JPS63102388A - 半導体レーザー装置用パツケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体レーザー装置用パフケージに関し、より
詳細には半導体レーザー装置用パンケージに使用するス
テムの半導体レーザー素子を接合する放熱体の構成に関
する。

（従来の技術） 従来、半導体レーザー素子は電子機器などに用いられて
いるが、これら半導体レーザー素子を搭載する半導体レ
ーザー装置用パッケージに半導体レーザー素子を実装す
る場合は、この半導体レーザー素子から発生する熱を効
率的に放散させるために、ステムに形成した放熱体に半
導体レーザー素子を取り付け、ワイヤボンディング等を
施した後、これらの素子等を透明ガラス窓を有するキャ
ップにより気密封止している。

第２図は従来の半導体レーザー装置用パッケージのステ
ムを示す。

１０は円板状の基板であり、１２は基板１０の上面に立
設された放熱体である。これら基＋、ｔｌ。

゛　および放熱体１２はプレス加工により一体に形成さ
れ、金めつき等のめっき処理が施される。

１４は放熱体１２の一側面であり、半導体レーザー素子
１６を接合する接合面である。この接合面１４は、前記
基板１０に垂直に形成される。

１６はこの接合面１４上に接合される半導体レーザー素
子で、半導体レーザー素子１６はその上端面を接合面１
４の上端縁に近接するようにして接合される。この半導
体レーザー素子から発光するレーザー光は略円錐状に放
出されるので、レーザー光の光路を遮断しないように、
半導体レーザー素子１６は、前記接合面１４の上端から
０．１ｍｍ〜０．２１程度下部の上端縁に近接した位置
に接合される。

１８は基板１０上面に刻設された凹部であり、前記接合
面１４の基部の正面に位置し、接合面１４の基部からや
や離れた位置から基板１０の外周方向に向けて深さが増
すように底部が傾斜している。

この凹部１８の底部には接合面１４に接合された半導体
レーザー素子から発生するレーザー光をモニターするモ
ニター素子く図示せず）が載置される。

２０及び２２は基板１０に配設したリード線であり、ガ
ラスにより絶縁されて基＋Ｎ１０に気密封止されている
。２１はアースリード線である。上述した半導体レーザ
ー素子等は透明ガラス窓を有するキャップ（図示せず）
により気密封止される。

（発明が解決しようとする問題点） 半導体レーザー素子のステムへの取り付けは掻めて高精
度が要求されている。

しかるに、上記ステムはプレス加工、めっき処理等の加
工工程を経て量産されるが、このようなステム製造の際
の各工程における取り扱いや、搬送時等に、放熱体が基
板から突出しているために、放熱体の半導体レーザー素
子の接合面の上端縁が損傷を受けること、また、めっき
処理の際のエツジ効果により、前記半導体レーザー素子
の接合面の上端縁にめっきが厚く被着することなどから
、第３図（ステムの斜視図）に示すように、接合面１４
の上端縁２４が盛り上がって、接合面１４の上端縁近傍
が良好な平坦面にならず、半導体レーザー素子の接合に
支障が生じる。

前述したように、半導体レーザー素子は接合面１４の上
端縁に近接して接着するものであるから、接合面１４の
上端縁２４が盛り上がると、半導体レーザー素子は接合
面１４の鉛直方向に対して傾斜して接合され、接合面１
４と半導体レーザー素子との密着度が低下して半導体レ
ーザー素子の接着強度が低下するという問題点がある。

また、半導体レーザー素子が上述したように接合面１４
に対して傾斜して接合されるために、半導体レーザー素
子から放出されるレーザー光の方向が鉛直軸方向に正し
く一致せず、光学系に誤差を生じさせ、適格なレーザー
光源にならないといる問題点がある。

そこで、本発明は上記問題点を解消すべくなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体レーザー素子
を高精度でステムに取り付けることができる半導体レー
ザー装置用パッケージを提供するにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記問題点を解消するため次の構成をそなえる
。

すなわち、半導体レーザー素子を接合する放熱体を基板
上に立設し、該放熱体上に基板に垂直に形成した半導体
レーザー素子の接合面の上端縁に、半導体レーザー素子
の上端面を近接させて接合する半導体レーザー装置用パ
ッケージにおいて、前記半導体レーザー素子の接合面の
上端縁に切欠を形成することを特徴とする。

