JPS63103064A - 膜形成装置 - Google Patents
膜形成装置Info
- Publication number
- JPS63103064A JPS63103064A JP24784786A JP24784786A JPS63103064A JP S63103064 A JPS63103064 A JP S63103064A JP 24784786 A JP24784786 A JP 24784786A JP 24784786 A JP24784786 A JP 24784786A JP S63103064 A JPS63103064 A JP S63103064A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- sample
- evaporation source
- evaporation
- evaporated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 46
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 235000011960 Brassica ruvo Nutrition 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、少なくとも真空蒸着によって、あるいは真
空蒸着とイオンビーム照射を併用することによって、試
料の表面に膜を形成する膜形成装置に関する。
空蒸着とイオンビーム照射を併用することによって、試
料の表面に膜を形成する膜形成装置に関する。
第2図および第3図は、それぞれ、従来の膜形成装置の
例を示す概略図であり、いずれも真空蒸着とイオンビー
ム照射を併用可能なものである。
例を示す概略図であり、いずれも真空蒸着とイオンビー
ム照射を併用可能なものである。
即ち、図示しない真空ポンプによって真空引きされる真
空容器2内に、回転式のホルダ4に装着されて試料6が
収納されており、当該試料6に対して、真空容器2内に
収納された蒸発源8からの蒸発物質10の蒸着と、真空
容器2に取り付けられたイオン源12からのイオンビー
ム14の照射を併用することによって、試料6の表面に
膜を形成するようにしている。
空容器2内に、回転式のホルダ4に装着されて試料6が
収納されており、当該試料6に対して、真空容器2内に
収納された蒸発源8からの蒸発物質10の蒸着と、真空
容器2に取り付けられたイオン源12からのイオンビー
ム14の照射を併用することによって、試料6の表面に
膜を形成するようにしている。
(発明が解決しようとする問題点〕
ところが上記のような従来の膜形成装置においては、次
のような問題点がある。
のような問題点がある。
■ 蒸発源8からの蒸発物質10の付着によって、真空
容器2内の殆ど全体が汚れてしまう。ちなみにこれを放
置しておくと、付着物質からのアウトガスにより真空度
が悪化したり、付着物質の剥離混入によってイオン源1
2や蒸発源8において放電等のトラブルが発生したりす
る。
容器2内の殆ど全体が汚れてしまう。ちなみにこれを放
置しておくと、付着物質からのアウトガスにより真空度
が悪化したり、付着物質の剥離混入によってイオン源1
2や蒸発源8において放電等のトラブルが発生したりす
る。
■ 真空容器2が分割できない等のために、真空容器2
内部の清掃等の保守作業が困難である。
内部の清掃等の保守作業が困難である。
またその作業の際に真空容器2内の付着物質が塵埃とな
って外部に拡散する恐れがあるため、当該膜形成装置が
通常設置されるクリーンルーム内では清掃作業ができず
、これが保守作業を一層困難にしている。
って外部に拡散する恐れがあるため、当該膜形成装置が
通常設置されるクリーンルーム内では清掃作業ができず
、これが保守作業を一層困難にしている。
そこでこの発明は、真空容器内の汚れを最小限に抑える
と共に、その内部の清掃等の保守作業が容易に行えるよ
うにした膜形成装置を提供することを目的とする。
と共に、その内部の清掃等の保守作業が容易に行えるよ
うにした膜形成装置を提供することを目的とする。
この発明の膜形成装置は、真空容器を試料を収納する試
料室側と蒸発源を収納した蒸発源室側とに分割して蒸発
源室側を取り外し可能にし、かつ両室間に蒸発源からの
蒸発物質を試料に輸送するための開口部を有する仕切板
であって蒸発源室と共に取り外し可能なものを設け、更
に少なくとも仕切仮にそれの冷却手段を設けていること
を特徴とする。
料室側と蒸発源を収納した蒸発源室側とに分割して蒸発
源室側を取り外し可能にし、かつ両室間に蒸発源からの
蒸発物質を試料に輸送するための開口部を有する仕切板
であって蒸発源室と共に取り外し可能なものを設け、更
に少なくとも仕切仮にそれの冷却手段を設けていること
を特徴とする。
蒸発源室内の蒸発源による試料室内の試料に対する真空
蒸着は、両室間に設けられた仕切板の開口部を通して行
われる。従って、試料室内の蒸発物質による汚れを最小
限に抑えることができる。
蒸着は、両室間に設けられた仕切板の開口部を通して行
