JPS629603A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS629603A JPS629603A JP60149751A JP14975185A JPS629603A JP S629603 A JPS629603 A JP S629603A JP 60149751 A JP60149751 A JP 60149751A JP 14975185 A JP14975185 A JP 14975185A JP S629603 A JPS629603 A JP S629603A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、ＺｎＯを主成分とし、これに微量の副成分
を添加した電圧非直線抵抗体、さらに詳しくは雷サージ
あるいは開閉サージを抑制するＺｎＯ型避雷器に関する
。
を添加した電圧非直線抵抗体、さらに詳しくは雷サージ
あるいは開閉サージを抑制するＺｎＯ型避雷器に関する
。
ＺｎＯを主成分として、これに副成分としてＰ ｒ ＋
Ｃｏ、 ｋ ＋Ｃｒ＋ Ｍｇ、 Ｃａなどを化合物の
形で添加し、混合、成形、焼成することによって製造さ
れた焼結体は、優れた電圧非直線性を示すことが知られ
ている。上記添加物に、さらにＭ、Ｂを添加するとサー
ジ耐量が向上することを本発明者らは特開昭５９−８２
７０２〜８２７０４号公報に開示している。 上記組成の焼結体は、径が１４鶴程度の大きさでは、通
常の乾式成形方法で、サージ耐量、高温課電特性ともに
満足する値を有している０例えば方形波インパルス放電
電流（以下開閉サージ）耐量試験では？ＯＡ／ｃｊ、大
電流インパルス放電電流（以下雷サージ）耐量試験では
ｌ０ＧＯＯＡ／−の特性ををしている。また高温課電試
験においては、周囲温度１５０℃、課電率９５％の条件
の下に８０００時間経過した後でもバリスタ電圧ｖ１１
．の変化は一１％程度であり、優れた信鯨性を有してい
る。 このように優れた特性を有する組成であるにもかかわら
ず、焼結体の直径が大きくなるにつれて、単位面積当た
りの開閉サージ耐量が低下したり、あるいは高温課電寿
命が短くなるという問題があった０本発明者らは４８φ
素子を用いて焼成密度と開閉サージ、およびＶｅａｌ＾
／Ｖｉｓａの関係を調べ第４図に示す関係を得た。ただ
しＶ、。ｐ＾／Ｖ＋−ａは低電流領域の電圧非直線性を
示すもので、焼結体の両端面に付けた電極間に１０７１
＾の直流電流を流したときの電極間電圧ｖ１．１１＾と
、１ｍＡの電流を流したときの電極間電圧Ｖ＋−ａ
（バリスタ電圧と呼ぶ）の比である。第４図の曲線１は
焼結密度とｖｌ、β＾／Ｖ＋ａｍとの関係を示し、曲＆
Ｉ２は開閉サージｌ０ＫＪに対する合格率を示す、第４
図の曲線１は焼結密度が高くなるにつれてＶ（＠ｐ＾／
Ｖｔ−ａは向上するが、曲線２は開閉サージｌ０ＫＪを
印加した時の合格率は焼成密度が５．３５〜５．４５ｇ
１０Ｊの範囲になければ８０％以上の値が５得られない
ことを示している。 ところが最近ＺｎＯ型避雷器に対する要求は非常に厳し
く、例えば、従来交流課電で課電率６０％が一般的であ
ったものが、直流課電でしかも課電率８５％にも達する
要求もなされるようになってきた。 本発明者らが行なった加速寿命試験によると、課電率８
５％の直流課電で２０年以上の寿命を保証するタメニは
、４８す素子ではＶｔ＊＃Ａ／Ｖ＋ｓａが０．８０以上
なければならないことが判明した。従ってＶｒｅＪＩＡ
／Ｖ＋−ａを０．８０以上に保ったままで、しかも開閉
サージ耐量１０ＫＪを８０％以上の合格率に保つために
は、第４図から焼成密度は５．４０〜５．４５ｇ／−の
範囲に管理しなければならないことがわかる。ところが
焼成密度は、粉末の特性、成形条件、焼成条件などによ
