JPS6310338A - 光ピツクアツプ装置 - Google Patents
光ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS6310338A JPS6310338A JP61155543A JP15554386A JPS6310338A JP S6310338 A JPS6310338 A JP S6310338A JP 61155543 A JP61155543 A JP 61155543A JP 15554386 A JP15554386 A JP 15554386A JP S6310338 A JPS6310338 A JP S6310338A
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- JP
- Japan
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- recording medium
- light
- beam splitter
- semiconductor laser
- spot
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光ピックアップ装置に関し、特に、光照射によ
り情報の記録、再生および消去を行う光一つ′ 情報記録装置に適用される光ピックアップ装置に関する
。
り情報の記録、再生および消去を行う光一つ′ 情報記録装置に適用される光ピックアップ装置に関する
。
従来、この種の光ピックアップ装置においては、光照射
によシ情報の記録を行う記録媒体としては、多結晶とア
モルファスとの間の相変化を利用するものがあり、との
媒体材料としては、Ｔｅ−０−Ｇｅ−Ｓｎ合金系または
Ｔｅ −Ｓｅ −Ｓｎ合金系などが用いられている。こ
れらの材料の特徴は、材料に温度変化を与える場合、急
速加熱、急速冷却を行うとアモルファス化し、比較的ゆ
っくりとした加熱、冷却を行うと結晶化することである
。この相変化によって、その材料の表面の反射率も変化
するので、微弱な光を照射することにより相状態を知る
ことができる。この相変化を用いることにより、情報の
記録、再生および消去を行うことが可能である。
によシ情報の記録を行う記録媒体としては、多結晶とア
モルファスとの間の相変化を利用するものがあり、との
媒体材料としては、Ｔｅ−０−Ｇｅ−Ｓｎ合金系または
Ｔｅ −Ｓｅ −Ｓｎ合金系などが用いられている。こ
れらの材料の特徴は、材料に温度変化を与える場合、急
速加熱、急速冷却を行うとアモルファス化し、比較的ゆ
っくりとした加熱、冷却を行うと結晶化することである
。この相変化によって、その材料の表面の反射率も変化
するので、微弱な光を照射することにより相状態を知る
ことができる。この相変化を用いることにより、情報の
記録、再生および消去を行うことが可能である。
光デイスク形状において、結晶からアモルファスへ、ア
モルファスから結晶へと双方の相変化を１トラック幅内
にて実現する手段としては、第３図の平面図に示される
ように、光ピックアップから記憶媒体６上に対する円形
スポット１０２および長円形スポット１０３を形成する
ものがある。
モルファスから結晶へと双方の相変化を１トラック幅内
にて実現する手段としては、第３図の平面図に示される
ように、光ピックアップから記憶媒体６上に対する円形
スポット１０２および長円形スポット１０３を形成する
ものがある。
第３図において、記録媒体６が矢印１０１の方向に一定
速度で移動しているものとすると、高いパワーの円形ス
ポット１０２によシ記憶媒体６の急熱、急冷が行われ比
較的低いパワーの長円形スポット１０３により記憶媒体
６の除熱、徐冷が行われて、前記手段が実現される。こ
の円形スポット１０２により情報ビットの形成を行い、
長円形スポット１０３によ多情報ビットの消去を行えば
、ｌトラック幅ごとに記録および消去を実現することが
できる。
速度で移動しているものとすると、高いパワーの円形ス
ポット１０２によシ記憶媒体６の急熱、急冷が行われ比
較的低いパワーの長円形スポット１０３により記憶媒体
６の除熱、徐冷が行われて、前記手段が実現される。こ
の円形スポット１０２により情報ビットの形成を行い、
長円形スポット１０３によ多情報ビットの消去を行えば
、ｌトラック幅ごとに記録および消去を実現することが
できる。
第４図に示されるのは、従来の光ピックアップ装置の一
例を示す構成図で、半導体レーザ１２の出射光は、コリ
メートレンズ１３、ビームスプリッタ１５および集光レ
ンズ１６を介して記録媒体６上に収束される。記録媒体
