JPS63100806A - 高周波出力回路 - Google Patents
高周波出力回路Info
- Publication number
- JPS63100806A JPS63100806A JP24593486A JP24593486A JPS63100806A JP S63100806 A JPS63100806 A JP S63100806A JP 24593486 A JP24593486 A JP 24593486A JP 24593486 A JP24593486 A JP 24593486A JP S63100806 A JPS63100806 A JP S63100806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- collector
- voltage
- bias
- base
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高周波出力回路に関するものである。
（従来の技術）
第２図は高周波出力回路、特に、ＡＢ級高周波出力回路
の従来例を示す。図においＣ１１は増幅回路で、トラン
ジスタ２、コレクタＲＦＣ３、ベースバイアス回路３を
有し、前記トランジスタ２はコレクタがコレクタＲＦＣ
３を介して可変電圧電源に、エミッタがアースに接続さ
れ、ベースがベースバイアス回路４を介して前記可変電
圧電源に接続されている。また、前記コレクタから出カ
イ３号が出力される。
の従来例を示す。図においＣ１１は増幅回路で、トラン
ジスタ２、コレクタＲＦＣ３、ベースバイアス回路３を
有し、前記トランジスタ２はコレクタがコレクタＲＦＣ
３を介して可変電圧電源に、エミッタがアースに接続さ
れ、ベースがベースバイアス回路４を介して前記可変電
圧電源に接続されている。また、前記コレクタから出カ
イ３号が出力される。
前記ベースバイアス回路４は抵抗４１と、ベースＲＦＣ
４２と、バイアス補償用ダイオード４３により構成され
、前記抵抗４１はベースＲＦＣ４２に直列接続されると
ともに、前記可変電圧電源に接続され、ベースＲＦＣ４
２は前記トランジスタ２のベースに接続されている。前
記ダイオード４３はそのアノードか前記抵抗４１とベー
スＲＦＣ４２の接続点に、カソードがアースに接続され
ている。
４２と、バイアス補償用ダイオード４３により構成され
、前記抵抗４１はベースＲＦＣ４２に直列接続されると
ともに、前記可変電圧電源に接続され、ベースＲＦＣ４
２は前記トランジスタ２のベースに接続されている。前
記ダイオード４３はそのアノードか前記抵抗４１とベー
スＲＦＣ４２の接続点に、カソードがアースに接続され
ている。
従って、前記トランジスタ２のコレクタには、コレクタ
ＲＦＣ３を介して電源電圧が印加され、ベースには、抵
抗４１とバイアス補償用ダイオード４３により分圧され
た電源電圧がベース＋！ＦＣ４２を介して印加されるこ
とになる。
ＲＦＣ３を介して電源電圧が印加され、ベースには、抵
抗４１とバイアス補償用ダイオード４３により分圧され
た電源電圧がベース＋！ＦＣ４２を介して印加されるこ
とになる。
また、出力電力は、電源電圧により制御され、電源電圧
に応じて増減する。
に応じて増減する。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の高周波出力回路は、上記のように構成したから、
電源電圧を低下させると、その低下に伴ってベースバイ
アス電圧が低下する。しかし、とのベースバイアス電圧
の低下に起因して寄生発振が生じることがあるため、小
出力時の電力制御に限度があり、近年の高周波出力回路
に対する要請に応えることができないという問題点があ
った。 この発明は上記のような問題点を解決するため
になされたもので、小電力を適正に制御できる高周波出
力回路を得ることを目的とする。
電源電圧を低下させると、その低下に伴ってベースバイ
アス電圧が低下する。しかし、とのベースバイアス電圧
の低下に起因して寄生発振が生じることがあるため、小
出力時の電力制御に限度があり、近年の高周波出力回路
に対する要請に応えることができないという問題点があ
った。 この発明は上記のような問題点を解決するため
になされたもので、小電力を適正に制御できる高周波出
力回路を得ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この発明に係る高周波出力回路は、トランジスタを有す
る増幅回路と、このトランジスタの固定ベースバイアス
回路と、前記トランジスタのコレクタバイアス電圧を制
御するコレクタバイアス制御回路とを設けたものである
。
る増幅回路と、このトランジスタの固定ベースバイアス
回路と、前記トランジスタのコレクタバイアス電圧を制
御するコレクタバイアス制御回路とを設けたものである
。
（作用〕
この発明における高周波出力回路の増幅回路は、その構
成要素であるトランジスタのベースが固定ベースバイア
ス回路によりバイアスされ、コレクタがコレクタバイア
ス；ｔ１１制御回路によりバイアスされるから、小電力
制御時でも、ベースバイアス電圧は一定であり、寄生発
振を生じない。
成要素であるトランジスタのベースが固定ベースバイア
ス回路によりバイアスされ、コレクタがコレクタバイア
ス；ｔ１１制御回路によりバイアスされるから、小電力
制御時でも、ベースバイアス電圧は一定であり、寄生発
振を生じない。
（実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示す。これは前記コレク
タＲＦ（： ３を可変電圧電源に直接接続する替わりに
、前記コレクタＲＦＣ２をコレクタバイアス制御回路４
を介して定電圧電源に接続した例である０図において、
１〜３は第２図と同一部分を示す。５はコレクタバイア
ス制御回路で、ＰＮＰ トランジスタ５１と抵抗５２と
により構成され、前記トランジスタ５１はコレクタが前
記コレクタＲＦＣ３に、エミッタが定電圧電源に接続さ
れ、ベースは可変電圧が印加されるとともに、前記抵抗
５２を介してアースに接続されている。
タＲＦ（： ３を可変電圧電源に直接接続する替わりに
、前記コレクタＲＦＣ２をコレクタバイアス制御回路４
を介して定電圧電源に接続した例である０図において、
１〜３は第２図と同一部分を示す。５はコレクタバイア
ス制御回路で、ＰＮＰ トランジスタ５１と抵抗５２と
により構成され、前記トランジスタ５１はコレクタが前
記コレクタＲＦＣ３に、エミッタが定電圧電源に接続さ
れ、ベースは可変電圧が印加されるとともに、前記抵抗
５２を介してアースに接続されている。
この実施例の高周波出力回路は、上記のように構成した
から、コレクタバイアスはコレクタバイアス制御回路５
により制御され、ベースに印加される電圧が零のときは
、トランジスタ５１は飽和状態にあり、トランジスタ２
のコレクタにかかる電圧は、はぼ電源電圧に等しい。そ
して、ベースに印加される電圧が零より高くなり、トラ
ンジスタ４１が活性領域に入ると、トランジスタ５１の
