のシャッタアレイを用いる光走査装置におっては
、偏光板を２枚使用する必要がおることから、光源の光
利用効率か非常に低いという問題がおる。

また■の発光素子を多数並設して用いる光走査装置にお
っては、各発光素子の発光強度にバラツキが生じるため
、精密走査には不向きであるという問題がある。

上記のような事情に鑑み本出願人は、耐久性、耐１辰動
性に優れ、調整が容易で、光利用効率が高く、精密走査
が可能で、しかも小型に形成されうる光走査装置を提案
した（特願昭６０−７４０６１号）。この光走査装置は
、光導波路素子を利用するものであり、 少なくとも一方がエネルギー付加により光、回折率を変
える材料からなり、互いに密着された光導波層と通常は
該光導波層よりも小さい光回折率を示す隣接層との積層
体と、 上記光導波層および／または隣接層に、光導波裔内を進
む導波光の光路に沿って設けられた複数のエネルギー付
加手段と、 上記隣接層の上部の、少なくとも上記エネルギー付加手
段によるエネルギー付加箇所に対応する部分にそれぞれ
設けられた回折格子と、上記複数のエネルギー付加手段
を順次択一的に所定のエネルギー付加状態に設定し、そ
のエネルギー付加箇所において導波光か前記回折格子と
のΔ目豆作用により前記積層体の外に出射するように光
導波層および／または隣接層の光屈折率を変化させる駆
動回路とから構成され、 光導波層の光、回折率（ｎｚ）ａ５よび／または隣接、
苦の光屈折率（ｎｌ、通常状態すなわちエネルキーが付
加されていない状態ではｎｚ　＞ｎｌの関係を持つ）を
、その差（ｎｚ　　ｎ＋）が小さくなるように、あるい
はｎ２≦ｎ１となるように変化させて、光導波層中に閉
じ込められた導波光の界分イ５を変化させ、回折格子と
の相互作用によって導波光を光導波層と隣接層との積層
体から外部へ取り出し、これを走査光として利用するよ
うにしたものでおる。

より詳細に説明するならば、例えば第１図に示すように
この光走査装置が、基板１０上に光導波１苦１１、表面
に回折格子Ｇが設けられた隣接層１２（温度光学材料か
ら形成されているものとする）を有し、基板１０の光屈
折率ｎ３、非加熱時の光導波層１１の光屈折率ｎ２、同
じく非加熱の隣接層１２の光屈折率ｎ、の間にｎｚ　＞
ｎｌ　、ｎ３の関係か成り立っているものとする。

第１図で示した構成の場合、隣接、＠１２がｈ０熱され
ない時の分散曲線は第２図（ａ）のように表わされる。

第２図（ａ＞において縦軸は光の実効屈折率を、また横
軸は光導波層１１の厚みを表わし、°光導波層１１の厚
みをＴとすると、光導波層１１の実効屈折率はｎ。ｆｆ
である。この時導波光１４の界分布（電界分布〉は、例
えばＴＥｏモードを仮定すると、第３図（ａ）のように
表わされる。第３図（ａ）は導波光が隣接層１２や基板
１０にわずかに浸み出しているものの、回折格子Ｇと相
互作用をするにはいたらず、導波光１４がほとんど外部
へ漏れずに光導波層１１中を進行している状態を示して
いる。

次に、隣接層１２の表面に設けた回折格子Ｇに対向する
部分Ｐ１．：おいて隣接層１２を所定温度に加熱してそ
の光屈折率をｎｌからｎｌ　＋△ｎへ増大ざぜる。この
時、分散曲線は第２図（ｂ）の１点鎖線で表わせられ、
光導波層１１の実効屈折率ｎｅｆｆはｎ′　　に増大す
る。この時の導波光の電界力ｆｆ 布は第３図（ｂ）のように変化し、隣接層１２への導波
光の浸み出し光が、回折格子Ｇと十分相互作用するよう
に増加する。その結果、図の斜線部の浸み出し光が図の
上方（回折格子Ｇの種類によっては下方又は上下双方）
へ放射されながら進行し、遂には、はとんどの導波光が
外部へ取り出される。

