JPS6310339A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
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- JPS6310339A JPS6310339A JP61155544A JP15554486A JPS6310339A JP S6310339 A JPS6310339 A JP S6310339A JP 61155544 A JP61155544 A JP 61155544A JP 15554486 A JP15554486 A JP 15554486A JP S6310339 A JPS6310339 A JP S6310339A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ピツクアップ装置に関し、特に光照射により
情報の記録、再生および消去を行う光情＠記録装置に適
用される光ピツクアップ装置に関する。
情報の記録、再生および消去を行う光情＠記録装置に適
用される光ピツクアップ装置に関する。
従来、この釉の光ビックア、ツブ装置においてＦ′ｉ。
光照射により情報の記録を行う記録媒体としては、多結
晶とアモルファスとの間の相変化を利用するものかあシ
、この媒体材料としてｒｉ％Ｔｅ−〇−Ｇｅ−８Ｈ合金
系またｒｊＴｅ−８ｅ−８ｎ合金系などが用いられてい
る。これらの材料の特徴は。
晶とアモルファスとの間の相変化を利用するものかあシ
、この媒体材料としてｒｉ％Ｔｅ−〇−Ｇｅ−８Ｈ合金
系またｒｊＴｅ−８ｅ−８ｎ合金系などが用いられてい
る。これらの材料の特徴は。
材料に温度変化を与オる場合、急速加熱、急速冷却を行
うとアモルファス化し、比較的ゆっくりとした加熱、冷
却を行うと結晶化することである。
うとアモルファス化し、比較的ゆっくりとした加熱、冷
却を行うと結晶化することである。
この相変化によって、その材料の表面の反射率も変化す
るので、微弱な光を照射することにより相状態を知るこ
とができる。この相変化を用いることにより、情報の記
録、再生および消去を行うことが可能である。
るので、微弱な光を照射することにより相状態を知るこ
とができる。この相変化を用いることにより、情報の記
録、再生および消去を行うことが可能である。
光デイスク形状において、結晶からアモルファスヘ、ア
モルファスから結晶へと、双方の相変化を１トラック幅
内にて実現する手段としては、第３図の平面図に示され
るように、光ピツクアップ装置から記憶媒体６上に対す
る円形スポット１０２および長円形スポラ）１０３を形
成するものがある。第３図において、記録媒体６が矢印
１０１の方向に一定速度で移動しているものとすると、
高いパワーの円形スポラ）１０２によシ記憶媒体６の急
熱、急冷が行われ、比較的低いパワーの長円形スポラ）
１０３により記憶媒体６の除熱、徐冷が行われて、前記
手段が実現される。この円形スポラ）１０２により情報
ビットの形成を行い、長円形スポット１０３により情報
ビットの消去を行えば、■トラ、り幅ごとに記録および
消去を実現することができる。
モルファスから結晶へと、双方の相変化を１トラック幅
内にて実現する手段としては、第３図の平面図に示され
るように、光ピツクアップ装置から記憶媒体６上に対す
る円形スポット１０２および長円形スポラ）１０３を形
成するものがある。第３図において、記録媒体６が矢印
１０１の方向に一定速度で移動しているものとすると、
高いパワーの円形スポラ）１０２によシ記憶媒体６の急
熱、急冷が行われ、比較的低いパワーの長円形スポラ）
１０３により記憶媒体６の除熱、徐冷が行われて、前記
手段が実現される。この円形スポラ）１０２により情報
ビットの形成を行い、長円形スポット１０３により情報
ビットの消去を行えば、■トラ、り幅ごとに記録および
消去を実現することができる。
第４図に示されるのは、従来の光ピツクアップ装置の一
例を示す構成図で、半導体レーザ１５の出射＋ｒｔ 、
コリメートレンズ１６．ビームスプリッタ１８および集
光レンズ１９を介して記録媒体６上に収束される。記録
媒体６からの反射光はビームスプリッタ１８において分
離され、信号およびエラー検出のだめの検出光学系２０
に導かれる。
例を示す構成図で、半導体レーザ１５の出射＋ｒｔ 、
コリメートレンズ１６．ビームスプリッタ１８および集
光レンズ１９を介して記録媒体６上に収束される。記録
媒体６からの反射光はビームスプリッタ１８において分
離され、信号およびエラー検出のだめの検出光学系２０
に導かれる。
この場合、記録媒体６上に長円形スギ９トを形成するた
めにｒｉ、コリメート光中に、第４図に破線にて示され
るシリンドリカルレンズ１７が挿入される。
めにｒｉ、コリメート光中に、第４図に破線にて示され
るシリンドリカルレンズ１７が挿入される。
上述した従来の光ビックアップ装置において１−１゜記
録媒体６上に長円形スボ−ｙ）１０２を形成するために
、コリメート光中にシリンドリカルレンズ１７が挿入さ
れている。従って、この光ピツクアップ装置によって記
録媒体６上に形成されるスボｙ）け、長円形スポットの
みに限定され、円形スポットの形成は不可能となる。こ
のため、他の円形スポットを形成する光ピックアップ装
置と組合せて使用するか、または、波長フィルタにより
異なる波長の光を合波して、円形ならび長円形の二つの
スポットを形成するマルチビーム型の光ピツクアップ装
