JPS62929A - カメラの自動焦点調節装置 - Google Patents
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- JPS62929A JPS62929A JP60140819A JP14081985A JPS62929A JP S62929 A JPS62929 A JP S62929A JP 60140819 A JP60140819 A JP 60140819A JP 14081985 A JP14081985 A JP 14081985A JP S62929 A JPS62929 A JP S62929A
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Focusing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はカメラの焦点調節をする際に、撮影すべき被写
体の像を最適な焦点位置に自動的にフォーカシングする
カメラの自動焦点調節装置に関するものである。
体の像を最適な焦点位置に自動的にフォーカシングする
カメラの自動焦点調節装置に関するものである。
従来の技術
近年、スチルカメラの分野は勿論、ビデオカメラの分野
でも焦点調節の自動化(オートフォーカス)は商品力強
化の上で不可欠な技術となっている。これらカメラの自
動焦点調節方式については既に何種類か提案・実施され
ている。その中で撮影すべき被写体(以下、被写体と称
す)に測距用赤外ビームを照射し、前記被写体までの距
離又は被写体の撮像素子相当面上での焦点状態を検出す
る所謂赤外光投射方式は低コントラストの被写体や低照
度下にても安定して動作するので有力なものである。
でも焦点調節の自動化(オートフォーカス)は商品力強
化の上で不可欠な技術となっている。これらカメラの自
動焦点調節方式については既に何種類か提案・実施され
ている。その中で撮影すべき被写体(以下、被写体と称
す)に測距用赤外ビームを照射し、前記被写体までの距
離又は被写体の撮像素子相当面上での焦点状態を検出す
る所謂赤外光投射方式は低コントラストの被写体や低照
度下にても安定して動作するので有力なものである。
以下図面を参照しながら、上述した従来の赤外光投射方
式の自動焦点調節装置の一例について説明する。例えば
、特願昭58−195635や特願昭59−19501
0に示されている様に赤外LEDにて測距用赤外ビーム
を測距対象物(前記被写体)に投射し、半導体光位置検
出器(以後、光位置検出器と称す)にて測距対象物より
の反射光を受光し、その表面に生ずる反射光のスポット
位置より前記測距対象物までの距離を求める赤外光投射
方式がある。
式の自動焦点調節装置の一例について説明する。例えば
、特願昭58−195635や特願昭59−19501
0に示されている様に赤外LEDにて測距用赤外ビーム
を測距対象物(前記被写体)に投射し、半導体光位置検
出器(以後、光位置検出器と称す)にて測距対象物より
の反射光を受光し、その表面に生ずる反射光のスポット
位置より前記測距対象物までの距離を求める赤外光投射
方式がある。
この方式の基本原理を第2図を用いて説明する。
同図において、赤外llCD1は投光レンズ2を介して
一定周波数f。で変調された測距用赤外光を投射する。
一定周波数f。で変調された測距用赤外光を投射する。
光位置検出器3は通常PSD(Posi−tion 5
ensitiva Device )と称されるもので
、基本的構造はPINフォトダイオードであるが、その
表面層が高抵抗層になっている。前記光位置検出器3は
、受光レンズ4の焦点位置に設置され、前記受光レンズ
4を介して測距対象物5よシ反射する前記測距用赤外光
を受光する0いま赤外LKD1と投光レンズ2で決定す
る光軸6と平行で、受光レンズ4の中心を通る光軸7が
光位置検出器3の有効受光面の中心を通るように光位置
検出器3が設置されているとする。測距対象物5が受光
レンズ4より距離LMだけ離れた位置にある時、測距対
象物6より反射する測距用赤外ビームは、光位置検出器
3のZ=xなる点に重心をもつような光スポットを生じ
たとする。この時、光位置検出器3はz=xの点を中心
に光電流を生じる(大きさIo)。この光電流は光位置
検出器3の表面の高抵抗層により、光スポツト位置から
元位置検出器3の両端子までの距離に反比例した大きさ
の2つの光電流11. I2として両端子よシ出力され
る: 工1=工0・(6/2+X )//l (1)X
2=Io・(V2−X)/71(2)(1)、 @)式
で表わされる2つの光電流の和と差の比をVvとすると
、 Vy = (I+−I2)/(11+I2) (3)
= 2・X/ l (4)となシ、
Vyは光スポットの重心位置Xに比例する。また前記光
スポットの重心位置Xは測距対象物6までの距離LM、
