JPS6310087A - 電子ビ−ム溶接装置 - Google Patents
電子ビ−ム溶接装置Info
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- JPS6310087A JPS6310087A JP61152675A JP15267586A JPS6310087A JP S6310087 A JPS6310087 A JP S6310087A JP 61152675 A JP61152675 A JP 61152675A JP 15267586 A JP15267586 A JP 15267586A JP S6310087 A JPS6310087 A JP S6310087A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム溶接装置に係り、特に裏波溶接を均
一に行なうための反射電子ビーム電流制御手段を備えた
電子ビーム溶接装置に関する。
一に行なうための反射電子ビーム電流制御手段を備えた
電子ビーム溶接装置に関する。
従来の電子ビーム溶接装置の反射電子ビーム電流制御手
段としては第２図に示すようなものがある（特願昭６０
−１９３２１９号）。
段としては第２図に示すようなものがある（特願昭６０
−１９３２１９号）。
第２図において、フィラメント電ｇ２に接続されたフィ
ラメント１から発生する電子ビーム６は、加速電源３よ
り印加される高電圧により加速され、グリッド４、陽極
７を通過し、集束コイル８で被溶接物９に集束されて溶
接を行なう。このとき、被溶接物の溶融部１０より反射
される反射電子ビーム１１を捕集電極１２で集め、該捕
集電極１２に接続された反射電子ビーム電流検出器１３
で反射電子の量、すなわち反射電子ビーム電流値を検出
する。該検出器１３の出力値（以下、ＩＲと略す）が反
射電子ビーム電流設定器１４の出力値（以下、Ｉｓと略
す）より大きいときに、第１演算回路１５の出力値（以
下、ＩＤと略す）は正の値となり、逆にＩＲ＜Ｉｓのと
き、ＩＯは負の値となる。ここで、第１演算回路１５と
第２演算回路１８の間に設けられたスイッチング素子１
７が閉のときには、第２演算回路１８の出力値（以下、
ＩＣと略す）は電子ビーム電流設定器１６の出力値（以
下、工＾と略す）とＩＯの加算値となり、ＩＤが正の値
ならば、ＩＣは増加する。制御回路５よりグリッド４に
印加されるバイアス電位は、電子ビーム電流検出器１９
の出力値（以下、ＩＢと略す）とＩＣとの偏差を求める
偏差検出回路２０の出力値により決定され、ＩＣが増加
すると、電子ビーム電流も増加する。したがって、ｉ＞
Ｉｓであれば、電子ビーム電流が増加することにより、
被溶接物の溶は込みが深くなる。
ラメント１から発生する電子ビーム６は、加速電源３よ
り印加される高電圧により加速され、グリッド４、陽極
７を通過し、集束コイル８で被溶接物９に集束されて溶
接を行なう。このとき、被溶接物の溶融部１０より反射
される反射電子ビーム１１を捕集電極１２で集め、該捕
集電極１２に接続された反射電子ビーム電流検出器１３
で反射電子の量、すなわち反射電子ビーム電流値を検出
する。該検出器１３の出力値（以下、ＩＲと略す）が反
射電子ビーム電流設定器１４の出力値（以下、Ｉｓと略
す）より大きいときに、第１演算回路１５の出力値（以
下、ＩＤと略す）は正の値となり、逆にＩＲ＜Ｉｓのと
き、ＩＯは負の値となる。ここで、第１演算回路１５と
第２演算回路１８の間に設けられたスイッチング素子１
７が閉のときには、第２演算回路１８の出力値（以下、
ＩＣと略す）は電子ビーム電流設定器１６の出力値（以
下、工＾と略す）とＩＯの加算値となり、ＩＤが正の値
ならば、ＩＣは増加する。制御回路５よりグリッド４に
印加されるバイアス電位は、電子ビーム電流検出器１９
の出力値（以下、ＩＢと略す）とＩＣとの偏差を求める