置化を考慮する必要があυ、光ビックアップ装置の構成
が複雑化するという欠点がある。
録媒体６上に長円形スボ−ｙ）１０２を形成するために
、コリメート光中にシリンドリカルレンズ１７が挿入さ
れている。従って、この光ピツクアップ装置によって記
録媒体６上に形成されるスボｙ）け、長円形スポットの
みに限定され、円形スポットの形成は不可能となる。こ
のため、他の円形スポットを形成する光ピックアップ装
置と組合せて使用するか、または、波長フィルタにより
異なる波長の光を合波して、円形ならび長円形の二つの
スポットを形成するマルチビーム型の光ピツクアップ装
置化を考慮する必要があυ、光ビックアップ装置の構成
が複雑化するという欠点がある。
本発明の光ビ・ツクアップ装置は、半導体レーザの出射
光を微小スル９トにして記録媒体に照射し。
光を微小スル９トにして記録媒体に照射し。
前記記録媒体からの光を光検出器に導く光学系を備える
光ピツクアップ装置において、前記半導体レーザとして
駆動状態により発振軸モードが単一モードとマルチモー
ドとの間において切替えられる半導体レーザと、前記半
導体レーザの発振軸モードの切替えを行うレーザ駆動回
路と、前記半導体レーザと前記記録媒体との間に、透過
型または反射型のグレーティング素子の回折光を利用す
る光路変換素子と、を備えて構成される。
光ピツクアップ装置において、前記半導体レーザとして
駆動状態により発振軸モードが単一モードとマルチモー
ドとの間において切替えられる半導体レーザと、前記半
導体レーザの発振軸モードの切替えを行うレーザ駆動回
路と、前記半導体レーザと前記記録媒体との間に、透過
型または反射型のグレーティング素子の回折光を利用す
る光路変換素子と、を備えて構成される。
第２図において、ピッチがｄの透過型のグレーティング
素子３に対して、波長λの光が入射内〇にて入射される
場合を考えると１次式が成立する。
素子３に対して、波長λの光が入射内〇にて入射される
場合を考えると１次式が成立する。
ｄｓｉｎθ＝λ
入射光の波長が△λ変化すると、出射光のビーム角度１
次式の△θだけ変化する。
次式の△θだけ変化する。
集光レンズの焦点距離をｆとすると、記録媒体上におい
てはｆ・（△θ）のスポット中心のずれとなる。θ＝３
０°、λ＝８００ｎｍ（ナノ・メートル）、△λ＝Ｑ、
３ｎｍおよびｆ＝４ｗｎ（ミリ慟メートル）とすると、
！・（Δθ）〜０．７μｍ（ミクロン）となる、一方、
共振器長３００μｍの半導体レーザの軸モード間隔は約
Ｑ、 ３ ｎ ｍであるので、△λの波長変化に対応し
て、隣接軸モード間においてスポット中心が０．７μｍ
ずれることになる。一つの軸モードによる円形スポット
径の大きさが１μｍφ程度であるので、半導体レーザが
マルチモード発振をしている状態においては、モード数
に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上に形成す
ることができる。すなわち、光ピツクアップ装置の光学
系中に透過型のグレーティング素子を使用する場合には
、半導体レーザの発振軸モードをマルチ化することによ
シ、容易に記録好体上に長円形スポットが形成される。
てはｆ・（△θ）のスポット中心のずれとなる。θ＝３
０°、λ＝８００ｎｍ（ナノ・メートル）、△λ＝Ｑ、
３ｎｍおよびｆ＝４ｗｎ（ミリ慟メートル）とすると、
！・（Δθ）〜０．７μｍ（ミクロン）となる、一方、
共振器長３００μｍの半導体レーザの軸モード間隔は約
Ｑ、 ３ ｎ ｍであるので、△λの波長変化に対応し
て、隣接軸モード間においてスポット中心が０．７μｍ
ずれることになる。一つの軸モードによる円形スポット
径の大きさが１μｍφ程度であるので、半導体レーザが
マルチモード発振をしている状態においては、モード数
に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上に形成す
ることができる。すなわち、光ピツクアップ装置の光学
系中に透過型のグレーティング素子を使用する場合には
、半導体レーザの発振軸モードをマルチ化することによ
シ、容易に記録好体上に長円形スポットが形成される。
このことげ、透過型のグレーティング素子の代シに反射
型のグレーティング素子による回折光を用いても、同様
の効果が得られる。また、グレーティング素子としては
、単純格子だけでなく、集光レンズ尋の代シに使用され
るオフアクシス型のゾーンプレートレンズでもよい。光
の回折効率は、格子のブレーズ化などにより７０チ以上
の効率が実現可能である。
型のグレーティング素子による回折光を用いても、同様
の効果が得られる。また、グレーティング素子としては
、単純格子だけでなく、集光レンズ尋の代シに使用され
るオフアクシス型のゾーンプレートレンズでもよい。光
の回折効率は、格子のブレーズ化などにより７０チ以上
の効率が実現可能である。
前記グレーティング素子が光路中に設けられると、半導
体レーザの発振軸モードを単一モードとマルチモードと
の間において切替えることにより。
体レーザの発振軸モードを単一モードとマルチモードと
の間において切替えることにより。
記録媒体上には円形ならびに長円形の２種類のスポット
が容易に形成される。なお、半導体レーザの発振軸モー
ドを切替える方式としては、直流駆動により単一モード
発振をするレーザに、高周波電流を重畳してマルチモー
ド化する方式、および半導体レーザの電極を共振器長方
向において分割し、それぞれの電極に加える電流の比を
変えることにより発振モード数を制御する方式等があけ
られる。
が容易に形成される。なお、半導体レーザの発振軸モー
ドを切替える方式としては、直流駆動により単一モード
発振をするレーザに、高周波電流を重畳してマルチモー
ド化する方式、および半導体レーザの電極を共振器長方
向において分割し、それぞれの電極に加える電流の比を
変えることにより発振モード数を制御する方式等があけ
られる。
以下、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は１本発明の一実施例の構成を示す図である。第
１図に示されるように１本実施例は、半導体レーザｌと
、コリメートレンズ２と、グレーティング素子３と、ビ
ームスプリッタ４と、集光レンズ５と、収束レンズ７と
、ビームスプリッタ８と、トラックエラー検出器９と、
ナイフェツジ１０と、フォーカスエラー検出器１１と、
直流回路１２と、高周波回路１３と、切替回路１４と。
１図に示されるように１本実施例は、半導体レーザｌと
、コリメートレンズ２と、グレーティング素子３と、ビ
ームスプリッタ４と、集光レンズ５と、収束レンズ７と
、ビームスプリッタ８と、トラックエラー検出器９と、
ナイフェツジ１０と、フォーカスエラー検出器１１と、
直流回路１２と、高周波回路１３と、切替回路１４と。
を備えており、記録媒体６に対応して構成される。
なお、直流回路１２．高周波回路１３および切替回路１
４ｒｉ、半導体レーザｌの発振軸モードを切替えるレー
ザ駆動回路を形成している。
４ｒｉ、半導体レーザｌの発振軸モードを切替えるレー
ザ駆動回路を形成している。
第１図において、半導体レーザｌからの出射ビームは、
コリメートレンズ２によシコリメートされグレーティン
グ素子３によシ光路が曲げられて。
コリメートレンズ２によシコリメートされグレーティン
グ素子３によシ光路が曲げられて。
ビームスプリッタ４に送られる。更に、ビームスプリッ
タ４および集光レンズ５を介して記録媒体６上にスポッ
トとして収束される。この場合、発光点が羊−モードで
あれば円形スポットが形成され、マルチモードであれば
長円形スポットが形成される。記録媒体６からの反射光
は、ビームスプリッタ４および収束レンズ７を釘由して
ビームスプリッタ８に入射され、ビームスプリッタ８に
おいて分離されて、一部はトラックエラー検出器９に、
一部はナイフェツジｌＯを介してフォーカスエラー検出
器１１に、それぞれ入射される。これらの反射光よシス
ポット位置エラーが検出される。
タ４および集光レンズ５を介して記録媒体６上にスポッ
トとして収束される。この場合、発光点が羊−モードで
あれば円形スポットが形成され、マルチモードであれば
長円形スポットが形成される。記録媒体６からの反射光
は、ビームスプリッタ４および収束レンズ７を釘由して
ビームスプリッタ８に入射され、ビームスプリッタ８に
おいて分離されて、一部はトラックエラー検出器９に、
一部はナイフェツジｌＯを介してフォーカスエラー検出
器１１に、それぞれ入射される。これらの反射光よシス
ポット位置エラーが検出される。
本実施例の構成においてｄ、グレーテイング素子３ｒｉ
楕円ビームを円形化するビーム整形機能をも兼ね備えて
いる。なお、グレーティング素子３の配置位ｈｉｔ、ビ
ームスプリッタ４と集光レンズ５との間に設定されても
よい。記録および再生の動作を行う場合Ｋｒｉ、半導体
レーザｌを直流回路１２により直流または低周波を介し
て駆動することにより、記録媒体６上に所定の円形スポ
＋７ ）を形成し、消去動作を行う場合には、切替回路
１４による接続制御操作を介して、高周波回路１３によ
る高周波電流を前記【自流または低周波に重畳させて半
導体レーザｌを駆動することにより、記録媒体６上に所
定の長円形スポットを形成する。
楕円ビームを円形化するビーム整形機能をも兼ね備えて
いる。なお、グレーティング素子３の配置位ｈｉｔ、ビ
ームスプリッタ４と集光レンズ５との間に設定されても
よい。記録および再生の動作を行う場合Ｋｒｉ、半導体
レーザｌを直流回路１２により直流または低周波を介し
て駆動することにより、記録媒体６上に所定の円形スポ
＋７ ）を形成し、消去動作を行う場合には、切替回路
１４による接続制御操作を介して、高周波回路１３によ
る高周波電流を前記【自流または低周波に重畳させて半
導体レーザｌを駆動することにより、記録媒体６上に所
定の長円形スポットを形成する。
以上弱明したように、本発明は、比較的簡易な構成にお
いて、消去に必要な長円形スボ、９トのみならず、記録
および再生に必要な円形スポットをも併せて記録媒体上
に形成するととの可能な光ビ、クアップ装置を提供する
ことができるという効果がある。
いて、消去に必要な長円形スボ、９トのみならず、記録
および再生に必要な円形スポットをも併せて記録媒体上
に形成するととの可能な光ビ、クアップ装置を提供する
ことができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す図、第２図は、
本発明の作用を曲間するだめの透過型グレーティング素
子の概念図、第３図は、記録媒体上のビームスポットを
示す図、第４図は、従来の光ビヅクアププ装置の構成を
示す図である。 図において、１．１５・・・・・・半導体レーザ、２゜
１６・・・・・・コリメートレンズ、３・・・・・・グ
レーティング素子、４，８．１８・・・・・・ビームス
