JPS631065A - シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS631065A JPS631065A JP14533486A JP14533486A JPS631065A JP S631065 A JPS631065 A JP S631065A JP 14533486 A JP14533486 A JP 14533486A JP 14533486 A JP14533486 A JP 14533486A JP S631065 A JPS631065 A JP S631065A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はショットキーバリアダイオード特にモリブデン
をバリア層とするショットキーバリアダイオードの製造
方法に関する。
をバリア層とするショットキーバリアダイオードの製造
方法に関する。
従来の技術
従来、バリア金属としてモリブデンを用いたショットキ
ーバリアダイオードを製造する場合、通常モリブデンは
真空蒸着によりＮ型シリコン基板上に蒸着していた。こ
の場合シリコン基板は複数個のショットキーバリアダイ
オードを形成するため隣接するダイオード間は、二酸化
珪素膜で絶縁されている。
ーバリアダイオードを製造する場合、通常モリブデンは
真空蒸着によりＮ型シリコン基板上に蒸着していた。こ
の場合シリコン基板は複数個のショットキーバリアダイ
オードを形成するため隣接するダイオード間は、二酸化
珪素膜で絶縁されている。
発明が解決しようとする問題点
上述の方法でモリブデンを真空蒸着した場合、しばしば
シリコンと二酸化珪素膜との段差部においてモリブデン
膜がはがれ、ショットキーバリアダイオードの性能およ
び歩留りをそこなう原因となっていた。本発明は、従来
例にみられた問題を排除するものであり、モリブデン膜
がはかれることなくシリコンと二酸化珪素膜の良好な接
触を実現するものである。
シリコンと二酸化珪素膜との段差部においてモリブデン
膜がはがれ、ショットキーバリアダイオードの性能およ
び歩留りをそこなう原因となっていた。本発明は、従来
例にみられた問題を排除するものであり、モリブデン膜
がはかれることなくシリコンと二酸化珪素膜の良好な接
触を実現するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、モリブデンをバリア金属として用いたショッ
トキーバリアダイオードの製造方法を提供するも６ので
、特にモリブデンを真空蒸着により蒸着する場合の蒸着
速度を規制することにより、二酸化珪素膜とシリコン基
板との段差部で生じるはがれを皆無にしようとするもの
である。
トキーバリアダイオードの製造方法を提供するも６ので
、特にモリブデンを真空蒸着により蒸着する場合の蒸着
速度を規制することにより、二酸化珪素膜とシリコン基
板との段差部で生じるはがれを皆無にしようとするもの
である。
発明者らは、シリコン基板上に二酸化珪素膜とシリコン
の段差を有する種々の条件下でモリブデンを蒸着したと
ころ、モリブデンの蒸着速度を５〜２５Å／ｓｅｃに規
制することがはがれ防止に重要であることがわかった。
の段差を有する種々の条件下でモリブデンを蒸着したと
ころ、モリブデンの蒸着速度を５〜２５Å／ｓｅｃに規
制することがはがれ防止に重要であることがわかった。
作用
モリブデンの蒸着速度を５〜２５Å／ｓｅｃにして蒸着
した場合、二酸化珪素膜とシリコンの段差部ではがれる
ことなくショットキーバリアダイオードを形成すること
ができる。これは蒸着速度を小さくすることにより蒸着
初期においては、シリコン基板上および二酸化珪素膜上
でのモリブデンの核形成を容易にし、蒸着後期において
はモリブデン粒子のモリブデン膜上での移動を容易にし
て、膜を緻密化しているためと考えられる。
した場合、二酸化珪素膜とシリコンの段差部ではがれる
