JPS6291013A - 圧電フイルタおよびその製造方法 - Google Patents
圧電フイルタおよびその製造方法Info
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- JPS6291013A JPS6291013A JP23054785A JP23054785A JPS6291013A JP S6291013 A JPS6291013 A JP S6291013A JP 23054785 A JP23054785 A JP 23054785A JP 23054785 A JP23054785 A JP 23054785A JP S6291013 A JPS6291013 A JP S6291013A
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- Japan
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- electrode
- film
- electrodes
- piezoelectric
- lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、圧電フィルタに係り、特に、エネルギー閉じ
込め型厚み振動モードを有する圧電フィルタに関する。
込め型厚み振動モードを有する圧電フィルタに関する。
〈従来の技術〉
一般に、この種の圧電フィルタとしては、例えばエネル
ギー閉じ込め型厚み振動モードを有するフィルタ部を2
段構成にして同一の圧電体基板上に形成し、両フィルタ
部を並列の結合容量を介して縦続接続したものが知られ
ている。
ギー閉じ込め型厚み振動モードを有するフィルタ部を2
段構成にして同一の圧電体基板上に形成し、両フィルタ
部を並列の結合容量を介して縦続接続したものが知られ
ている。
従来、このような構造の圧電フィルタにおける電極膜は
、通常、銀(Ag)や銅(Cu)等の低抵抗電極材料を
蒸着あるいは焼付は等することによって形成されている
。したがって、その電極膜の直流抵抗は殆ど0Ωに近い
値となっていた。
、通常、銀(Ag)や銅(Cu)等の低抵抗電極材料を
蒸着あるいは焼付は等することによって形成されている
。したがって、その電極膜の直流抵抗は殆ど0Ωに近い
値となっていた。
しかしながら、このような圧電フィルタを音質が重視さ
れるF”M受信賎等に使用すると、位相の直線性が悪く
なる。つまり、各フィルタ部を容量結合により集中化し
ていると、その総合特性として群遅延時間特性が平坦に
ならず振幅および位相特性に悪影響を及ぼすという間層
があった。
れるF”M受信賎等に使用すると、位相の直線性が悪く
なる。つまり、各フィルタ部を容量結合により集中化し
ていると、その総合特性として群遅延時間特性が平坦に
ならず振幅および位相特性に悪影響を及ぼすという間層
があった。
そこで、これの改善案と1.て、例えば特開昭54−8
9460号公報に示されるものが提案されている。この
本発明の先行技術となる改善案では、前記従来例と同等
の基本構成を有する圧電フィルタにおいて、接地側の振
動電極から外部引出電極の間で数Ω〜数十Ωの抵抗値を
持たせて、対称モードの共振はダンピングし、斜対称モ
ードの共振はダンピングしないようにすることにより、
群遅延時間特性を良好にして位相の直線性の向上を図っ
ている。
9460号公報に示されるものが提案されている。この
本発明の先行技術となる改善案では、前記従来例と同等
の基本構成を有する圧電フィルタにおいて、接地側の振
動電極から外部引出電極の間で数Ω〜数十Ωの抵抗値を
持たせて、対称モードの共振はダンピングし、斜対称モ
ードの共振はダンピングしないようにすることにより、
群遅延時間特性を良好にして位相の直線性の向上を図っ
ている。
〈発明か解決しようとする問題点〉
上記改善例の圧電フィルタは、実際には前記振動電極か
ら外部引出電極間に抵抗を付加するために、圧電体基板
の母堪阪である基板ウェア・\−を、パターンマスクで
マスキングした後、モネルメタル等の高抵抗電極材料を
スパッタリンクして、リード電極を含む全電極パターン
を形成している。
ら外部引出電極間に抵抗を付加するために、圧電体基板
の母堪阪である基板ウェア・\−を、パターンマスクで
マスキングした後、モネルメタル等の高抵抗電極材料を
スパッタリンクして、リード電極を含む全電極パターン
