JPS5890807A - トランジスタ回路 - Google Patents

トランジスタ回路

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JPS5890807A
JPS5890807A JP56189008A JP18900881A JPS5890807A JP S5890807 A JPS5890807 A JP S5890807A JP 56189008 A JP56189008 A JP 56189008A JP 18900881 A JP18900881 A JP 18900881A JP S5890807 A JPS5890807 A JP S5890807A
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JP
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transistor
emitter
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circuit
bias
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JP56189008A
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Yutaka Sasaki
裕 佐々木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）　　発明の職する分野 本発明は、トランジスタを用いた交流増幅回路を九は発
振回路のベースバイアス電圧の供給回路に関する。
（２）従来技術の説明 従来、トランジスタによる交流増幅回路や発振回路では
ベースのバイアス電圧を供給する方法として、第１図に
示すように電源電圧Ｖ。。を抵抗ｌ訃よび２によシ分圧
してベースに与える方法が広く知られている。しかし、
分圧抵抗１．２を用いるバイアス供給方法では、消費電
力を小さくするためＫＦｉ、抵抗値を高くすることが必
要である。
このためバイアス回路の直流インピーダンスは比較的高
くなり、トランジスタ回路の入力信号レベルを大きくす
るに従い工きツタベース間の電圧が小さくなる。この状
況を第２図に示す。
このように、エミッタベース間の電位を変化し、これが
エミッタベース間インピーダンスの非直線領域に達する
と、勢価的にトランジスタ回路のバイアス動作点が変化
することになり、トランジスタ回路の性能が劣化し、さ
らには異常発振などを起こすことがある。この現象を回
避するためには、トランジスタのベースにバイアス電圧
を供給するえめの分圧抵抗の値を小さくすればよいが分
圧抵抗による消費電力が大きくなる欠点がある。
さらに、第１図に示す従来のバイアス回路では温度変化
によるトランジスタ回路の電流変化を小さく抑えるＫは
、同様に分圧抵抗の値を小さくして、消費電力が大きく
なる欠点がある。
（３）　　本発明の目的 本発明はこの点を改良するもので、分圧抵抗による消費
電力を小さくシ、トランジスタ回路の性能を劣化させる
ことがなく、シかも１１度変化に対しても性能変化を小
さくすることができるトランジスタのバイアス供給回路
を提供することを目的とする。
（４）　　本発明の費旨 本発明は、コレクタからエミッタに流れる直流バイアス
電流がベースに与えられる直流バイアス電圧によシ設定
され交流信号の増Ｓまたは発振を行う第一のトランジス
タを備えた回路において、この第一のトランジスタと逆
のＰＭ構造の第二のトランジスタと、この第二のトラン
ジスタのベースに前記第一のトランジスタと共通の直流
電源から直流バイアス電圧を与える分圧抵抗回路とを備
え、この第二のトランジスタのエミッタ直流電位が前記
第一のトランジスタのベースバイアス電位に等しくなる
ように接続されたことを特徴とする。
（５）実施例による説明 本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
１８３図は本発明第−実ＩＩｌ！１鍔の要部回路図であ
る。
この第−実施例は、ＮＰＭ　）ランジスタ３で構成され
るエミッタ接地型交流増幅回路に、Ｆｌｉｐ）ランジス
タ５によるエミッタフォロア回路から、ベースバイアス
電圧を供給するように構成され良ものである。すなわち
、ＮＰＭ）ランジスタ３のベースには、カップリングコ
ンデンサ６により信号が与えられチョークコイル７によ
りバイアス電圧が与えられる。、エミッタにはエミッタ
抵抗８とバイパスコンデンサ９とが接続されている。ま
良、ＰＩＰ）ランジスタ５はコレクタが接地され、ベー
スには分圧抵抗１Ｇ、１１が接続され、ニオツタは抵抗
１２により直流電圧が与えられるとともに前記チョーク
コイル７に接続されている。
を友第５図で１３は交流信号の入力端子、１４は出力端
子、１５．１６＃ｉバイパスコンデンサ、１７Ｆｉ四−
用コンデンサ、１８は同調用コイル、１９はカップリン
グコンデンサをそれぞれ示す。