受光レンズ4の焦点距離介設光レンズ2、受光し/ズ4
の中心間の距離(基線長と称す) dpとを用いて、次
のように表わせる: X = f、 ’−dp/Lm (5+1従
って、@)式よりVyは V F ==: (2fp ・d p/e ) lX−
M(6)と表わせ、距離LMの逆数に比例することがわ
かる。従って、光位置検出器の出力する光電流I+。
ensitiva Device )と称されるもので
、基本的構造はPINフォトダイオードであるが、その
表面層が高抵抗層になっている。前記光位置検出器3は
、受光レンズ4の焦点位置に設置され、前記受光レンズ
4を介して測距対象物5よシ反射する前記測距用赤外光
を受光する0いま赤外LKD1と投光レンズ2で決定す
る光軸6と平行で、受光レンズ4の中心を通る光軸7が
光位置検出器3の有効受光面の中心を通るように光位置
検出器3が設置されているとする。測距対象物5が受光
レンズ4より距離LMだけ離れた位置にある時、測距対
象物6より反射する測距用赤外ビームは、光位置検出器
3のZ=xなる点に重心をもつような光スポットを生じ
たとする。この時、光位置検出器3はz=xの点を中心
に光電流を生じる(大きさIo)。この光電流は光位置
検出器3の表面の高抵抗層により、光スポツト位置から
元位置検出器3の両端子までの距離に反比例した大きさ
の2つの光電流11. I2として両端子よシ出力され
る: 工1=工0・(6/2+X )//l (1)X
2=Io・(V2−X)/71(2)(1)、 @)式
で表わされる2つの光電流の和と差の比をVvとすると
、 Vy = (I+−I2)/(11+I2) (3)
= 2・X/ l (4)となシ、
Vyは光スポットの重心位置Xに比例する。また前記光
スポットの重心位置Xは測距対象物6までの距離LM、
受光レンズ4の焦点距離介設光レンズ2、受光し/ズ4
の中心間の距離(基線長と称す) dpとを用いて、次
のように表わせる: X = f、 ’−dp/Lm (5+1従
って、@)式よりVyは V F ==: (2fp ・d p/e ) lX−
M(6)と表わせ、距離LMの逆数に比例することがわ
かる。従って、光位置検出器の出力する光電流I+。
工2より、図示していない測距演算部にて距離LMを求
められる。前記測距演算部出力により、図示していない
駆動部が撮影用レンズを最適な焦点位置まで駆動し、自
動焦点調節がなされる。前記VFは距離信号と称するこ
とにする。
められる。前記測距演算部出力により、図示していない
駆動部が撮影用レンズを最適な焦点位置まで駆動し、自
動焦点調節がなされる。前記VFは距離信号と称するこ
とにする。
発明が解決しようとする問題点
上記のような構成では、高照度下にある測距対象物を測
距する場合、前記測距用赤外光以外に多量の不要光が前
記光位置検出器に入射されるため、前記不要光に基づき
発生する光電流の平方根に比例して、多量のショット雑
音が発生する。これは前記元位置検出器が、太陽光や照
明用ハロゲンランプの発光波長に対して相当な感度を有
するためである。第3図に、前記光位置検出器の分光感
度特性の代表例8と、太陽光の分光特性9及びハロゲン
ランプ(22000K )の分光特性10を示す。
距する場合、前記測距用赤外光以外に多量の不要光が前
記光位置検出器に入射されるため、前記不要光に基づき
発生する光電流の平方根に比例して、多量のショット雑
音が発生する。これは前記元位置検出器が、太陽光や照
明用ハロゲンランプの発光波長に対して相当な感度を有
するためである。第3図に、前記光位置検出器の分光感
度特性の代表例8と、太陽光の分光特性9及びハロゲン
ランプ(22000K )の分光特性10を示す。
また通常、前記不要光と前記測距用赤外光とを区別する
ため、前記測距用赤外光は特定の周波数(fo)で変調
されており、また前記測距演算部にも前記測距用赤外光
の成分を抽出するため周波数フィルターや同期検波回路
が採用されている。
ため、前記測距用赤外光は特定の周波数(fo)で変調
されており、また前記測距演算部にも前記測距用赤外光
の成分を抽出するため周波数フィルターや同期検波回路
が採用されている。
しかし、極めて多量の前記不要光が前記元位置検出器に
入射した場合には、前記不要光中の前記特定の周波数(
fO)近傍の雑音成分が、撮影レンズのハンチング、ピ
ンボケ等の誤動作をもたらす。
入射した場合には、前記不要光中の前記特定の周波数(
fO)近傍の雑音成分が、撮影レンズのハンチング、ピ
ンボケ等の誤動作をもたらす。
また前記赤外LEDは、上記のような構成では、発光部
の形状を反映した光強度分布をもった光ビームを投射し
、前記光位置検出器の受光面上にも前記発光部の形状を
反映した光スポットが生ずる。
の形状を反映した光強度分布をもった光ビームを投射し
、前記光位置検出器の受光面上にも前記発光部の形状を
