JPS6310536A - Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ド - Google Patents
Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ドInfo
- Publication number
- JPS6310536A JPS6310536A JP61155505A JP15550586A JPS6310536A JP S6310536 A JPS6310536 A JP S6310536A JP 61155505 A JP61155505 A JP 61155505A JP 15550586 A JP15550586 A JP 15550586A JP S6310536 A JPS6310536 A JP S6310536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode pad
- probe card
- opening
- gold wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ製造工程途中のクエーハ状悪における電
気的測定を行う際に使用するプローブカードに関するも
のである。
気的測定を行う際に使用するプローブカードに関するも
のである。
従来のプローブカードは、プローブカード基板に、タン
グステン針等の硬度の高い材質の複数の金属針を、測定
対象のＩＣウェーハの電極パッドに位置合せをして固定
してなるものであった。
グステン針等の硬度の高い材質の複数の金属針を、測定
対象のＩＣウェーハの電極パッドに位置合せをして固定
してなるものであった。
従来技術によるプローブカードは次の欠点があるＯ
＋１） プローブカード基板へ固定した金属針は、耐
久性を高める為にタングステンなどの硬度の高い金属針
を使用することから曲げる等の加工が非常に難しい。
久性を高める為にタングステンなどの硬度の高い金属針
を使用することから曲げる等の加工が非常に難しい。
（２） プローブカードの針は硬度が高い為にｌＣウ
ェーハ上の電極パッドと接触すると、電極部の金属薄膜
に傷を付けたり、電極パッド下の絶縁膜にクラックを生
じたシし、ＩＣの品質劣化の原因ともなっている。
ェーハ上の電極パッドと接触すると、電極部の金属薄膜
に傷を付けたり、電極パッド下の絶縁膜にクラックを生
じたシし、ＩＣの品質劣化の原因ともなっている。
本発明は、プローブカード基板にレーザビーム等を使用
して開孔を設け、その開孔よシ、２０〜１００μｍφの
金線等の加工しやすい金属細巌を貫通させ、先端を電気
トーチまたは水素トーチ等で溶断し球形にする。なお、
プローブカード基板に開孔した穴はこの溶断により形成
した球を通過させぬくらいの大きさとする。即ら、溶断
法よシも１０〜４０μｍφ８度小さい穴をプローブカー
ド基板へ開ける。この溶断により形成した球形部がＩＣ
ウェー・・の１極パッド部へ接触し、電気的特性全測定
する部分となる。他方、金線の他端はＩＣ測定機側の基
板へ電気的に結線する。
して開孔を設け、その開孔よシ、２０〜１００μｍφの
金線等の加工しやすい金属細巌を貫通させ、先端を電気
トーチまたは水素トーチ等で溶断し球形にする。なお、
プローブカード基板に開孔した穴はこの溶断により形成
した球を通過させぬくらいの大きさとする。即ら、溶断
法よシも１０〜４０μｍφ８度小さい穴をプローブカー
ド基板へ開ける。この溶断により形成した球形部がＩＣ
ウェー・・の１極パッド部へ接触し、電気的特性全測定
する部分となる。他方、金線の他端はＩＣ測定機側の基
板へ電気的に結線する。
第１図は本発明によるプローブカードの断面図である。
硬質ガラスもしくは石英ガラス等の透明なプローブカー
ド基板１にレーザまたはドリル等で開孔２を設け、その
開孔部に金線３を貫通させ。
ド基板１にレーザまたはドリル等で開孔２を設け、その
開孔部に金線３を貫通させ。
ＩＣウェーハの電極パッドへ接触させる接触部分を電気
トーチもしくは水素トーチで溶断し、先部部ｆ：ｇ形４
にする。その球４を穴の所へ固定すべく開孔部２内で接
着剤等で固める。その透明基板１から出た金線２の他端
は、ＩＣ測定機側の基板５の電極ビン６へ半田などで接
続する。その後透明基板１と測定機側の基板５はリング
スペーサ７を介して接着剤で強固に接着させる。またＩ
Ｃ測定側の基板５は上からＩＣが見えるように開孔部８
がある。
トーチもしくは水素トーチで溶断し、先部部ｆ：ｇ形４
にする。その球４を穴の所へ固定すべく開孔部２内で接
着剤等で固める。その透明基板１から出た金線２の他端
は、ＩＣ測定機側の基板５の電極ビン６へ半田などで接
続する。その後透明基板１と測定機側の基板５はリング
スペーサ７を介して接着剤で強固に接着させる。またＩ
Ｃ測定側の基板５は上からＩＣが見えるように開孔部８
がある。
なお、本発明で使用する金属線は溶断法を作る雰囲気が
不活性ガス中であればアルミ線、銅線等も使える。
不活性ガス中であればアルミ線、銅線等も使える。
以上説明した本発明は、従来の硬度の高い金属針の代わ
りに、加工、！！！造が容易な金属細線を用い、更に、
ＩＣウェーハの電極パッド部へ接触する部分が球形であ
る為、従来の鋭利な硬い金属針と異なり、電極パッド部
をえぐるような傷は無くなり、また電極パッド下の絶縁
膜のクラックも発生しなくなりＩＣの品質を損うことが
なくなる。
りに、加工、！！！造が容易な金属細線を用い、更に、
ＩＣウェーハの電極パッド部へ接触する部分が球形であ
る為、従来の鋭利な硬い金属針と異なり、電極パッド部
をえぐるような傷は無くなり、また電極パッド下の絶縁
膜のクラックも発生しなくなりＩＣの品質を損うことが
なくなる。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・・・・プローブカード基板、２・・・・・・開
孔、３・・・・・・金線、４・−・・・・溶断した金線
の球形部、５・・・・・・ＩＣ測定機側の基板、６・・
・・・・ＩＣ測定機側基板の電極取出部、７・・・・・
・スペーサ、８・・・・・・ＩＣ測定機側基板の開孔部
。 〜１．−ノ 第 Ｉ 図
孔、３・・・・・・金線、４・−・・・・溶断した金線
の球形部、５・・・・・・ＩＣ測定機側の基板、６・・
・・・・ＩＣ測定機側基板の電極取出部、７・・・・・
・スペーサ、８・・・・・・ＩＣ測定機側基板の開孔部
。 〜１．−ノ 第 Ｉ 図
Claims (1)
- プローブカード基板に、測定対象のＩＣウェーハの電極
パッドと接触させる多数の接触子が植設されたプローブ
カードであって、前記接触子は、プローブカード基板に
あけられた貫通穴を貫通して設けられた加工容易な金属
細線からなり、かつ、前記ＩＣウェーハの電極パッドと
