JPH01123442A - 半導体装置用セラミツクパツケージ - Google Patents
半導体装置用セラミツクパツケージInfo
- Publication number
- JPH01123442A JPH01123442A JP62281626A JP28162687A JPH01123442A JP H01123442 A JPH01123442 A JP H01123442A JP 62281626 A JP62281626 A JP 62281626A JP 28162687 A JP28162687 A JP 28162687A JP H01123442 A JPH01123442 A JP H01123442A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing material
- substrate
- bonding
- grooves
- ceramic package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子を封止する際に使用されるセラミッ
クパッケージに関するものである。
クパッケージに関するものである。
従来のこの種セラミックパッケージは、半導体素子が固
着される凹部が形成された基板と、この基板の凹部と対
向する凹部が形成さｎた蓋体とからなシ、基板と蓋体は
凹部どうしが向き合うよう低融点ガラスによって互いに
接着されている。すなわち、前記基板と蓋体を接着させ
ることによって、半導体素子を気密封止する中空部が形
成されることになる。これを図によって説明すると、第
５図は従来のとの種低触点ガラスシールセラミックパッ
ケージを使用した半導体装置を示す側断面図で、同図に
おいて、１はセラミック基板で、このセラミック基板１
には半導体素子２がろう材（図示せず）を介して固着さ
れる凹部１ａ が形成されている。３は外部装置（図示
せず）と接続されるリードで、前記半導体素子２の配線
用電極パッド（図示せず）に金あるいはアルミからなる
ポンディングワイヤ４を介して接続され、前記セラミッ
ク基板１に低融点ガラスからなる封止材５によって接着
されている。６は蓋体で、全体が前記セラミック基板１
と同様にセラミックによって形成されてオシ、前記リー
ド３とポンディングワイヤ４とのボンディング部を囲む
開口部を有する凹部６ａが形成され、この凹部６ａと前
記セラミック基板１の凹部１ａ とを対向させて前記セ
ラミック基板１に封止材５を介して固着されている。
着される凹部が形成された基板と、この基板の凹部と対
向する凹部が形成さｎた蓋体とからなシ、基板と蓋体は
凹部どうしが向き合うよう低融点ガラスによって互いに
接着されている。すなわち、前記基板と蓋体を接着させ
ることによって、半導体素子を気密封止する中空部が形
成されることになる。これを図によって説明すると、第
５図は従来のとの種低触点ガラスシールセラミックパッ
ケージを使用した半導体装置を示す側断面図で、同図に
おいて、１はセラミック基板で、このセラミック基板１
には半導体素子２がろう材（図示せず）を介して固着さ
れる凹部１ａ が形成されている。３は外部装置（図示
せず）と接続されるリードで、前記半導体素子２の配線
用電極パッド（図示せず）に金あるいはアルミからなる
ポンディングワイヤ４を介して接続され、前記セラミッ
ク基板１に低融点ガラスからなる封止材５によって接着
されている。６は蓋体で、全体が前記セラミック基板１
と同様にセラミックによって形成されてオシ、前記リー
ド３とポンディングワイヤ４とのボンディング部を囲む
開口部を有する凹部６ａが形成され、この凹部６ａと前
記セラミック基板１の凹部１ａ とを対向させて前記セ
ラミック基板１に封止材５を介して固着されている。
どのように構成された半導体装置を組立てるには、先ず
、セラミック基板１の凹部１ａ内に半導体素子２をろう
材によって固着させる。次で、このセラミック基板１に
リード３を封止材５によって接着させ、ボンディングワ
イヤ４でワイヤボンディングを行なう。なお、封止材５
は４００℃〜５００℃において溶融され、溶融状態で接
着部分に滴下される。しかる後、前記セラミック基板１
上に封止材５を介して蓋体６を固着させることによって
組立てが終了する。
、セラミック基板１の凹部１ａ内に半導体素子２をろう
材によって固着させる。次で、このセラミック基板１に
リード３を封止材５によって接着させ、ボンディングワ
イヤ４でワイヤボンディングを行なう。なお、封止材５
は４００℃〜５００℃において溶融され、溶融状態で接
着部分に滴下される。しかる後、前記セラミック基板１
上に封止材５を介して蓋体６を固着させることによって
組立てが終了する。
しかるに、このように構成された従来のセラミックパッ
ケージ′においては、第６図に示すように、セラミック
基板１と蓋体６のそれぞれの接着面が平坦であるため、
封止材５によって接着された後に封止材５が剥れやすい
という問題があった。
ケージ′においては、第６図に示すように、セラミック
基板１と蓋体６のそれぞれの接着面が平坦であるため、
封止材５によって接着された後に封止材５が剥れやすい
という問題があった。
本発明に係る半導体装置用セラミックパッケージは、基
板および蓋体のそれぞれの接着面に凹溝を設けたもので
ある。
板および蓋体のそれぞれの接着面に凹溝を設けたもので
ある。
封止材で凹溝内を満たすことによって、基板および蓋体
と封止材との接着面積が増大され、封止材が強固に接着
される。
と封止材との接着面積が増大され、封止材が強固に接着
される。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るセラミックパッケージを使用し次
子導体装置を示す側断面図、第２図は本発明に係るセラ
ミックパッケージを示す斜視図である。これらの図にお
いて、前記従来例で説明したものと同一もしくは同等部
材については同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明
は省略する。
子導体装置を示す側断面図、第２図は本発明に係るセラ
ミックパッケージを示す斜視図である。これらの図にお
いて、前記従来例で説明したものと同一もしくは同等部
材については同一符号を付し、ここにおいて詳細な説明
は省略する。
これらの図において、１１はセラミック基板１の接着面
に形成された凹溝、１２は蓋体６の接着面に形成された
凹溝で、これらの凹溝１１．１２は、セラミック基板１
および蓋体６の接着面側開口部からそれぞれの内部に向
かうにしたがい幅寸法が次第に狭くなるよう側面視略Ｖ
字形に形成されており、セラミック基板１および蓋体６
を成形する際に同時に形成されている。
に形成された凹溝、１２は蓋体６の接着面に形成された
凹溝で、これらの凹溝１１．１２は、セラミック基板１
および蓋体６の接着面側開口部からそれぞれの内部に向