このような構成では、ＰＮＰトランジスタ５はエミッタ
フォロアとして動作するので、ＰＩＰ）ランジスタ５の
工ずツタ接地間のインピーダンスはみかけ上ベース接地
間のインピーダンスの約１７　ｋｆｓ　ｊｆｃなる。喪
だし）ｌｆｅはエミッタ接地電流増幅率である。し良が
ってｈｆ・の大きいトランジスタを用いるととＫより分
圧抵抗１０，１１０抵抗値は大きくとも、エイツタ回路
のインピーダンスを非常に低くできるので、このＰＩＰ
）ランジスタ５のエミッタに直流的に接続されているＮ
ＰＮトランジスタ３０ベースの接地に対する直流インピ
ーダンスは非常に低くなる。この大め、入力端子１３か
らの入力信号が比較的大きくなっても菖ＰＭ）ランラス
タ３０ベースエミツタ間電圧の変化を小さく抑えること
ができる。このようにして交流増幅回路としての性能劣
化や異常発振Ｆｉ極めて起りにくくなる。
また、このμｓ路ではＮＰＮ　）ランジスタ３とＰＮＰ
）ランジスタ５とは同一電源により動作するので互いに
温度傾斜を打ち消すように作用し、ｙＰＩ）ランジスタ
３のコレクタ電流を温度に対してほぼ一定にすることが
できる。すなわち、ＰＮＰトランジスタ５０ベースが分
圧抵抗１０．１１の分圧によりほぼ一定とすれば、温度
が上がるとＰＩＦ）ランジスタ５のエミッタの電圧は下
がり、温度が下がると逆に上がる。このときに、ＭＰｌ
ｉトランジスタ３のコレクタ電流を一定に保つ条件下で
は温度が上がるとＮＰＮ）ランラスタ３０ペース電圧は
下が９温度が下がると逆に上がる。これらの電圧の温度
傾斜は各定数を適当に選ぶことによシはぼ勢しくするこ
とができるため、ＭＰＭトランジスタ３のコレクタ電流
はほぼ一定に保つように設計できる。このように高周波
増幅（ロ）路の性能の変化は少なくなる。
第４図は本発明第二実施例の要部回路図である。
この第二実施１１’ｌｔｌ、ＭＰＭ）ランジスタ２１で
構成されるペース接地蓋発振回路ＫＰＮＰトランジスタ
２２によるエンツタフォロア回路からベースバイアス電
圧を供給するものである。ＰＩＦ）ランラスタ２２０ペ
ースには、第一実施例と同様に分圧抵抗２３．２４が接
続され、エミッタが）ｆａｌｌトランジスタ２１０ベー
スに直結される。ＭＰＮトランジスタ２１のコレクタに
は共振器２５が接続されていて、発振器として作用する
。ま友第４図で、２６〜２８＃ｉバイパスコンデンサ、
２９は発振用コンデンサ、３Ｇ、　　３１は抵抗、３２
は出力カップリングコンデンサ、３３は出力端子をそれ
ぞれ示す。
このような回路では、ＭＰＮトランジスタ２１０′エン
ツタベース間には常に大きい発振信号が加わる。このた
めＰＩＰ）ランジスタ２２　Ｋよってベースの直流イン
ピーダンスを下げることはＭｐ菫トランジスタ２１のペ
ースエンツタ間電圧の変きるばか夛ではなく、発振周波
数の安定性を向上させることになる。温度変化によるＮ
ＰＮ　）ランジスタ２１のコレクタ電流の変化が小さく
なることは前記第一実施例の場合と同様である。発畿出
カレベルおよび発振局波数の温度変動も小さく抑えるこ
とができる。
（６）　　効果の説明 以上説明したように本発明によれば、トランジスタ回路
のベースのバイアス電圧供給のために逆のＰＭ接合構造
をもつトランジスタによるエミツタ７オロア回路を用い
ることとした。し九がって、分圧抵抗による消費電力を
小さく抑えることができ、トランジスタ回路の性能を劣
化させることなく、シか４温度変化に対してもトランジ
スタ回路の性能の変化を小さくすることができる勢の優
れ九効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の要部回路構成図。 第２図は第１図に示す回路の入力レベル信号とペースエ
ミ６ツタ間電圧との特性図。 第Ｓ図は本発明第一実施例の要部回路構成図。 第４図は本発明第二実施例の要部回路構成図。 ３．２１・・・］ｉＰＭ　）ランジスタ、５．２２・−
ＰＮＰトランジスタ、６．１９・・・カップリングコン
デンサ、１０．１１．２３・・・分圧、抵抗、１７゛・
・・同調用コンデンサ、１８・・・同調用コイル、９．
１５．１６．２６〜２８・・・バイパスコンデンサ、２
５・・・共振器。 兜１図 Ｍ２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　コレクタからエミッタに流れる直流バイアス
    電流がベースに与えられる直流バイアス電圧により設定
    され交流信号の増幅または発振を行う第一のトランジス
    タを備えた回路において、この第一のトランジスタと逆
    のＰＮ構造の第二のトランジスタと、この第二のトラン
    ジスタのベースに前記第一のトランジスタと共通の直流
    電源から直流バイアス電圧を与える分圧抵抗回路とを備
    え、この第二のトランジスタのエミッタ［＃ｉ電位が前
    記第一のトランジスタのベースバイアス電位に等しくな
    るように接続されえことを特徴とするトランジスタ回路
    。
JP56189008A 1981-11-24 1981-11-24 トランジスタ回路 Pending JPS5890807A (ja)

