JPS6294257A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
- Publication number
- JPS6294257A JPS6294257A JP60234712A JP23471285A JPS6294257A JP S6294257 A JPS6294257 A JP S6294257A JP 60234712 A JP60234712 A JP 60234712A JP 23471285 A JP23471285 A JP 23471285A JP S6294257 A JPS6294257 A JP S6294257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- sample
- workpiece
- space
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（重要〕
浮揚式非接触研磨装置において、被研磨試料と研磨パッ
ドの間隔を光学的センサで検知し、被研磨試料を保持す
る試料保持板を支持する電磁石に帰還することにより研
磨液の静圧を制御して、前記間隔を所定の値に保ち、最
適な研磨条件が得られるようにした装置を提起する。
ドの間隔を光学的センサで検知し、被研磨試料を保持す
る試料保持板を支持する電磁石に帰還することにより研
磨液の静圧を制御して、前記間隔を所定の値に保ち、最
適な研磨条件が得られるようにした装置を提起する。
本発明は被研磨試料と研磨パッドの間隔を一定に保てる
ようにした静圧制御浮揚式非接触研磨装置に関する。
ようにした静圧制御浮揚式非接触研磨装置に関する。
この装置は半導体基板等の鏡面研磨に用いられ、被研磨
試料として、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェハ等を貼り付
けた試料保持板を研磨液中で遊星運動をさせて研磨する
装置で、この場合シリコンウェハと研磨液を介して対峙
する研磨パッドとの間隔が研磨条件として重要である。
試料として、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェハ等を貼り付
けた試料保持板を研磨液中で遊星運動をさせて研磨する
装置で、この場合シリコンウェハと研磨液を介して対峙
する研磨パッドとの間隔が研磨条件として重要である。
ところが、研磨盤を回転させると、研磨液が遠心力を受
けて外側に移動し、試料保持板は研磨パッドの方に吸い
つけられる静圧（研磨液の流線に垂直に働く圧力）を受
けるため、これを制御して最適な研磨条件を保つための
対策が望まれる。
けて外側に移動し、試料保持板は研磨パッドの方に吸い
つけられる静圧（研磨液の流線に垂直に働く圧力）を受
けるため、これを制御して最適な研磨条件を保つための
対策が望まれる。
第２図は従来例による浮揚式非接触研磨装置の断面図で
ある。
ある。
図において、１は研磨盤で外部駆動により中心線の回り
を回転する皿状の円板で、その底に研磨パッド５を敷き
、研磨液２が満たされる。
を回転する皿状の円板で、その底に研磨パッド５を敷き
、研磨液２が満たされる。
３は被研磨試料で、試料保持板４に貼り付けられる。
試料保持板４のスピンドルは軸受９により支持され、試
料保持板４は研磨盤１の回転にともなって回転できる構
造になっている。
料保持板４は研磨盤１の回転にともなって回転できる構
造になっている。
１０は、軸受９のボールへアリングを模式的に示す。
１１．１２は永久磁石で相互の反発力により、被研磨試
料３と研磨パッド５の間隔ｄを保って、試料保持板４を
支持している。
料３と研磨パッド５の間隔ｄを保って、試料保持板４を
支持している。
このような装置においては、被研磨試料３と研磨パッド
５の間隔ｄを変えるには、研磨盤の回転速度を変化させ
て、研磨液の静圧を変化させて被研磨試料３を上下に移
動させるしか方法がなく、従って研磨条件選択の自由度
が小さく、最適な研磨が行えないという欠点があった。
５の間隔ｄを変えるには、研磨盤の回転速度を変化させ
て、研磨液の静圧を変化させて被研磨試料３を上下に移
動させるしか方法がなく、従って研磨条件選択の自由度
が小さく、最適な研磨が行えないという欠点があった。
従来の浮揚式非接触研磨装置においては、被研磨試料と
研磨バ・ノドの間隔を自由に制御できないため、最適研
磨条件が選べなかった。
研磨バ・ノドの間隔を自由に制御できないため、最適研
磨条件が選べなかった。
上記問題点の解決は、研磨液（２）中で被研磨試料（３
）を保持する試料保持板（４）を研磨パッド（５）より
離して支持する磁気的手段（６）と、該被研磨試料（３
）と該研磨パッド（５）の間隔（ｄ）を検知する光学的
手段（７）と、該光学的手段（７）より該磁気的手段（
６）に帰還する帰還回路（８）とを有し、該帰還回路（
８）により該光学的手段（７）の間隔検知信号を譲該磁
気的手段（６）に帰還することにより、前記間隔（ｄ）
を一定に保てるようにした本発明による研磨装置により
達成される。
）を保持する試料保持板（４）を研磨パッド（５）より
離して支持する磁気的手段（６）と、該被研磨試料（３
