JPS63100736A - 不純物ド−プＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 - Google Patents
不純物ド−プＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法Info
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- JPS63100736A JPS63100736A JP61246944A JP24694486A JPS63100736A JP S63100736 A JPS63100736 A JP S63100736A JP 61246944 A JP61246944 A JP 61246944A JP 24694486 A JP24694486 A JP 24694486A JP S63100736 A JPS63100736 A JP S63100736A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、マイクロ波プラズマによって発生する水素ラ
ジカルを用いて作成するＺｎＳｅ系化合物半導体に不純
物ドーピングを行うことを目的として不純物の分解を加
熱によって行う不純物ドープ化合物半導体の化学気相成
長方法に関するものである。
ジカルを用いて作成するＺｎＳｅ系化合物半導体に不純
物ドーピングを行うことを目的として不純物の分解を加
熱によって行う不純物ドープ化合物半導体の化学気相成
長方法に関するものである。
（従来の技術とその問題点）
従来、ｎ−■族化合物半導体であるＺｎＳｅ薄膜）！、
ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）ＭＯＣＶＤ法（有機
金属化合気相成長法）等で作成され、不純物添加による
ドーピングが行なわれている。該Ｍ Ｂ Ｅ法、ＭＯＣ
ＶＤ法共に堆積する基板、あるい）ま基板周囲を加熱す
ることにより、Ｚｎ源原料。
ＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）ＭＯＣＶＤ法（有機
金属化合気相成長法）等で作成され、不純物添加による
ドーピングが行なわれている。該Ｍ Ｂ Ｅ法、ＭＯＣ
ＶＤ法共に堆積する基板、あるい）ま基板周囲を加熱す
ることにより、Ｚｎ源原料。
Ｓｅ源源材料るいは不純物源原料を熱分解し、不純物が
ドーピングされたＺｎＳｅ薄膜を、例えば単結晶基板上
に堆積させている。この不純物ドーピングが可能となる
Ｋは、不純物原子が適性な格子点に入ることが必要であ
る。例えばＺｎＳｅｌｌをＧａ ドーピングする為には
、Ｇａの原子がＺｎの格子点に入りドナーとなることが
必要で、Ｓｅの格子点に入った場合は、適性なドナーと
はなりえない。該ＧａがＺｎの格子点に入る為にはＺｎ
Ｓｅ喚自身の高い結晶性と、Ｇａ 自身が十分な運動エ
ネルギーを持つことが必要であり１通常の不純物ドーピ
ングを行なわないＺｎＳｅ膜の基板加熱あるいは周囲加
熱温度よりより高温の加熱が必要となる。この為ＭＢＥ
法やＭＯＣＶＤ法でＺｎＳｅ膜の不純物ドーピングを行
うには困難な点が多かった。
ドーピングされたＺｎＳｅ薄膜を、例えば単結晶基板上
に堆積させている。この不純物ドーピングが可能となる
Ｋは、不純物原子が適性な格子点に入ることが必要であ
る。例えばＺｎＳｅｌｌをＧａ ドーピングする為には
、Ｇａの原子がＺｎの格子点に入りドナーとなることが
必要で、Ｓｅの格子点に入った場合は、適性なドナーと
はなりえない。該ＧａがＺｎの格子点に入る為にはＺｎ
Ｓｅ喚自身の高い結晶性と、Ｇａ 自身が十分な運動エ
ネルギーを持つことが必要であり１通常の不純物ドーピ
ングを行なわないＺｎＳｅ膜の基板加熱あるいは周囲加
熱温度よりより高温の加熱が必要となる。この為ＭＢＥ
法やＭＯＣＶＤ法でＺｎＳｅ膜の不純物ドーピングを行
うには困難な点が多かった。
（問題点を解決する具体的手段）