を形成している。
ところか、このようにスパッタリングにより、電極パタ
ーンの全体をモネルメタル等で形成オろと、基板ウェハ
ー上の電極膜の抵抗値にばらつきか生しることは避けが
たく、したがってこの基板ウェハーから分割された個々
の圧電フィルタの特性にもばらつきか生してくるという
問題点がある。
ーンの全体をモネルメタル等で形成オろと、基板ウェハ
ー上の電極膜の抵抗値にばらつきか生しることは避けが
たく、したがってこの基板ウェハーから分割された個々
の圧電フィルタの特性にもばらつきか生してくるという
問題点がある。
また、各圧電フィルタごとの個別的な抵抗値調整が不可
能であるため、良品率が低く、製造歩留りが悪い。更に
は、前述のモネルメタルは半田付は性が悪いため、これ
を素材として電極パターンを構成したものでは、該電極
パターン上の半田付けを要する部分に銀などの半田付は
性の良い材料を別に付加する必要があるなど、製造上、
解決すべき問題点が多い。
能であるため、良品率が低く、製造歩留りが悪い。更に
は、前述のモネルメタルは半田付は性が悪いため、これ
を素材として電極パターンを構成したものでは、該電極
パターン上の半田付けを要する部分に銀などの半田付は
性の良い材料を別に付加する必要があるなど、製造上、
解決すべき問題点が多い。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、遅延時間特性の均
一化を図ると共に、抵抗値の調整まfコは設定を容易に
することを第1の目的とし、このような圧電フィルタを
効率良く製造し得るようにすることを第2の目的とする
。
一化を図ると共に、抵抗値の調整まfコは設定を容易に
することを第1の目的とし、このような圧電フィルタを
効率良く製造し得るようにすることを第2の目的とする
。
く問題点を解決するための手段〉
そこで、前記第1の目的を達成するために、第1の本発
明では、圧電体基板の少なくとも一方の主表面に形成さ
れたリード電極の一部または全部を厚膜印刷により高抵
抗電極膜で構成すると共に、このリード電極の一部また
は全部を除く、その他の電極を低抵抗電極膜で構成する
ものとしている。
明では、圧電体基板の少なくとも一方の主表面に形成さ
れたリード電極の一部または全部を厚膜印刷により高抵
抗電極膜で構成すると共に、このリード電極の一部また
は全部を除く、その他の電極を低抵抗電極膜で構成する
ものとしている。
また、前記第2の目的を達成するために、第2の本発明
では、圧電用セラミック基板の主表面に、高抵抗電極膜
を厚膜印刷すると共に焼付処理してリード電極の一部ま
たは全部を形成した後、前記圧電体基板の主表面に低抵
抗電極膜を蒸着した後、分極処理し、更に、この低抵抗
電極膜上の必要な部分にエツチングレノスト膜を印刷形
成した後、前記低抵抗電極膜をエツチングにより除去し
て、前記エツチングレジスト膜に被覆された低抵抗電極
膜の残存部分により、前記リード電極の一部または全部
を除く、その他の電極を形成するようにした方法に特徴
を有するものである。
では、圧電用セラミック基板の主表面に、高抵抗電極膜
を厚膜印刷すると共に焼付処理してリード電極の一部ま
たは全部を形成した後、前記圧電体基板の主表面に低抵
抗電極膜を蒸着した後、分極処理し、更に、この低抵抗
電極膜上の必要な部分にエツチングレノスト膜を印刷形
成した後、前記低抵抗電極膜をエツチングにより除去し
て、前記エツチングレジスト膜に被覆された低抵抗電極
膜の残存部分により、前記リード電極の一部または全部
を除く、その他の電極を形成するようにした方法に特徴
を有するものである。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第1図はこの実施例に係る圧電フィルタの拡大斜視図で
あり、第2図はその等価回路図である。
あり、第2図はその等価回路図である。
これらの図に示される圧電フィルタは、2段構成のエネ
ルギー閉じ込め型厚み振動モードのフィルタである。こ
のフィルタは、同一の圧電体基板2上に形成された2段
構成のフィルタ部L a、 1 bを備える。両フィル
タ部1 a、 1 bは並列の結合容量Cを介して縦続
接続されている。
ルギー閉じ込め型厚み振動モードのフィルタである。こ
のフィルタは、同一の圧電体基板2上に形成された2段
構成のフィルタ部L a、 1 bを備える。両フィル
