JPS61267363A - イメ−ジセンサ - Google Patents

イメ−ジセンサ

Info

Publication number
JPS61267363A
JPS61267363A JP60108702A JP10870285A JPS61267363A JP S61267363 A JPS61267363 A JP S61267363A JP 60108702 A JP60108702 A JP 60108702A JP 10870285 A JP10870285 A JP 10870285A JP S61267363 A JPS61267363 A JP S61267363A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
recess
envelope
chip
image sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60108702A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiko Tokito
時任　良彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP60108702A priority Critical patent/JPS61267363A/ja
Publication of JPS61267363A publication Critical patent/JPS61267363A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/804—Containers or encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に光学ガラス板が接着す
る外囲器に改良を加えたイメージセンサに係わる。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、イメージセンサとしては、第３図及び第４図に示
すものが知られている。ここで、第３図は光学ガラス板
を外囲器と一体化する前の状態を示し、第４図は一体化
した後の状態を示す。
図中の１は、上部に階段状の凹部（窓）２を有した外囲
器である。この外囲器１の凹部２のほぼ中央には、イメ
ージセンサチップ（以下、チップという）３が設けられ
ている。同外囲器１の凹部２の段差面４には、接着剤層
５を介して光学ガラス板６が気密に設けられている。こ
の光学ガラス板６により外部より光が取り入れられる。
〔背景技術の問題点〕
しかしながら、従来のイメージセンサによれば、光学ガ
ラス根６が外囲器１に押さえつける形でシールされるた
め、光学ガラス板６の外囲器１間の接着剤層５が外囲器
１内の方へ流れ。
やがて固まる（図中の７は、固まった接着剤層を示す）
。そして、イメージセンサに対して強い衝撃が加わった
場合、接着剤層７が剥がれ落ち、チップ３上に乗るおそ
れがある。これは、光学的特性に悪影Ｉ＃を与え、特性
不良品の発生を招く。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、接着剤層が
外囲器の内方へはみ出すの全防止した良好な光学的特性
のイメージセンサを提供することケ目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、上部に階段状の凹部′ｆｔｗした外囲器と、
この外囲器の凹部の底面上に設けられたチップと、同外
囲器の凹部の段差面に接着剤層を介して設けられた光学
ガラス板と全具備したイメージセンサにおいて、外囲器
の凹部の段差面のチップ寄りに溝を設けることによって
、光学ガラス板を外囲器に接着する際に生じる余分な接
着剤を受けとめ、光学的特性の維持を図ったことを骨子
とする。
〔発明の実施例〕
ｊ　　　　　以下、本発明の一実施例を第１図及び第２
図を参照して説明する。ここで、第１図はイメージセン
サの断面図、第２図は第１図を縮小して示す平面図であ
る。即ち、第２図のＸ−Ｘ線に浴って切断すると第１図
になる。
図中の１１は、上部に階段状の凹部（窓）１２を有した
外囲器である。この外囲器１ノの凹部１２のほぼ中央底
面には、イメージセンサチップ１３が設けられている。
同外囲器１ノの凹部１２の段差面１４には、チップ１３
寄りに枠状の溝１５が設けられている。同外囲器１ノの
凹部１２の段差面１４上には、接着剤層１６を介して光
学ガラス＠１７が気密に設けられている。
ここで、接着剤層１６は、第２図に示す如く前記溝１５
工Ｖ外側に位置する段差面１４上に塗布されている。な
お、前記光学ガラス板１７は、接着温度約４（）０℃の
状態で接着剤層１６を融解することにより、外囲器１１
に接着剤＠１６を介して取り付けられる。
しかして、本発明によれば、外囲器１ノの凹部１２の段
差面１４に枠状の溝１５が接着剤層１６よりもチップ１
３寄りに設けられた構造となっているため、光学ガラス
Ｖ１１７５接着剤層１６を介して外囲器１１ＶＣ取り付
ける際、接着剤層１６が圧力のために外囲器１ノの内方
に押し流されるが、これが溝１５内に流れ込み、それ以
上外囲器１１の内方へ流されるのを防止できる。従って
、従来のように接着剤層１６が強い衝撃に起因してチッ
プ１３上に乗ることもなく、良好な光学的特性を維持で
きる。
なお、上記実施例では、外囲器の凹部の段差面に溝を設
けたが、これに限らず、光学ガラス板の裏面の所定位置
に溝を設けることも可能である。しかし、一般に光学ガ
ラス板の厚みは十分でないため、溝の部分の強度が不足
する恐れがある。従って、外囲器側に設けることが望ま
しい。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く本発明によれば、接着剤層が外囲器の
内方へはみ出すのを防止した光学的特性の良好なイメー
ジセンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係るイメージセンサの断面
図、第２図は第１図を縮小して示す平面図、第３図は光
学ガラス板を取り付ける前の従来のイメージセンサの断
面図、第４図は光学ガラス板を取り付けた後の同イメー
ジセンサの断面図である。 １１・・・外囲器、１２・・・凹部、１３・・・イメー
ジセンサチップ、１４・・・段差面、１５・・・溝、１
６・・・接着剤層、１７・・・光学ガラス板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　上部に階段状の凹部を有した外囲器と、この外囲器の
    凹部の底面上に設けられたチップと、同外囲器の凹部の
    段差面に接着剤層を介して設けられた光学ガラス板とを
    具備したイメージセンサにおいて、外囲器の凹部の段差
    面のチップ寄りに溝を設けたことを特徴とするイメージ
    センサ。
JP60108702A 1985-05-21 1985-05-21 イメ−ジセンサ Pending JPS61267363A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60108702A JPS61267363A (ja) 1985-05-21 1985-05-21 イメ−ジセンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60108702A JPS61267363A (ja) 1985-05-21 1985-05-21 イメ−ジセンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61267363A true JPS61267363A (ja) 1986-11-26