本発明は、水素ガス気流の存在する反応室内にマイクロ
波プラズマ発生装置による水素プラズマ領域を発生させ
、該反応室内にＺｎ源原料、 Ｓｅ源源材料ガス体とし
て導入し、該原料の分解で発生した反応活性種を前記水
素プラズマ領域外の下流に配置した基板上に輸送し、不
純物源原料は。
波プラズマ発生装置による水素プラズマ領域を発生させ
、該反応室内にＺｎ源原料、 Ｓｅ源源材料ガス体とし
て導入し、該原料の分解で発生した反応活性種を前記水
素プラズマ領域外の下流に配置した基板上に輸送し、不
純物源原料は。
該水素プラズマ領域外の基板近傍より加熱して分解し１
分解派生物を該基板上に輸送し、ＭＢＥ法。
分解派生物を該基板上に輸送し、ＭＢＥ法。
ＭＯＣＶ Ｄ法に比較して、低温で不純物ドープｒ・Ｚ
ｎＳｅ系化合物半導体の薄膜を堆積させることを特徴と
する不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法で
ある。
ｎＳｅ系化合物半導体の薄膜を堆積させることを特徴と
する不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法で
ある。
（作用）
本発明が従来のＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）と
異なる点は、ＺｎＳｅ系化合物半導体作成の場合、Ｚｎ
源原料、Ｓｅ源源材料あるいは不純物源原料環、有機金
属化合物あるいは、その他の化合物の分解を、基板加熱
あるいは、基板周囲加熱によって行っていた所を、Ｚｎ
源原料Ｓｅ源原料の分解は水素プラズマ中の自由電子あ
るいは水素ラジカルによって行ない、不純物源原料の分
解を導入時の熱分解によって行な５点である。そして該
Ｚｎ源原料、Ｓｅ源原料、不純物源原料の分解によって
発生した反応活性種あるいは１分解派生物をプラズマ領
域外の水素ラジカルの存在する基板上へ輸送し、基板上
で化学反応させ、不純物ドープのＺｎＳｅ系化合物半導
体を堆積させることにも特徴をもつ。
異なる点は、ＺｎＳｅ系化合物半導体作成の場合、Ｚｎ
源原料、Ｓｅ源源材料あるいは不純物源原料環、有機金
属化合物あるいは、その他の化合物の分解を、基板加熱
あるいは、基板周囲加熱によって行っていた所を、Ｚｎ
源原料Ｓｅ源原料の分解は水素プラズマ中の自由電子あ
るいは水素ラジカルによって行ない、不純物源原料の分
解を導入時の熱分解によって行な５点である。そして該
Ｚｎ源原料、Ｓｅ源原料、不純物源原料の分解によって
発生した反応活性種あるいは１分解派生物をプラズマ領
域外の水素ラジカルの存在する基板上へ輸送し、基板上
で化学反応させ、不純物ドープのＺｎＳｅ系化合物半導
体を堆積させることにも特徴をもつ。
このように堆積させる基板が水素ラジカル中にある為１
反応活性種や１分解派生物を事前反応させずに基板上へ
輸送し１周囲に存在する水素ラジカルの化学的ポテンシ
ャルを利用して、不純物原子をＺｎＳｅｌｉ！ｉｌ中の
適性な格子点に入れ【良好な不純物ドープＺｎＳｅ系化
合物半導体が作成可能となる。
反応活性種や１分解派生物を事前反応させずに基板上へ
輸送し１周囲に存在する水素ラジカルの化学的ポテンシ
ャルを利用して、不純物原子をＺｎＳｅｌｉ！ｉｌ中の
適性な格子点に入れ【良好な不純物ドープＺｎＳｅ系化
合物半導体が作成可能となる。
このようにＭ ＯＣＶ Ｄ法やＭＢＥ法に比較して低温
で不純物ドーピングが可能となると、■−■族化合物半
導体であるＺｎＳｅの応用は、Ｐｎ接合を用いたＬＥＤ
やレーザー、エレクトロルミネセツス（ＥＬ）等の光デ
バイスに広がり１本発明の化学気相成長法は有力な堆積
方法であると言える。
で不純物ドーピングが可能となると、■−■族化合物半
導体であるＺｎＳｅの応用は、Ｐｎ接合を用いたＬＥＤ
やレーザー、エレクトロルミネセツス（ＥＬ）等の光デ
バイスに広がり１本発明の化学気相成長法は有力な堆積
方法であると言える。
又低温で作成可能なことから、高温での半導体等の積層