ベースに印加される電圧に応じて、トランジスタ２のコ
レクターエミッタ間電圧が増大し、トランジスタ２のコ
レクタ電圧が低下し、この低下に伴ってトランジスタ４
１のコレクターエミッタ間の電圧が低下する。従って、
増幅率が低下し、その結果、出力電力が減少する。
から、コレクタバイアスはコレクタバイアス制御回路５
により制御され、ベースに印加される電圧が零のときは
、トランジスタ５１は飽和状態にあり、トランジスタ２
のコレクタにかかる電圧は、はぼ電源電圧に等しい。そ
して、ベースに印加される電圧が零より高くなり、トラ
ンジスタ４１が活性領域に入ると、トランジスタ５１の
ベースに印加される電圧に応じて、トランジスタ２のコ
レクターエミッタ間電圧が増大し、トランジスタ２のコ
レクタ電圧が低下し、この低下に伴ってトランジスタ４
１のコレクターエミッタ間の電圧が低下する。従って、
増幅率が低下し、その結果、出力電力が減少する。
一方、ベースバイアスは、コレクタバイアスが変化して
も、固定されているから、変動しない。
も、固定されているから、変動しない。
なお、この実施例は、上記のように構成したから、トラ
ンジスタ５１により、トランジスタ２の温度補償を行な
うことができる。
ンジスタ５１により、トランジスタ２の温度補償を行な
うことができる。
（発明の効果）
以上のように、この発明によれば、ベースバイアス電圧
を固定するとともに、コレクタバイアス電圧を制御する
構成にしたので、小電力を適正に制御できるという効果
がある。
を固定するとともに、コレクタバイアス電圧を制御する
構成にしたので、小電力を適正に制御できるという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す要部電子回路図、第
２図は高周波出力回路の従来例を示す要部電子回路図で
ある。 図において、１はトランジスタ、２はコレクタＲＦＣ１
３はベースバイアス回路、４はコレクタバイアス制御回
路である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
２図は高周波出力回路の従来例を示す要部電子回路図で
ある。 図において、１はトランジスタ、２はコレクタＲＦＣ１
３はベースバイアス回路、４はコレクタバイアス制御回
路である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- トランジスタを有する増幅回路と、このトランジスタの
固定ベースバイアス回路と、前記トランジスタのコレク
タバイアス電圧を制御するコレクタバイアス制御回路と
を備えたことを特徴とする高周波出力回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24593486A JPS63100806A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 高周波出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24593486A JPS63100806A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 高周波出力回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100806A true JPS63100806A (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=17141032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24593486A Pending JPS63100806A (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 高周波出力回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100806A (ja) |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP24593486A patent/JPS63100806A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3979693A (en) | Crystal-controlled oscillator having sinusoidal and square-wave output signals | |
| US4051446A (en) | Temperature compensating circuit for use with a crystal oscillator | |
| US3831003A (en) | Circuit arrangement for the steady temperature control | |
| US4565978A (en) | Integrable oscillator circuit | |
| JPH0141045B2 (ja) | ||
| JPS5890807A (ja) | トランジスタ回路 | |
| JPS63100806A (ja) | 高周波出力回路 | |
| JPH07118614B2 (ja) | 増幅器 | |
| US4500831A (en) | Current source | |
| JP4042207B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JPS5922245B2 (ja) | テイデンアツバイアスカイロ | |
| JPH11205045A (ja) | 電流供給回路およびバイアス電圧回路 | |
| JP2002135051A (ja) | 圧電発振器 | |
| JPH03117015A (ja) | エミッタ結合マルチバイブレータ回路 | |
| JPS6218081B2 (ja) | ||
| JPH0346573Y2 (ja) | ||
| JPS63184408A (ja) | トランジスタバイアス回路 | |
| JP2681303B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| JPH06326526A (ja) | トランジスタの制御電流補償用回路装置 | |
| JPH0366214A (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
| JP2513767B2 (ja) | 電圧制御型発振装置 | |
| SE322270B (ja) | ||
| US4303890A (en) | Circuit arrangement for transferring a signal | |
| JP2793343B2 (ja) | バイアス回路 | |
| JPS623938Y2 (ja) |