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US06/443,331 US4504798A (en) 1981-11-24 1982-11-22 Transistor circuit including biassing circuit
EP82110841A EP0080209B1 (en) 1981-11-24 1982-11-23 Transistor circuit including biasing circuit
CA000416133A CA1191213A (en) 1981-11-24 1982-11-23 Transistor circuit including biassing circuit
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003008353A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Takehiko Adachi 圧電発振器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2602927B1 (fr) * 1986-07-28 1988-12-02 Dreuilhe Jacqueline Oscillateur de radar de detection de mouvement, stabilise par rapport a la temperature
JPS63224358A (ja) * 1987-03-13 1988-09-19 Toshiba Corp 高周波用パワ−増幅器
GB2258097B (en) * 1991-07-23 1995-02-22 Matra Marconi Space Uk Ltd Microwave power amplifiers
FR2690795B1 (fr) * 1992-04-29 1994-07-29 Velec Sa Procede de controle de la polarisation d'un dispositif d'amplification et dispositif mis en óoeuvre pour ce controle.
DE69630546T2 (de) * 1995-05-16 2004-08-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Spannungsgesteuerter Oszillator mit steuerbarem Frequenzband
JP3504227B2 (ja) * 2000-10-10 2004-03-08 シャープ株式会社 低雑音コンバータ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52102657A (en) * 1976-02-25 1977-08-29 Hitachi Ltd Transistor amplifier circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3320365A (en) * 1964-06-08 1967-05-16 A V Electronics Inc Self-biasing amplifier
GB1108103A (en) * 1965-04-13 1968-04-03 Marconi Co Ltd Improvements in or relating to piezo-electric crystal circuit arrangements
DE1280946B (de) * 1967-03-09 1968-10-24 Telefunken Patent Transistorisierte Endstufe mit stabilisiertem Kollektorstrom
US3560995A (en) * 1967-06-29 1971-02-02 Us Navy Voltage controlled monolithic automatic gain control attenuator device
US3611172A (en) * 1969-11-24 1971-10-05 Avco Corp Temperature-compensating shunt for solid-state devices
JPS5312350B2 (ja) * 1972-06-05 1978-04-28
JPS5293257A (en) * 1976-01-30 1977-08-05 Toshiba Corp Oscillator
US4105944A (en) * 1977-11-21 1978-08-08 Rca Corporation Quiescent biasing of r-f power transistors for other than class A operation

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52102657A (en) * 1976-02-25 1977-08-29 Hitachi Ltd Transistor amplifier circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003008353A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Takehiko Adachi 圧電発振器

Also Published As

Publication number Publication date
CA1191213A (en) 1985-07-30
EP0080209B1 (en) 1988-03-02
EP0080209A1 (en) 1983-06-01
US4504798A (en) 1985-03-12
DE3278188D1 (en) 1988-04-07

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