で問題となる下地の物質の変質や、不純物の熱拡散等も
防ぐことができ１本発明の化学気相成長法は有力な半導
体積層装置と言うことができる。
で問題となる下地の物質の変質や、不純物の熱拡散等も
防ぐことができ１本発明の化学気相成長法は有力な半導
体積層装置と言うことができる。
（発明の詳述）
以下図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る堆積装置の１例である。
まずマイクロ波発振機２により１発振周波数２４５０Ｍ
Ｈ２，発振出力０〜ｔ５ＫＷのマイクロ波を発生する。
Ｈ２，発振出力０〜ｔ５ＫＷのマイクロ波を発生する。
発生したマイクロ波は、変換導波管３．アイソレーター
４．整合器６を通り、活性化炉７より反応室８内へ入る
。反応室８内を通る石英管（ガス導入管１０）内には水
素気体が流れ、マイクロ波によって水素プラズマが発生
し。
４．整合器６を通り、活性化炉７より反応室８内へ入る
。反応室８内を通る石英管（ガス導入管１０）内には水
素気体が流れ、マイクロ波によって水素プラズマが発生
し。
同時に水素ラジカルも発生する。この水素ラジカルの存
在する水素プラズマ中、あるいは水素プラズマ下流に存
在する水系ラジカル領域中にガス導入管１０．１１ある
いは１３より原料気体を導入する。ガス導入管１０ある
いは１１から導入した場合、原料気体は水素プラズマ中
の自由電子あるいは水素ラジカルにより分解し１反応活
性種が発生する。又ガス導入管１３から導入した場合、
原料気体はヒーター１２により加熱され分解し１分解派
生物が反応室８内の水素ラジカルの存在する領域に導入
される。発生した該反応活性種および該分解派生物は、
気体の流れにそって加熱された基板ホルダー９上の基板
に到達する。ＺｎＳｅ系化合物半導体作成の場合１例え
ばＺｎｎ源材料してのジエチル亜鉛は、従来のＭＯＣＶ
Ｄ法と同様にジエチル亜鉛の液体の入ったバブラー中を
キャリアガスとして水素をバブリングして流し、ジエチ
ル亜鉛液体温度をコントロールすることにより必要量の
蒸気圧で水素気体中に混合し、ガス導入管１０より１反
応室８に導入され、又Ｓｅ源源材料してのジエチルセレ
ンは、該ジエチル亜鉛と同様に、水素気体中に混合し導
入管１１より反応室８に導入される。なおジエチル亜鉛
は、水素ラジカルによる分解効率が高いので、水素プラ
ズマ領域外の基板ホルダー９に輸送される。又不純物源
原料として例えば、トリエチルアルミニウムの場合は、
該ジエチル亜鉛と同様に水素気体中に混合しヒーター１
２で加熱され、ガス導入管１３より分解派生物が反応室
８に導入される。
在する水素プラズマ中、あるいは水素プラズマ下流に存
在する水系ラジカル領域中にガス導入管１０．１１ある
いは１３より原料気体を導入する。ガス導入管１０ある
いは１１から導入した場合、原料気体は水素プラズマ中
の自由電子あるいは水素ラジカルにより分解し１反応活
性種が発生する。又ガス導入管１３から導入した場合、
原料気体はヒーター１２により加熱され分解し１分解派
生物が反応室８内の水素ラジカルの存在する領域に導入
される。発生した該反応活性種および該分解派生物は、
気体の流れにそって加熱された基板ホルダー９上の基板
に到達する。ＺｎＳｅ系化合物半導体作成の場合１例え
ばＺｎｎ源材料してのジエチル亜鉛は、従来のＭＯＣＶ
Ｄ法と同様にジエチル亜鉛の液体の入ったバブラー中を
キャリアガスとして水素をバブリングして流し、ジエチ
ル亜鉛液体温度をコントロールすることにより必要量の
蒸気圧で水素気体中に混合し、ガス導入管１０より１反
応室８に導入され、又Ｓｅ源源材料してのジエチルセレ
ンは、該ジエチル亜鉛と同様に、水素気体中に混合し導
入管１１より反応室８に導入される。なおジエチル亜鉛
は、水素ラジカルによる分解効率が高いので、水素プラ
ズマ領域外の基板ホルダー９に輸送される。又不純物源
原料として例えば、トリエチルアルミニウムの場合は、
該ジエチル亜鉛と同様に水素気体中に混合しヒーター１