反映した光スポットが生ずる。
第4図に、前記光位置検出器と、発光部が半球(円)状
の赤外LEDを用いた場合の前記光スポットの様子を示
す。光位置検出器11は有効受光面12、発生した光電
流を取り出す2つのム1電極部13,14から成ってい
る。理想的には第4図(a)に示すように、前記赤外L
ED (図示されていない)の発光部形状を反映した光
スポット15が発生し、第4図(1))に示すような光
強度分布になる。しかし実際には、光位置検出器11の
表面に発生する光スポットは、第4図(0)に示すよう
に、赤外I4Dの発光部形状を反映したメイン成分16
以外に、フレアー成分17を伴なうことがある。
の赤外LEDを用いた場合の前記光スポットの様子を示
す。光位置検出器11は有効受光面12、発生した光電
流を取り出す2つのム1電極部13,14から成ってい
る。理想的には第4図(a)に示すように、前記赤外L
ED (図示されていない)の発光部形状を反映した光
スポット15が発生し、第4図(1))に示すような光
強度分布になる。しかし実際には、光位置検出器11の
表面に発生する光スポットは、第4図(0)に示すよう
に、赤外I4Dの発光部形状を反映したメイン成分16
以外に、フレアー成分17を伴なうことがある。
前記フレアー成分17は赤外LICDの外装用カン内壁
やカバーガラス端面での投射光の反射に基づき発生し、
通常同心円状の形状となっている。既に述べたように、
本発明の自動焦点調節装置では前記光スポットの(光強
度分布の)重心より距離ゝ を求めている。
やカバーガラス端面での投射光の反射に基づき発生し、
通常同心円状の形状となっている。既に述べたように、
本発明の自動焦点調節装置では前記光スポットの(光強
度分布の)重心より距離ゝ を求めている。
従って、前記フレアー成分17が大きい場合(例えば、
測距対象物の近傍に高反射率の物体が存在する場合)、
その光位置検出器上の光強度分布は第4図(d)に示す
ように、2つのピークをもつ。この場合、測距距離はメ
イン成分16とフレアー成分17との加重平均から求ま
る偽の光スポツト重心より求められるため、誤測距が生
ずる。
測距対象物の近傍に高反射率の物体が存在する場合)、
その光位置検出器上の光強度分布は第4図(d)に示す
ように、2つのピークをもつ。この場合、測距距離はメ
イン成分16とフレアー成分17との加重平均から求ま
る偽の光スポツト重心より求められるため、誤測距が生
ずる。
本発明は上記問題点に鑑み、高照度下での光位置検出器
出力のS/N劣化に劣なう誤動作や、赤外LEDのフレ
アー成分に基づく誤測距を減少させる手段を提供するも
のである。
出力のS/N劣化に劣なう誤動作や、赤外LEDのフレ
アー成分に基づく誤測距を減少させる手段を提供するも
のである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のカメラの自動焦点
調節装置は、その主要構成要素である半導体光位置検出
器の全受光面の内、測距用赤外光の光スポットが発生し
ない部分の一部を、少なくとも400 ram 〜11
00 nff1の波長の光を遮断する遮光用部材で覆う
という構成を備えたものである。
調節装置は、その主要構成要素である半導体光位置検出
器の全受光面の内、測距用赤外光の光スポットが発生し
ない部分の一部を、少なくとも400 ram 〜11
00 nff1の波長の光を遮断する遮光用部材で覆う
という構成を備えたものである。
作用
本発明は、上記した構成によって、遮光用部材で覆われ
た受光部に投射される前記不要光を遮断し、前記光位置
検出器が発生するショット雑音を減少させるとともに、
遮光用部材で覆われた受光部上に形成される赤外LED
のフレアー成分の影響を除去するものである。
た受光部に投射される前記不要光を遮断し、前記光位置
検出器が発生するショット雑音を減少させるとともに、
遮光用部材で覆われた受光部上に形成される赤外LED
のフレアー成分の影響を除去するものである。
なお、上記構成で、前記光位置検出器受光面の内、前記
光スポットが照射されない(前記測距対象物がいかなる
距離にある場合でも)部分も、(1)。
光スポットが照射されない(前記測距対象物がいかなる
距離にある場合でも)部分も、(1)。
(2式より明らかな様に、本自動焦点調節装置が測距を
行なうために不可欠な役割を果たすものである。また前
記光スポットが前記光位置検出器の全域にわたり発生す
るよう本装置を構成していないのは、前記距離信号が測
距すべき全距離範囲にて符号を箒えないように成し、前
記距離信号の演算処理を簡便にするためと、遠距離測距
時に、前記光位置検出器が出力する2つの光電流値のい
ずれかが極めて小さくなり系全体のS/Nを劣化させな
いためである。
行なうために不可欠な役割を果たすものである。また前
記光スポットが前記光位置検出器の全域にわたり発生す
るよう本装置を構成していないのは、前記距離信号が測
距すべき全距離範囲にて符号を箒えないように成し、前
記距離信号の演算処理を簡便にするためと、遠距離測距
時に、前記光位置検出器が出力する2つの光電流値のい
ずれかが極めて小さくなり系全体のS/Nを劣化させな
いためである。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。本発明の骨子は前記光位置検出器をいかに構成
すべきかということであるから、この点のみを明らかに
する。第1図は光位置検出器の一例を示すものである。
明する。本発明の骨子は前記光位置検出器をいかに構成
すべきかということであるから、この点のみを明らかに
する。第1図は光位置検出器の一例を示すものである。
第1図において、18は第1のAl電極、19は第20
Al電極と一体に形成された遮光部、2oは遮光されて
いない受光面である。このように構成された光位置検出
器21では上記問題を発生させる前記不要光や前記フレ
アー成分の内、前記遮光部19に投射されるものは表面
のム1層で反射し、受光部には到達しない。
Al電極と一体に形成された遮光部、2oは遮光されて
いない受光面である。このように構成された光位置検出
器21では上記問題を発生させる前記不要光や前記フレ
アー成分の内、前記遮光部19に投射されるものは表面
のム1層で反射し、受光部には到達しない。
前記遮光部1eの面積の設定は、(@式にて前記党スポ
ットの移動範囲を求めることによ構成される。例えば、
赤外LEDの発光部が半径0・35mmの半球状で、測
距すべき距離範囲が、1.2m〜無限遠であり、投光レ
ンズ及び受光レンズの焦点距離がともに25mm、基線
長が40mm、光位置検出器2°1の全有効受光面の長
さが3m+++である場合、前記メイン成分(この場合
円状)の中心は、第1図で定義した座標系でZ=o〜0
・833(mm)の範囲を移動し、また前記メイン成分
の形状は投受光レンズの収差がなければ半径0・35m
mの円となる。
ットの移動範囲を求めることによ構成される。例えば、
赤外LEDの発光部が半径0・35mmの半球状で、測
距すべき距離範囲が、1.2m〜無限遠であり、投光レ
ンズ及び受光レンズの焦点距離がともに25mm、基線
長が40mm、光位置検出器2°1の全有効受光面の長
さが3m+++である場合、前記メイン成分(この場合
円状)の中心は、第1図で定義した座標系でZ=o〜0
・833(mm)の範囲を移動し、また前記メイン成分
の形状は投受光レンズの収差がなければ半径0・35m
mの円となる。
従って1前記元スポットの移動範囲はZニー0.35〜
1・183 (mm)となる。従って遮光部19は、第
1図に示すように、多少の余裕を考え第2の電極部より
0・85mmの有効受光面(Z<−o、esの部分)と
成す。この遮光部19は、前記元位置検出器21を形成
する半導体製造プロセス中のAl電極パターン形成時に
同時に形成される。
1・183 (mm)となる。従って遮光部19は、第
1図に示すように、多少の余裕を考え第2の電極部より
0・85mmの有効受光面(Z<−o、esの部分)と
成す。この遮光部19は、前記元位置検出器21を形成
する半導体製造プロセス中のAl電極パターン形成時に
同時に形成される。
以上のように本実施例によれば、前記光位置検出器の前
記光スポットが発生しない受光面の一部を、Al電極パ
ターン形成プロセスにおいて、電極と一体に製造するこ
とによシ、高照度の測距対象物に対して発生する誤動作
および前記赤外I4Dのフレアー成分に伴なう誤測距を
大幅に減少させることができる。
記光スポットが発生しない受光面の一部を、Al電極パ
ターン形成プロセスにおいて、電極と一体に製造するこ
とによシ、高照度の測距対象物に対して発生する誤動作
および前記赤外I4Dのフレアー成分に伴なう誤測距を
大幅に減少させることができる。
また本実施例では、前記遮光部16をム1電極形成プロ
セスにて形成したが、前記遮光部を少なくとも400n
m〜1l100nの波長の光を遮光する部材(金属箔、
塗料)を用いて覆うことにて形成してもよい。
セスにて形成したが、前記遮光部を少なくとも400n
m〜1l100nの波長の光を遮光する部材(金属箔、
塗料)を用いて覆うことにて形成してもよい。
発明の効果
以上のように本発明は半導体光位置検出器の全有効受光
面の内、測距用赤外光の光スポットが発生しない部分の
一部を、少なくとも400nlll〜1100 nmの
波長の光を遮断する遮光用部材で神うことにより、高照
度の測距対象物に対して発生する誤動作および前記赤外
I4Dのフレアー成分に併なう誤測距を大幅に減少させ
ることができる0
面の内、測距用赤外光の光スポットが発生しない部分の
一部を、少なくとも400nlll〜1100 nmの
波長の光を遮断する遮光用部材で神うことにより、高照
