JPS6310546A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS6310546A
JPS6310546A JP15551086A JP15551086A JPS6310546A JP S6310546 A JPS6310546 A JP S6310546A JP 15551086 A JP15551086 A JP 15551086A JP 15551086 A JP15551086 A JP 15551086A JP S6310546 A JPS6310546 A JP S6310546A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
center
semiconductor element
lid member
ultraviolet
window
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15551086A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Kubota
茂 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP15551086A priority Critical patent/JPS6310546A/ja
Publication of JPS6310546A publication Critical patent/JPS6310546A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子を内部に収蔵するパッケージの張
部材に、紫外線透過窓が設けられた、紫外線消去型プロ
グラム可能読出し専用メモリ（ＵＶＰＲＯＭ）などの半
導体装置に関する。
〔従来の技術〕
この種の従来のＵＶＰＲＯＭは、第２図（ａ）の断面図
、同図（ｂ）の平面図に示すように、絶縁基体ｌの中央
のキャビティ２に半導体素子３を固着した後、素子３の
電極と内部リード４との間を金属細線で接続し、つぎに
、絶縁基体１と外周縁を一致させてかぶせる絶縁体の蓋
板９の中心部、すなわち、絶縁基体１上の半導体素子３
の真上に位置する部分に、紫外線透過ガラス窓１０が設
けられた絶縁体の蓋部材８を、その下面に付着させであ
る封止材１１を用いて封止していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のＵＶＰＲＯＭタイプの半導体装置は、紫
外線透過ガラス窓が蓋部材の中心に取付けである為、集
積度が高くなり半導体素子も当然大きくなると、紫外１
Ｍ透過ガラス窓も大きくしなければならない。又半導体
素子上に形成する回路で、凡ＯＭ部分が端によっている
場合も同様に大きくしなければならない。絶縁体の蓋部
材に取付ける紫外線透過ガラス窓は、パッケージの形状
により必要以上に大きくすると蓋部材と紫外線透過ガラ
ス窓の熱膨張の違いＫよりクラックが人たり、又は機械
的強度の劣化が起り、安定な品質を有するＵＶＰＲ，０
Ｍタイプの半導体装置を提供する事が出来ない欠点があ
った。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、絶縁体の蓋部材に設けた紫外線
透過窓が蓋部材の中心より横方向にずれた位置に取付け
ている。これはとりもなおさず、この蓋部材を、半導体
素子が固着された絶縁基体にかぶせて封止した際に、前
記半導体素子の中心く対し横方向にずれた位ｆｔＫある
ことになる。
〔実施例〕
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の断面図、同図（ｂ）
は平面図である。これらの図において、これを第２図（
ａ）　、　（ｂ）の従来例と比べた場合、蓋部材５の有
する紫外線透過ガラス窓７の位置が、絶縁基体１の中央
のキャビティ２に半導体素子３を固着し、絶縁基体１と
外周縁を一致させて蓋部材５をかぶせて封止した場合、
半導体素子３の中心Ｃ，テ対し、紫外線透過ガラス窓の
中心Ｃ２が横方向にｄだけすれるように、これは蓋板６
の〒心に対しても同様にずらして、紫外線透過ガラス窓
７を蓋板６に取付けていることが従来例と違うところで
あってその他は同様である。なお、ずれ量ｄは、紫外線
透過ガラス窓７の直径以内であることが望ましい。
〔発明の効果〕
以上説明した様に本発明は絶縁体の蓋板に取付ける紫外
線透過ガラス窓の中心位置をずらしである為、大型の半
導体素子の回路のＲ，０Ｍ９分を半導体素子の端部に回
路設計すれば、半導体素子の大きさに合せて紫外線透過
ガラス窓を大きくする必要がなくなる。
従って、機械的強度及び気密性の劣化することな（ＵＶ
Ｐ几ＯＮｌタイプの半導体装置を提供する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例の断面図、同図（ｂ）
は平面図、第２図（ａ）は従来のＵ　Ｖ　Ｐ　ｋＬＯＭ
の断面図、同図（ｂ）は平面図である。 １・・・・・・絶縁基体、２・・・・・・キャビティ、
３・・・・・・半導体素子、４・・・・・・内部配線、
５，８・・・・・・蓋部材、６．９・・・・・・蓋板、
７，１０・・・・・・紫外線透過窓、１１・・・・・・
封止材。 珀　ｌ　図 筋２図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）絶縁基体のキャビティ底部に半導体素子を固着し
    、紫外線透過窓が設けられた蓋部材を前記絶縁基体に重
    ねて封止してなる半導体装置において、前記蓋部材の紫
    外線透過窓の中心が前記絶縁基体の半導体素子の中心に
    対し横方向にずれた位置にあることを特徴とする半導体
    装置。
  2. （２）上記半導体素子の固着された絶縁基体のキャビテ
    ィは上記絶縁基体の中央に位置し、かつ、上記蓋部材に
    設けられた紫外線透過窓はこの蓋部材の中心からずれた
    位置に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項に記載の半導体装置。
  3. （３）上記半導体素子と紫外線透過窓との間のずれ量は
    前記紫外線透過窓の直径以内であることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項または第２項に記載の半導体装置。
JP15551086A 1986-07-01 1986-07-01 半導体装置 Pending JPS6310546A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15551086A JPS6310546A (ja) 1986-07-01 1986-07-01 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15551086A JPS6310546A (ja) 1986-07-01 1986-07-01 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6310546A true JPS6310546A (ja) 1988-01-18

Family

ID=15607627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15551086A Pending JPS6310546A (ja) 1986-07-01 1986-07-01 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6310546A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02119350U (ja) * 1989-03-14 1990-09-26
JP2008193401A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Epson Toyocom Corp 圧電振動子及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02119350U (ja) * 1989-03-14 1990-09-26
JP2008193401A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Epson Toyocom Corp 圧電振動子及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4699682A (en) Surface acoustic wave device sealing method
US5491110A (en) Metal semiconductor package with an external plastic seal
GB1238569A (ja)
JPS598358Y2 (ja) 半導体素子パツケ−ジ
US3335336A (en) Glass sealed ceramic housings for semiconductor devices
JPH01161736A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPS6310546A (ja) 半導体装置
US2413579A (en) Crystal holder
EP0275122B1 (en) Chip package transmissive to ultraviolet light
KR940012583A (ko) 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법
JPS61267363A (ja) イメ−ジセンサ
JPH01130547A (ja) 半導体装置の製造方法
US7485899B2 (en) Semiconductor package having an optical device and the method of making the same
JPS60177656A (ja) 半導体装置
JPS61294978A (ja) Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置
JPS62124756A (ja) 半導体装置
JPS5943093B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04782A (ja) 半導体レーザ用パッケージ
JPS623898Y2 (ja)
JPS6118884B2 (ja)
JPH03273667A (ja) 樹脂封止型混成集積回路
JPS6336605A (ja) 高周波増幅器モジユ−ル
JPS6329957A (ja) 半導体装置の封止形態
JPH02159748A (ja) 半導体装置
JPH01123442A (ja) 半導体装置用セラミツクパツケージ