２で加熱され、ガス導入管１３より分解派生物が反応室
８に導入される。
ここで、ジエチル亜鉛、ジエチルセレンの分解により発
生した反応活性種、および不純物源原料の分解派生物輸
送における担体は、水素ガス及び水素ラジカルである。
生した反応活性種、および不純物源原料の分解派生物輸
送における担体は、水素ガス及び水素ラジカルである。
該ジエチル亜鉛、ジエチルセレンの分解により発生した
反応活性種および、不純物源原料の分解派生物は基板ホ
ルダー９上の加熱された基板上で合わされると化学反応
により不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体が作成され
る。
反応活性種および、不純物源原料の分解派生物は基板ホ
ルダー９上の加熱された基板上で合わされると化学反応
により不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体が作成され
る。
該基板ホルダー９は水素ラジカル領域内にあるので、水
素ラジカルが該２種の反応活性種および不純物源原料の
分解派生物の基板上での化学反応を助長し、又原子の再
配列を助長し、高品質の不純物ドープＺｎＳｅ系化合物
半導体の作成が可能となる。
素ラジカルが該２種の反応活性種および不純物源原料の
分解派生物の基板上での化学反応を助長し、又原子の再
配列を助長し、高品質の不純物ドープＺｎＳｅ系化合物
半導体の作成が可能となる。
この他にも、不純物ドーピングＺｎＳｅ系化合物半導体
を作成するには、不純物源原料として、Ｇａ源源材料ト
リメチルガリウム、Ａ４源原料はトリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム。
を作成するには、不純物源原料として、Ｇａ源源材料ト
リメチルガリウム、Ａ４源原料はトリメチルアルミニウ
ム、トリエチルアルミニウム。
Ｂ源原料としてトリメチルボロン、またＰ源原料チルア
ミン、 ＮＨ８等があり、それぞれの熱分解温度に応じ
てヒーター１２を加熱する。
ミン、 ＮＨ８等があり、それぞれの熱分解温度に応じ
てヒーター１２を加熱する。
なお本発明では、水素ラジカルが、水素プラズマ領域外
の下流にも存在すると述べているが、これは例えば水素
プラズマ領域外の下流に酸化タングステン（ＷＯｓ ）
の薄膜を堆積したものを置いた場合に、無色の酸化タン
グステン（ＷＯｓ ）が還元されて青色に変色すること
からも推定されることである。
の下流にも存在すると述べているが、これは例えば水素
プラズマ領域外の下流に酸化タングステン（ＷＯｓ ）
の薄膜を堆積したものを置いた場合に、無色の酸化タン
グステン（ＷＯｓ ）が還元されて青色に変色すること
からも推定されることである。
以下に本発明の具体的な実施列を述べる。
〈実施例１〉
第１図のごときマイクロ波発振装置を用い、第１図にお
ける反応室８の形状を中央をくびれさせた８１図のごと
くとし、ガス導入管１１より、水素および水素と混合し
たジエチルセレンをそれぞれ１００ ｍｌ ／ ｍｌｎ
、 ６． ＯＸ １０ ｍｉ／ ｍｔｎ流し。
ける反応室８の形状を中央をくびれさせた８１図のごと
くとし、ガス導入管１１より、水素および水素と混合し
たジエチルセレンをそれぞれ１００ ｍｌ ／ ｍｌｎ
、 ６． ＯＸ １０ ｍｉ／ ｍｔｎ流し。
又ガス導入管１０より、水素および水素と混合したジエ
チル亜鉛をそれぞれ、 ３５ｍＡ！／ｍｉｎ、６．０ｘ
１０ ｍｏ、４／ｍｉｎ流し、又ガス導入管１５よ
り水素および水素と混合したトリエチルアルミニウムを
それぞれ５０Ｔｎ／／ｍｉｎ、 １． ＯＸ １０
’ｍａ１３ ／ ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内
圧を０．５ｔｏｒｒ とし、マイクロ波発振装置で、マ
イクロ波電力α４ＫＷでプラズマを発生させる。該プラ
ズマは第１図のプラズマ領域１４まで広がる。この状態
では、ジエチルセレンは反応室８を通り、水素プラズマ