また、第１図で示した構成において、隣接層１２の光屈
折率をｎｌからｎ１＋△ｎ”に変化させたとき、このｎ
ｌ＋△ｎ１１の値が、隣接層１２の光屈折率の変化に伴
って変化する光導波層１１の実効屈折率ｎ”　　　と等
しくなるほどに大きくなると、ｆｆ その分散曲線は第２図（Ｃ）の１点鎖線のようになり、
導波光は導波モードから放射モートへ変換し、光は隣接
層１２へ移行する。このときの導波光の電界分布は第３
図（Ｃ）のように変化し、導波光は隣接層１２へ多量に
漏れ出し、回折格子Ｇと相互作用して図の上方（および
／または下方）へ放射されながら進行し、速やかに外部
に取り出される。また、隣接、＠１２の光屈折率ｎ１を
光導波層１１の光屈折率ｎ２と略等しいか又はｎｌより
も大きくなるように変化させることによって、光導波層
１１内の導波光の全反射条件を変化させて導波光を隣接
層１２中に移動させ、更に回折格子Ｇとの相互作用によ
り、外部へ取り出すことができる。このようにして、加
熱した箇所で導波光を外部に取り出すことができるから
、上述の回折格子Ｇを複数、１列に延びるように設けて
おき、各回折格子Ｇに対向する部分Ｐを順次択一的に加
熱すれば、隣接層１２からは出射位置を変えながら光が
出射するようになり、光走査がなされる。

上記構成の光走査装置は、単一の光源を使用するもので
あるから、前記ＬＥＤアレイ等にみられる光源の発光強
度バラツキの問題が無く、精密走査が可能となり、光源
の光利用効率も高められる。

またこの光走査装置は、機械的作動部分を備えないから
耐久性、耐振動性に優れて調整も容易であり、ざらに光
ビームを大きく振らずに走査可能であるから、この装置
によれば、光走査系の大型化を回避し、光走査記録装置
あるいは読取袋＠？小型に形成することができる。

前述のエネルギー付加により光屈折率を変える材料とし
ては、電界により光屈折率を変える電気光学材料、温度
により光屈折率を変える温度光学材料、超音波により光
屈折率を変える音響光学材料、磁界により光屈折率を変
える磁気光学材料等が利用可能でおる。そのうちの温度
光学材料を利用する場合には、少ない加熱エネルギー消
費量で光導波層および隣接層の光屈折率を効率良く変化
させること、すなわち光面折率変化のための加熱エネル
ギー利用効率が高いことが実用上望ましい。

（発明の目的） そこで本発明は、温度光学材料によって光導波層と隣接
層とが形成されて、前述のような光走査装置を構成する
ことができる光導波路素子において、光面折率変化のた
めの加熱エネルギー利用効率が高い光導波路素子を提供
することを目的とするものでおる。

（発明の構成） 本発明の光導波路素子は、前）ホの積層体の光導波層お
よび隣接層をそれぞれ、光屈折率の温度係数が零又は負
（つまり加熱により光屈折率が変化しない又は低下する
）の温度光学材料、および上記温度係数が正で（つまり
加熱により光屈折率が増大する）非加熱時は該光導波層
よりも小さい光屈折率を示す湿度光学材料から形成し、
そして上記光導波層内を進む導波光の光路に沿った所定
の箇所を加熱するように隣接層表面に加熱手段を設ける
とともに、 上記加熱箇所において隣接層の表面に回折格子を設けて
なるものである。

上記構成の光導波路素子において、１列に配された複数
の力０熟箇所をそれぞれカロ熱するように加熱手段を複
数設け、そしてこれらの加熱手段を順次択一的に所定の
加熱状態に設定する駆動回路を組み合わせれば、光走査
装置が形成される。

また上記構成の光導波路素子において、加熱手段を１つ
だけ設け、この加熱手段を画像信号等に基づいて所定の
加熱状態に設定する駆動回路を組み合わせれば、光変調
器を形成することができる。