って左右されるため５．４０〜５．４５ｇ／ａＪの範囲
に入れるのは難しく、歩留りが非常に悪かった。 本発明者らはこの問題を解決すべく、焼成密度。 成形密度、開閉サージ耐量の関係を詳細に検針した結果
、焼成密度を高くするためには、成形圧力を高くし成形
密度を高くしなければならず、逆に成形圧力を高くする
ほど、金型外局部へ圧力が集中し、これが開閉サージ耐
量低下の原因と推定した。 第５図は直径４８φの焼結体に１鶴角の電極をｌ鶴間隔
で約５００個つけて電流ＩＯＡのインパルスで測定した
時の、中心から外周へかけての電圧ｖ１．＾の電圧分布
曲線を示したちのである。第５図から明らかに外周５〜
Ｂ論の部分からＶ、。あの低下が認められる。この傾向
は焼結体の径に関係なく、はぼ外周から５〜１０諺の範
囲で低下が認められた。 外周部での電圧の低下する割合は、焼成密度が高いほど
大きく、これが焼成密度が高くなるにつれて開閉サージ
耐量が低下する原因と考えられる。
Ｃｏ、 ｋ ＋Ｃｒ＋ Ｍｇ、 Ｃａなどを化合物の
形で添加し、混合、成形、焼成することによって製造さ
れた焼結体は、優れた電圧非直線性を示すことが知られ
ている。上記添加物に、さらにＭ、Ｂを添加するとサー
ジ耐量が向上することを本発明者らは特開昭５９−８２
７０２〜８２７０４号公報に開示している。 上記組成の焼結体は、径が１４鶴程度の大きさでは、通
常の乾式成形方法で、サージ耐量、高温課電特性ともに
満足する値を有している０例えば方形波インパルス放電
電流（以下開閉サージ）耐量試験では？ＯＡ／ｃｊ、大
電流インパルス放電電流（以下雷サージ）耐量試験では
ｌ０ＧＯＯＡ／−の特性ををしている。また高温課電試
験においては、周囲温度１５０℃、課電率９５％の条件
の下に８０００時間経過した後でもバリスタ電圧ｖ１１
．の変化は一１％程度であり、優れた信鯨性を有してい
る。 このように優れた特性を有する組成であるにもかかわら
ず、焼結体の直径が大きくなるにつれて、単位面積当た
りの開閉サージ耐量が低下したり、あるいは高温課電寿
命が短くなるという問題があった０本発明者らは４８φ
素子を用いて焼成密度と開閉サージ、およびＶｅａｌ＾
／Ｖｉｓａの関係を調べ第４図に示す関係を得た。ただ
しＶ、。ｐ＾／Ｖ＋−ａは低電流領域の電圧非直線性を
示すもので、焼結体の両端面に付けた電極間に１０７１
＾の直流電流を流したときの電極間電圧ｖ１．１１＾と
、１ｍＡの電流を流したときの電極間電圧Ｖ＋−ａ
（バリスタ電圧と呼ぶ）の比である。第４図の曲線１は
焼結密度とｖｌ、β＾／Ｖ＋ａｍとの関係を示し、曲＆
Ｉ２は開閉サージｌ０ＫＪに対する合格率を示す、第４
図の曲線１は焼結密度が高くなるにつれてＶ（＠ｐ＾／
Ｖｔ−ａは向上するが、曲線２は開閉サージｌ０ＫＪを
印加した時の合格率は焼成密度が５．３５〜５．４５ｇ
１０Ｊの範囲になければ８０％以上の値が５得られない
ことを示している。 ところが最近ＺｎＯ型避雷器に対する要求は非常に厳し
く、例えば、従来交流課電で課電率６０％が一般的であ
ったものが、直流課電でしかも課電率８５％にも達する
要求もなされるようになってきた。 本発明者らが行なった加速寿命試験によると、課電率８
５％の直流課電で２０年以上の寿命を保証するタメニは
、４８す素子ではＶｔ＊＃Ａ／Ｖ＋ｓａが０．８０以上
なければならないことが判明した。従ってＶｒｅＪＩＡ
／Ｖ＋−ａを０．８０以上に保ったままで、しかも開閉
サージ耐量１０ＫＪを８０％以上の合格率に保つために
は、第４図から焼成密度は５．４０〜５．４５ｇ／−の
範囲に管理しなければならないことがわかる。ところが
焼成密度は、粉末の特性、成形条件、焼成条件などによ
って左右されるため５．４０〜５．４５ｇ／ａＪの範囲
に入れるのは難しく、歩留りが非常に悪かった。 本発明者らはこの問題を解決すべく、焼成密度。 成形密度、開閉サージ耐量の関係を詳細に検針した結果
、焼成密度を高くするためには、成形圧力を高くし成形
密度を高くしなければならず、逆に成形圧力を高くする
ほど、金型外局部へ圧力が集中し、これが開閉サージ耐
量低下の原因と推定した。 第５図は直径４８φの焼結体に１鶴角の電極をｌ鶴間隔
で約５００個つけて電流ＩＯＡのインパルスで測定した
時の、中心から外周へかけての電圧ｖ１．＾の電圧分布
曲線を示したちのである。第５図から明らかに外周５〜
Ｂ論の部分からＶ、。あの低下が認められる。この傾向
は焼結体の径に関係なく、はぼ外周から５〜１０諺の範
囲で低下が認められた。 外周部での電圧の低下する割合は、焼成密度が高いほど
大きく、これが焼成密度が高くなるにつれて開閉サージ
耐量が低下する原因と考えられる。
【発明の目的］
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的はＺｎＯｉｉ圧圧電直線抵抗体製造する際に、成形時
の圧力分布の不均一さによって生じる電圧の外周部での
低下を防止し、ｖｌ。ＪＩＡ／ Ｖ ｌＳ＆を０．８０
以上に保ったままで、開閉サージ耐量を向上させること
にある。 【発明の要点】 本発明は成形時の外周部への圧力集中によって生じる外
周部での電圧低下を、外周部と中心部の添加物を変える
ことによって抑制することにある。 その方法として、 （１） Ａ ｌ ＋ Ｉ ｎ ＋ Ｇ ａなどのように
ＺｎＯ中でドナーを形成し、結晶粒界当たりの電圧を低
下させる作用のある添加物の量を中心部に比べ外周部は
少なくする。 ＋２）Ｌｉ、 Ｎａ、 ｋｌ ｐｂ、 Ｃｓ、 Ｃｕ
などのようにＺｎＯ中でアクセプターを形成し、結晶粒
界当たりの電圧を上昇させる作用のある添加物の量を、
中心部に比べ外周部は多くする。 ことにより高い焼成密度の場合でも外周部の電圧分布が
低下しない特性を有する焼結体、すなわちＶｌ＠Ｊ＾／
Ｖｌ＠Ａを高くすることにより長い課電寿命を有し、し
かも開閉サージ耐量の大きなＺｏｏ型電圧電圧非直線抵
抗体るようにしたものである。
的はＺｎＯｉｉ圧圧電直線抵抗体製造する際に、成形時
の圧力分布の不均一さによって生じる電圧の外周部での
低下を防止し、ｖｌ。ＪＩＡ／ Ｖ ｌＳ＆を０．８０
以上に保ったままで、開閉サージ耐量を向上させること
にある。 【発明の要点】 本発明は成形時の外周部への圧力集中によって生じる外
周部での電圧低下を、外周部と中心部の添加物を変える
ことによって抑制することにある。 その方法として、 （１） Ａ ｌ ＋ Ｉ ｎ ＋ Ｇ ａなどのように
ＺｎＯ中でドナーを形成し、結晶粒界当たりの電圧を低
下させる作用のある添加物の量を中心部に比べ外周部は
少なくする。 ＋２）Ｌｉ、 Ｎａ、 ｋｌ ｐｂ、 Ｃｓ、 Ｃｕ
などのようにＺｎＯ中でアクセプターを形成し、結晶粒
界当たりの電圧を上昇させる作用のある添加物の量を、
中心部に比べ外周部は多くする。 ことにより高い焼成密度の場合でも外周部の電圧分布が
低下しない特性を有する焼結体、すなわちＶｌ＠Ｊ＾／
Ｖｌ＠Ａを高くすることにより長い課電寿命を有し、し
かも開閉サージ耐量の大きなＺｏｏ型電圧電圧非直線抵
抗体るようにしたものである。
以下本発明を実施例に従うて説明する。ただし実施例１
はＺｎＯ中でドナーを形成し、結晶粒界当たりの電圧を
低下させる添加物を外周部から除いた例、実施例２はＺ
ｎＯ中でアクセプターを形成し、結晶粒界当たりの電圧
を上昇させる添加物を外周部に加えた例である。 実施例１： まずＺｎＯを主成分とし、これに副成分としＰｒ＋Ｇｏ
、 ｋ、 Ｃｒ、 Ｍｇ＋ Ｃａ、 Ｂなどを所定量
添加し、さらにＭを５０ａ を鱗ｐｐ−添加したものに
有機バインダを加え、ボールミルにより湿式混合し、ス
ラリー化する。このスラリーをスプレードライヤを用い
て噴霧乾燥し、球状の造粒粉を作製し、これを第１０造
粒粉とする０次いて上述した添加物のうちＺｏｏ結晶中
でドナーとなり、結晶粒界当たりの電圧を低下させる効
果のあるＭを除いた添加物を含む組成から得られた造粒
粉を第２の造粒粉とする。 直径６０鶴φの円板状成形体を作製するに当たり、適当
な治具を用い、第１図に示す成形体の断面図のように、
中心部がＭを含む第１の造粒粉３、外周部がＭを含まな
い第２０造粒粉４からなるようにこれら造粒粉を金型に
充填するが、このとき外周部の径方向の厚さは１０謹、
中心部の直径は４０ｍφとした。各造粒粉を金型に充填
後、種々の焼結密度の焼結体が得られるように、成形圧
力を変化させながら多数の成形体を作製した。焼成後、
焼結体の両端面を研摩し電極を付は素子特性を評価した
。また１鶴角の電極を、研摩した片方の面に約５００個
付け、もう一方の面には通常の４３日すの電極を付けた
素子も同時に作製し、これを電圧分布の均一性評価用素
子とした。 第２図（ａ）は得られた素子の焼結密度とｖＩ＠ｐＡ／
Ｖ、、、との関係、第２図世）は焼結密度と開閉サージ
耐量の関係をプロットしたものであり、両図とも比較の
ため従来方法で得られた特性も再び示しである。第２図
＋ａ）において実線曲線５が本発明。 点線曲線６は従来の方法を表わし、第２図世）では実線
曲線７が本発明１点線曲線８は従来の方法を表わしてい
る。第２図世）から明らかなように、本発明の方法では
、成形圧力を高くし、これにより焼成密度を高くしても
従来法に比べて開閉サージ耐量は高いレベルを維持する
ことができる。このため第２図ｔ８）のようにＶ＋ｏＪ
＾／Ｖ＋−ａも本発明の方が従来法より０．８０以上の
特性を幅広い焼成密度の範囲にわたって得ることができ
る。 第３図は１鶴角の微少電極に電流１０Ａのインパルスを
流した時の電圧Ｖ１０．を素子の中心から外周方向へ測
定しだ゛結果を示す、横軸は中心からの距離で、縦軸は
中心部のＶ３０．を基準とした偏差でプロットしである
。第３図でも比較のため従来方法のものを再掲しである
。第３図における実線曲線９が本発明９点線曲線ｌＯが
従来方法の場合である。第３図から焼結体のＶ、、、の
分布状態を従来と比較した場合にも、本発明では外周部
での電圧低下はなく、むしろ電圧の上昇が認められ、有
効性がはっきりと分かる。 本実施例では、第１の造粒粉中のＭの量は５０ａｔａｐ
ｐ−第２の造粒粉中のＭの量はＯａｔ■ｐｐ欄としたが
、Ｍの添加量はこの組合わせに限ることなく第１の造粒
粉に含まれるＭの量は、最も特性の良い添加量にしてお
き、第２の造粒粉に含まれるＭの量は、成形時の圧力集
中によって生じる外周部の電圧低下を抑制できる範囲と
すれば良い０例えば第１の造粒粉中のＭの量を８０ａｔ
ｍ ｐｐ−とし、第２の造粒粉中のＭの量を５０ａｔｍ
ｐｐｍとしても、本発明の効果は認められる。 また本実施例ではＺｎＯ中でドナーとなる添加物として
Ｍの例を示したが、ＭのかわりにＩｎ、 Ｇａを添加し
た場合にもそれぞれＭと同じような効果が認められる。 実施例２： 実施例１における、第１の造粒粉と同一方法で作製した
粉末を第１の造粒粉とし、この組成にさらにＬｉを５０
ａｔｍ ｐｐ園添加して得られた造粒粉を第二〇造粒粉
とした。ＬｌはＺｎＯ結晶中ではアクセプターとして作
用し、結晶粒界当たりの電圧を上昇する作用がある。 上記二種の造粒粉を用い、実施例１と同様な実験を行な
ったところ、第２図とほぼ同じ結果を得ることができた
。Ｌｌの添加量は５０ａｔａ ｐｐ−に限らず、要する
に成形時の圧力集中によって生じる外周部の電圧を抑制
できる範囲であれば良い。 また本実施例ではＺｎＯ結晶中でアクセプターとして作
用する添加物としてＬｉの例を示したが、Ｌｉの代わり
にＮａ、 ｋ、Ｒｈｔ Ｃｓ＋ 、Ｃｕを添加した場
合にもそれぞれＬｉと同じような効果が認められる。 以上実施例ではＺｎＯ−Ｐｒ４０＋＋系バリスタについ
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えばＺｎＯ−Ｂ
ｉｍＯｓ系、 ＺｎＯ−ＰｂＯ系バリスタでも有効なこ
とは自明である。
はＺｎＯ中でドナーを形成し、結晶粒界当たりの電圧を
低下させる添加物を外周部から除いた例、実施例２はＺ
ｎＯ中でアクセプターを形成し、結晶粒界当たりの電圧
を上昇させる添加物を外周部に加えた例である。 実施例１： まずＺｎＯを主成分とし、これに副成分としＰｒ＋Ｇｏ
、 ｋ、 Ｃｒ、 Ｍｇ＋ Ｃａ、 Ｂなどを所定量
添加し、さらにＭを５０ａ を鱗ｐｐ−添加したものに
有機バインダを加え、ボールミルにより湿式混合し、ス
ラリー化する。このスラリーをスプレードライヤを用い
て噴霧乾燥し、球状の造粒粉を作製し、これを第１０造
粒粉とする０次いて上述した添加物のうちＺｏｏ結晶中
でドナーとなり、結晶粒界当たりの電圧を低下させる効
果のあるＭを除いた添加物を含む組成から得られた造粒
粉を第２の造粒粉とする。 直径６０鶴φの円板状成形体を作製するに当たり、適当
な治具を用い、第１図に示す成形体の断面図のように、
中心部がＭを含む第１の造粒粉３、外周部がＭを含まな
い第２０造粒粉４からなるようにこれら造粒粉を金型に
充填するが、このとき外周部の径方向の厚さは１０謹、
中心部の直径は４０ｍφとした。各造粒粉を金型に充填
後、種々の焼結密度の焼結体が得られるように、成形圧
力を変化させながら多数の成形体を作製した。焼成後、
焼結体の両端面を研摩し電極を付は素子特性を評価した
。また１鶴角の電極を、研摩した片方の面に約５００個
付け、もう一方の面には通常の４３日すの電極を付けた
素子も同時に作製し、これを電圧分布の均一性評価用素
子とした。 第２図（ａ）は得られた素子の焼結密度とｖＩ＠ｐＡ／
Ｖ、、、との関係、第２図世）は焼結密度と開閉サージ
耐量の関係をプロットしたものであり、両図とも比較の
ため従来方法で得られた特性も再び示しである。第２図
＋ａ）において実線曲線５が本発明。 点線曲線６は従来の方法を表わし、第２図世）では実線
曲線７が本発明１点線曲線８は従来の方法を表わしてい
る。第２図世）から明らかなように、本発明の方法では
、成形圧力を高くし、これにより焼成密度を高くしても
従来法に比べて開閉サージ耐量は高いレベルを維持する
ことができる。このため第２図ｔ８）のようにＶ＋ｏＪ
＾／Ｖ＋−ａも本発明の方が従来法より０．８０以上の
特性を幅広い焼成密度の範囲にわたって得ることができ
る。 第３図は１鶴角の微少電極に電流１０Ａのインパルスを
流した時の電圧Ｖ１０．を素子の中心から外周方向へ測
定しだ゛結果を示す、横軸は中心からの距離で、縦軸は
中心部のＶ３０．を基準とした偏差でプロットしである
。第３図でも比較のため従来方法のものを再掲しである
。第３図における実線曲線９が本発明９点線曲線ｌＯが
従来方法の場合である。第３図から焼結体のＶ、、、の
分布状態を従来と比較した場合にも、本発明では外周部
での電圧低下はなく、むしろ電圧の上昇が認められ、有
効性がはっきりと分かる。 本実施例では、第１の造粒粉中のＭの量は５０ａｔａｐ
ｐ−第２の造粒粉中のＭの量はＯａｔ■ｐｐ欄としたが
、Ｍの添加量はこの組合わせに限ることなく第１の造粒
粉に含まれるＭの量は、最も特性の良い添加量にしてお
き、第２の造粒粉に含まれるＭの量は、成形時の圧力集
中によって生じる外周部の電圧低下を抑制できる範囲と
すれば良い０例えば第１の造粒粉中のＭの量を８０ａｔ
ｍ ｐｐ−とし、第２の造粒粉中のＭの量を５０ａｔｍ
ｐｐｍとしても、本発明の効果は認められる。 また本実施例ではＺｎＯ中でドナーとなる添加物として
Ｍの例を示したが、ＭのかわりにＩｎ、 Ｇａを添加し
た場合にもそれぞれＭと同じような効果が認められる。 実施例２： 実施例１における、第１の造粒粉と同一方法で作製した
粉末を第１の造粒粉とし、この組成にさらにＬｉを５０
ａｔｍ ｐｐ園添加して得られた造粒粉を第二〇造粒粉
とした。ＬｌはＺｎＯ結晶中ではアクセプターとして作
用し、結晶粒界当たりの電圧を上昇する作用がある。 上記二種の造粒粉を用い、実施例１と同様な実験を行な
ったところ、第２図とほぼ同じ結果を得ることができた
。Ｌｌの添加量は５０ａｔａ ｐｐ−に限らず、要する
に成形時の圧力集中によって生じる外周部の電圧を抑制
できる範囲であれば良い。 また本実施例ではＺｎＯ結晶中でアクセプターとして作
用する添加物としてＬｉの例を示したが、Ｌｉの代わり
にＮａ、 ｋ、Ｒｈｔ Ｃｓ＋ 、Ｃｕを添加した場
合にもそれぞれＬｉと同じような効果が認められる。 以上実施例ではＺｎＯ−Ｐｒ４０＋＋系バリスタについ
て述べたが、本発明はこれに限らず、例えばＺｎＯ−Ｂ
ｉｍＯｓ系、 ＺｎＯ−ＰｂＯ系バリスタでも有効なこ
とは自明である。
本発明によれば、実施例で説明したように二種類の造粒
粉を用いて円板状成形体の外周から３〜１０ｍのドーナ
ツ状の部分の結晶粒界当たりの電圧を、中心部に比べ高
くすることによって、素子外周部が電圧低下することを
防止し、このために成形圧力を上げ、焼成密度を高めて
も開閉サージ耐量を高いレベルに維持することが可能と
なった。 従って焼成密度が高い方が良い特性を示すＶ、。ｐｈ／
Ｖ ｔ□も良好な値の素子が得られるようになった。 この結果直流課電１課電率８５％といった過酷な条件で
使用される素子の開発に成功した。
粉を用いて円板状成形体の外周から３〜１０ｍのドーナ
ツ状の部分の結晶粒界当たりの電圧を、中心部に比べ高
くすることによって、素子外周部が電圧低下することを
防止し、このために成形圧力を上げ、焼成密度を高めて
も開閉サージ耐量を高いレベルに維持することが可能と
なった。 従って焼成密度が高い方が良い特性を示すＶ、。ｐｈ／
Ｖ ｔ□も良好な値の素子が得られるようになった。 この結果直流課電１課電率８５％といった過酷な条件で
使用される素子の開発に成功した。
第１図は本発明による成形体の断面図、第２図は焼成密
度とＶ ＋ｅ＃Ａ／ Ｖ ｔｅａ ｌ開閉サージｌ０Ｋ
Ｊの合格率との関係を本発明の方法と従来法との比較で
示した線図、第３図は１鶴角の微少電極によって測定し
た本発明による焼結体と従来のものとのＶ、。、の分布
状態の比較線図、第４図は従来素子の焼成密度と■、。 Ｉ＾／ Ｖ ＩＩＩＡ ｌ開閉サージｌ０ＫＪの合格率
との関係線図、第５図は従来素子の１ｆｉ角の微少電捲
によって測定したｖｌ。、の分布状態を示した線図であ
る。 ３：第１の造粒粉、４：第２の造粒粉。 第１図
度とＶ ＋ｅ＃Ａ／ Ｖ ｔｅａ ｌ開閉サージｌ０Ｋ
Ｊの合格率との関係を本発明の方法と従来法との比較で
示した線図、第３図は１鶴角の微少電極によって測定し
た本発明による焼結体と従来のものとのＶ、。、の分布
状態の比較線図、第４図は従来素子の焼成密度と■、。 Ｉ＾／ Ｖ ＩＩＩＡ ｌ開閉サージｌ０ＫＪの合格率
との関係線図、第５図は従来素子の１ｆｉ角の微少電捲
によって測定したｖｌ。、の分布状態を示した線図であ
る。 ３：第１の造粒粉、４：第２の造粒粉。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＺｎＯを主成分とし、微量の副成分を添加、混合、
成形、焼成してなる電圧非直線抵抗体の円板状成形体を
製造する際に、該成形体の外周部の方が内部より結晶粒
界当たりの電圧を低下させる作用のある添加物の量を少
なく、もしくは外周部の方が内部より結晶粒界当たりの
電圧を上昇させる作用のある添加物の量を多くすること
を特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法。 ２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、外周部
の半径方向の厚さが、焼結後に３〜１０ｍｍとなること
を特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、結晶粒界当たりの電圧を低下させる作用のある添
加物としてＺｎＯ結晶中でドナーを形成する元素を用い
ることを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法。 ４）特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載の方法において、ドナーを形成する添加物として、少
なくともＡｌ、Ｉｎ、Ｇａの一種を用いることを特徴と
する電圧非直線抵抗体の製造方法。 ５）特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法にお
いて、結晶粒界当たりの電圧を上昇させる作用のある添
加物としてＺｎＯ結晶中でアクセプターを形成する元素
を用いることを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法
。 ６）特許請求の範囲第１項第２項または第５項記載の方
法において、アクセプターを形成する添加物として少な
くともＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃｕの一つを用い
ることを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149751A JPS629603A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60149751A JPS629603A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629603A true JPS629603A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15481955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60149751A Pending JPS629603A (ja) | 1985-07-08 | 1985-07-08 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012124202A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Tdk Corp | チップバリスタ及びチップバリスタの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-08 JP JP60149751A patent/JPS629603A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012124202A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Tdk Corp | チップバリスタ及びチップバリスタの製造方法 |
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