度の測距対象物に対して発生する誤動作および前記赤外
I4Dのフレアー成分に併なう誤測距を大幅に減少させ
ることができる0
第1図は本発明の一実施例である光位置検出器の構成を
示す平面図、第2図は本発明の自動焦点調節装置の基本
原理を示す模式図、第3図は光位置検出器の分光感度特
性と、太陽光、ハロゲンランプの分光特性を示す特性図
、第4図は赤外LICDのフレアー成分を説明するため
の図である。 1・・・・・・赤外LKD、2・川・・投光レンズ、3
.21・・・・・・光位置検出器、4・・・・・・受光
レンズ、6・・・・・・測距対象物、13,14.18
・川・・Al電極部、15・・・・・・光スポット、1
6・川・・メイン成分、17・旧・・フレアー成分、1
9・・・・・・Al電極と一体に形成された遮光部、2
o・・・・・・遮光されていない有効受光面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 11か1名2
I・・・ 光イ〕置砂出11 1712 図 第3図 嘴 襠 400 6t)t) 8tw 101
)0 /2#シ皮 4 (nm)
示す平面図、第2図は本発明の自動焦点調節装置の基本
原理を示す模式図、第3図は光位置検出器の分光感度特
性と、太陽光、ハロゲンランプの分光特性を示す特性図
、第4図は赤外LICDのフレアー成分を説明するため
の図である。 1・・・・・・赤外LKD、2・川・・投光レンズ、3
.21・・・・・・光位置検出器、4・・・・・・受光
レンズ、6・・・・・・測距対象物、13,14.18
・川・・Al電極部、15・・・・・・光スポット、1
6・川・・メイン成分、17・旧・・フレアー成分、1
9・・・・・・Al電極と一体に形成された遮光部、2
o・・・・・・遮光されていない有効受光面。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 11か1名2
I・・・ 光イ〕置砂出11 1712 図 第3図 嘴 襠 400 6t)t) 8tw 101
)0 /2#シ皮 4 (nm)
Claims (2)
- (1)測距用光ビームを投射する投光器と、測距対象物
により反射した前記測距用光ビームを受光する半導体光
位置検出器と、前記半導体光位置検出器表面に生ずる前
記測距用光ビームの光スポットの位置より前記測距対象
物までの距離を演算する測距演算部と、前記測距演算部
出力にもとずき撮影用レンズを最適な焦点位置まで駆動
するレンズ駆動部とを含んでなり、前記半導体光位置検
出器はその全有効受光面の内、前記測距用赤外光の光ス
ポットが発生しない部分の一部を、少なくとも400n
m〜1100nmの波長の光を遮断する遮光用部材で覆
ったことを特徴とするカメラの自動焦点調節装置。 - (2)遮光用部材としてAl膜を用い、かつ前記Al膜
は上記半導体光位置検出器の製造工程の中でAl電極パ
ターンを形成するプロセスにおいて同時に形成された特
許請求の範囲第1項記載のカメラの自動焦点調節装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140819A JPS62929A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | カメラの自動焦点調節装置 |
| US06/876,203 US4850692A (en) | 1985-06-27 | 1986-06-19 | Semiconductor light position detector for rangefinder |
| KR1019860004995A KR900007990B1 (ko) | 1985-06-27 | 1986-06-23 | 반도체광위치 검출기 |
| EP86305016A EP0206840B1 (en) | 1985-06-27 | 1986-06-27 | Semiconductor light position detector for rangefinder |
| DE8686305016T DE3685268D1 (de) | 1985-06-27 | 1986-06-27 | Halbleiterlichtpositionsdetektor fuer entfernungseinstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60140819A JPS62929A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | カメラの自動焦点調節装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62929A true JPS62929A (ja) | 1987-01-06 |