タ部1 a、 1 bは並列の結合容量Cを介して縦続
接続されている。
圧電体基板2はチタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする矩
形状のセラミック板を分極してなる。圧電体基板2の両
主表面2 a、 2 bのそれぞれに各フィルタ部1
a、 l bの電極パターン3.4(斜線で示す)が形
成される。
形状のセラミック板を分極してなる。圧電体基板2の両
主表面2 a、 2 bのそれぞれに各フィルタ部1
a、 l bの電極パターン3.4(斜線で示す)が形
成される。
一方の電極パターン3は、各フィルタ部1a、1bごと
に形成された振動電極対5 a、 5 bと、各振動電
極対5 a、 5 b内の一方の振動電極5 a++
5112からそれぞれ引き出されたL形の第1リード電
極6a。
に形成された振動電極対5 a、 5 bと、各振動電
極対5 a、 5 b内の一方の振動電極5 a++
5112からそれぞれ引き出されたL形の第1リード電
極6a。
6bと、第1リード電極6 a、 6 bを介して圧電
体基板2の両端部にそれぞれ引き出された矩形状の外部
引出電極7 a、 7 bと、各振動電極対5 a、
5 b内の他方の振動電極5 a2.5 b+から共通
に引き出されたT形の第2リード電極8と、第2リード
電極8を介して共通に引き出されたコンデンサ電極9と
で構成されている。
体基板2の両端部にそれぞれ引き出された矩形状の外部
引出電極7 a、 7 bと、各振動電極対5 a、
5 b内の他方の振動電極5 a2.5 b+から共通
に引き出されたT形の第2リード電極8と、第2リード
電極8を介して共通に引き出されたコンデンサ電極9と
で構成されている。
他方の電極パターン4は、画題動電極対5a、5bそれ
ぞれと対向する共通の接地側振動電極10a。
ぞれと対向する共通の接地側振動電極10a。
10bと、接地側振動電極10a、10bそれぞれから
引き出された第3リード電極11a、llbと、第3リ
ード電極11a、Ilbそれぞれを介して共通に引き出
され、前記コンデンサ電極9と対向する接地側コンデン
サ電極12とで構成されている。
引き出された第3リード電極11a、llbと、第3リ
ード電極11a、Ilbそれぞれを介して共通に引き出
され、前記コンデンサ電極9と対向する接地側コンデン
サ電極12とで構成されている。
接地側コンデンサ電極12は外部引出電極を兼ねている
。
。
このような基本構成を有する圧電フィルタにおいて、第
3リード電極11a、11bはその一部または全部を厚
膜印刷によって、高抵抗電極膜で構成されている。この
高抵抗電極膜の素材としては、例えば、銀−パラジウム
(Ag−Pd)系等の厚膜抵抗材料が使用される。また
、第3リード電極11a。
3リード電極11a、11bはその一部または全部を厚
膜印刷によって、高抵抗電極膜で構成されている。この
高抵抗電極膜の素材としては、例えば、銀−パラジウム
(Ag−Pd)系等の厚膜抵抗材料が使用される。また
、第3リード電極11a。
11bの一部または全部を除く、その他の電極パターン
部分は低抵抗電極膜で構成されている。この低抵抗電極
膜の素材としては、例えば、銀(Ag)、銅(Cu)等
の高導電性材料が使用される。
部分は低抵抗電極膜で構成されている。この低抵抗電極
膜の素材としては、例えば、銀(Ag)、銅(Cu)等
の高導電性材料が使用される。
このような構成の圧電フィルタは第2図に示すように、
等測的に、対称モードの共振のみがダンピングされ、斜
対称モードはダンピングされない。
等測的に、対称モードの共振のみがダンピングされ、斜
対称モードはダンピングされない。
この場合に、第3リード電極11a、llbの各抵抗R
a、Rhの値を大きくする程、群遅延時間特性が平坦化
して行くが、その反面、挿入損失も増大するため、使用
目的などにより適当に設定される。
a、Rhの値を大きくする程、群遅延時間特性が平坦化
して行くが、その反面、挿入損失も増大するため、使用
目的などにより適当に設定される。
また、第3リード電極11a、Ilbは厚膜印刷技術に
より形成されるものであるため、その形成過程で抵抗ト
リミングを行なうことができる。
より形成されるものであるため、その形成過程で抵抗ト
リミングを行なうことができる。
第3図ないし第9図は、それぞれ上記構成の圧電フィル
タの製造工程を工程順に説明する図である。