偏差検出回路２０の出力値により決定され、ＩＣが増加
すると、電子ビーム電流も増加する。したがって、ｉ＞
Ｉｓであれば、電子ビーム電流が増加することにより、
被溶接物の溶は込みが深くなる。
その結果、被溶接物を貫通する電子ビームの量が増加し
、溶融部１１からの反射電子の量は減少する。
、溶融部１１からの反射電子の量は減少する。
反射電子の量が減少してＩＲ＜Ｉ３になれば、ＩＤが負
の値となり、電子ビーム電流が減少することにより、被
溶接物の溶は込みが浅くなるので、被溶接物を貫通する
電子ビームの量が減少し、逆に反射電子の量は増加する
。このようにして、常にＩＲ＝ＩＳに保持する制御動作
が行なわれ、この制御動作により被溶接物の裏面に均一
な裏波を形成させることができる。しかし、電子ビーム
電流と反射電子ビーム電流の関係は、被溶接物を電子ビ
ームが貫通しているか否かによって変化するため、常時
この制御動作をさせることはできず、被溶接物を電子ビ
ームが貫通していない電子ビーム電流の立上り時および
立下り時には、あらかじめ設定したパターンで電子ビー
ム電流をスロープアップおよびスロープダウンさせるた
めに、反射電子ビーム電流制御を停止させなくてはなら
ない。
の値となり、電子ビーム電流が減少することにより、被
溶接物の溶は込みが浅くなるので、被溶接物を貫通する
電子ビームの量が減少し、逆に反射電子の量は増加する
。このようにして、常にＩＲ＝ＩＳに保持する制御動作
が行なわれ、この制御動作により被溶接物の裏面に均一
な裏波を形成させることができる。しかし、電子ビーム
電流と反射電子ビーム電流の関係は、被溶接物を電子ビ
ームが貫通しているか否かによって変化するため、常時
この制御動作をさせることはできず、被溶接物を電子ビ
ームが貫通していない電子ビーム電流の立上り時および
立下り時には、あらかじめ設定したパターンで電子ビー
ム電流をスロープアップおよびスロープダウンさせるた
めに、反射電子ビーム電流制御を停止させなくてはなら
ない。
このため従来は、被溶接物を電子ビームが貫通している
ときにスイッチング素子１７を閉じ、貫通していないと
きにスイッチング索子１７を開く操作を作業者の判断で
行なわなければならなかった。
ときにスイッチング素子１７を閉じ、貫通していないと
きにスイッチング索子１７を開く操作を作業者の判断で
行なわなければならなかった。
上述のように、従来の反射電子ビーム電流を帰還制御し
て裏波溶接を行なう電子ビーム溶接装置では、反射電子
ビーム電流制御の起動、停止を自動的に行なう配慮がさ
れていないため、操作が困難であった。
て裏波溶接を行なう電子ビーム溶接装置では、反射電子
ビーム電流制御の起動、停止を自動的に行なう配慮がさ
れていないため、操作が困難であった。
本発明の目的は、反射電子ビーム電流制御の起動、停止
を自動的に行ない、容易に安定した裏波溶接が行なえる
ようにすることにある。
を自動的に行ない、容易に安定した裏波溶接が行なえる
ようにすることにある。
上記目的は、第１図に実施例に対応して示したように、
第１演算回路１５の出力の極性が負から正に反転した時
に第１パルス信号を出力し、逆に正から負に反転した時
に第２パルス信号を出力する極性判別回路２２と、前記
第１パルス信号が入力された時の電子ビーム電流設定器
２１の出力値を記憶する第１記憶回路２３と、該第１記
憶回路２３の出力値と電子ビーム電流設定器２１の出力
値゛とを比較する第１比較回路２４と、該第１比較回路
２４の出力と前記第２パルス信号とを入力とする第１論
理積回路２５と、該第１論理積回路２５の出力信号が入
力された時の電子ビーム電流設定器２１の出力値を記憶
する第２記憶回路２６と、該第２記憶回路２６の出力値
と電子ビーム電流設定器２１の出力値とを比較する第２
比較回路２７と、該第２比較回路２７の出力と電子ビー
ム電流設定器２１からの電子ビーム電流アップスロープ