プリッタ、５１９・・・・・・集光レンズ％６・・・・
・・記録媒体、７・・・・・・収束レンズ、９・・・・
・・トラックエラー検出器、１０・・・・・・ナイフェ
ツジ、１１・・・・・・フォーカスエラー検出−１’０
”ｉ− 器％１２・・・・・・直流回路、１３・旧・・高周波回
路、１４・・・・・・切替回路、１７・・・用シリンド
リカルレンズ、２０・・・・・・検出光学系。 第１図
本発明の作用を曲間するだめの透過型グレーティング素
子の概念図、第３図は、記録媒体上のビームスポットを
示す図、第４図は、従来の光ビヅクアププ装置の構成を
示す図である。 図において、１．１５・・・・・・半導体レーザ、２゜
１６・・・・・・コリメートレンズ、３・・・・・・グ
レーティング素子、４，８．１８・・・・・・ビームス
プリッタ、５１９・・・・・・集光レンズ％６・・・・
・・記録媒体、７・・・・・・収束レンズ、９・・・・
・・トラックエラー検出器、１０・・・・・・ナイフェ
ツジ、１１・・・・・・フォーカスエラー検出−１’０
”ｉ− 器％１２・・・・・・直流回路、１３・旧・・高周波回
路、１４・・・・・・切替回路、１７・・・用シリンド
リカルレンズ、２０・・・・・・検出光学系。 第１図
Claims (1)
- 半導体レーザの出射光を微小スポットにして記録媒体に
照射し、前記記録媒体からの光を光検出器に導く光学系
を備える光ピックアップ装置において、前記半導体レー
ザとして駆動状態により発振軸モードが単一モードとマ
ルチモードとの間において切替えられる半導体レーザと
、前記半導体レーザの発振軸モードの切替えを行うレー
ザ駆動回路と、前記半導体レーザと前記記録媒体との間
に、透過型または反射型のグレーティング素子の回折光
を利用する光路変換素子と、を備えることを特徴とする
光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155544A JPH0610884B2 (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155544A JPH0610884B2 (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310339A true JPS6310339A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0610884B2 JPH0610884B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15608376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61155544A Expired - Lifetime JPH0610884B2 (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610884B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111811439A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-10-23 | 河北省计量监督检测研究院廊坊分院 | 刀口形直尺工作棱边直线度自动测量方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313123A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-06 | Hitachi Ltd | Field circuit for dc motor |
| JPS599086A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-18 | Multi Giken Kk | 再転写印刷方法 |
| JPS62119743A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP61155544A patent/JPH0610884B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313123A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-06 | Hitachi Ltd | Field circuit for dc motor |
| JPS599086A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-18 | Multi Giken Kk | 再転写印刷方法 |
| JPS62119743A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111811439A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-10-23 | 河北省计量监督检测研究院廊坊分院 | 刀口形直尺工作棱边直线度自动测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610884B2 (ja) | 1994-02-09 |
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