JPS6294949A - 半導体装置の特性測定方法 - Google Patents
半導体装置の特性測定方法Info
- Publication number
- JPS6294949A JPS6294949A JP60235728A JP23572885A JPS6294949A JP S6294949 A JPS6294949 A JP S6294949A JP 60235728 A JP60235728 A JP 60235728A JP 23572885 A JP23572885 A JP 23572885A JP S6294949 A JPS6294949 A JP S6294949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminals
- bonding pad
- semiconductor device
- transistor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の特性測定方法に関する。
従来 半導体装置の外部接続用ボンディングパッドは、
第３図に示す様に対応する外部リードとのみボンディン
グされ接続されていた。
第３図に示す様に対応する外部リードとのみボンディン
グされ接続されていた。
すなわち、第３図において５トランジスタＱ。
及びＱ２のボンディングパッド１，２及び３．４はそれ
に対応する外部リードＩＡ、２Ａ及び３Ａ。
に対応する外部リードＩＡ、２Ａ及び３Ａ。
ｌｌ Ａと金属細線７により接続されていた。
〔発明が解決しようとする問題点］
上述した従来の外部リードとの接続構造を有する半導体
装置では、電気的特性の測定を行う場合、−ｍにソケッ
Ｉ〜に装着されるが、半導体装置の外部リードとソケッ
トの端子との間に接触抵抗Ｒが生じる。
装置では、電気的特性の測定を行う場合、−ｍにソケッ
Ｉ〜に装着されるが、半導体装置の外部リードとソケッ
トの端子との間に接触抵抗Ｒが生じる。
第４図は第３図に示した半導体装置をソケットに装着し
た場合の等価回路図である。
た場合の等価回路図である。
第４図において、半導体装置の外部リードとソケットの
端子５，０との間に生ずる接触抵抗Ｒ１゜Ｒ２の値は一
定とはならず、半導体装置のソケツｌ〜への装着毎に０
．１〜数オ一ム程度の範囲でばら一フいた１直をとる。
端子５，０との間に生ずる接触抵抗Ｒ１゜Ｒ２の値は一
定とはならず、半導体装置のソケツｌ〜への装着毎に０
．１〜数オ一ム程度の範囲でばら一フいた１直をとる。
従−）で、トランジスターＱ１のコレクタ・エミッタ間
の飽和電圧ＶＣＥｆｓｆｉＬ１を測定する場合等に大電
流例えば、ＩＡ程度の電流を流した場合、接触抵抗Ｒ，
，Ｒ２に生じる電圧降下は、数百ミリボルト以上となる
。これに対し、飽和電圧■。Ｅ（ｓａＬｌは、一般的に
は０．２〜０．５Ｖ程度であり、接触抵抗で生じる電圧
降下はＶＣＩ！（ｓａＬｌと同等あるいはそれ以上の値
でばらついた１′直となるため、ＶＣＥ（ｍａｉｌ測定
そのものが困難であるという問題点があった６ 本発明の目的は正確な半導体装置の特性測定方法を提供
することにある。
の飽和電圧ＶＣＥｆｓｆｉＬ１を測定する場合等に大電
流例えば、ＩＡ程度の電流を流した場合、接触抵抗Ｒ，
，Ｒ２に生じる電圧降下は、数百ミリボルト以上となる
。これに対し、飽和電圧■。Ｅ（ｓａＬｌは、一般的に
は０．２〜０．５Ｖ程度であり、接触抵抗で生じる電圧
降下はＶＣＩ！（ｓａＬｌと同等あるいはそれ以上の値
でばらついた１′直となるため、ＶＣＥ（ｍａｉｌ測定
そのものが困難であるという問題点があった６ 本発明の目的は正確な半導体装置の特性測定方法を提供
することにある。
本発明の半導体装置の特性測定方法は、第１の半導体素
子に接続されて設けられ第１及び第２の外部リードに接
続された第１及び第２のボンディングパッドと、第２の
半導体素子に接続されて設けられ第３及び第４の外部リ
ードに接続されｔ：第３及び第４のボンディングパッド
と、Ｍｉｆ記第３のボンディングパッドに１〜数μｒｎ
の幅の部分を存するＡｌ配線により接続されかつ前記第
１の外部リードに接続された第１の測定用ボンディング
パッドと、前記第４のボンディングパッドに１〜・数μ
ｍの幅の部分を有するＡｌ配線により接続されかつ前記
