JPS6292437A - X線マスクの製造方法 - Google Patents
X線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6292437A JPS6292437A JP60232409A JP23240985A JPS6292437A JP S6292437 A JPS6292437 A JP S6292437A JP 60232409 A JP60232409 A JP 60232409A JP 23240985 A JP23240985 A JP 23240985A JP S6292437 A JPS6292437 A JP S6292437A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ray mask
- electron beam
- liquid metal
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体露光装置に用いられるX線マスクの表面を加工す
る際に、X線マスク裏面に液体金属を接触配置してマス
クを冷却しながら加工を行うものである。
る際に、X線マスク裏面に液体金属を接触配置してマス
クを冷却しながら加工を行うものである。
本発明はX線マスク作成方法に関するもので、さらに詳
しく言えば、半導体築積回路の集積化に不可欠な微細パ
ターン形成に使用されるX線マスりを製造する方法に関
するものである。
しく言えば、半導体築積回路の集積化に不可欠な微細パ
ターン形成に使用されるX線マスりを製造する方法に関
するものである。
従来のX線マスクの製造工程は、第3図に示すように、
まず中央部分がエツチングされたシリコン基板31上の
マスク基板32にメッキベース33を形成しく同図+a
l)、第2にこのメッキベース33−Lにポリイミドを
用いて中間膜34を形成しく同図(b))、第3にレジ
ストを付着させそれを電子ビームを用いる描画でパター
ニングしてレジストパターン35を形成する(同図(C
))。この電子ビーム描画は、第4図に示すような処理
室41内にX線マスク42を所定の支持体43上に保持
した状態で、上方からこのX線マスク42」二に電子ビ
ームe−を走査させて行う。なお同図中、44は電磁レ
ンズである。第4に、エッチマスク36を形成しく同図
(di)、第5に中間膜34をエツチングしく同図(c
l)、第6にX!jl吸収体であるメッキ膜37をAu
で形成しく同図(fl)、第7にエッチマスク36下の
中間1!1ji34およびメッキベース33を除去しく
同図(瞬)て、X線マスクを完成させる。
まず中央部分がエツチングされたシリコン基板31上の
マスク基板32にメッキベース33を形成しく同図+a
l)、第2にこのメッキベース33−Lにポリイミドを
用いて中間膜34を形成しく同図(b))、第3にレジ
ストを付着させそれを電子ビームを用いる描画でパター
ニングしてレジストパターン35を形成する(同図(C
))。この電子ビーム描画は、第4図に示すような処理
室41内にX線マスク42を所定の支持体43上に保持
した状態で、上方からこのX線マスク42」二に電子ビ
ームe−を走査させて行う。なお同図中、44は電磁レ
ンズである。第4に、エッチマスク36を形成しく同図
(di)、第5に中間膜34をエツチングしく同図(c
l)、第6にX!jl吸収体であるメッキ膜37をAu
で形成しく同図(fl)、第7にエッチマスク36下の
中間1!1ji34およびメッキベース33を除去しく
同図(瞬)て、X線マスクを完成させる。
X線マスクは微細パターンを形成するために、電子ビー
ム描画によりパターンを形成する。また、メッキベース
の蒸着にスパッター蒸着を用い、エツチングにもドライ
エツチングを行うなど、マスク薄膜に熱を発生ずる工程
を有している。特に電子ビーム描画について説明すると
、電子ビーム描画は熱の発生を免れることができず、マ
スク内が熱のためバブリングを起す可能性がある。この
バブリングの現象はX線マスクのようにその膜厚が数μ
m (例4〜5μm)と非常に薄い場合には、第5図に
示すように電子ビームによる熱が膜外ではなく膜内平面
に伝導することから顕著に現れる。
ム描画によりパターンを形成する。また、メッキベース
の蒸着にスパッター蒸着を用い、エツチングにもドライ
エツチングを行うなど、マスク薄膜に熱を発生ずる工程
を有している。特に電子ビーム描画について説明すると
、電子ビーム描画は熱の発生を免れることができず、マ
スク内が熱のためバブリングを起す可能性がある。この
バブリングの現象はX線マスクのようにその膜厚が数μ
m (例4〜5μm)と非常に薄い場合には、第5図に
示すように電子ビームによる熱が膜外ではなく膜内平面
に伝導することから顕著に現れる。
そこで、従来はX線マスクの電子ビーム描画は、電子ビ
ームの電流値を下げて熱の発生を抑制する方法をとって
いた。しかし、この方法はパターン・tW画待時間最悪
の場合には1日かがるなどスループット(処理能力)を
犠牲にしていた。
ームの電流値を下げて熱の発生を抑制する方法をとって
いた。しかし、この方法はパターン・tW画待時間最悪
の場合には1日かがるなどスループット(処理能力)を
犠牲にしていた。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、電子
ビーム描画時にX線マスクを液体金属を用いて冷却する
ことによってバブリング現象を解決すると共にスループ
ットを改善するX線マスクの製造方法を提供することを
目的とする。
ビーム描画時にX線マスクを液体金属を用いて冷却する
ことによってバブリング現象を解決すると共にスループ
ットを改善するX線マスクの製造方法を提供することを
目的とする。
本発明の実施例を第1図に示す。
電子ビーム描画時は、X線マスク16の裏面に液体金属
17を接触配置した状態で所望のパターンを描画するよ
うにしたものである。
17を接触配置した状態で所望のパターンを描画するよ
うにしたものである。
上記方法においては、電子ビームによってX線マスク1
6に発生した熱はマスク裏面下の液体金属17に伝導し
放熱するので、電流値を下げることなくかつバブリング
も発生させずにパターン描画を行える。
6に発生した熱はマスク裏面下の液体金属17に伝導し
放熱するので、電流値を下げることなくかつバブリング
も発生させずにパターン描画を行える。
以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す断面図である。
図中、11は保持筐体であり、底部に凹部11aを設L
)、側部には液体金属を注入または排出するための注入
口11bおよび排出口11cを穿設する。12は保持筺
体11の底部周辺に取着した保持バネ、13は保持バネ
12上に載置したパイレックスリング、14は保持筺体
11の縁部上に止ネジ15によって着脱自在に配設した
ツメ、16は前記パイレックスリング13とツメ14に
よって挾持したX線マスク、I7は超高真空中でも使用
可能な液体金属、例えばGa:In+ Sn (62,
5%、 21.’5%、 16%の合金)である。なお
、第2図に上記した実施例の平面図を示す。
)、側部には液体金属を注入または排出するための注入
口11bおよび排出口11cを穿設する。12は保持筺
体11の底部周辺に取着した保持バネ、13は保持バネ
12上に載置したパイレックスリング、14は保持筺体
11の縁部上に止ネジ15によって着脱自在に配設した
ツメ、16は前記パイレックスリング13とツメ14に
よって挾持したX線マスク、I7は超高真空中でも使用
可能な液体金属、例えばGa:In+ Sn (62,
5%、 21.’5%、 16%の合金)である。なお
、第2図に上記した実施例の平面図を示す。
」二足実施例において、X線マスク16は保持筺体11
内に保持バネ12のバネ力によってパイレックスリング
13とツメ14の間に固定される。また液体金属17は
、X線マスク16の固定後に注入口11bから保持筐体
11内に注入する。その注入量は液体金属17がX線マ
スク16の裏面のほぼ全面に接触する程度とする。液体
金属17は液状であるので、X線マスクの薄膜の平面度
を失わせることはない。
内に保持バネ12のバネ力によってパイレックスリング
13とツメ14の間に固定される。また液体金属17は
、X線マスク16の固定後に注入口11bから保持筐体
11内に注入する。その注入量は液体金属17がX線マ
スク16の裏面のほぼ全面に接触する程度とする。液体
金属17は液状であるので、X線マスクの薄膜の平面度
を失わせることはない。
以上のようなセット状態の下で、X線マスク16を保持
筺体11ごと処理室41(第4図)内に配置し所定のパ
ターンを電子ビームで描画する。電子ビームによる熱は
、第1図の点線の矢印で示すように液体金属17内に伝
導放熱し、X線マスク16を過熱しない。したがって、
電子ビームの電流値を下げずにパターン描画を行っても
バブリング現象は生ぜず、結果としてスループットは改
善される。
筺体11ごと処理室41(第4図)内に配置し所定のパ
ターンを電子ビームで描画する。電子ビームによる熱は
、第1図の点線の矢印で示すように液体金属17内に伝
導放熱し、X線マスク16を過熱しない。したがって、
電子ビームの電流値を下げずにパターン描画を行っても
バブリング現象は生ぜず、結果としてスループットは改
善される。
電子ビーム描画が終了すれば、X線マスク16を処理室
41(第4図)から取り出し、液体金属17を保持筺体
11内から排出口11cを介して排出し、次工程に移る
。以上は、電子ビーム描画に限定して述べたが、真空中
で行われるスパッター蒸着、スパッターエツチングもま
ったく同一である。
41(第4図)から取り出し、液体金属17を保持筺体
11内から排出口11cを介して排出し、次工程に移る
。以上は、電子ビーム描画に限定して述べたが、真空中
で行われるスパッター蒸着、スパッターエツチングもま
ったく同一である。
以上述べてきたように本発明によれば、加工時にX線マ
スクを液体金属によって冷却することができるので、X
線マスクの発熱をおさえることによるスルーブツトの犠
牲という問題を解消できる。
スクを液体金属によって冷却することができるので、X
線マスクの発熱をおさえることによるスルーブツトの犠
牲という問題を解消できる。
第1図は本発明実施例を示す断面図、
第2図は同実施例の平面図、
第3図と第4図は従来例工程断面図、
第5図は従来例を説明するための断面図である。
第1図において、
11は保持筐体、
12は保持バネ、
13はパイレックスリング、
14はツメ、
】5は止ネジ、
16はX線マスク、
17は液体金属である。
従来例二罪前面閏
第4図
従来例工程キj図
第3図
イ足釆例tジ朗す’5r=めの釘面図
第5凶
Claims (1)
- 半導体ウェハの露光装置に用いられるX線マスクの製造
方法において、該X線マスク16裏面に液体金属17を
接触配置した状態で該X線マスク16表面を加工する工
程を有することを特徴とするX線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232409A JPS6292437A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | X線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232409A JPS6292437A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | X線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6292437A true JPS6292437A (ja) | 1987-04-27 |
Family
ID=16938793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232409A Pending JPS6292437A (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | X線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6292437A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007285785A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 圧力検出管 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60232409A patent/JPS6292437A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007285785A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 圧力検出管 |
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