中の自由電子あるいは、水系ラジカルで分解し１反応活
性棟を生じ、水素プラズマ領域外の水素ラジカル領域内
の基板ホルダー９上のガラス基板まで輸送される。また
ジエチル亜鉛は。
チル亜鉛をそれぞれ、 ３５ｍＡ！／ｍｉｎ、６．０ｘ
１０ ｍｏ、４／ｍｉｎ流し、又ガス導入管１５よ
り水素および水素と混合したトリエチルアルミニウムを
それぞれ５０Ｔｎ／／ｍｉｎ、 １． ＯＸ １０
’ｍａ１３ ／ ｍｉｎ流し、油回転ポンプにより、内
圧を０．５ｔｏｒｒ とし、マイクロ波発振装置で、マ
イクロ波電力α４ＫＷでプラズマを発生させる。該プラ
ズマは第１図のプラズマ領域１４まで広がる。この状態
では、ジエチルセレンは反応室８を通り、水素プラズマ
中の自由電子あるいは、水系ラジカルで分解し１反応活
性棟を生じ、水素プラズマ領域外の水素ラジカル領域内
の基板ホルダー９上のガラス基板まで輸送される。また
ジエチル亜鉛は。
ガス導入管１０より水素プラズマ領域中に導入され１分
解され、同様に反応活性種を生じ、基板ホルダー９上の
ガラス基板まで輸送される。又、トリエチルアルミニウ
ムは、ガス導入管１３より。
解され、同様に反応活性種を生じ、基板ホルダー９上の
ガラス基板まで輸送される。又、トリエチルアルミニウ
ムは、ガス導入管１３より。
ヒーター１２により２５０〜３００℃に加熱され分解し
、分解派生物が反応室８に導入され、基板ホルダー９上
のガラス基板まで輸送される。該２種の反応活性種およ
び該分解派生物は２３０ ’（：、に加熱された基板ホ
ルダー上のガラス基板上で化学反応を起こし、不純物が
ドーピングされたＺｎＳｅ薄嘆が堆積した。ガラス基板
上に堆積した該ＺｎＳｅ薄膜は、 （１１１）面のみ
に配向した結晶膜で、抵抗率は１００Ω釧程度の低抵抗
膜となった。トリエチルアルミニウムを不純物ドーピン
グしない場合は１本発明堆積装置で作成したガラス基板
上のＺｎＳｅ薄模の抵抗率はｌＸ１０目Ω−σ程度とな
り、十分に不純物ドーピングが行なわれていると言える
。又、基板をガリウムヒ累単結晶（１ｏｏ）面として堆
積したところ、基板と同様に（１００）面に配向したＺ
ｎＳｅエピタキシヤル結晶薄映が堆積し、・抵抗率は１
００程度の低抵抗率膜となった。同様にトリエチルアル
ミニウムを不純物ドーピングしない場合は１本発明堆積
装置でガリウムヒ素単結晶（ｉｏｏ）面上に堆積したＺ
ｎＳｅ薄膜の抵抗率は５１Ｘ１０’Ωσ程度で同様にＺ
ｎＳｅエピタキシヤル結晶模の不純物ドーピングが行な
われていると言える。
、分解派生物が反応室８に導入され、基板ホルダー９上
のガラス基板まで輸送される。該２種の反応活性種およ
び該分解派生物は２３０ ’（：、に加熱された基板ホ
ルダー上のガラス基板上で化学反応を起こし、不純物が
ドーピングされたＺｎＳｅ薄嘆が堆積した。ガラス基板
上に堆積した該ＺｎＳｅ薄膜は、 （１１１）面のみ
に配向した結晶膜で、抵抗率は１００Ω釧程度の低抵抗
膜となった。トリエチルアルミニウムを不純物ドーピン
グしない場合は１本発明堆積装置で作成したガラス基板
上のＺｎＳｅ薄模の抵抗率はｌＸ１０目Ω−σ程度とな
り、十分に不純物ドーピングが行なわれていると言える
。又、基板をガリウムヒ累単結晶（１ｏｏ）面として堆
積したところ、基板と同様に（１００）面に配向したＺ
ｎＳｅエピタキシヤル結晶薄映が堆積し、・抵抗率は１
００程度の低抵抗率膜となった。同様にトリエチルアル
ミニウムを不純物ドーピングしない場合は１本発明堆積
装置でガリウムヒ素単結晶（ｉｏｏ）面上に堆積したＺ
ｎＳｅ薄膜の抵抗率は５１Ｘ１０’Ωσ程度で同様にＺ
ｎＳｅエピタキシヤル結晶模の不純物ドーピングが行な
われていると言える。
（発明の効果）
本発明の不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方
法はＺｎ源原料およびＳｅ源源材料、水素プラズマ中の
自由電子あるいは水素ラジカルで分解し、不純物源原料
を加熱分解し、水素ラジカルの存在する領域内の基板上