かうにしたがい幅寸法が次第に狭くなるよう側面視略Ｖ
字形に形成されており、セラミック基板１および蓋体６
を成形する際に同時に形成されている。
このように凹溝１１，１２が形成されたセラミックパッ
ケージを使用して半導体装置を組立てるには、先ず、セ
ラミック基板１に半導体素子２を固着させ、かつリード
３を封止材５によって接着させる。そして、ボンディン
グワイヤ４でワイヤボンディングした後、セラミック基
板１および蓋体６の接着面に封止材を塗布し、両者を接
着させる。乙の際、蓋体６上に重プを載せるか、あるい
はセラミック基板１が上側になるよう裏返し、セラミッ
ク基板１の自重で押圧するか、さらにセラミック基板１
上に重シを載せるかして凹溝１１゜１２内を封止材５で
充満させる。しかる後、封止材５が硬化した時点で組立
てが終了する。
ケージを使用して半導体装置を組立てるには、先ず、セ
ラミック基板１に半導体素子２を固着させ、かつリード
３を封止材５によって接着させる。そして、ボンディン
グワイヤ４でワイヤボンディングした後、セラミック基
板１および蓋体６の接着面に封止材を塗布し、両者を接
着させる。乙の際、蓋体６上に重プを載せるか、あるい
はセラミック基板１が上側になるよう裏返し、セラミッ
ク基板１の自重で押圧するか、さらにセラミック基板１
上に重シを載せるかして凹溝１１゜１２内を封止材５で
充満させる。しかる後、封止材５が硬化した時点で組立
てが終了する。
したがって、凹溝１１，１２にょシ封止材５とセラミッ
ク基板１および蓋体６との接着面積が増大し、封止材５
が強固に接着されることになる。
ク基板１および蓋体６との接着面積が増大し、封止材５
が強固に接着されることになる。
また、本実施例では凹溝１１，１２が側面視略Ｖ字形に
形成されたものを示したが、この凹溝１１．１２を第３
図および第４図に示すように、側面視略矩形および側面
視略半円形に形成しても同等の効果が得られる。
形成されたものを示したが、この凹溝１１．１２を第３
図および第４図に示すように、側面視略矩形および側面
視略半円形に形成しても同等の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、基板および蓋体の
それぞれの接着面に凹溝を設けたため、この凹溝内を封
止材で溝たすことによって基板および蓋体と封止材との
接着面積が増大さｎ、封止材が強固に接着される。
それぞれの接着面に凹溝を設けたため、この凹溝内を封
止材で溝たすことによって基板および蓋体と封止材との
接着面積が増大さｎ、封止材が強固に接着される。
したがって、封止材が剥れにくくなシ、気密性が良く高
品質の半導体装置を得ることができる。
品質の半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明に係るセラミックパッケージを使用した
半導体装置を示す側断面図、第２図は本発明に係るセラ
ミックパッケージを示す斜視図、第３図および第４図は
他の実施例を示す図、第５図は従来の低融点ガラスシー
ルセラミックパッケージを使用した半導体装置を示す側
断面図、第６図は従来のセラミックパッケージを示す斜
視図である。 １・・・・セラミック基板、５・・・・封止材、６・・
・・蓋体、１１，１２・・・−凹溝。
半導体装置を示す側断面図、第２図は本発明に係るセラ
ミックパッケージを示す斜視図、第３図および第４図は
他の実施例を示す図、第５図は従来の低融点ガラスシー
ルセラミックパッケージを使用した半導体装置を示す側
断面図、第６図は従来のセラミックパッケージを示す斜
視図である。 １・・・・セラミック基板、５・・・・封止材、６・・
・・蓋体、１１，１２・・・−凹溝。
Claims (1)
- 封止材によつて互いに接着される基板および蓋体とか
らなる半導体装置用セラミックパッケージにおいて、前
記基板および蓋体のそれぞれの接着面に凹溝を設けたこ
とを特徴とする半導体装置用セラミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281626A JPH01123442A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体装置用セラミツクパツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62281626A JPH01123442A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体装置用セラミツクパツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01123442A true JPH01123442A (ja) | 1989-05-16 |
Family
ID=17641740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62281626A Pending JPH01123442A (ja) | 1987-11-06 | 1987-11-06 | 半導体装置用セラミツクパツケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01123442A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014165305A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kyocera Crystal Device Corp | 電子デバイス及びそのガラス封止方法並びに電子デバイス用蓋部材 |
| CN108529550A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-14 | 北京航天控制仪器研究所 | 基于晶圆键合工艺的圆片级封装mems芯片结构及其加工方法 |
-
1987
- 1987-11-06 JP JP62281626A patent/JPH01123442A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014165305A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kyocera Crystal Device Corp | 電子デバイス及びそのガラス封止方法並びに電子デバイス用蓋部材 |
| CN108529550A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-09-14 | 北京航天控制仪器研究所 | 基于晶圆键合工艺的圆片级封装mems芯片结构及其加工方法 |
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