第２の外部リードに接続された第２の測定用ボンディン
グパッドとからなる半導体装置の前記第１の半導体素子
を非導通とし、前記第１及び第２の外部リード間に電圧
計を接続しかつ前記第３及び第・１の外部リード間に電
流を流して前記第２の半導体素子の端子間電圧を測定し
たのち、前記第１及び第３の外部リード間及び前記第２
及び第４の外部リード間に電流を流し前記Ａｌ配線を溶
断するものである。
子に接続されて設けられ第１及び第２の外部リードに接
続された第１及び第２のボンディングパッドと、第２の
半導体素子に接続されて設けられ第３及び第４の外部リ
ードに接続されｔ：第３及び第４のボンディングパッド
と、Ｍｉｆ記第３のボンディングパッドに１〜数μｒｎ
の幅の部分を存するＡｌ配線により接続されかつ前記第
１の外部リードに接続された第１の測定用ボンディング
パッドと、前記第４のボンディングパッドに１〜・数μ
ｍの幅の部分を有するＡｌ配線により接続されかつ前記
第２の外部リードに接続された第２の測定用ボンディン
グパッドとからなる半導体装置の前記第１の半導体素子
を非導通とし、前記第１及び第２の外部リード間に電圧
計を接続しかつ前記第３及び第・１の外部リード間に電
流を流して前記第２の半導体素子の端子間電圧を測定し
たのち、前記第１及び第３の外部リード間及び前記第２
及び第４の外部リード間に電流を流し前記Ａｌ配線を溶
断するものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の−・実施例を説明する為の半導体装置
の平面図である。
の平面図である。
第１図において、？導体装置は、第１のトランジスタＱ
目に接続されζ設けられ第１及び第２の外部リード２１
Ａ、２１１３に接続された第１及び第２のボンディング
パッドｌｌａ、１．１ｂと、第２のトランジスタＱ＋２
に接続されて設けられ第３及び第４の外部リード２２Ａ
、２２Ｂに接続された第３及び第４のボンディングパッ
ド１２ａ、１２１つと、第３のボンディングパッド１２
ａに１〜数μｍの幅の部分を有するＡｌ配線１４ａによ
り接続されかつ第１の外部リード２ＬＡに金属細線７に
より接続された第１の測定用ボンディングパッド１３ａ
と、第４のボンディングパッド１２ ｂに１〜数μｍの
幅の部分を有するＡｌ配線１・１１）により接続されか
つ第２の外部リード２１Ｂに金属細線７により接続され
た第２の測定用ボンディングパッド１３ｂとから構成さ
れている。
目に接続されζ設けられ第１及び第２の外部リード２１
Ａ、２１１３に接続された第１及び第２のボンディング
パッドｌｌａ、１．１ｂと、第２のトランジスタＱ＋２
に接続されて設けられ第３及び第４の外部リード２２Ａ
、２２Ｂに接続された第３及び第４のボンディングパッ
ド１２ａ、１２１つと、第３のボンディングパッド１２
ａに１〜数μｍの幅の部分を有するＡｌ配線１４ａによ
り接続されかつ第１の外部リード２ＬＡに金属細線７に
より接続された第１の測定用ボンディングパッド１３ａ
と、第４のボンディングパッド１２ ｂに１〜数μｍの
幅の部分を有するＡｌ配線１・１１）により接続されか
つ第２の外部リード２１Ｂに金属細線７により接続され
た第２の測定用ボンディングパッド１３ｂとから構成さ
れている。
第２図は第１図の半導体装置を電気特性測定用のソケッ
トに装着した場合の等価回路図であり、３１〜３４はソ
ケットの端子、ＲＨ１，Ｒ１２，［（１３及びＲ−１４
は接触抵抗である。以下第２図を用いてトランジスタの
コレクタ・エミッタ間の飽和電圧■ＣＥｌｓａＬ＋の測
定方法の一例を説明する。
トに装着した場合の等価回路図であり、３１〜３４はソ
ケットの端子、ＲＨ１，Ｒ１２，［（１３及びＲ−１４
は接触抵抗である。以下第２図を用いてトランジスタの
コレクタ・エミッタ間の飽和電圧■ＣＥｌｓａＬ＋の測
定方法の一例を説明する。
まず、トランジスタＱ１□のＶＣＥ（ｓａＬｌを測定す
る場合はトランジスタＱｌｌを非導通とし、端子３１．
３２間に電圧計を接続する。そして端子３３゜３４間に
ＩＡ程度の電流Ｉを流してｌ・ランジスタＱ＋２のＶＣ
Ｅ（ｓａＬｌを測定する。
る場合はトランジスタＱｌｌを非導通とし、端子３１．
３２間に電圧計を接続する。そして端子３３゜３４間に
ＩＡ程度の電流Ｉを流してｌ・ランジスタＱ＋２のＶＣ
