JPS6292326A - 半導体基板処理装置 - Google Patents
半導体基板処理装置Info
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- JPS6292326A JPS6292326A JP23185485A JP23185485A JPS6292326A JP S6292326 A JPS6292326 A JP S6292326A JP 23185485 A JP23185485 A JP 23185485A JP 23185485 A JP23185485 A JP 23185485A JP S6292326 A JPS6292326 A JP S6292326A
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- liquid
- piping
- nozzle
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造工程に使用される半導体基板
の処理に関し、特に高温の酸、アルカリによる洗浄、エ
ツチングに用いられる半導体基板処理装置に関するもの
である。
の処理に関し、特に高温の酸、アルカリによる洗浄、エ
ツチングに用いられる半導体基板処理装置に関するもの
である。
近年、ＬＳＩ製造技術の発展に伴い、回路線幅が小さく
なシ、量産技術としてＬＳＩの主流が２５６ＫＤＲＡＭ
からＩ ＭＤＲＡＭに移行するにあたり、サブミクロン
寸法での超微細加工精度が要求されるようになってきた
。こういった状況下において、処理装置内で半導体基板
（以下ウェハーと呼ぶ）に接触する塵埃を減少させるこ
とが、ＬＳＩ製造プロセスにおいて直接的に良い結果を
もたらすということは、その理論的裏付け、種々の事例
からも自明のことと評価されている。ウェハーを薬品に
よって処理する工程においては、薬品中の塵埃の除去が
必要不可欠のことであり、塵埃の除去方法としては薬液
の直接循環濾過が一般的に行なわれ、このためにはＩン
ゾ、濾過器などを処理装置内外に設置して配管し、ウェ
ハーを処理する薬品の塵埃量低下を図る方法が通例とさ
れている。
なシ、量産技術としてＬＳＩの主流が２５６ＫＤＲＡＭ
からＩ ＭＤＲＡＭに移行するにあたり、サブミクロン
寸法での超微細加工精度が要求されるようになってきた
。こういった状況下において、処理装置内で半導体基板
（以下ウェハーと呼ぶ）に接触する塵埃を減少させるこ
とが、ＬＳＩ製造プロセスにおいて直接的に良い結果を
もたらすということは、その理論的裏付け、種々の事例
からも自明のことと評価されている。ウェハーを薬品に
よって処理する工程においては、薬品中の塵埃の除去が
必要不可欠のことであり、塵埃の除去方法としては薬液
の直接循環濾過が一般的に行なわれ、このためにはＩン
ゾ、濾過器などを処理装置内外に設置して配管し、ウェ
ハーを処理する薬品の塵埃量低下を図る方法が通例とさ
れている。
しかし力から、従来、高温の酸、アルカリを用いたウェ
ハー処理装置においては、処理液と接触する部分に樹脂
又は石英ガラス等を用いて耐薬品性、耐熱性を向上させ
ているが、特に配管部材については熱膨張係数が大きな
弗素樹脂を用いることが通例であるので、熱変化による
膨張、収縮のくシ返しによシ、継ぎ平等接続部からの液
漏れを発生させることがしばしばあった。また、薬品を
送液するポンプや、液中の塵埃を除去する濾過器におい
ても１００℃以上の酸、アルカリを長期間にわたって送
液、沢過するのに耐える機器が実用化されていないのが
現状である。このため、高温の酸、アルカリでウェハー
を処理する装置の多くは循環、濾過という塵埃量低減の
有効手段を適用することもなく薬液を単に槽内に溜めて
加熱しウェハーを浸漬処理する方法を採用していた。
ハー処理装置においては、処理液と接触する部分に樹脂
又は石英ガラス等を用いて耐薬品性、耐熱性を向上させ
ているが、特に配管部材については熱膨張係数が大きな
弗素樹脂を用いることが通例であるので、熱変化による
膨張、収縮のくシ返しによシ、継ぎ平等接続部からの液
漏れを発生させることがしばしばあった。また、薬品を
送液するポンプや、液中の塵埃を除去する濾過器におい
ても１００℃以上の酸、アルカリを長期間にわたって送
液、沢過するのに耐える機器が実用化されていないのが
現状である。このため、高温の酸、アルカリでウェハー
を処理する装置の多くは循環、濾過という塵埃量低減の
有効手段を適用することもなく薬液を単に槽内に溜めて
加熱しウェハーを浸漬処理する方法を採用していた。
以下図面に添って従来技術の説明を行なう。第２図は、
従来までのウェハー処理装置の構造断面図を示すもので
ある。処理槽１０の内部に薬液１１を薬液供給口１２か
ら供給し、薬液１１を溜めておき、この中に加熱体４を
入れて薬液１１を加熱する。この加熱された薬液１１の
内部にウェハー５をキャリア１３に入れた状態で浸漬し
、ウェノ・−５を処理するもので、薬液１１の排液は薬
液排液配管１４から排液されるものである。
従来までのウェハー処理装置の構造断面図を示すもので
ある。処理槽１０の内部に薬液１１を薬液供給口１２か
ら供給し、薬液１１を溜めておき、この中に加熱体４を
入れて薬液１１を加熱する。この加熱された薬液１１の
内部にウェハー５をキャリア１３に入れた状態で浸漬し
、ウェノ・−５を処理するもので、薬液１１の排液は薬
液排液配管１４から排液されるものである。
しかしながら、この処理方法においては、薬液は新液を
供給してから排液するまで槽内に満たされたままなので
、ウェハーに付着した塵埃がそのまま槽内に残留し、ウ
ェハー処理数が増加すれば、比例的に液中の塵埃量が増
加し、次々に処理されるウェハーに塵埃が再付着し、微
細加工された回路の欠陥を発生させる原因となる。又、
高温の薬液を排液する際には、薬液自体の温度を降下さ
せる必要があシ、この間装置が長時間停止してしまうと
いった種々の欠点があった。
供給してから排液するまで槽内に満たされたままなので
、ウェハーに付着した塵埃がそのまま槽内に残留し、ウ
ェハー処理数が増加すれば、比例的に液中の塵埃量が増
加し、次々に処理されるウェハーに塵埃が再付着し、微
細加工された回路の欠陥を発生させる原因となる。又、
高温の薬液を排液する際には、薬液自体の温度を降下さ
せる必要があシ、この間装置が長時間停止してしまうと
いった種々の欠点があった。
本発明は前記問題点を解消し、装置を停止させることが
なく、塵埃の付着を防止してウェハーを処理する装置を
提供するものである。
なく、塵埃の付着を防止してウェハーを処理する装置を
提供するものである。
本発明は気体と液体とを混合しこれを半導体基板に噴霧
する気体供給部と、前記ノズルから噴霧され回収された
液体を冷却する冷却部と、冷却された該液体を濾過して
前記ノズルに移送する液体供給部とを有する半導体基板
処理装置である。
する気体供給部と、前記ノズルから噴霧され回収された
液体を冷却する冷却部と、冷却された該液体を濾過して
前記ノズルに移送する液体供給部とを有する半導体基板
処理装置である。
次に本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の一実施例の配管系統図である。
。第１図は本発明の一実施例の配管系統図である。
２流体噴霧ノズルｌに気体導入用配管２及び液体導入用
配管３を接続し、気体を加熱体４によって加熱し、２流
体噴霧ノズル１内で液体と混合し、加熱、噴霧させてウ
ェハー５に液体を当てて薬品処理をする。その後薬品は
回収槽６に回収されるが、その際回収槽６に設置させで
ある冷却体７によって回収された液体を冷却する。冷却
後、ポンプ８、濾過器９を用いて液体を濾過して液体中
の塵埃を除去し、再び液体導入用配管３に移送させるも
のである。
配管３を接続し、気体を加熱体４によって加熱し、２流
体噴霧ノズル１内で液体と混合し、加熱、噴霧させてウ
ェハー５に液体を当てて薬品処理をする。その後薬品は
回収槽６に回収されるが、その際回収槽６に設置させで
ある冷却体７によって回収された液体を冷却する。冷却
後、ポンプ８、濾過器９を用いて液体を濾過して液体中
の塵埃を除去し、再び液体導入用配管３に移送させるも
のである。
以上説明したように、本発明は２流体噴霧ノズルに液体
及び気体を供給すべく配管を施し、加熱体によって気体
を加熱させ、液体及び気体を２流体噴霧ノズルに同時に
供給し、ノズル内において混合、液体の加熱を行ない噴
霧させてウェハーに当て、６ウエハーの薬品処理を行な
うが、ウェハーに当った液は回収槽に回収され冷却体に
より冷却され、冷却された液体をポンプ及び沢過器にょ
シ濾過して液体中の塵埃を除去し、再び２流体噴霧ノズ
ルに液体を戻す構造及び方法を採用しているために、高
温の酸、アルカリが接する部分はノズル部、回収槽、及
び冷却体だけであるので、高温薬液を移送する配管が全
く必要とせず、このため熱膨張、収縮といった継手類の
形状変化による漏れの可能性が激減し、同時に、冷却後
の酸、アルカリを濾過するため、現在実用化されている
ポンプ、濾過器を使用して十分信頼性を高め、さらに処
理液中の塵埃を循環濾過してウェハーに当てるため、常
に清浄な薬液によるウェハー処理を行うことができる効
果を有するものである。
及び気体を供給すべく配管を施し、加熱体によって気体
を加熱させ、液体及び気体を２流体噴霧ノズルに同時に
供給し、ノズル内において混合、液体の加熱を行ない噴
霧させてウェハーに当て、６ウエハーの薬品処理を行な
うが、ウェハーに当った液は回収槽に回収され冷却体に
より冷却され、冷却された液体をポンプ及び沢過器にょ
シ濾過して液体中の塵埃を除去し、再び２流体噴霧ノズ