完了信号とを入力とする第２論理積回路２８と、該第２
論理積回路２８の出力状態に応じてスイッチング素子１
７を開閉動作させるスイッチング素子駆動回路２９とを
具備し、反射電子ビーム電流検出器１３の出力値が反射
電子ビーム電流設定器１４の出力値より大きくなった時
の電子ビーム電流設定器２１の出力値を前記第１記憶回
路２３に記憶し、電子ビーム電流設定器２１の出力値が
前記第１記憶回路２３に記憶された値より大きい状態で
、反射電子ビーム電流検出器１３の出力値が反射電子ビ
ーム電流設定器１４の出力値より小さくなった時の電子
ビーム電流設定器２１の出力値を前記第２記憶回路２６
に記憶し、電子ビーム電流設定器２１の出力値が前記第
２記憶回路２６に記憶された値より大きく、かつ電子ビ
ーム電流アップスロープが完了しているときに前記スイ
ッチング素子１７を閉とし、それ以外の状態では前記ス
イッチング素子１７を開とすることによって達成される
。
第１演算回路１５の出力の極性が負から正に反転した時
に第１パルス信号を出力し、逆に正から負に反転した時
に第２パルス信号を出力する極性判別回路２２と、前記
第１パルス信号が入力された時の電子ビーム電流設定器
２１の出力値を記憶する第１記憶回路２３と、該第１記
憶回路２３の出力値と電子ビーム電流設定器２１の出力
値゛とを比較する第１比較回路２４と、該第１比較回路
２４の出力と前記第２パルス信号とを入力とする第１論
理積回路２５と、該第１論理積回路２５の出力信号が入
力された時の電子ビーム電流設定器２１の出力値を記憶
する第２記憶回路２６と、該第２記憶回路２６の出力値
と電子ビーム電流設定器２１の出力値とを比較する第２
比較回路２７と、該第２比較回路２７の出力と電子ビー
ム電流設定器２１からの電子ビーム電流アップスロープ
完了信号とを入力とする第２論理積回路２８と、該第２
論理積回路２８の出力状態に応じてスイッチング素子１
７を開閉動作させるスイッチング素子駆動回路２９とを
具備し、反射電子ビーム電流検出器１３の出力値が反射
電子ビーム電流設定器１４の出力値より大きくなった時
の電子ビーム電流設定器２１の出力値を前記第１記憶回
路２３に記憶し、電子ビーム電流設定器２１の出力値が
前記第１記憶回路２３に記憶された値より大きい状態で
、反射電子ビーム電流検出器１３の出力値が反射電子ビ
ーム電流設定器１４の出力値より小さくなった時の電子
ビーム電流設定器２１の出力値を前記第２記憶回路２６
に記憶し、電子ビーム電流設定器２１の出力値が前記第
２記憶回路２６に記憶された値より大きく、かつ電子ビ
ーム電流アップスロープが完了しているときに前記スイ
ッチング素子１７を閉とし、それ以外の状態では前記ス
イッチング素子１７を開とすることによって達成される
。
電子ビーム溶接において、電子ビーム電流を漸次大きく
した場合、被溶接物を電子ビームが貫通するまでは反射
電子ビーム電流も増加するが、被溶接物を電子ビームが
貫通する状態になると、逆に反射電子ビーム電流は減少
する。本発明は、このように電子ビーム電流が漸増する
過程で１反射電子ビーム電流が増加から減少に転じたこ
とを。
した場合、被溶接物を電子ビームが貫通するまでは反射
電子ビーム電流も増加するが、被溶接物を電子ビームが
貫通する状態になると、逆に反射電子ビーム電流は減少
する。本発明は、このように電子ビーム電流が漸増する
過程で１反射電子ビーム電流が増加から減少に転じたこ
とを。
極性判別回路２２、第１記憶回路２３、第１比較回路２
４および第１論理積回路２５で検知して、その時の電子
ビーム電流設定器２１の出力値を第２記憶回路２６に記
憶させ、この値よりも電子ビーム電流設定器２１の出力
値が大きく、かつ電子ビーム電流アップスロープが完了
しているときに、第２比較回路２７、第２論理積回路２
８およびスイッチング素子駆動回路２９によりスイッチ
ング素子１７を閉にして。
４および第１論理積回路２５で検知して、その時の電子