で、不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体を堆積するの
で、従来のＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法に比較しても、高温
加熱が必要なく。
法はＺｎ源原料およびＳｅ源源材料、水素プラズマ中の
自由電子あるいは水素ラジカルで分解し、不純物源原料
を加熱分解し、水素ラジカルの存在する領域内の基板上
で、不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体を堆積するの
で、従来のＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法に比較しても、高温
加熱が必要なく。
低温でＺｎＳｅ系化合物半導体の製造や不純物ドーピン
グが可能となる。Ｍ ＯＣＶ Ｄ法やＭ Ｂ Ｅ Ｌの
場合ＺｎＳｅ系化合物半導体作成時には、６５０°Ｃ以
上の加熱が必要で、不純物ドーピングを行うには、さら
に高温が必要であった。しかし不発明製造方法の場合、
２００℃程度の基板加熱のみで、ＺｎＳｅ系化合物半導
体の製造および不純物ドーピングが可能である。低温で
半導体の作成およびドーピングが可能なことより、基板
が耐熱性のない物質（例えば、ガラス基板、有機高分子
基板）や熱に弱い物質上への積層に非常に有利な製造方
法となる。現在１０〜２０インチφはどの大面積基板が
作成不可能な単結晶基板に代って、大面積の十分可能な
ガラス基板が使用可能となり、又熱によって物性の変化
を起こす物質上への堆積も低温で行うことが可能となり
、デバイス作成上非常に有効な製造方法となる。デバイ
スを作成する際に高温加熱を行うと、不純物の熱拡散を
引き起こすこともあるが、この製造方法で行えば心配が
ない。
グが可能となる。Ｍ ＯＣＶ Ｄ法やＭ Ｂ Ｅ Ｌの
場合ＺｎＳｅ系化合物半導体作成時には、６５０°Ｃ以
上の加熱が必要で、不純物ドーピングを行うには、さら
に高温が必要であった。しかし不発明製造方法の場合、
２００℃程度の基板加熱のみで、ＺｎＳｅ系化合物半導
体の製造および不純物ドーピングが可能である。低温で
半導体の作成およびドーピングが可能なことより、基板
が耐熱性のない物質（例えば、ガラス基板、有機高分子
基板）や熱に弱い物質上への積層に非常に有利な製造方
法となる。現在１０〜２０インチφはどの大面積基板が
作成不可能な単結晶基板に代って、大面積の十分可能な
ガラス基板が使用可能となり、又熱によって物性の変化
を起こす物質上への堆積も低温で行うことが可能となり
、デバイス作成上非常に有効な製造方法となる。デバイ
スを作成する際に高温加熱を行うと、不純物の熱拡散を
引き起こすこともあるが、この製造方法で行えば心配が
ない。
さらに不純物ドーピングも可能となると、ＺｎＳｅ系化
合物半導体が、ワイドバンドギャップ材料であることか
ら青色の発光ダイオード、レーザーやＥＬ等の光デバイ
スへの応用も可能な非常に有力な半導体製造装置と言え
る。
合物半導体が、ワイドバンドギャップ材料であることか
ら青色の発光ダイオード、レーザーやＥＬ等の光デバイ
スへの応用も可能な非常に有力な半導体製造装置と言え
る。
第１図；よ１本発明の製造方法に用いる製造装置の一例
を示す説明図である。 （１）・・・スライダック （２）・・・マイクロ波
発憑機（３）・・・変換導波管 （４）・・・アイ
ソレーター（５）・・・パワーモニター （６）・・・
整合器（力・・・活性化炉 （８）・・・反応室
（９）・・・基板ホルダー Ｃｌ０）・・・ガス導入
管Ｕυ・・・ガス導入炉 α２・・・ヒーターａ３
・・・ガス導入管 α滲・・・プラズマ領域住９・
・・ラジカル領域
を示す説明図である。 （１）・・・スライダック （２）・・・マイクロ波
発憑機（３）・・・変換導波管 （４）・・・アイ
ソレーター（５）・・・パワーモニター （６）・・・
整合器（力・・・活性化炉 （８）・・・反応室