（作　　用） 前述の加熱手段により隣接層を加熱すると光導波層も昇
温し光導波層の光屈折率ｎ２と隣接層の光屈折率ｎ１の
関係を、前述のように通常Ｂ￥ｆ（この場合は非加熱時
）のｎｚ　＞ｎｌの関係から、差（ｎｚ　　ｎｘ）が小
さくなるように、あるいはｎ２≦ｎ１となるように変化
させることができ、導波光を積層体外へ取り出すことが
できる。そして本発明の光導波路素子においては、光導
波層を構成する温度光学材料として光屈折率の温度係数
が零又は角のもの、一方隣接層を構成する温度光学材料
として光屈折率の温度係数が正のものを用いているから
、隣接層、光導波層をさほど加熱しなくても、上述のよ
うに差（ｎ２　　ｎｘ）が十分小さくなるように、市る
いはｎ２≦ｎ１とすることができる。

（実施態様） 以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。

第４図は本発明の一実Ｗ！態様による光導波路素子を用
いて形成された光走査装置２０を示すものである。基板
１０の上には、光導波＠１１と該光導波層１１に密着し
た隣接層１２とからなる積層体１３が設けられている。

なお光導波層１１は光屈折率の温度係数が零又は負の湿
度光学材料、一方隣接層１２は光屈折率の温度係数が正
の温度光学材料から形成されている。そして前述のよう
に光導波層１１内を光が進行しうるように光導波＠１１
、隣接層１２、基板１０はそれぞれ、前記関係 ｎ、、＞ｎｌ・ｎｌ を満たす材料から形成されている。なお前述の通り、ｎ
ｌは基板１０の光屈折率、ｎｌ　、ｎ２はそれぞれ隣接
、＠１２、光導波層１１の非加熱時の光屈折率である。

このような隣接層１２、光導波層１１、基板１０の材料
の粗合せとしては例えば、波長６３２゜６ｎｍのＨｅ−
Ｎｅレーザに対する光屈折率ｎ１、ｎ２、ｎｌがそれぞ
れ１．５２．１．５４．１゜４６である、ショット社（
西独）の光学ガラスＫＦ９　（＋２０〜＋４０’Ｃにお
ける絶対温度係数Δｎ／Δ丁が＋２　、９　Ｘ　１０’
　／°Ｃ：　ｉＸ下同様）、同ＢＡＫ２　（−〇、１ｘ
１０’／’Ｃ）　、同ＦＫ３（−２，０Ｘ１０”６／°
Ｃ）；必るいは光学ガラスＰＫ２　（＋１．４ｘ１０″
６／°Ｃ）、同ＫＦ１　（−０，４ｘ１０°６゜７℃）
、同ＦＫ３　：さらには光学カラスＢＫ７　（＋１．２
Ｘ１０−６／°Ｃ）、同ＢＡＫ２　（−０，１ｘ１０’
／’Ｃ）　、同ＦＫ３　：光学ガラスＫＦ９　（＋２．
９ｘ１０°”／’Ｃ）、同ＢＡＫ２　（０，０ｘ１０’
／’Ｃ）　、同ＦＫ３等が挙げられる。温度光学材料と
しては上記のような光学ガラスの他に結晶、プラスチッ
ク等も屈折率およびｍ折率の温度変化の条件が満されれ
ば用いることができる。なお光導波路については、例え
ばティー　タミール（Ｔ、Ｔａｍ１　ｒ）編［インチグ
レイテッド　オプティクス（１ｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　
０ｐｔｉｃｓ）」　（トピックス　イン　アプライド　
フィジックス（Ｔｏｐｉｃｓ　　ｉｎ　　Ａｐｐｌｉｅ
ｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ）第７巻）スプリンガー　フエア
レーザ（Ｓｐｒ　ｉ　ｎｇｅｒ　−Ｖｅｒ　ｌ　ａＱ）
刊（１９７５）：西原、春名、栖原共著「光集積回路」
オーム社刊（１９８５）等の成著に詳細な記述がある。