| JPH0559405B2 JPH0559405B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=15277458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60140819A Granted JPS62929A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | カメラの自動焦点調節装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4850692A (ja) |
| EP (1) | EP0206840B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62929A (ja) |
| KR (1) | KR900007990B1 (ja) |
| DE (1) | DE3685268D1 (ja) |
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| US5508625A (en) * | 1994-06-23 | 1996-04-16 | The Boeing Company | Voltage stand off characteristics of photoconductor devices |
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| US4511248A (en) * | 1982-06-30 | 1985-04-16 | Eastman Kodak Company | Active electro-optical distance detection methods and devices |
| JPS59107332A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Asahi Optical Co Ltd | カメラの自動焦点装置 |
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| JPH0687576A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-29 | Otis Elevator Co | 群管理エレベーターのかご到着予報灯装置 |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP60140819A patent/JPS62929A/ja active Granted
-
1986
- 1986-06-19 US US06/876,203 patent/US4850692A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-23 KR KR1019860004995A patent/KR900007990B1/ko not_active Expired
- 1986-06-27 EP EP86305016A patent/EP0206840B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-27 DE DE8686305016T patent/DE3685268D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191915A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-09 | Minolta Camera Co Ltd | 光位置センサ |
| JPS58191916A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Minolta Camera Co Ltd | 光位置センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4850692A (en) | 1989-07-25 |
| JPH0559405B2 (ja) | 1993-08-31 |
| EP0206840A2 (en) | 1986-12-30 |
| DE3685268D1 (de) | 1992-06-17 |
| EP0206840A3 (en) | 1987-10-14 |
| EP0206840B1 (en) | 1992-05-13 |
| KR870000575A (ko) | 1987-02-19 |
| KR900007990B1 (ko) | 1990-10-23 |
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