（９）・・・基板ホルダー Ｃｌ０）・・・ガス導入
管Ｕυ・・・ガス導入炉 α２・・・ヒーターａ３
・・・ガス導入管 α滲・・・プラズマ領域住９・
・・ラジカル領域
Claims (5)
- （１）水素ガス気流の存在する反応室内にマイクロ波プ
ラズマ発生装置による水素プラズマ領域を発生させ、該
反応室内にＺｎ源原料、Ｓｅ源原料をガス体として導入
し、該原料分解で発生した反応活性種を前記水素プラズ
マ領域外へ輸送し、又不純物原料を該水素プラズマ領域
外の基板近傍より加熱して熱分解した後に導入し、該水
素プラズマ領域外の下流に配位した基板上に不純物添加
により価電子制御されたＺｎＳｅ系化合物半導体の薄膜
を気相堆積させることを特徴とする不純物ドープＺｎＳ
ｅ系化合物半導体の製造方法。 - （２）不純物源原料が反応室内の水素プラズマ領域外の
下流に導入される特許請求の範囲第１項記載の不純物ド
ープＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法。 - （３）不純物源原料が、トリメチルアルミニウム、トリ
エチルアルミニウム等の有機金属化合物を用いる特許請
求の範囲第１項または第２項に記載の不純物ドープＺｎ
Ｓｅ系化合物半導体の製造方法。 - （４）不純物源原料が、トリメチルガリウム、トリエチ
ルガリウム等の有機金属化合物を用いる特許請求の範囲
第１項または第２項に記載の不純物ドープＺｎＳｅ系化
合物半導体の製造方法。 - （５）不純物源原料が、トリメチルボロン等の有機金属
化合物を用いる特許請求の範囲第１項または第２項に記
載の不純物ドープＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246944A JPS63100736A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 不純物ド−プＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246944A JPS63100736A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 不純物ド−プＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100736A true JPS63100736A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17156061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246944A Pending JPS63100736A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 不純物ド−プＺｎＳｅ系化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6535705B2 (en) | 2000-02-23 | 2003-03-18 | Minolta Co., Ltd. | Process cartridge and image forming apparatus using the same |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61246944A patent/JPS63100736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6535705B2 (en) | 2000-02-23 | 2003-03-18 | Minolta Co., Ltd. | Process cartridge and image forming apparatus using the same |
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