Family

ID=14491452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60108702A Pending JPS61267363A (ja) 1985-05-21 1985-05-21 イメ−ジセンサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61267363A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11175698A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Copal Co Ltd 読取装置
JP2003060177A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 撮像装置用レンズホルダー及び撮像装置
GB2416245A (en) * 2002-06-26 2006-01-18 Agilent Technologies Inc Imaging Device
JPWO2006073085A1 (ja) * 2005-01-04 2008-06-12 株式会社アイ・スクウェアリサーチ 固体撮像装置パッケージ及びその製造方法
JP2012195617A (ja) * 2012-07-12 2012-10-11 Sharp Corp 電子素子および電子情報機器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11175698A (ja) * 1997-12-11 1999-07-02 Copal Co Ltd 読取装置
JP2003060177A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Shinko Electric Ind Co Ltd 撮像装置用レンズホルダー及び撮像装置
GB2416245A (en) * 2002-06-26 2006-01-18 Agilent Technologies Inc Imaging Device
GB2416245B (en) * 2002-06-26 2007-01-10 Agilent Technologies Inc Imaging device
JPWO2006073085A1 (ja) * 2005-01-04 2008-06-12 株式会社アイ・スクウェアリサーチ 固体撮像装置パッケージ及びその製造方法
KR100877028B1 (ko) * 2005-01-04 2009-01-07 가부시키가이샤 아이스퀘어리서치 고체촬상장치 및 그 제조방법
US8368096B2 (en) 2005-01-04 2013-02-05 Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity
JP2012195617A (ja) * 2012-07-12 2012-10-11 Sharp Corp 電子素子および電子情報機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7268436B2 (en) Electronic device with cavity and a method for producing the same
KR100288385B1 (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
US7012315B1 (en) Frame scale package using contact lines through the elements
JPS60239043A (ja) 半導体装置用パツケ−ジの製造方法
JPS598358Y2 (ja) 半導体素子パツケ−ジ
JPH01115127A (ja) 半導体装置
JPS58127474A (ja) 固体撮像装置
JPH04290477A (ja) 半導体装置及びその実装構造
JP4619553B2 (ja) 半導体装置
JP3100738B2 (ja) Ｉｃカード
JPS6329973A (ja) 電子写真複写装置
JPS5824446Y2 (ja) 半導体装置
JPH03209746A (ja) 半導体パッケージ
JPH04352131A (ja) 平板型表示装置
JPS5992552A (ja) 半導体装置
JPH01194446A (ja) 半導体チップの樹脂封止用セラミック基板
JPH02103967A (ja) 光センサ用パッケージ
JPH0348446A (ja) 半導体装置
JPS63244781A (ja) 半導体発光装置
JPH01130547A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06151796A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像素子用パッケージ
JPS63242072A (ja) 固体撮像装置
JPS6218049Y2 (ja)
JPS634350B2 (ja)
JPH031835B2 (ja)