ルに液体を戻す構造及び方法を採用しているために、高
温の酸、アルカリが接する部分はノズル部、回収槽、及
び冷却体だけであるので、高温薬液を移送する配管が全
く必要とせず、このため熱膨張、収縮といった継手類の
形状変化による漏れの可能性が激減し、同時に、冷却後
の酸、アルカリを濾過するため、現在実用化されている
ポンプ、濾過器を使用して十分信頼性を高め、さらに処
理液中の塵埃を循環濾過してウェハーに当てるため、常
に清浄な薬液によるウェハー処理を行うことができる効
果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は従来
例の半導体基板処理装置を示す構成図である。 １・・・ノズル、２・・・気体導入用配管、３・・・液
体導入用配管、４・・・加熱体、５・・・ウェハー、６
・・・回収槽、７・・・冷却体、８・・・ポンプ、９・
・・沖過器。
例の半導体基板処理装置を示す構成図である。 １・・・ノズル、２・・・気体導入用配管、３・・・液
体導入用配管、４・・・加熱体、５・・・ウェハー、６
・・・回収槽、７・・・冷却体、８・・・ポンプ、９・
・・沖過器。
Claims (1)
- （１）気体と液体とを混合しこれを半導体基板に噴射す
るノズルと、該ノズルの気体供給口に加熱された気体を
導入する気体供給部と、前記ノズルから噴霧され回収さ
れた液体を冷却する冷却部と、冷却された該液体を濾過
して前記ノズルに移送する液体供給部とを有することを
特徴とする半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23185485A JPS6292326A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 半導体基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23185485A JPS6292326A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 半導体基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292326A true JPS6292326A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16930056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23185485A Pending JPS6292326A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | 半導体基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292326A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110834024A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 | 防尘结构及采用该防尘结构的机箱 |
| US11395993B2 (en) | 2019-09-20 | 2022-07-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Processing liquid generation method, processing liquid generation mechanism, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP23185485A patent/JPS6292326A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110834024A (zh) * | 2018-08-17 | 2020-02-25 | 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司 | 防尘结构及采用该防尘结构的机箱 |
| US11395993B2 (en) | 2019-09-20 | 2022-07-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Processing liquid generation method, processing liquid generation mechanism, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method |
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