Ｅ（ｓａＬｌを測定する。
次に、端子３３と３１間及び端子３４と３２間に電流を
流しＡｌ配線１３ａ、１３ｂを溶断する。
流しＡｌ配線１３ａ、１３ｂを溶断する。
本例ではＩ・ランジスタＱ１２に対する他の半導体素子
はトランジスタＱ ＋ ＋であり、■・ランジスタＱＩ
２に対して独立している為トランジスタＱ ＋ ＋を非
導通としてもＶＣＥｆｓ□、の測定に対しては特に問題
は生じない。従ってこの場合の端子３３と３４問におけ
る電圧降下は、Ｒ１３＝Ｏ，ＩΩ、 Ｒ，４＝０゜２Ω
、Ｉ＝ＬＡとするとＯｊ Ｖ ＋ Ｖ ＣＥ（ｍａｉｌ
となる。
はトランジスタＱ ＋ ＋であり、■・ランジスタＱＩ
２に対して独立している為トランジスタＱ ＋ ＋を非
導通としてもＶＣＥｆｓ□、の測定に対しては特に問題
は生じない。従ってこの場合の端子３３と３４問におけ
る電圧降下は、Ｒ１３＝Ｏ，ＩΩ、 Ｒ，４＝０゜２Ω
、Ｉ＝ＬＡとするとＯｊ Ｖ ＋ Ｖ ＣＥ（ｍａｉｌ
となる。
本来、トランジスタＱ＋２のＶＣＥ（ｍａＬｌは０．３
Ｖ程度であるが、従来の測定方法ではＲ，３，Ｒ，４
の値が一定でない為、ＶＣＰ：（＋ａｔｌのの正確な測
定は困難であ−）なが、上述したように端子３１．３２
間に電圧計を接続すればその間のインピーダンスは数メ
ガオームとなるのでＲ，、、Ｒ１２の影響は無視てきる
為、ＶＣＥ（ｍａｔｌを正確に測定できる。
Ｖ程度であるが、従来の測定方法ではＲ，３，Ｒ，４
の値が一定でない為、ＶＣＰ：（＋ａｔｌのの正確な測
定は困難であ−）なが、上述したように端子３１．３２
間に電圧計を接続すればその間のインピーダンスは数メ
ガオームとなるのでＲ，、、Ｒ１２の影響は無視てきる
為、ＶＣＥ（ｍａｔｌを正確に測定できる。
また、測定後は人２配線１３ａ、１３ｂを溶断１．７Ｃ
おく為に、半導体装置の使用に対しては特に問題は生じ
ない。
おく為に、半導体装置の使用に対しては特に問題は生じ
ない。
尚、［Ｘ、記実施例においてはトランジスタのコレ７々
エミッタ間の飽和電圧の測定について説明したが、本
発明はトランジスタの他の端子間電圧やＭ ＯＳ Ｆ
Ｅ Ｔの端子間電圧の測定等にも適用できる。
エミッタ間の飽和電圧の測定について説明したが、本
発明はトランジスタの他の端子間電圧やＭ ＯＳ Ｆ
Ｅ Ｔの端子間電圧の測定等にも適用できる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、２つの半
導体素子間を接続する測定用ボンディングパッドを設け
、一方の半導体素子を非導通とし、他方半導体素子の端
子間に電流を流すことにより、端子間電圧を正確に測定
できるという効果のある半導体装置の測定方法が得られ
る。
導体素子間を接続する測定用ボンディングパッドを設け
、一方の半導体素子を非導通とし、他方半導体素子の端
子間に電流を流すことにより、端子間電圧を正確に測定
できるという効果のある半導体装置の測定方法が得られ
る。
第１図は本発明の一実施例を説明する為の半導体装置の
平面図、第２（２１は第１図の半導体装置をソケットに
装着した場合の等価回路図、第３図は従来の半導体装置
の特性測定方法を説明する為の半導体装置の平面図、第
４図は第３図の半導体装置をソケットに装着した場合の
等価回路図である。 １〜４・・・ボンディングパッド、■Ａ〜４ Ａ・・・
外部リード、５．６・・・端子、７・・・金属細線、］
、 １ ａ・・・第１のボンディングパッド、Ｉｌｂ・
・・第２のボンディングパッド、１．２ ａ・・・第３
のボンディングパッド、１．２ ｂ・・・第２のボンデ
ィングパッド、１３、上 第１の測定用ボンディングパ
ッド、 １３ ｂ・・第２の測定用ボンディングパッド
、１４ａ、］１１）・・Ａｌ配線、２１Ａ・・・第１の
外部リード、２コＦ（・・・第２の外部リード、２２Ａ
・・・第３の外部り・Ｉて、２２Ｂ・・・第４の外部リ
ード、Ｑ＋ 、Ｑｚ 。 Ｑ＋１．Ｑ＋ｚ・１−ランジスタ、Ｒ，、、Ｒ２，Ｒ目
。 １マ、□、 ＲＩ：！、 Ｒ１４・・・接触抵抗。 ／ＩｔＡＡＩ配斥 第 ２ 閏
平面図、第２（２１は第１図の半導体装置をソケットに
装着した場合の等価回路図、第３図は従来の半導体装置
の特性測定方法を説明する為の半導体装置の平面図、第
４図は第３図の半導体装置をソケットに装着した場合の
等価回路図である。 １〜４・・・ボンディングパッド、■Ａ〜４ Ａ・・・
外部リード、５．６・・・端子、７・・・金属細線、］
、 １ ａ・・・第１のボンディングパッド、Ｉｌｂ・
・・第２のボンディングパッド、１．２ ａ・・・第３
のボンディングパッド、１．２ ｂ・・・第２のボンデ
ィングパッド、１３、上 第１の測定用ボンディングパ
ッド、 １３ ｂ・・第２の測定用ボンディングパッド
、１４ａ、］１１）・・Ａｌ配線、２１Ａ・・・第１の
外部リード、２コＦ（・・・第２の外部リード、２２Ａ
・・・第３の外部り・Ｉて、２２Ｂ・・・第４の外部リ
ード、Ｑ＋ 、Ｑｚ 。 Ｑ＋１．Ｑ＋ｚ・１−ランジスタ、Ｒ，、、Ｒ２，Ｒ目
。 １マ、□、 ＲＩ：！、 Ｒ１４・・・接触抵抗。 ／ＩｔＡＡＩ配斥 第 ２ 閏
Claims (1)
- 第１の半導体素子に接続されて設けられ第１及び第２
の外部リードに接続された第１及び第２のボンディング
パッドと、第２の半導体素子に接続されて設けられ第３
及び第４の外部リードに接続された第３及び第４のボン
ディングパッドと、前記第３のボンディングパッドに１
〜数μｍの幅の部分を有するＡｌ配線により接続されか
つ前記第１の外部リードに接続された第１の測定用ボン
ディングパッドと、前記第４のボンディングパッドに１
〜数μｍの幅の部分を有するＡｌ配線により接続されか
つ前記第２の外部リードに接続された第２の測定用ボン
ディングパッドとからなる半導体装置の前記第１の半導
体素子を非導通とし、前記第１及び第２の外部リード間
に電圧計を接続しかつ前記第３及び第４の外部リード間
に電流を流して前記第２の半導体素子の端子間電圧を測
定したのち、前記第１及び第３の外部リード間及び前記
第２及び第４の外部リード間に電流を流し前記Ａｌ配線
を溶断することを特徴とする半導体装置の特性測定方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235728A JPS6294949A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置の特性測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235728A JPS6294949A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置の特性測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294949A true JPS6294949A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16990349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235728A Pending JPS6294949A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置の特性測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6294949A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008157934A (ja) * | 2007-12-17 | 2008-07-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物半導体装置の高温保管信頼性評価方法 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60235728A patent/JPS6294949A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008157934A (ja) * | 2007-12-17 | 2008-07-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物半導体装置の高温保管信頼性評価方法 |
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