）と該研磨パッド（５）の間隔（ｄ）を検知する光学的
手段（７）と、該光学的手段（７）より該磁気的手段（
６）に帰還する帰還回路（８）とを有し、該帰還回路（
８）により該光学的手段（７）の間隔検知信号を譲該磁
気的手段（６）に帰還することにより、前記間隔（ｄ）
を一定に保てるようにした本発明による研磨装置により
達成される。
本発明は試料保持板の支持を従来の永久磁石の代わりに
電磁石を用い、被研磨試料と研磨パッドの間隔を光学的
センサにより検知し、この信号を電磁石に帰還すること
により、研磨盤の回転速度と独立に、被研磨試料と研磨
バンドの間隔を自由に選択して、かつ維持できるように
したものである。
電磁石を用い、被研磨試料と研磨パッドの間隔を光学的
センサにより検知し、この信号を電磁石に帰還すること
により、研磨盤の回転速度と独立に、被研磨試料と研磨
バンドの間隔を自由に選択して、かつ維持できるように
したものである。
第１図は本発明による静圧制御浮揚式非接触研磨装置の
断面図である。
断面図である。
図において、１は研磨盤で外部駆動により中心線の回り
を回転する皿状の円板で、その底に研磨パッド５を敷き
、研磨液２が満たされる。
を回転する皿状の円板で、その底に研磨パッド５を敷き
、研磨液２が満たされる。
研磨液２は、例えばナトリウム（Ｎａ）、カリウｌ、（
Ｋ）等のアルカリ溶液にシリカ（ＳｉＯｚ）を懸濁した
ものを用いる。
Ｋ）等のアルカリ溶液にシリカ（ＳｉＯｚ）を懸濁した
ものを用いる。
研磨パッド５は、例えばポリウレタンフォームのハフを
用いる。
用いる。
３は被研磨試料、例えばＳｉウェハで、試料保持板４に
貼り付けられる。
貼り付けられる。
試料保持板４のスピンドルは軸受９により支持され、試
料保持＋Ｉｉ、４は研磨盤１の回転にともなって回転で
きる構造になっている。
料保持＋Ｉｉ、４は研磨盤１の回転にともなって回転で
きる構造になっている。
１０は、軸受９のボールベアリングを模式的に示す。
以上は従来例の装置と同じである。
６は、試料保持板４を研磨パッド５より離して支持する
磁気的手段で、６八は電磁石、６Ｂは永久磁石である。
磁気的手段で、６八は電磁石、６Ｂは永久磁石である。
電磁石６八と永久磁石６Ｂとの相互の反発力により、試
料保持板４を支持している。
料保持板４を支持している。
７は、被研磨試料３と該研磨パッド５の間隔ｄを検知す
る光学的手段で、７Ａは光源、７Ｂは受光器である。
る光学的手段で、７Ａは光源、７Ｂは受光器である。
８は、光学的手段７より磁気的手段６に帰還する帰還回
路で、受光器７Ｂより入力される間隔検知信号に応じて
、電磁石６八に出力される駆動電流を変化させて両方の
磁石間の反発力を制御することにより、被研磨試料３と
研磨パッド５の間隔ｄを所定のギャップに保つことがで
きる。
路で、受光器７Ｂより入力される間隔検知信号に応じて
、電磁石６八に出力される駆動電流を変化させて両方の
磁石間の反発力を制御することにより、被研磨試料３と
研磨パッド５の間隔ｄを所定のギャップに保つことがで
きる。
以上説明したように本発明の装置においては、研磨盤の
回転速度と独立に研磨液の静圧を制御でき、被研磨試料
と研磨パッドの間隔を所定のギャップに保つことができ
、研磨条件選択の自由度が大きく、最適な研磨が行える
利点がある。
回転速度と独立に研磨液の静圧を制御でき、被研磨試料
と研磨パッドの間隔を所定のギャップに保つことができ
、研磨条件選択の自由度が大きく、最適な研磨が行える
利点がある。
第１図は本発明による静圧制御浮揚式非接触研磨装置の
断面図、 第２図は従来例による浮揚式非接触研磨装置の断面図で
ある。 図において、 １は研磨盤、 ２は研磨液、 ３は被研磨試料、 ４は試料保持板、 ５は研磨パッド、 ６は試料保持板を支持する磁気的手段、６Ａは電磁石、 ６Ｂは永久磁石、 ７は被研磨試料と研磨パッドの間隔を検知する光学的手
段、 ７Ａは光源、 ７１１は受光器、 血７磁先ｖＪ千役 ヱ、克宇匍予段 木谷叩の裟１」断附図 弗 １ 国
断面図、 第２図は従来例による浮揚式非接触研磨装置の断面図で
ある。 図において、 １は研磨盤、 ２は研磨液、 ３は被研磨試料、 ４は試料保持板、 ５は研磨パッド、 ６は試料保持板を支持する磁気的手段、６Ａは電磁石、 ６Ｂは永久磁石、 ７は被研磨試料と研磨パッドの間隔を検知する光学的手
段、 ７Ａは光源、 ７１１は受光器、 血７磁先ｖＪ千役 ヱ、克宇匍予段 木谷叩の裟１」断附図 弗 １ 国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 研磨液（２）中で被研磨試料（３）を保持する試料保持
板（４）を研磨パッド（５）より離して支持する磁気的
手段（６）と、 該被研磨試料（３）と該研磨パッド（５）の間隔（ｄ）
を検知する光学的手段（７）と、 該光学的手段（７）より該磁気的手段（６）に帰還する
帰還回路（８）とを有し、 該帰還回路（８）により該光学的手段（７）の間隔検知
信号を該磁気的手段（６）に帰還することにより、前記
間隔（ｄ）を一定に保てるようにしたことを特徴とする