６からの反射光はビームスプリッタ１５において分離さ
れ、信号およこの場合、記録媒体６上に長円形スポット
を形成る。
例を示す構成図で、半導体レーザ１２の出射光は、コリ
メートレンズ１３、ビームスプリッタ１５および集光レ
ンズ１６を介して記録媒体６上に収束される。記録媒体
６からの反射光はビームスプリッタ１５において分離さ
れ、信号およこの場合、記録媒体６上に長円形スポット
を形成る。
上述した従来の光ピックアップ装置においては、記録媒
体６上に長円形スポットを形成するだめに、シリンドリ
カルレンズ１４がコリメート光中に挿入される。しかし
ながら、長袖が数μｍ（ミクロン）ないし数十μｍ（ミ
クロン）の長円形スポットを形成するためには、シリン
ド１カレンズ１４としては長焦点距離のレンズが必要と
かり、その製作に困難がともなうという欠点がある。
体６上に長円形スポットを形成するだめに、シリンドリ
カルレンズ１４がコリメート光中に挿入される。しかし
ながら、長袖が数μｍ（ミクロン）ないし数十μｍ（ミ
クロン）の長円形スポットを形成するためには、シリン
ド１カレンズ１４としては長焦点距離のレンズが必要と
かり、その製作に困難がともなうという欠点がある。
本発明の光ピックアップ装置は、半導体レーザの出射光
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして発振軸モード
がマルチモードである半導体レーザと、前記半導体レー
ザと前記記録媒体との間に透過型または反射型グレーテ
ィング素子の回折光を利用する光路変換素子と、を備え
て構成される。
を微小スポットにして記録媒体に照射し、前記記録媒体
からの光を光検出器に導く光学系を備える光ピックアッ
プ装置において、前記半導体レーザとして発振軸モード
がマルチモードである半導体レーザと、前記半導体レー
ザと前記記録媒体との間に透過型または反射型グレーテ
ィング素子の回折光を利用する光路変換素子と、を備え
て構成される。
第２図において、ピッチがｄの透過型のグレーティング
素子３に対して、波長λの光が入射光θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
素子３に対して、波長λの光が入射光θにて入射される
場合を考えると、次式が成立する。
ｄｓｉｎθ＝λ
入射光の波長がΔλ変化すると、出射光のビーム角度は
次式のΔθだけ変化する。
次式のΔθだけ変化する。
Δθ＝ｓｉｎθ、（Δλ／λ）
集光レンズの焦点距離をｆとすると、記録媒体上におい
てはｆ・（Δθ）のスポット中心のずれとなる。θ＝３
０°、λ＝８００ｎｍ（ナノ・メートル）、Δλ＝Ｑ、
３ｎｍおよびｆ ＝ ４ ｍｍ （ミリ・メートル）、
とすると、ｆ・（Δθ）〜０．７μｍ（ミクロン）とな
る。一方、共振器長３００μｍの半導体レーザの軸モー
ド間隔は約Ｑ、 ３ ｎｍであるので、Δλの波長変化
に対応して、隣接軸モード間においてスポット位誼が０
．７μｍずれることになる。一つの軸モードによる円形
スポット径の大きさが１μｍψ程度であるので、半導体
レーザがマルチモード発振をしている状態においては、
モード数に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上
に形成することができる。このことは、グレーティング
素子の代りに反射型のグレーティング素子を用いる場合
も、その効果は同様である。グレーティング素子として
は、単純格子だけでなく、集光レンズ等の代りに使用さ
れるオフアクシス型のゾーンプレートレンズでもよい。
てはｆ・（Δθ）のスポット中心のずれとなる。θ＝３
０°、λ＝８００ｎｍ（ナノ・メートル）、Δλ＝Ｑ、
３ｎｍおよびｆ ＝ ４ ｍｍ （ミリ・メートル）、
とすると、ｆ・（Δθ）〜０．７μｍ（ミクロン）とな
る。一方、共振器長３００μｍの半導体レーザの軸モー
ド間隔は約Ｑ、 ３ ｎｍであるので、Δλの波長変化
に対応して、隣接軸モード間においてスポット位誼が０
．７μｍずれることになる。一つの軸モードによる円形
スポット径の大きさが１μｍψ程度であるので、半導体
レーザがマルチモード発振をしている状態においては、
モード数に対応する長さの長円形スポットを記録媒体上
に形成することができる。このことは、グレーティング
素子の代りに反射型のグレーティング素子を用いる場合
も、その効果は同様である。グレーティング素子として
は、単純格子だけでなく、集光レンズ等の代りに使用さ
れるオフアクシス型のゾーンプレートレンズでもよい。
その回折効率は、格子のブレーズ化などにより７０−以