接触する接触部は球形であることを特徴とするＩＣ測定
用プローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155505A JPS6310536A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155505A JPS6310536A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310536A true JPS6310536A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15607511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61155505A Pending JPS6310536A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310536A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02253167A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-11 | Hitachi Ltd | プロービング装置 |
| US4983908A (en) * | 1989-10-11 | 1991-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probing card for wafer testing and method of manufacturing the same |
| JPH08292209A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブカード、それに用いられるプローブ及びプローブの製造方法 |
| CN109298215A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 基思利仪器有限责任公司 | 用于测试集成电路的探针卡系统 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP61155505A patent/JPS6310536A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02253167A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-11 | Hitachi Ltd | プロービング装置 |
| US4983908A (en) * | 1989-10-11 | 1991-01-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probing card for wafer testing and method of manufacturing the same |
| US5042148A (en) * | 1989-10-11 | 1991-08-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a probing card for wafer testing |
| JPH08292209A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-05 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プローブカード、それに用いられるプローブ及びプローブの製造方法 |
| CN109298215A (zh) * | 2017-07-25 | 2019-02-01 | 基思利仪器有限责任公司 | 用于测试集成电路的探针卡系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6294922B1 (en) | Probe for testing a semiconductor integrated circuit | |
| JP2001337110A (ja) | プローブピンおよびプローブカード | |
| JPH1138041A (ja) | プローブカード用片持ち型プローブ針とその製造方法ならびに制御方法 | |
| JPS6310536A (ja) | Ｉｃ測定用プロ−ブカ−ド | |
| JPH07167892A (ja) | プローブ集合体、その製造方法及びそれを用いたｉｃ測定用プローブカード | |
| JPH10132895A (ja) | 半導体装置の電気特性検査装置およびその製造方法 | |
| JP2976619B2 (ja) | 半導体素子検査装置およびその製法 | |
| JPH05267393A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5811741B2 (ja) | プロ−ブボ−ド | |
| TWI309718B (en) | Probe card and method of fabricating the same | |
| JP3761479B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4081309B2 (ja) | 電子部品用ソケット及びその製造方法並びに電子部品用ソケットを用いた実装構造 | |
| JPS63122140A (ja) | 半導体素子検査装置及びその製法 | |
| JPS58162045A (ja) | ウエハ−プロ−ビング用探針ユニツトの構造 | |
| JP2000012587A (ja) | 半導体チップ実装用回路基板のはんだバンプの電気特性検査及びコイニング方法 | |
| JP3318891B2 (ja) | メンブレン型プローブ装置 | |
| JPH01295185A (ja) | 検査装置 | |
| JPS63122141A (ja) | 半導体素子検査装置 | |
| JPH0822875A (ja) | Ｉｃソケット | |
| JP2009236510A (ja) | プローブカード | |
| JPH06213928A (ja) | プローブヘッドの製造方法 | |
| JPH03108350A (ja) | 測定治具 | |
| JP3120784B2 (ja) | 半導体製品の電気特性検査装置及び検査方法 | |
| JPH10132854A (ja) | コンタクタ及びコンタクタの形成方法 | |
| JP2001330627A (ja) | プローブ針構造体及びこれを用いるプローブカード |