また光導波層１１、隣接層１２、基板１０はそれぞれ一
例として厚さ０．５〜］Ｏμｍ、１〜５０μｍ、１μｍ
以上に形成されるが、これに限られるものではない。

隣接層１２の表面には、透明電熱材料から形成された回
折格子Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３・・・Ｇｎが１列に並設されて
いる。上述の透明電熱材料としては例えば、Ｉｎ２Ｏ３
と５ｎＯｚとからなるもの等が挙げられる。なお回折格
子Ｇ１〜Ｑｎの大きさは、例えば１０Ｘ１０μｍ〜０．
２Ｘ５Ｍ程度とされ、各回折格子０１〜Ｇｎ間の間隔は
１００〜２００μｍ程度に設定される。各回折格子０１
〜Ｑｎを構成する複数の格子要素は、両端部においてそ
れぞれ互いに電気的に導通するようにされ、そして各回
折格子Ｇ１〜Ｑｎは基板１０上に形成されたドライバ１
５に接続されている。なおこのドライバ１５は、基板１
０とは独立して設けられてもよい。

−力光導波層１１には、回折格子Ｇ１〜Ｑｎの並び方向
の延長上において、導波路レンズ１６が形成されており
、また基板１０には光導波層１１内の上記導波路レンズ
１６に向けてレーザビーム（放射ビーム）１４′を射出
する半導体レーザ１７が取り付けられている。

第５図は上記光走査装置２０の駆動回路２１を示すもの
である。以下この第５図も参照して、光走査装置２０の
作動について説明する。まず前述の半導体レーザ１７が
駆動され、レーザビーム１４′が光導波層１１内に射出
される。このレーザビーム１４′は導波路レンズ１６に
よって平行光１４とされ、この光１４は光導波層１１内
を導波モードで回折格子Ｇ１〜（３ｎの並び方向に進行
する（第４図参照）。そして回折格子０１〜Ｇｎには、
加熱用電源２２からの電流■か、前記ドライバ１５を介
して流される。このドライバ１５は、タロツク信ＱＣＬ
Ｋに同期して作動するシフトレジスタ２３の出力を受け
て作動し、電流■を供給する回折格子Ｇ１〜ｉ３ｎを１
つずつｊｌ１次選択して、電流供給を行なう。つまり最
初はｎｆｌＭｌの回折格子０１〜Ｇｎのうち１番目の回
折格子Ｇ１のみに、次は２番目の回折格子Ｇ２のみに、
・・・・・・と電流Ｉが供給される。こうして回折格子
Ｇ１〜Ｑｎに順次電流Ｉが流されると各回折格子Ｇ１〜
Ｇｎが順次発熱し、発熱した回折格子に対向している部
分の隣接層１２および光導波層１１が加熱され、隣接層
１２の光屈折率は高くなり、反対に光導波層１１の光屈
折率は低くなる。すると前述したように前記光（導波光
）１４は上記光屈折率か変化した部分において、光導波
層１１から隣接層１２側に出射し、回折格子Ｇ１〜Ｇｎ
の回折作用により隣接層１２外に出射する。つまり最初
は回折格子Ｇ１から、次は回折格子Ｇ２から、回折格子
Ｇｎの次は元に戻って回折格子Ｇ１から、と光１４の出
射位置が順次変化するので、被走査体１８はこの出射し
た光１４により、第４図の矢印Ｘ方向に走査されるよう
になる（なお光出射位置が、回折格子Ｇ１→Ｇ２→・−
・・−・Ｇｎ−＋Ｇ　（ｎ　−１）　→Ｇ　（ｎ−２）
　−と変化するように、回折格子Ｇ１〜Ｇｎへの電流供
給を制御してもよい）。そして上記のようにして主走査
を行なうとともに、クロック信号ＣＬＫによって該主走
査と同期をとって被走査体１８を第４図の矢印Ｙ方向に
移動させて副走査を行なえば、この被走査体１８は２次
元的に走査されることになる。

なお隣接層１２、光導波層１１はそれぞれ、光屈折率の
温度係数が正の温度光学材料、零又は負の温度光学材料
から形成されているから、前述の通りこれら両層１１．
１２をざほど加熱しなくても、光１４が隣接層１２から
出射しうる。

なお本実施態様において隣接層１２の表面に設けられる
回折格子Ｇ１〜Ｇｎは、集光回折格子として形成されて
あり、該回折格子０１〜Ｏｎから出射した光１４は、被
走査体１８上の一点に集束されるようになっている。こ
の集光回折格子は、光導波層１１内の導波光１４の進行
方向に２次曲線状の格子パターン（グリッドパターン）
を呟♂２し、そして各パターンの曲率とパターン間ピッ
チを変化させてなるものでおり、それにより上述のよう
な集束作用を有するものとなっている。なおこのような
集光回折格子については、例えば電子通信学会技術研究
報告０ＱＣ８３−８４の４７〜５４ページ等に詳しく記
載されている。

また、半導体レーザ１７を光導波、層１１に直接結合せ
ずに、レンズやカプラープリズム、グレーティングカプ
ラ等を介して光導波層１１に光を入射ざぜるようにして
もよい。また半導体レーザ１７は光導波層の形成時に、
これと一体に作られてもよい。

走査光を発生する光源は上）ホの半導体レーザ１７に限
らず、その他例えばガスレーザや固体レーザ等が用いら
れてもよい。

また隣接層１２から出射した光１４を１点に集束させる
には、前述のように回折格子０１〜Ｇｎを集光回折格子
とする伯、第６図に示すように、光走査装置２０と被走
査体１８との間に例えばセルフォックレンズアレイ等か
らなるレンズアレイ３０を八２けるようにしてもよい。

また第７図に示すように隣接層１２の上に、各回折格子
Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３〜Ｇｎに対向する位置にレンズＬ１、
Ｌ２、Ｌ３〜Ｌｎか設けられたレンズアレイ層３１を設
けるようにしてもよい。この場合上記レンズＬ１〜Ｉｎ
は、第７図に示されるように通常の凸レンズ状としても
よいし、またアレイ１＠材料の屈折率に分布を与えてな
る屈折率分布型レンズとしてもよい。ざらには上記のよ
うなレンズアレイ３０やレンズアレイ―３１と、前記集
光回折格子の双方によって光１４を集束させるようにし
てもよい。しかし上記集光回折格子のみを用いれば、レ
ンズアレイ３０やレンズアレイ層３１が不要となり、光
走査装置の構造が簡単になって好ましい。また隣接層１
２から出射する光１４を以上説明のようにして集束させ
ることは必ずしも必要ではなく、場合によっては平行光
、おるいは拡散光によって被走査体１８を走査するよう
にしても構わない。

以上説明した実施態様においては、光導波層１１と隣接
図１２との積層体１３は基板１０上に設けられているが
、特にこのような基板１０を用いず、光導波層１１か直
接空気に接するようにしても溝わないし、ざらには光導
波層１１の両表面に隣接層１２を積層ｉノで、光導波層
１１の上下両側に走査光を出射させ、２つの被走査面を
同時に走査することも可能である。

ざらに上記実施態様においては、電熱材料からなる回折
格子０１〜Ｑｎによって光導波層１１、隣接＠１２を加
熱するようにしているが、所定の加熱箇所を左右から挟
むように、あるいは四方から囲むように加熱手段を配置
して所定箇所を加熱することも可能でおる。

また本発明の光導波路素子を用いる光走査装置は、走査
光取出し部分で必る回折格子Ｇ１〜Ｇｎの列が複数列並
ぶように形成して、複数の走査光を同時に取出し可能と
することもできる。