上の効率が実現可能である。
上の効率が実現可能である。
以下、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例の構成を示す図である。第
１図に示されるように、本実施例は、記録媒体６に対応
して、半導体レーザ１と、コリメートレンズ２と、グレ
ーティング素子３と、ビームスプリッタ４と、集光レン
ズ５と、収束レンズ７と、ビームスプリッタ８と、トラ
ックエラー検出器９と、ナイフェツジ１０と、フォーカ
スエラー検出器１１と、を備えて構成される。なお、半
導体レーザ１の発振軸モードは、マルチモードにより形
成される。
１図に示されるように、本実施例は、記録媒体６に対応
して、半導体レーザ１と、コリメートレンズ２と、グレ
ーティング素子３と、ビームスプリッタ４と、集光レン
ズ５と、収束レンズ７と、ビームスプリッタ８と、トラ
ックエラー検出器９と、ナイフェツジ１０と、フォーカ
スエラー検出器１１と、を備えて構成される。なお、半
導体レーザ１の発振軸モードは、マルチモードにより形
成される。
第１図において、マルチモード発振をする半導体レーザ
１からの出射ビームは、コリメートレンズ２によりコリ
メート化され、グレーティング素子３により光路が曲げ
られて、ビームスプリッタ４に導かれる。更に、ビーム
スプリッタ４および集光レンズ５を介して記録媒体６上
に長円形スポットとして収束される。記録媒体６上に長
円形スポットが形成される理由は、半導体レーザ１の発
光点が、マルチモードであることによる。記録媒体６か
らの反射光は、ビームスプリッタ４において分離され、
収束レンズ７を介してビームスプリッタ８に導かれ、ビ
ームスプリッタ８において分離されて、一部はトラック
エラー検出器９に、一部はナイフェツジ１０を介してフ
ォーカスエラー射光よりスポット位置エラーが検出され
る。本実施例においては、グレーティン素子３は楕円ビ
ームを円形化するビーム整形機能をも兼ね備えている。
１からの出射ビームは、コリメートレンズ２によりコリ
メート化され、グレーティング素子３により光路が曲げ
られて、ビームスプリッタ４に導かれる。更に、ビーム
スプリッタ４および集光レンズ５を介して記録媒体６上
に長円形スポットとして収束される。記録媒体６上に長
円形スポットが形成される理由は、半導体レーザ１の発
光点が、マルチモードであることによる。記録媒体６か
らの反射光は、ビームスプリッタ４において分離され、
収束レンズ７を介してビームスプリッタ８に導かれ、ビ
ームスプリッタ８において分離されて、一部はトラック
エラー検出器９に、一部はナイフェツジ１０を介してフ
ォーカスエラー射光よりスポット位置エラーが検出され
る。本実施例においては、グレーティン素子３は楕円ビ
ームを円形化するビーム整形機能をも兼ね備えている。
なお、グレーティング素子３の配置は、ビームスプリッ
タ４と集光レンズ５との間に設定されてもよい。
タ４と集光レンズ５との間に設定されてもよい。
本実施例の光ピックアップ装置は、上述のように、記録
媒体６上に長円形スポットを形成する消去用ヘッドとし
て適用されるが、所定の波長フィルタ等を用いて円形ス
ポットを形成する別の光源による出射ビームと合波して
、記録ならび消去の可能なマルチビーム型の光ピックア
ップ装置を構成することもできる。
媒体６上に長円形スポットを形成する消去用ヘッドとし
て適用されるが、所定の波長フィルタ等を用いて円形ス
ポットを形成する別の光源による出射ビームと合波して
、記録ならび消去の可能なマルチビーム型の光ピックア
ップ装置を構成することもできる。
以上説明したように、本発明は、製作上問題のあるシリ
ンドカルレンズを用いることなく、マルチモード発振の
半導体レーザを光源とすることにより、極めて容易に記
録媒体上に長円形スポットを形成することのできる光ピ
ックアップ装置を提供することができるという効果があ
る。
ンドカルレンズを用いることなく、マルチモード発振の
半導体レーザを光源とすることにより、極めて容易に記
録媒体上に長円形スポットを形成することのできる光ピ
ックアップ装置を提供することができるという効果があ
る。
−８二・、
第１図は本発明の一実施例の構成を示す図、第２図は本
発明の詳細な説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第３図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第４図は従来の光ピックアップ装置の構成を示す図
である。 図において、１・・・・・・アレイ型半導体レーザ、２