ビーム電流設定器２１の出力値を第２記憶回路２６に記
憶させ、この値よりも電子ビーム電流設定器２１の出力
値が大きく、かつ電子ビーム電流アップスロープが完了
しているときに、第２比較回路２７、第２論理積回路２
８およびスイッチング素子駆動回路２９によりスイッチ
ング素子１７を閉にして。
反射電子ビーム電流制御を自動起動させるものである。
第１図は本発明の一実施例の要部のみを示したもので、
第２図の符号１〜１２および１９．２０で示した部分は
第２図と変わりがないので、図示を省略する。また、第
１図の反射電子ビーム電流検出器１３、反射電子ビーム
電流設定器１４、第１演算回路１５、スイッチング素子
１７．第２演算回路１８は第２図の同符号で示した各部
に対応しており、反射電子ビーム電流検出器１３は第２
図に示す捕集電極１２に接続され、第２演算回路１８の
出力ＩＣは第２図に示す偏差検出回路２０に入力される
ものとする。
第２図の符号１〜１２および１９．２０で示した部分は
第２図と変わりがないので、図示を省略する。また、第
１図の反射電子ビーム電流検出器１３、反射電子ビーム
電流設定器１４、第１演算回路１５、スイッチング素子
１７．第２演算回路１８は第２図の同符号で示した各部
に対応しており、反射電子ビーム電流検出器１３は第２
図に示す捕集電極１２に接続され、第２演算回路１８の
出力ＩＣは第２図に示す偏差検出回路２０に入力される
ものとする。
本実施例では、電子ビーム電流設定信号（出力値工＾）
と電子ビーム電流アップスロープ完了信号とを出力する
電子ビーム電流設定器２１、第１演算回路１５の出力値
ＩＤの極性を判別する極性判別回路２２． Ｉｎが負
から正に反転した時のＩ＾の値（以下、工＾、と略す）
を記憶する第１記憶回路２３、該第１記憶回路２３の出
力値とＩ＾とを比較する第１比較回路２４、該第１比較
回路２４の出力信号と前記極性判別回路２２から出力さ
れる第２パルス信号とを入力とする第１論理積回路２５
、ＩＤが正から負に反転した時の工＾の値（以下、ＩＡ
２と略す）を記憶する第２記憶回路２６、該第２記憶回
路２６の出力値とＩ＾とを比較する第２比較回ｗ！２７
．該第２比較回路２７の出力信号と電子ビーム電流アッ
プスロープ完了信号とを入力とする第２論理積回路２８
、該第２論理積回路２８の出力状態に応じてスイッチン
グ素子１７を開閉動作させるスイッチング素子駆動回路
２９を設けた点が第２図に示す従来例と異なる。
と電子ビーム電流アップスロープ完了信号とを出力する
電子ビーム電流設定器２１、第１演算回路１５の出力値
ＩＤの極性を判別する極性判別回路２２． Ｉｎが負
から正に反転した時のＩ＾の値（以下、工＾、と略す）
を記憶する第１記憶回路２３、該第１記憶回路２３の出
力値とＩ＾とを比較する第１比較回路２４、該第１比較
回路２４の出力信号と前記極性判別回路２２から出力さ
れる第２パルス信号とを入力とする第１論理積回路２５
、ＩＤが正から負に反転した時の工＾の値（以下、ＩＡ
２と略す）を記憶する第２記憶回路２６、該第２記憶回
路２６の出力値とＩ＾とを比較する第２比較回ｗ！２７
．該第２比較回路２７の出力信号と電子ビーム電流アッ
プスロープ完了信号とを入力とする第２論理積回路２８
、該第２論理積回路２８の出力状態に応じてスイッチン
グ素子１７を開閉動作させるスイッチング素子駆動回路
２９を設けた点が第２図に示す従来例と異なる。
ここで電子ビーム電流設定器２１は、工＾の値をスロー
プアップおよびスロープダウンさせるための時定数回路
と、該時定数回路の電流変化によりアップスロープ完了
を検知する手段とを備えている。極性判別回路２２は、
ダイオード検波回路と単安定マルチバイブレータなどで
構成されており、ＩＯが負から正に反転した時に子端子
から第１パルス信号を出力し、Ｉｎが正から負に反転し
た時に一端子から第２パルス信号を出力する。第１記憶
回路２３は、その第１パルス信号によりサンプリング動
作するサンプルホールド回路であり、第２記憶回路２６
は第１論理積回路２５の出力信号によりサンプリング動
作するサンプルホールド回路である。第１演算回路１５
および第２演算回路１８はアナログ演算回路、スイッチ
ング素子１７はＭＯＳＦＥＴなどのアナログスイッチか
らなっている。
プアップおよびスロープダウンさせるための時定数回路
と、該時定数回路の電流変化によりアップスロープ完了
を検知する手段とを備えている。極性判別回路２２は、
ダイオード検波回路と単安定マルチバイブレータなどで
構成されており、ＩＯが負から正に反転した時に子端子
から第１パルス信号を出力し、Ｉｎが正から負に反転し
た時に一端子から第２パルス信号を出力する。第１記憶
回路２３は、その第１パルス信号によりサンプリング動
作するサンプルホールド回路であり、第２記憶回路２６
は第１論理積回路２５の出力信号によりサンプリング動
作するサンプルホールド回路である。第１演算回路１５
および第２演算回路１８はアナログ演算回路、スイッチ
ング素子１７はＭＯＳＦＥＴなどのアナログスイッチか
らなっている。
次に、第３図を参照して本実施例の制御動作を説明する
。
。
第３図に示すように、溶接開始時に電子ビーム電流設定
器２１の出力値Ｉ＾を零から徐々に増加させていくと、
当初スイッチング索子１７が開となっており、Ｉｃ＝Ｉ
＾であるため、電子ビーム電流は工＾のみにより制御さ
れ、工＾の増加と共に増加する。これに伴い、反射電子
ビーム電流検出器１３の出力値ＩＲも増加し、やがて反
射電子ビーム電流設定器１４の出力値ｒｓより大きくな
る。この時、ＩＯは負から正に反転するので、極性判別
回路２２の子端子から第１パルス信号が出力され、この
時の工＾の値（工＾、）を第１記憶回路２３に記憶させ
る。第１比較回路２４はＩ＾〉工＾、になると、論理レ
ベルｕ １ ｕの信号を第１論理積回路２５に出力する
。さらに電子ビーム電流が増加し、被溶接物を電子ビー
ムが貫通する状態になると、ＩＲは減少し、ＸＳより小
さくなる。この時、ＩＤは正から負に反転するので、極
性判別回路２２の一端子から第２パルス信号が出力され
、第１論理積回路２５を通って第２記憶回路２６に入力
し、この時の工＾の値（工＾２）を記憶させる。第２比
較回路２７は工＾〉工＾２になると、論理レベル“１”
の信号を出力する。電子ビーム電流設定器２１はＩ＾を
所定の値までスロープアップし終えた時、アップスロー
プ完了信号を出力し、第２論理積回路２８はこのアップ
スロープ完了信号と第２比較回路２７の出力信号の論理
積を出力する。第３図の制御有効信号は第２比較回路２
７の出力信号、制御起動信号は第２論理積回路２８の出
力信号である。第２論理積回路２８の論理レベルＩＩ
１１＃の出力信号はスイッチング素子駆動回路２９に入
力され、スイッチング素子１７を閉とする。これにより
ＩＣ＝ＩＤ＋Ｉ＾となり、前述のようにＩＲ＝１３に保
持する反射電子ビーム電流制御が開始される。また、溶
接終了時にＩ＾がスロープダウンし、■＾＜ Ｉ Ａ２
どなった時、第２比較回路２７の出力は出なくなり、
第２論理積回路２８の出力も“０パとなるため、スイッ
チング素子１７は開となり、工＾のみで電子ビーム電流
が制御されるようになる。
器２１の出力値Ｉ＾を零から徐々に増加させていくと、
当初スイッチング索子１７が開となっており、Ｉｃ＝Ｉ
＾であるため、電子ビーム電流は工＾のみにより制御さ
れ、工＾の増加と共に増加する。これに伴い、反射電子
ビーム電流検出器１３の出力値ＩＲも増加し、やがて反
射電子ビーム電流設定器１４の出力値ｒｓより大きくな
る。この時、ＩＯは負から正に反転するので、極性判別
回路２２の子端子から第１パルス信号が出力され、この
時の工＾の値（工＾、）を第１記憶回路２３に記憶させ
る。第１比較回路２４はＩ＾〉工＾、になると、論理レ