われる。従って、試料室内の蒸発物質による汚れを最小
限に抑えることができる。
また、蒸発源室を取り外し可能にしているため、真空容
器内部の清掃等の保守作業を容易に行うことができる。
器内部の清掃等の保守作業を容易に行うことができる。
第1図は、この発明の一実施例に係る膜形成装置を示す
概略図である。第2図あるいは第3図と同等部分には同
一符号を付し、以下においては従来例との相違点を主に
説明する。
概略図である。第2図あるいは第3図と同等部分には同
一符号を付し、以下においては従来例との相違点を主に
説明する。
この実施例においては、真空容器2を、試料6をホルダ
4に装着して収納する試料室16側と、この例では2台
の蒸発源8a、8bを収納した蒸発源室18側とに分割
して蒸発源室工8側を取り外し可能にしており、かつ両
室16.18間にそこを仕切るための仕切板20を設け
ている。17.19は分割構造のためのフランジであり
、その部分は図示しないOリング等によって真空シール
されている。また仕切板20は、フランジ19あるいは
蒸発源室18に固定されていて蒸発源室18と共に取り
外しできるようにされている。
4に装着して収納する試料室16側と、この例では2台
の蒸発源8a、8bを収納した蒸発源室18側とに分割
して蒸発源室工8側を取り外し可能にしており、かつ両
室16.18間にそこを仕切るための仕切板20を設け
ている。17.19は分割構造のためのフランジであり
、その部分は図示しないOリング等によって真空シール
されている。また仕切板20は、フランジ19あるいは
蒸発源室18に固定されていて蒸発源室18と共に取り
外しできるようにされている。
ところでこの例では、試料室16の左右に高エネルギー
(例えばLKeV〜5QKeV程度の範囲)のイオンビ
ーム14aを発生し得る高エネルギーイオン源12aと
、低エネルギー(例えば50eV〜IKeV程度の範囲
)のイオンビームI4bを発生し得る低エネルギーイオ
ン源12bを配置して、ホルダ駆動装置26によってホ
ルダ4を矢印Aのように回転させて両イオン源12a、
12bおよび両蒸発源8a、8bの使い分けを可能にし
ており、そのために仕切仮20には、高エネルギーイオ
ン源12a側に向けられた試料6に蒸発源8aからの蒸
発物質10aを輸送して蒸着させるための開口部22a
と、低エネルギーイオンm1Zb側に向けられた試料6
に蒸発rAabからの蒸発物質10bを輸送して蒸着さ
せるための開口部22bを設けている。
(例えばLKeV〜5QKeV程度の範囲)のイオンビ
ーム14aを発生し得る高エネルギーイオン源12aと
、低エネルギー(例えば50eV〜IKeV程度の範囲
)のイオンビームI4bを発生し得る低エネルギーイオ
ン源12bを配置して、ホルダ駆動装置26によってホ
ルダ4を矢印Aのように回転させて両イオン源12a、
12bおよび両蒸発源8a、8bの使い分けを可能にし
ており、そのために仕切仮20には、高エネルギーイオ
ン源12a側に向けられた試料6に蒸発源8aからの蒸
発物質10aを輸送して蒸着させるための開口部22a
と、低エネルギーイオンm1Zb側に向けられた試料6
に蒸発rAabからの蒸発物質10bを輸送して蒸着さ
せるための開口部22bを設けている。
この場合、両開口部22a、22bは、必要最小限の大
きさ、例えば、少なくとも蒸発物質10a、10bを試
料6およびその近傍に設けられた膜厚モニタ(図示省略
)に輸送するのに必要最小限の大きさ、あるいはそれに
加えて試料室16の外側から蒸着中の蒸発源8a、8b
の観察をも行うのに必要最小限の大きさにするのが好ま
しい。
きさ、例えば、少なくとも蒸発物質10a、10bを試
料6およびその近傍に設けられた膜厚モニタ(図示省略
)に輸送するのに必要最小限の大きさ、あるいはそれに
加えて試料室16の外側から蒸着中の蒸発源8a、8b
の観察をも行うのに必要最小限の大きさにするのが好ま
しい。
もっとも必要があれば、開口部22a、22bを上記の
ような目的に応じてそれぞれ複数の開口部に分けても良
い。
ような目的に応じてそれぞれ複数の開口部に分けても良
い。
また仕切板20には、蒸発源3a、8bからの輻射熱に
よる温度上昇を抑えるために、それの冷却手段として冷
却水配管24を設けている。更に、蒸発源8a、8bが
蒸発源室18の側壁の近くに設けられている場合は、こ
の例のように蒸発源室18の側壁にも冷却水配管24を
設けるのが好ましい。
よる温度上昇を抑えるために、それの冷却手段として冷
却水配管24を設けている。更に、蒸発源8a、8bが
蒸発源室18の側壁の近くに設けられている場合は、こ
の例のように蒸発源室18の側壁にも冷却水配管24を
設けるのが好ましい。
尚、この例では、試料室16側を図示しない架台に固定
し、蒸発源室18側は試料室16側にぷら下がるような
構造としている。
し、蒸発源室18側は試料室16側にぷら下がるような
構造としている。
上記装置においては、真空容器2を試料室6と蒸発源室
18とに分けて両室間を必要最小限の開口部22a、2
2bを有する仕切板20で仕切っているため、蒸発物質