以上、光走査装置を構成するように形成された実施態様
について説明したが、本発明の光導波路素子は、光変調
器を構成するように形成することもできる。以下、その
ように形成された実施態様について第８図を参照して説
明する。なおこの第８図において、前記第４図中の要素
と同等の要素には同番号を付してあり、それらについて
は特に必要の無い限り説明を省く。この光変調器５０を
構成する積層体１３において、隣接層１２上には比較的
大型の回折格子Ｇが１つだけ設けられている。この構成
においても、上記回折格子Ｇを加熱すれば、導波光１４
が積層体１３外に出射する。したがって回折格子Ｇの加
熱、つまり該回折格子Ｇへの加熱用電流供給を画像信号
等に基づいて制御すれば、積層体１３外に出射する光１
４は、上記画像信号等に対応して変調されるようになる
。なおこの場合、上述のようにして積層体１３外に出射
する光を被変調光として利用してもよいし、あるいは回
折格子Ｇを通り過ぎて光導波＠１１内を進行する光を例
えばカプラープリズム等によって該光導波層１１外に取
り出し、この取り出された光を被変調光として利用して
もよい。つまり後者の場合、上記のようにして取り出さ
れる光は、回折格子Ｇから導波光１４が出射するときに
はその分だけ光量低下するので、画像信号等に応じて変
調されたものとなる。

（発明の効果〉 以上詳細に説明した通り本発明の光導波路素子は光走査
装置に適用されたとき、単一の光源を使用するように光
走査装置を構成可能であるから、前記ＬＥＤアレイ等に
みられる光源の発光強度バラツキの問題が無く、精密走
査が可能となり、光源の光利用効率も高められる。また
本発明の光導波路素子は勿論機械的作動部分を備えない
から耐久性、耐撮動性に優れて調整も容易であり、ざら
に光ビームを大きく振らずに走査可能でおるから、この
光導波路素子によれば、光走査系の大型化を回避し、光
走査記録装置おるいは読取装置を小型に形成することが
できる。

また本発明の光導波路素子は、導波光を回折格子によっ
て効率良く光導波層外に取出し可能であるから、光変調
器に適用された場合には、その消光比を十分に高める効
果を奏する。

しかも本発明の光導波路素子は、隣接層、光導波層をそ
れぞれ光屈折率の温度係数が正の温度光学材料、零又は
負の温度光学材料から形成したので、これら両層に比較
的小ざな温度変化を与えれば隣接図外に光が出射される
ようになり、７ＪＤ熱用エネルギーの消費が低く抑えら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の導波光取出しの仕組みを説明する
説明図、 第２図は第１図の構成の分散曲線を示すグラフ、第３図
は第１図の構成における導波光の電界弁イｂを示す概念
図、 第４図は本発明の第１実施態様による光導波路素子を用
いて構成された光走査装置を示す斜視図、第５図は上記
光走査装置の電気回路を示すブロック図、 第６図、第７図はそれぞれ、本発明の光導波路素子を用
いて形成される光走査装置の別の例を示す側面図、 第８図は本発明の第２実！態様による光導波路素子を用
いて構成された光変調器を示す斜視図である。 １０・・・基（反　　　　　　１１・・・光導波図１２
・・・隣接層　　　　　１３・・・積層体１４・・・光
　　　　　　　１５・・・ドライバ１６・・・導波路レ
ンズ　　１７・・・半導体レーザ２０・・・光走査装置
　　　２１・・・駆動回路２２・・・加熱用電源　　　
２３・・・シフトレジスタ５０・・・光変調器

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光屈折率の温度係数が零又は負の温度光学材料か
   らなる光導波層、および光屈折率の温度係数が正で非加
   熱時は該光導波層よりも小さい光屈折率を示す温度光学
   材料からなる隣接層の積層体と、 前記光導波層内を進む導波光の光路に沿った所定の箇所
   を加熱するように前記隣接層表面に設けられた加熱手段
   と、 前記加熱箇所において前記隣接層の表面に設けられた回
   折格子とからなる光導波路素子。（２）前記加熱手段が
   、１列に並んだ複数の加熱箇所をそれぞれ加熱するよう
   に複数設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の光導波路素子。