JPS63104304A - サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 - Google Patents
サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63104304A JPS63104304A JP61249918A JP24991886A JPS63104304A JP S63104304 A JPS63104304 A JP S63104304A JP 61249918 A JP61249918 A JP 61249918A JP 24991886 A JP24991886 A JP 24991886A JP S63104304 A JPS63104304 A JP S63104304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- oxide semiconductor
- manufacturing
- glass
- encapsulated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、○℃〜４００ ’Ｃの範囲でガラス封入温度
センサーとして利用できるところの負の抵抗温度係数全
方するサーミスタ用酸化物半導体の製造方法に関するも
のである。
センサーとして利用できるところの負の抵抗温度係数全
方するサーミスタ用酸化物半導体の製造方法に関するも
のである。
従来の技術
従来、この種のサーミスタ用酸化物半導体をガラス封入
サーミスタ用素子として製造する場合、焼成後熱処理を
施すことなく、焼結体の両面に電極を設け、適当な形状
にカッティングするという製造方法であった。
サーミスタ用素子として製造する場合、焼成後熱処理を
施すことなく、焼結体の両面に電極を設け、適当な形状
にカッティングするという製造方法であった。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、前記サーミスタ用酸化物半
導体素子をガラス管で封入した場合、封入前後における
抵抗値変化が大きく、目標の抵抗値を得るのが困難であ
るという問題があった。
導体素子をガラス管で封入した場合、封入前後における
抵抗値変化が大きく、目標の抵抗値を得るのが困難であ
るという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、前記サー
ミスタ用酸化物半導体素子をガラス管で封入するにあた
り、封入前後における抵抗値変化を容易に小さくするこ
とを目的とするものである。
ミスタ用酸化物半導体素子をガラス管で封入するにあた
り、封入前後における抵抗値変化を容易に小さくするこ
とを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点全解決するために本発明は、金属元素トシテ
マンガン、ニッケル、クロム、ジルコニウムの４種を合
計１００原子チ含有するサーミスタ用酸化物半導体をガ
ラス封入サーミスタ用素子として得るために、この焼結
体を空気中１０００℃〜１２００℃の温度で熱処理を施
す゛ことと特徴とする製造方法としたものである。
マンガン、ニッケル、クロム、ジルコニウムの４種を合
計１００原子チ含有するサーミスタ用酸化物半導体をガ
ラス封入サーミスタ用素子として得るために、この焼結
体を空気中１０００℃〜１２００℃の温度で熱処理を施
す゛ことと特徴とする製造方法としたものである。
作用
この構成により、上記サーミスタ用醒化物半導体はガラ
ス封入の前後でその抵抗値変化が容易に小さくできるこ
ととなる。
ス封入の前後でその抵抗値変化が容易に小さくできるこ
ととなる。
実施例
以下、本発明の一実施例について説明する。市販の原料
ＭｎＣ０，、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ，お工びＺｒＯ２ｉＭｎ
：Ｎｉ：Ｏｒ：Ｚｒ＝了２：２：２：２０（原子％）の
組成となるように配合した。これ全ホ゛−ルミルで混合
後乾燥させ、１１００″Ｃで仮焼する。これヶ再びボー
ルミルで粉砕し、得られたスラリーを乾燥する。このス
ラリーの乾燥後、ポリビニールアルコール全バインダー
として添加混合し、所要Ｊ−ｕ 採って４０肌φ×１０
ａｎｔのブロックに加圧成形し、これ全空気中１４５０
’Ｃで２時間焼成した。
ＭｎＣ０，、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ，お工びＺｒＯ２ｉＭｎ
：Ｎｉ：Ｏｒ：Ｚｒ＝了２：２：２：２０（原子％）の
組成となるように配合した。これ全ホ゛−ルミルで混合
後乾燥させ、１１００″Ｃで仮焼する。これヶ再びボー
ルミルで粉砕し、得られたスラリーを乾燥する。このス
ラリーの乾燥後、ポリビニールアルコール全バインダー
として添加混合し、所要Ｊ−ｕ 採って４０肌φ×１０
ａｎｔのブロックに加圧成形し、これ全空気中１４５０
’Ｃで２時間焼成した。
こうして得られたブロックからスライス、研磨に＋１ニ
ジ厚みが６００７ｚｍ 〜１ ＱＱＱ／１ｍのウニ／％
−ｆ取り出し、空気中後述する表に示す温度で熱処理
を施した。そして、このウエノ・−の両面に白金電極金
膜け、所望の寸法のチップにカッティングし、この素子
を空気中で硼珪酸ガラス管に封入した。
ジ厚みが６００７ｚｍ 〜１ ＱＱＱ／１ｍのウニ／％
−ｆ取り出し、空気中後述する表に示す温度で熱処理
を施した。そして、このウエノ・−の両面に白金電極金
膜け、所望の寸法のチップにカッティングし、この素子
を空気中で硼珪酸ガラス管に封入した。
リード線端子には白金線を用いた。
このようにして製造したガラス封入サーミスタの各熱処
理温度に対する２５０″Ｃにおけるガラス封入前後の抵
抗値変化率全下記の表に示す。
理温度に対する２５０″Ｃにおけるガラス封入前後の抵
抗値変化率全下記の表に示す。
（＊印試料は比較用であり、本発明の請求外である。）
比較用試料はいずれも２６０℃におけるガラス封入前後
の抵抗値変化率が±５％以上と高く、実用上安定性に欠
ける。なお今回の試料は焼結体をウェハー状にした後熱
処理を施したが、焼成後のブロックおよび白金電極を設
けたウエノ・−またはチップに熱処理を施してもよい。
の抵抗値変化率が±５％以上と高く、実用上安定性に欠
ける。なお今回の試料は焼結体をウェハー状にした後熱
処理を施したが、焼成後のブロックおよび白金電極を設
けたウエノ・−またはチップに熱処理を施してもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、前記サーミスタ用醒化物
半導体の焼結体全空気中１０００”Ｃ〜１２００”Ｃの
温度で熱処理を施すことに裏ジ、ガラス封入の前後でそ
の抵抗値変化音きわめて小さくすることができるという
効果が得られた。これにエリ、量産性に優れた上記ガラ
ス封入用酸化物半導体素子を提供できるものである。
半導体の焼結体全空気中１０００”Ｃ〜１２００”Ｃの
温度で熱処理を施すことに裏ジ、ガラス封入の前後でそ
の抵抗値変化音きわめて小さくすることができるという
効果が得られた。これにエリ、量産性に優れた上記ガラ
ス封入用酸化物半導体素子を提供できるものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 金属元素としてマンガン、ニッケル、クロム、ジルコ
ニウムの４種を合計１００原子％含有するサーミスタ用
酸化物半導体の焼結体を空気中１０００℃〜１２００℃
の温度で熱処理を施すことを特徴とするサーミスタ用酸
化 物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61249918A JPS63104304A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61249918A JPS63104304A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104304A true JPS63104304A (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=17200123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61249918A Pending JPS63104304A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | サ−ミスタ用酸化物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63104304A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6097601A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | 松下電器産業株式会社 | サーミスタ用酸化物半導体磁器の製造方法 |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP61249918A patent/JPS63104304A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6097601A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | 松下電器産業株式会社 | サーミスタ用酸化物半導体磁器の製造方法 |
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