タの製造工程を工程順に説明する図である。
■第1工程
第3図において、まず、館記圧電体基板2の母基板であ
る基板ウェハー13の裏側主表面2b上に高抵抗電極膜
(図中、網目で示す)を、第3リード電ill・・(こ
の場合の符号11は前記第3リード電極11a、llb
を総称する。)の一部または全部の繰り返しパターン上
に周知の厚膜印刷法により形成し、次いで、第3リード
電極11・・・を基板ウェハー13上に焼付処理する。
る基板ウェハー13の裏側主表面2b上に高抵抗電極膜
(図中、網目で示す)を、第3リード電ill・・(こ
の場合の符号11は前記第3リード電極11a、llb
を総称する。)の一部または全部の繰り返しパターン上
に周知の厚膜印刷法により形成し、次いで、第3リード
電極11・・・を基板ウェハー13上に焼付処理する。
■第2工程
このようにして形成された各第3リード電極11・を必
要に応じて、第4図に示すように、レーザ一手段等によ
り、トリミングして、各第3リード電極11・・・の抵
抗値を調整する。第4図中、符号Tはトリミング部分を
示す。したがって、第3リード電極11 ・はその形
成過程において、個別的に抵抗値を調整することができ
るため、この基板ウェハー13から取り出された各圧電
フィルタの特性を均一化することが可能になる。
要に応じて、第4図に示すように、レーザ一手段等によ
り、トリミングして、各第3リード電極11・・・の抵
抗値を調整する。第4図中、符号Tはトリミング部分を
示す。したがって、第3リード電極11 ・はその形
成過程において、個別的に抵抗値を調整することができ
るため、この基板ウェハー13から取り出された各圧電
フィルタの特性を均一化することが可能になる。
■第3工程
第3リード電極11・・・の抵抗値調整が完了すると、
第5図に示すように、基板ウェハー13の前記裏側主表
面2b全面に低抵抗電極膜(斜線で示す)14を蒸着形
成する。この場合に、前記第3リード電極11は低抵抗
電極膜14に被覆された状態になっている。
第5図に示すように、基板ウェハー13の前記裏側主表
面2b全面に低抵抗電極膜(斜線で示す)14を蒸着形
成する。この場合に、前記第3リード電極11は低抵抗
電極膜14に被覆された状態になっている。
■第4工程
低抵抗電極膜14の形成後、基板ウェハー13の必要箇
所に分極処理を施し、次いで、第6図および第7図に示
すように、第3リード電極11・・・以外の電極パター
ン4の部分、すなわち接地側振動電極10(この場合の
符号10は10a、10bを総称する。)および接地側
コンデンサ電極12の形成位置上にエツチングレジスト
膜(2本斜線で示す)15を印刷形成する。
所に分極処理を施し、次いで、第6図および第7図に示
すように、第3リード電極11・・・以外の電極パター
ン4の部分、すなわち接地側振動電極10(この場合の
符号10は10a、10bを総称する。)および接地側
コンデンサ電極12の形成位置上にエツチングレジスト
膜(2本斜線で示す)15を印刷形成する。
■第5工程
このようにしてエツチングレジスト膜I5を形成した後
、低抵抗電極膜14をエツチングにより除去したうえで
、更に、エツチングレジスト膜15を除去する。これに
よって、エツチングレジスト膜15に被覆されていた低
抵抗電極膜14の残存部分により、接地側振動1極10
および接地側コンデンサ電極12が形成される。
、低抵抗電極膜14をエツチングにより除去したうえで
、更に、エツチングレジスト膜15を除去する。これに
よって、エツチングレジスト膜15に被覆されていた低
抵抗電極膜14の残存部分により、接地側振動1極10
および接地側コンデンサ電極12が形成される。
また、基板ウェハー13の表側主表面2aに形成されろ
電極パターン3は、従来と同様に蒸着等によって形成す
ることができる。
電極パターン3は、従来と同様に蒸着等によって形成す
ることができる。
以上のようにして、基板ウェハー13の両主表面に電極
パターン3.4を形成した後、該基板ウェハー13を各
圧電体基板2ごとに分断して、単体のフィルタを取り出
す。そして、各フィルタの外部引出電極7(この場合の
符号7は7a、7bを総称する。)および接地側コンデ
ンサ電極12にり−ド喘子を半田付けした後、それぞれ
の圧電体基板2を樹脂モールドにより外装して3端子型
の圧電フィルタを得る。
パターン3.4を形成した後、該基板ウェハー13を各
圧電体基板2ごとに分断して、単体のフィルタを取り出