（実施例） 以下本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に
説明する。

第１図（ａ）は、本発明に係る一実施例を示す半導体レ
ーザー装置用パッケージのステムを示す斜視図である。

図で１０は基板、１８は凹部、２０及び２２はリード線
であり、これらの構成は従来の半導体レーザー装置用パ
フケージのステムと同一である。

図で２６は、接合面１４の上端縁を放熱体１２の上面よ
りも低位置に形成するために、放熱体１２上の半導体レ
ーザー素子を接合する接合面１４の上端縁エツジ部に形
成する切欠である。この切欠２６は上端縁の中央部を、
少なくとも接合する半導体レーザー素子の端面幅以上に
切り欠いたものであり、上端縁に段差を設けるように形
成する。

この実施例のように接合面１４の上端縁に切欠２６を設
けることにより、ステム取り扱い時に、上０１５　Ｎ＆
が損傷を受けることがなく、まためっき処理の際のエツ
ジ効果が低減されるために、接合面１４の半導体レーザ
ー素子取り付は面は常に平坦面であり、半導体レーザー
素子は接合面１４に密着して接着することができる。

半導体レーザー素子１６は、図のように切欠２６の一端
縁をなす接合面１４の上端縁に近接して接合する。前記
切欠２６は半導体レーザー素子端面の幅よりも大きく形
成しであるから、半導体レーザー素子から放出されるレ
ーザー光が切欠２６によって遮断されることがない。

また、前記切欠２６はステムのプレス加工工程中に形成
することができるから、特に新たな加工工程を要しない
という利点がある。

第１図（ｂ）は、放熱体１２上面よりも接合面１４上端
縁を低位置に形成するための切欠の他の実施秒１を示す
放熱体部分の斜視図である。この実施例における切欠２
６は、前記接合面１４の上端縁の中央部を、半導体レー
ザー素子の端面幅以上に、斜めに切り欠くように構成さ
れる。この実施例の場合も、ステム取り扱い時に接合面
１４上端縁が損傷を受けることがなく、また、めっき処
理の際に、接合面１４上端縁のめっきが厚くなることが
ほとんどないので、接合面１４を平坦面に形成すること
ができ、半導体レーザー素子１６が傾くことな（接合面
１４に好適に接合することができる。

第１図（ｃ）はさらに他の実施例を示す放熱体の斜視図
である。本実施例においては、切欠２６を、半導体レー
ザー素子の接合面１４の上端縁を全幅にわたって切り欠
いて段差を設けるように構成することを特徴とする。本
実施例における切欠２６の構成によっても、半導体レー
ザー素子の接合面１４を平坦面に形成することができ、
半導体レーザー素子を鉛直軸に正確に接合することが可
能である。上述した各実施例では、第１図（ａ）または
同図（ｂ）の切欠を設けた場合が半導体レーザー素子の
接合面の損傷等が最も少なく好適であった。

（発明の効果） 本発明によれば、上述したように、−放熱体の上面より
も半導体レーザー素子の接合面を低く形成する切欠を設
けるという簡易な構成により、半導体レーザー素子接合
面を平坦面に形成することができ、半導体レーザー素子
を正しく位置決めしてステムに接合することができる半
導体レーザー装置用パッケージを提供することができる
。また、本発明により、一層信頼性の高い半導体レーザ
ー装置用パッケージを量産することができるという著効
を奏する。

以上、本発明について好適な実施例を挙げて種々説明し
たが、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、
発明の晴神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得る
のはもちろんのことである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す斜視図、同図（
ｂ）は他の実施例の放熱体を示す斜視図、同図（Ｃ）は
さらに他の実施例の放熱体を示す斜視図、第２図および
第３図はステムの従来例を示す斜視図である。 １０・・・基板、　　１２・・・放熱体、　　１４・・
・接合面、　１６・・・半導体レーザー素子、１８・・
・凹部、　　２０，２２・・・リード線、２１・・・ア
ースリード線、　２４・・・上端縁、２６・・・切欠。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザー素子を接合する放熱体を基板上に立
   設し、該放熱体上に基板に垂直に形成した半導体レーザ
   ー素子の接合面の上端縁に、半導体レーザー素子の上端
   面を近接させて接合する半導体レーザー装置用パッケー
   ジにおいて、 前記半導体レーザー素子の接合面の上端縁 に切欠を形成することを特徴とする半導体レーザー装置
   用パッケージ。