tOa、10bによる試料室16内の汚れを最小限に抑
えることができる。
18とに分けて両室間を必要最小限の開口部22a、2
2bを有する仕切板20で仕切っているため、蒸発物質
tOa、10bによる試料室16内の汚れを最小限に抑
えることができる。
また、蒸発源室18側を取り外し可能にしているため、
真空容器2の内部、即ち試料室16および蒸発源室18
の内部の清掃等の保守作業を容易に行うことができる。
真空容器2の内部、即ち試料室16および蒸発源室18
の内部の清掃等の保守作業を容易に行うことができる。
しかも、従来の装置ではクリーンルーム外でしか内部の
保守作業ができなかったけれども、この装置では試料室
16内は殆ど汚れないため、汚れ易い蒸発源室18側の
みを仕切板20で蓋をした状態でクリーンルーム以外の
場所へ移動させてそこで保守作業をすれば良く、この点
からも保守作業が一層容易となる。
保守作業ができなかったけれども、この装置では試料室
16内は殆ど汚れないため、汚れ易い蒸発源室18側の
みを仕切板20で蓋をした状態でクリーンルーム以外の
場所へ移動させてそこで保守作業をすれば良く、この点
からも保守作業が一層容易となる。
更に、仕切板20や更には蒸発源室1日の側壁をも冷却
できるようにしているため、それらからのアウトガスが
抑えられて良好な膜形成が可能であると共に、それらに
対する付着物質の密着性が阻害されるため付着物質の除
去も容易となる。
できるようにしているため、それらからのアウトガスが
抑えられて良好な膜形成が可能であると共に、それらに
対する付着物質の密着性が阻害されるため付着物質の除
去も容易となる。
また、この実施例のように高エネルギーイオン源12a
と低エネルギーイオン源12bを設けて、同一の試料6
に対する膜形成の初期においては前者を、それ以降にお
いては後者を用いれば、単一のイオン源では困難であっ
た密着力が良好でしかも照射損傷の少ない膜を試料6の
表面に形成することができる。
と低エネルギーイオン源12bを設けて、同一の試料6
に対する膜形成の初期においては前者を、それ以降にお
いては後者を用いれば、単一のイオン源では困難であっ
た密着力が良好でしかも照射損傷の少ない膜を試料6の
表面に形成することができる。
尚、上記実施例はイオン源および蒸発源がそれぞれ2台
ずつの場合を例示したが、それらの台数はそれに限られ
るものではなく任意である。
ずつの場合を例示したが、それらの台数はそれに限られ
るものではなく任意である。
また、単に真空蒸着によって試料6に膜形成するのであ
れば、膜形成手段としては少なくとも蒸発源を備えてお
れば良く、イオン源は必ずしも設けなくても良い。
れば、膜形成手段としては少なくとも蒸発源を備えてお
れば良く、イオン源は必ずしも設けなくても良い。
以゛上のようにこの発明によれば、真空容器内の蒸発物
質による汚れを最小限に抑えることができると共に、真
空容器内部の清掃等の保守作業が容易に行えるようにな
る。
質による汚れを最小限に抑えることができると共に、真
空容器内部の清掃等の保守作業が容易に行えるようにな
る。
第1図は、この発明の一実施例に係る膜形成装置を示す
概略図である。第2図および第3図は、それぞれ、従来
の膜形成装置の例を示す概略図である。 2・・・真空容器、6・・・試料、3a、3b・・・蒸
発源、10a、10b・−・蒸発物質、12a。 12b・・・イオン源、16・・・試料室、18・・・
蒸発源室、20・・・仕切板、22a、22b・・・開
口部、24・・・冷却水配管。
概略図である。第2図および第3図は、それぞれ、従来
の膜形成装置の例を示す概略図である。 2・・・真空容器、6・・・試料、3a、3b・・・蒸
発源、10a、10b・−・蒸発物質、12a。 12b・・・イオン源、16・・・試料室、18・・・
蒸発源室、20・・・仕切板、22a、22b・・・開
口部、24・・・冷却水配管。
Claims (1)
- (1)真空容器およびその中に収納される試料に対する
膜形成手段として少なくとも蒸発源を備える膜形成装置
において、真空容器を試料を収納する試料室側と蒸発源
を収納した蒸発源室側とに分割して蒸発源室側を取り外
し可能にし、かつ両室間に蒸発源からの蒸発物質を試料
に輸送するための開口部を有する仕切板であって蒸発源
室と共に取り外し可能なものを設け、更に少なくとも仕
切板にそれの冷却手段を設けていることを特徴とする膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24784786A JPH0742577B2 (ja) | 1986-10-18 | 1986-10-18 | 膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24784786A JPH0742577B2 (ja) | 1986-10-18 | 1986-10-18 | 膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63103064A true JPS63103064A (ja) | 1988-05-07 |