す。そして、各フィルタの外部引出電極7(この場合の
符号7は7a、7bを総称する。)および接地側コンデ
ンサ電極12にり−ド喘子を半田付けした後、それぞれ
の圧電体基板2を樹脂モールドにより外装して3端子型
の圧電フィルタを得る。
なお、本発明のフィルタ部の段数は、上記実施例に限定
されるものではなく、3段以上の多重モードフィルタに
も適用できることは勿論である。
されるものではなく、3段以上の多重モードフィルタに
も適用できることは勿論である。
〈発明の効果〉
以上のように、第1の本発明によれば、圧電体基板の少
なくとも一方の主表面に形成されたリード電極の一部ま
たは全部を厚膜印il+により高抵抗電極膜で構成する
と共に、このリート電極の一部または全部を除く、その
他の電極を低抵抗電極膜で構成するものとしたので、リ
ード電極を形成する際に、電極膜のむらをなくすことか
できるうえ、広範囲にわたって平坦な群遅延時間特性を
有する圧電フィルタにおいて、そのリード電極の抵抗値
を自由に調整することができ、フィルタの設計自由度が
向上する。
なくとも一方の主表面に形成されたリード電極の一部ま
たは全部を厚膜印il+により高抵抗電極膜で構成する
と共に、このリート電極の一部または全部を除く、その
他の電極を低抵抗電極膜で構成するものとしたので、リ
ード電極を形成する際に、電極膜のむらをなくすことか
できるうえ、広範囲にわたって平坦な群遅延時間特性を
有する圧電フィルタにおいて、そのリード電極の抵抗値
を自由に調整することができ、フィルタの設計自由度が
向上する。
また、第2の本発明によれば、圧電用セラミック基板の
主表面に、高抵抗電極膜を厚膜印刷すると共に焼付処理
してリード電極の一部または全部を形成した後、前記圧
電体基板の主表面に低抵抗電極膜を蒸着した後、分極処
理し、更に、この低抵抗電極膜上の必要な部分にエツチ
ングレジスト膜を印刷形成した後、前記低抵抗電極膜を
エツチングにより除去して、前記エツチングレジスト膜
に被覆された低抵抗電極膜の残存部分により、前記リー
ド電極の一部または全部を除く、その他の電極を形成す
るようにしたので、例えば基板ウェハー上に形成した各
圧電フィルタのリード電極の抵抗値を、その形成段階に
おいて、個別的に調整することができる。したがって、
単泣数の圧電フィルタの群遅延時間特性の均一化を図る
ことが可能で、従来に比べて製造歩留りが格段に向上す
る。
主表面に、高抵抗電極膜を厚膜印刷すると共に焼付処理
してリード電極の一部または全部を形成した後、前記圧
電体基板の主表面に低抵抗電極膜を蒸着した後、分極処
理し、更に、この低抵抗電極膜上の必要な部分にエツチ
ングレジスト膜を印刷形成した後、前記低抵抗電極膜を
エツチングにより除去して、前記エツチングレジスト膜
に被覆された低抵抗電極膜の残存部分により、前記リー
ド電極の一部または全部を除く、その他の電極を形成す
るようにしたので、例えば基板ウェハー上に形成した各
圧電フィルタのリード電極の抵抗値を、その形成段階に
おいて、個別的に調整することができる。したがって、
単泣数の圧電フィルタの群遅延時間特性の均一化を図る
ことが可能で、従来に比べて製造歩留りが格段に向上す
る。
第1図ないし第9図は本発明の実施例を示し、第1図は
この実施例の拡大斜視図、第2図はその等価回路図、第
3図は第1工程を示す一部取出し斜視図、第4図は第2
工程を示す一部取出し斜視図、第5図は第3工程を示す
一部取出し斜視図、第6図は第4工程を示す一部取出し
斜視図、第7図は第6図における切断線■−■に沿う拡
大断面図、第8図は第5工程を示す一部取出斜視図、第
9図は第8図における切断線IX −IXに沿う拡大断
面図である。 2 圧電体基板、 5 a、 5 b・・振動電極対、 1 1 (11a、I 1b)−・・リード電極−1
2外部引出電極、 I5・・・エツチングレジスト膜。 出 願 人 株式会社 村田製作所 代 理 人 弁 理 士 岡 1) 和
秀第1図 5:孫Tp電糧 11:隼3リート電オb 第 2 図 12−n−坪馨剖コンY〉角【
慢第3区 第4図 第5図 第7図 第8図 第9図
この実施例の拡大斜視図、第2図はその等価回路図、第
3図は第1工程を示す一部取出し斜視図、第4図は第2
工程を示す一部取出し斜視図、第5図は第3工程を示す
一部取出し斜視図、第6図は第4工程を示す一部取出し
斜視図、第7図は第6図における切断線■−■に沿う拡