゜１３・・・・・・コリメートレンズ、３・・・・・・
グレーティング素子、４，８．１５・・・・・・ビーム
スプリッタ％ ５１１６・・・・・・集光レンズ、６
・・・・・・記憶媒体、７・・・・・・収束レンズ、９
・・・・・・トラックエラー検出器、１０・・・・・・
ナイフェツジ、１１・・・・・・フォーカスエラー検出
器、１２・・・・・・半導体レーザ、１４・・・・・・
シリンドリカルレンズ、１７・・・・・・検出光学系。 □すｒ ＄ ／ 閃 ＄ ２ 図
発明の詳細な説明するための透過型グレーティング素子
の概念図、第３図は記録媒体上のビームスポットを示す
図、第４図は従来の光ピックアップ装置の構成を示す図
である。 図において、１・・・・・・アレイ型半導体レーザ、２
゜１３・・・・・・コリメートレンズ、３・・・・・・
グレーティング素子、４，８．１５・・・・・・ビーム
スプリッタ％ ５１１６・・・・・・集光レンズ、６
・・・・・・記憶媒体、７・・・・・・収束レンズ、９
・・・・・・トラックエラー検出器、１０・・・・・・
ナイフェツジ、１１・・・・・・フォーカスエラー検出
器、１２・・・・・・半導体レーザ、１４・・・・・・
シリンドリカルレンズ、１７・・・・・・検出光学系。 □すｒ ＄ ／ 閃 ＄ ２ 図
Claims (1)
- 半導体レーザの出射光を微小スポットにして記録媒体に
照射し、前記記録媒体からの光を光検出器に導く光学系
を備える光ピックアップ装置において、前記半導体レー
ザとして発振軸モードがマルチモードである半導体レー
ザと、前記半導体レーザと前記記録媒体との間に透過型
または反射型グレーティング素子の回折光を利用する光
路変換素子と、を備えることを特徴とする光ピックアッ
プ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155543A JPH0766559B2 (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155543A JPH0766559B2 (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310338A true JPS6310338A (ja) | 1988-01-16 |
| JPH0766559B2 JPH0766559B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=15608354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61155543A Expired - Lifetime JPH0766559B2 (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 光ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766559B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56158319A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | Light projecting device |
| JPS59146013A (ja) * | 1983-12-23 | 1984-08-21 | Sony Corp | 光学装置 |
| JPS6154688A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP61155543A patent/JPH0766559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56158319A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | Light projecting device |
| JPS59146013A (ja) * | 1983-12-23 | 1984-08-21 | Sony Corp | 光学装置 |
| JPS6154688A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-18 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766559B2 (ja) | 1995-07-19 |
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