ベルｕ １ ｕの信号を第１論理積回路２５に出力する
。さらに電子ビーム電流が増加し、被溶接物を電子ビー
ムが貫通する状態になると、ＩＲは減少し、ＸＳより小
さくなる。この時、ＩＤは正から負に反転するので、極
性判別回路２２の一端子から第２パルス信号が出力され
、第１論理積回路２５を通って第２記憶回路２６に入力
し、この時の工＾の値（工＾２）を記憶させる。第２比
較回路２７は工＾〉工＾２になると、論理レベル“１”
の信号を出力する。電子ビーム電流設定器２１はＩ＾を
所定の値までスロープアップし終えた時、アップスロー
プ完了信号を出力し、第２論理積回路２８はこのアップ
スロープ完了信号と第２比較回路２７の出力信号の論理
積を出力する。第３図の制御有効信号は第２比較回路２
７の出力信号、制御起動信号は第２論理積回路２８の出
力信号である。第２論理積回路２８の論理レベルＩＩ
１１＃の出力信号はスイッチング素子駆動回路２９に入
力され、スイッチング素子１７を閉とする。これにより
ＩＣ＝ＩＤ＋Ｉ＾となり、前述のようにＩＲ＝１３に保
持する反射電子ビーム電流制御が開始される。また、溶
接終了時にＩ＾がスロープダウンし、■＾＜ Ｉ Ａ２
どなった時、第２比較回路２７の出力は出なくなり、
第２論理積回路２８の出力も“０パとなるため、スイッ
チング素子１７は開となり、工＾のみで電子ビーム電流
が制御されるようになる。
本発明によれば、被溶接物を電子ビームが貫通している
状態を自動的に検知し、その状態でのみ反射電子ビーム
電流制御を行なうようにしたので、容易に、安定した裏
波溶接を行なうことができる。
状態を自動的に検知し、その状態でのみ反射電子ビーム
電流制御を行なうようにしたので、容易に、安定した裏
波溶接を行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路構成図、第２図は
従来装置の構成図、第３図は本発明の制御動作を説明す
るためのタイムチャートである。 ５・・・制御回路 ６・・・電子ビーム９・・
・被溶接物 １０・・・溶融部１１・・・反射
電子ビーム １３・・・反射電子ビーム電流検出器 １４・・・反射電子ビーム電流設定器 １５・・第１演算回路 １７・・・スイッチング素
子１８・・・第２演算回路 １９・・・電子ビーム電流検出器 ２０・・・偏差検出回路 ２１・・・電子ビーム電流設定器 ２２・・・極性判別回路 ２３・・・第１記憶回路
２４・・・第１比較回路 ２５・・・第１論理積回
路２６・・・第２記憶回路 ２７・・・第２比較回
路２８・・・第２論理積回路
従来装置の構成図、第３図は本発明の制御動作を説明す
るためのタイムチャートである。 ５・・・制御回路 ６・・・電子ビーム９・・
・被溶接物 １０・・・溶融部１１・・・反射
電子ビーム １３・・・反射電子ビーム電流検出器 １４・・・反射電子ビーム電流設定器 １５・・第１演算回路 １７・・・スイッチング素
子１８・・・第２演算回路 １９・・・電子ビーム電流検出器 ２０・・・偏差検出回路 ２１・・・電子ビーム電流設定器 ２２・・・極性判別回路 ２３・・・第１記憶回路
２４・・・第１比較回路 ２５・・・第１論理積回
路２６・・・第２記憶回路 ２７・・・第２比較回
路２８・・・第２論理積回路
Claims (1)
- １、被溶接物の溶融部からの反射電子ビーム電流を帰還
制御することにより被溶接物の裏面に均一な裏波を形成
するため、反射電子ビーム電流検出器と、電子ビーム電
流検出器と、反射電子ビーム電流検出器の出力値と反射
電子ビーム電流設定器の出力値との差分を求める第１演
算回路と、該第１演算回路の出力値を電子ビーム電流設
定器の出力値に加算する第２演算回路と、該第２演算回
路の出力値と電子ビーム電流検出器の出力値とを比較す
る偏差検出回路と、該偏差検出回路の出力に応じて電子
ビーム電流を制御する制御回路とを備え、前記第１演算
回路と第２演算回路の間に設けたスイッチング素子の開