大断面図、第8図は第5工程を示す一部取出斜視図、第
9図は第8図における切断線IX −IXに沿う拡大断
面図である。 2 圧電体基板、 5 a、 5 b・・振動電極対、 1 1 (11a、I 1b)−・・リード電極−1
2外部引出電極、 I5・・・エツチングレジスト膜。 出 願 人 株式会社 村田製作所 代 理 人 弁 理 士 岡 1) 和
秀第1図 5:孫Tp電糧 11:隼3リート電オb 第 2 図 12−n−坪馨剖コンY〉角【
慢第3区 第4図 第5図 第7図 第8図 第9図
Claims (2)
- (1)圧電体基板の両主表面に振動電極と外部引出電極
、および前記両電極間を接続するリード電極とを備えた
圧電フィルタにおいて、 前記少なくとも一方の主表面に形成されたリード電極の
一部または全部を厚膜印刷により高抵抗電極膜で構成す
ると共に、 このリード電極の一部または全部を除く、その他の電極
を低抵抗電極膜で構成したことを特徴とする圧電フィル
タ。 - (2)圧電用セラミック基板の主表面に、高抵抗電極膜
を厚膜印刷すると共に焼付処理してリード電極の一部ま
たは全部を形成した後、 前記圧電体基板の主表面に低抵抗電極膜を蒸着した後、
分極処理し、 更に、この低抵抗電極材料膜上の必要な部分にエッチン
グレジスト膜を印刷形成した後、前記低抵抗電極材料膜
をエッチングにより除去し、前記エッチングレジスト膜
に被覆された低抵抗電極材料膜の残存部分により、前記
リード電極の一部または全部を除く、その他の電極を形
成したことを特徴とする圧電フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23054785A JPS6291013A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 圧電フイルタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23054785A JPS6291013A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 圧電フイルタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6291013A true JPS6291013A (ja) | 1987-04-25 |
Family
ID=16909469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23054785A Pending JPS6291013A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 圧電フイルタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6291013A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344208A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-26 | Motorola Inc | 水晶ノッチ・フィルタ |
| JPH04255103A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
| JPH04255102A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP23054785A patent/JPS6291013A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0344208A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-26 | Motorola Inc | 水晶ノッチ・フィルタ |
| JPH04255103A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
| JPH04255102A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振素子の製造方法 |
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