| JPH0742577B2 JPH0742577B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=17169546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24784786A Expired - Fee Related JPH0742577B2 (ja) | 1986-10-18 | 1986-10-18 | 膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742577B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6892041B1 (en) * | 2003-08-06 | 2005-05-10 | Xerox Corporation | Passive dirt shield for image reproduction devices |
| JP2006176867A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Utec:Kk | 成膜装置及び蒸着装置 |
-
1986
- 1986-10-18 JP JP24784786A patent/JPH0742577B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6892041B1 (en) * | 2003-08-06 | 2005-05-10 | Xerox Corporation | Passive dirt shield for image reproduction devices |
| JP2006176867A (ja) * | 2004-12-24 | 2006-07-06 | Utec:Kk | 成膜装置及び蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0742577B2 (ja) | 1995-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6641702B2 (en) | Sputtering device | |
| JPWO2009034915A1 (ja) | 蒸着装置 | |
| KR20130009644A (ko) | 불순물도입층 형성장치 및 정전척 보호방법 | |
| JP5424972B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| WO2016161907A1 (zh) | 一种蒸镀装置 | |
| JP2008013834A (ja) | 基板トレイ及び成膜装置 | |
| JPH04176863A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0742577B2 (ja) | 膜形成装置 | |
| JPH0570931A (ja) | 真空蒸着装置および防着板 | |
| CN100348773C (zh) | 用于向一种基片涂敷涂料的真空模块和模块系统 | |
| JP3865841B2 (ja) | 電子ビーム蒸着装置 | |
| JPH0885872A (ja) | 成膜装置 | |
| WO2021244738A1 (en) | Deposition apparatus, processing system, method of maintaining a deposition apparatus, and method of manufacturing a layer of an optoelectronic device | |
| JPS634997Y2 (ja) | ||
| CN115443346A (zh) | 用于移动基板的设备、沉积设备和处理系统 | |
| JPH0680639B2 (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| JP3131252B2 (ja) | 真空装置 | |
| JPS61210190A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS55110028A (en) | Apparatus for vacuum evaporation having evaporation source for ion beam sputtering | |
| JPS61163269A (ja) | イオン蒸着薄膜形成装置 | |
| JPS62185875A (ja) | 気相成膜装置 | |
| JPH01290767A (ja) | 多成分薄膜製造装置 | |
| JPH0449173Y2 (ja) | ||
| JPS63283737A (ja) | 真空用反応容器 | |
| KR20230045541A (ko) | 성막 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |