JPS6294965A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6294965A JPS6294965A JP60235936A JP23593685A JPS6294965A JP S6294965 A JPS6294965 A JP S6294965A JP 60235936 A JP60235936 A JP 60235936A JP 23593685 A JP23593685 A JP 23593685A JP S6294965 A JPS6294965 A JP S6294965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pads
- semiconductor device
- input
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波半導体装置に関し、特にその高周
波特性の測定において、精密な測定を行うために必要な
グランドのとり方を改良したものに関するものである。
波特性の測定において、精密な測定を行うために必要な
グランドのとり方を改良したものに関するものである。
従来、例えば１０ＧＨｚ程度の高周波領域で動作するト
ランジスタやＩＣなどの半導体デバイスの高周波特性を
評価するには、ウェハーをチップに切り出し、該チップ
をパッケージやチップキャリアに組込み、その後評価用
治具にマウントし、測定する方法が一般的であった。従
って、マイクロ波デバイスの評価には相当の時間と費用
を必要とし、さらに組立に伴うワイヤの寄生インダクタ
ンスや、上記治具の接続部分の不具合等が測定結果に悪
影響を与え、不正確きを招くなどの不具合があった。
ランジスタやＩＣなどの半導体デバイスの高周波特性を
評価するには、ウェハーをチップに切り出し、該チップ
をパッケージやチップキャリアに組込み、その後評価用
治具にマウントし、測定する方法が一般的であった。従
って、マイクロ波デバイスの評価には相当の時間と費用
を必要とし、さらに組立に伴うワイヤの寄生インダクタ
ンスや、上記治具の接続部分の不具合等が測定結果に悪
影響を与え、不正確きを招くなどの不具合があった。
このような不具合を解決するため、最近、ウェハ状態で
高周波特性の評価が可能なプローブヘッドが開発され普
及し始めている。
高周波特性の評価が可能なプローブヘッドが開発され普
及し始めている。
第３図に示すものはこのような高周波プローブの一例で
、これはプローブ先端までコプラーナ線路が形成され、
特性インピーダンスが５０Ωとなるように設計されてい
る。第３図（ａ）は上記プローブヘッドの斜視図、第３
図（ｂ）はその裏面図である。
、これはプローブ先端までコプラーナ線路が形成され、
特性インピーダンスが５０Ωとなるように設計されてい
る。第３図（ａ）は上記プローブヘッドの斜視図、第３
図（ｂ）はその裏面図である。
図中１はプローブヘッドの支持体で例えばアルミナやサ
ファイヤ等の誘電体基板である。２，３゜４は半導体チ
ップに接触する部分であり、２は信号用プローブ、３，
４はグランド用プローブである。裏面には信号線２０、
グランド線３０．４０が特性インピーダンス５ Ｑ Ｑ
のコプラーナ線路を形成するように金属パターンが形成
されており、これは点２１，３１．４１付近で同軸コネ
クタ５ｃ、：、 Ｊ−１続され、該コネクタ５からはケ
ーブルにより測定器に接続されている。このようなプロ
ーブを用いればプローブの先端まで特性インピーダンス
が５０Ωの線路で信号を送ることができ、精度の高い測
定が可能である。しかしながら、第３図に示すプローブ
ヘッドで測定を行なうためには、信号用プローブ２、グ
ランド用プローブ３，４が接触できるパッドがチップ上
に形成されていなければならない。
ファイヤ等の誘電体基板である。２，３゜４は半導体チ
ップに接触する部分であり、２は信号用プローブ、３，
４はグランド用プローブである。裏面には信号線２０、
グランド線３０．４０が特性インピーダンス５ Ｑ Ｑ
のコプラーナ線路を形成するように金属パターンが形成
されており、これは点２１，３１．４１付近で同軸コネ
クタ５ｃ、：、 Ｊ−１続され、該コネクタ５からはケ
ーブルにより測定器に接続されている。このようなプロ
ーブを用いればプローブの先端まで特性インピーダンス
が５０Ωの線路で信号を送ることができ、精度の高い測
定が可能である。しかしながら、第３図に示すプローブ
ヘッドで測定を行なうためには、信号用プローブ２、グ
ランド用プローブ３，４が接触できるパッドがチップ上
に形成されていなければならない。
第２図はマイクロストリップ線路を用いて半導。
体チップ上にマイクロ波回路を構成したＭＭ Ｉ Ｃ（
Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉ Ｃ
）を示す図であり２、−の図ではトランジスタなどの部
分は図示せず、伴！なる伝送線路のみを示している。普
通ＭＭＩＣの場合は、この図のチ・ノブ上に、トランジ
スタ、抵抗、コンデンサ、他の回路要素が集積されてし
）る。図中６は例えば半絶縁性ＧａＡＳ基板、７はマイ
クロストリップ線路で、金属薄膜で形成されている。８
はグランド部（地導体）であり、チップ裏面に形成され
た金属薄膜である。
Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉ Ｃ
）を示す図であり２、−の図ではトランジスタなどの部
分は図示せず、伴！なる伝送線路のみを示している。普
通ＭＭＩＣの場合は、この図のチ・ノブ上に、トランジ
スタ、抵抗、コンデンサ、他の回路要素が集積されてし
）る。図中６は例えば半絶縁性ＧａＡＳ基板、７はマイ
クロストリップ線路で、金属薄膜で形成されている。８
はグランド部（地導体）であり、チップ裏面に形成され
た金属薄膜である。
従来の装置は以上のように構成されているので、グラン
ド部はチップ裏面にあり、千ンブ上面には無いため、第
３図に示すプローブの適用が出来ないという問題点があ
った。
ド部はチップ裏面にあり、千ンブ上面には無いため、第
３図に示すプローブの適用が出来ないという問題点があ
った。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、ウェハ状態で高周波特性の評価が可能なプロー
ブヘッドにより、その高周波ブロービングが可能な半導
体装置を得ることを目的とする。
もので、ウェハ状態で高周波特性の評価が可能なプロー
ブヘッドにより、その高周波ブロービングが可能な半導
体装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段）
本発明にかかる半導体装置は、基板上のマイクロストリ
ップ線路の人、出力バンド付近にグランド用バンドを上
記基板側面に施したメタライズを介して基板裏面の地導
体に接続して設けたものである。
ップ線路の人、出力バンド付近にグランド用バンドを上
記基板側面に施したメタライズを介して基板裏面の地導
体に接続して設けたものである。
この発明においでは、畠周波特性の測定に枢要なグラン
ドパッドを基板上の入１出力バツｉ・”付近Ｃ１゛設け
たから、プローブへ・ソドの所要の端子を基＋）、−１
，の所要のバンドに同時に接触させることができイ）。
ドパッドを基板上の入１出力バツｉ・”付近Ｃ１゛設け
たから、プローブへ・ソドの所要の端子を基＋）、−１
，の所要のバンドに同時に接触させることができイ）。
以下、本発明の−・実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示し１、
図において、６〜８は第２図と同一・のちのであり、９
はチソブト面に設けられたグランド用バンド、１．０．
１）はチップ側壁にメッキ法などで形成されたメタライ
ズ部分（側面導体）であ幻、。
図において、６〜８は第２図と同一・のちのであり、９
はチソブト面に設けられたグランド用バンド、１．０．
１）はチップ側壁にメッキ法などで形成されたメタライ
ズ部分（側面導体）であ幻、。
これは上記グランド用バンド９と裏面グランド部（地導
体）８とを接続している。ここで上記メタライズ部１０
は線路７に平行なチップ側面のメタライズ部であり、上
記メタライズ部１）は、線路７に垂直な側面のメタライ
ズ部であり、このように上面グランドパッド９と裏面グ
ランド部８とを接続するメタライズ部はいずれの側面己
こ設けたものでもよい。
体）８とを接続している。ここで上記メタライズ部１０
は線路７に平行なチップ側面のメタライズ部であり、上
記メタライズ部１）は、線路７に垂直な側面のメタライ
ズ部であり、このように上面グランドパッド９と裏面グ
ランド部８とを接続するメタライズ部はいずれの側面己
こ設けたものでもよい。
このような本実施例ではグランド用パッドを入、出力用
バンド付近に設けたので、第３図のプローグヘン１′の
端子２，３．４をそれぞれ、チップ上のバ２・ドア、９
に接触さセ・５ことができ、これにより≧１÷−Ｊ件（
ツブ−を池ｌ定治具中ｔこ朴込むことなく測定できる。
バンド付近に設けたので、第３図のプローグヘン１′の
端子２，３．４をそれぞれ、チップ上のバ２・ドア、９
に接触さセ・５ことができ、これにより≧１÷−Ｊ件（
ツブ−を池ｌ定治具中ｔこ朴込むことなく測定できる。
以上のようにこの発明にかかる半導体装置によれば、＝
Ｈｔ、ｉ上のマイクロストリップ線路の人、出カバ・ノ
ド付近にグランド用バンドを設けたので、半導体チ／プ
を測定治具申に組込むことなく測定でき、測定時間の短
縮１．測定費用の削減、測定精度の向上を図ることがで
きる効果がある。
Ｈｔ、ｉ上のマイクロストリップ線路の人、出カバ・ノ
ド付近にグランド用バンドを設けたので、半導体チ／プ
を測定治具申に組込むことなく測定でき、測定時間の短
縮１．測定費用の削減、測定精度の向上を図ることがで
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体チップの構成を
示す図、第２図は従来の半導体チップの構成を示す図、
第３図は高周波プローブの一例を示す図である。 図中、６は半導体基板、７はマイクロストリ・ノブ線路
、８はグランド部、９はグランド用バンド、１０．１）
はメタライズ部（側面導体）である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す図、第２図は従来の半導体チップの構成を示す図、
第３図は高周波プローブの一例を示す図である。 図中、６は半導体基板、７はマイクロストリ・ノブ線路
、８はグランド部、９はグランド用バンド、１０．１）
はメタライズ部（側面導体）である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）基板上に形成されたマイクロストリップ線路を有