研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234712A JPS6294257A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60234712A JPS6294257A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294257A true JPS6294257A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16975197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60234712A Pending JPS6294257A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294257A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7066785B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing apparatus and related polishing methods |
| JP2009255289A (ja) * | 1997-07-11 | 2009-11-05 | Applied Materials Inc | 可撓膜を有するケミカルメカニカルポリシングシステム用キャリアヘット |
| US9620953B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-04-11 | Wen Technology, Inc. | Methods providing control for electro-permanent magnetic devices and related electro-permanent magnetic devices and controllers |
| CN108890529A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-27 | 浙江工业大学 | 光催化钴基合金加工控制系统及控制方法 |
| US10734149B2 (en) | 2016-03-23 | 2020-08-04 | Wen Technology Inc. | Electro-permanent magnetic devices including unbalanced switching and permanent magnets and related methods and controllers |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60234712A patent/JPS6294257A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009255289A (ja) * | 1997-07-11 | 2009-11-05 | Applied Materials Inc | 可撓膜を有するケミカルメカニカルポリシングシステム用キャリアヘット |
| US7066785B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing apparatus and related polishing methods |
| US7488235B2 (en) | 2003-01-10 | 2009-02-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing apparatus and related polishing methods |
| US9620953B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-04-11 | Wen Technology, Inc. | Methods providing control for electro-permanent magnetic devices and related electro-permanent magnetic devices and controllers |
| US10734149B2 (en) | 2016-03-23 | 2020-08-04 | Wen Technology Inc. | Electro-permanent magnetic devices including unbalanced switching and permanent magnets and related methods and controllers |
| CN108890529A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-27 | 浙江工业大学 | 光催化钴基合金加工控制系统及控制方法 |
| CN108890529B (zh) * | 2018-07-25 | 2023-06-23 | 浙江工业大学 | 光催化钴基合金加工控制系统及控制方法 |
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