閉により反射電子ビーム電流制御の起動、停止を行なう
電子ビーム溶接装置において、前記第１演算回路の出力
の極性が負から正に反転した時に第１パルス信号を出力
し、逆に正から負に反転した時に第２パルス信号を出力
する極性判別回路と、前記第１パルス信号が入力された
時の電子ビーム電流設定器の出力値を記憶する第１記憶
回路と、該第１記憶回路の出力値と電子ビーム電流設定
器の出力値とを比較する第１比較回路と、該第１比較回
路の出力と前記第２パルス信号とを入力とする第１論理
積回路と、該第１論理積回路の出力信号が入力された時
の電子ビーム電流設定器の出力値を記憶する第２記憶回
路と、該第２記憶回路の出力値と電子ビーム電流設定器
の出力値とを比較する第２比較回路と、該第２比較回路
の出力と電子ビーム電流設定器からの電子ビーム電流ア
ップスロープ完了信号とを入力とする第２論理積回路と
、該第２論理積回路の出力状態に応じて前記スイッチン
グ素子を開閉動作させるスイッチング素子駆動回路とを
具備し、反射電子ビーム電流検出器の出力値が反射電子
ビーム電流設定器の出力値より大きくなった時の電子ビ
ーム電流設定器の出力値を前記第１記憶回路に記憶し、
電子ビーム電流設定器の出力値が前記第１記憶回路に記
憶された値より大きい状態で、反射電子ビーム電流検出
器の出力値が反射電子ビーム電流設定器の出力値より小
さくなった時の電子ビーム電流設定器の出力値を前記第
２記憶回路に記憶し、電子ビーム電流設定器の出力値が
前記第２記憶回路に記憶された値より大きく、かつ電子
ビーム電流アップスロープが完了しているときに前記ス
イッチング素子を閉とし、それ以外の状態では前記スイ
ッチング素子を開とすることを特徴とする電子ビーム溶
接装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152675A JPS6310087A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 電子ビ−ム溶接装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61152675A JPS6310087A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 電子ビ−ム溶接装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310087A true JPS6310087A (ja) | 1988-01-16 |
Family
ID=15545649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61152675A Pending JPS6310087A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 電子ビ−ム溶接装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135175A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Canon Inc | 光電変換装置 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP61152675A patent/JPS6310087A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03135175A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-10 | Canon Inc | 光電変換装置 |
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