し、マイクロ波帯以上の高周波領域で動作する半導体装
置において、 上記基板上の上記マイクロストリップ線路の入、出力パ
ッド付近にそれぞれ上記基板側面を介して地導体に接続
して形成されたグランドパッドを備えたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235936A JP2568495B2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60235936A JP2568495B2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6294965A true JPS6294965A (ja) | 1987-05-01 |
| JP2568495B2 JP2568495B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=16993420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60235936A Expired - Lifetime JP2568495B2 (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2568495B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926234A (en) * | 1986-08-06 | 1990-05-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device operating in high frequency range |
| JPH0467657A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子実装治具 |
| US5324981A (en) * | 1988-07-01 | 1994-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor device with contact in groove |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099870U (ja) * | 1974-01-17 | 1975-08-19 | ||
| JPS59169061U (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路用基板 |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP60235936A patent/JP2568495B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5099870U (ja) * | 1974-01-17 | 1975-08-19 | ||
| JPS59169061U (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-12 | 株式会社村田製作所 | 高周波回路用基板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926234A (en) * | 1986-08-06 | 1990-05-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device operating in high frequency range |
| US5010019A (en) * | 1986-08-06 | 1991-04-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a semiconductor device operating in high frequency range |
| US5051810A (en) * | 1986-08-06 | 1991-09-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device operating in high frequency range |
| US5324981A (en) * | 1988-07-01 | 1994-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor device with contact in groove |
| US5434094A (en) * | 1988-07-01 | 1995-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a field effect transistor |
| JPH0467657A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子実装治具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2568495B2 (ja) | 1997-01-08 |
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