ことなくショットキーバリアダイオードを形成すること
ができる。これは蒸着速度を小さくすることにより蒸着
初期においては、シリコン基板上および二酸化珪素膜上
でのモリブデンの核形成を容易にし、蒸着後期において
はモリブデン粒子のモリブデン膜上での移動を容易にし
て、膜を緻密化しているためと考えられる。
第１図には、モリブデンの蒸着速度を変えた時の二酸化
珪素膜とシリコンの段差部でのモリブデン膜のはがれ率
を示した。図かられかるように蒸着速度は５〜２５ Ａ
／ｓｅｃの範囲が最適であった。
珪素膜とシリコンの段差部でのモリブデン膜のはがれ率
を示した。図かられかるように蒸着速度は５〜２５ Ａ
／ｓｅｃの範囲が最適であった。
実施例
次に本発明の実施例を第２図に従って説明する。
比抵抗０．００２Ωｃ＋ｕのＮ型シリコンサブストレー
ト上に比抵抗１Ωｃｍ、厚み５μＩのＮ＋型シリコンエ
ピタキシャル層２を形成し、前記エピタキシャル層２上
を乾燥した酸素中で酸化し、約３０００Ａの二酸化珪素
膜３を形成した。その後ショットキーバリアを形成する
領域の二酸化珪素膜を除去したのち、電子ビーム法によ
り厚み４０００Ａのモリブデン膜４、厚み１０００Ａの
チタン膜５そして５００００Ａのアルミニウム膜６を連
続的に形成した。その後アルミニウム膜６．チタン膜５
そしてモリブデン膜４を順次エツチングし、第２図に示
す断面構造のショットキーバリアダイオードを得た。
ト上に比抵抗１Ωｃｍ、厚み５μＩのＮ＋型シリコンエ
ピタキシャル層２を形成し、前記エピタキシャル層２上
を乾燥した酸素中で酸化し、約３０００Ａの二酸化珪素
膜３を形成した。その後ショットキーバリアを形成する
領域の二酸化珪素膜を除去したのち、電子ビーム法によ
り厚み４０００Ａのモリブデン膜４、厚み１０００Ａの
チタン膜５そして５００００Ａのアルミニウム膜６を連
続的に形成した。その後アルミニウム膜６．チタン膜５
そしてモリブデン膜４を順次エツチングし、第２図に示
す断面構造のショットキーバリアダイオードを得た。
発明の詳細
な説明したように、真空蒸着によりモリブデンを蒸着す
る場合、その蒸着速度を５〜２５ Å／ｓｅｃに規制す
ることにより、モリブデン膜の二酸化珪素膜とシリコン
との段差におけるはがれを皆無にすることができる。
る場合、その蒸着速度を５〜２５ Å／ｓｅｃに規制す
ることにより、モリブデン膜の二酸化珪素膜とシリコン
との段差におけるはがれを皆無にすることができる。
その結果、順方向特性や耐圧特性の安定化と製造歩留り
の向上に貢献する。
の向上に貢献する。
第１図は本発明のショットキーダイオードのモリブデン
蒸着速度に対するモリブデン膜のはがれ率の特性図、第
２図は本発明のショットキーダイオードの断面図である
。 １・・・・・・Ｎ型シリコンサブストレート、２・・・
・・・Ｎ＋型シリコンエピタキシャル層、３・・・・・
・二酸化珪素膜、４・・・・・・モリブデン膜、５・・
・・・・チタン膜、６・・・・・・アルミニウム膜。 第１図 モ １】 第２図
蒸着速度に対するモリブデン膜のはがれ率の特性図、第
２図は本発明のショットキーダイオードの断面図である
。 １・・・・・・Ｎ型シリコンサブストレート、２・・・
・・・Ｎ＋型シリコンエピタキシャル層、３・・・・・
・二酸化珪素膜、４・・・・・・モリブデン膜、５・・
・・・・チタン膜、６・・・・・・アルミニウム膜。 第１図 モ １】 第２図
Claims (2)
- （１）モリブデンの蒸着速度を５〜２５Å／ｓｅｃで形
成したモリブデン膜をバリア層とした事を特徴とするシ
ョットキーバリアダイオードの製造方法。 - （２）Ｎ型シリコン基板上にＮ＾＋型エピタキシャル層
を形成する工程と、前記エピタキシャル層上に二酸化珪
素膜を形成し、前記二酸化珪素膜の所定の領域を開孔す
る工程と、前記開孔部と前記二酸化珪素膜上に電子ビー
ム法によりモリブデン膜、チタン膜、及びアルミニウム
膜を順次蒸着する工程と、前記アルミニウム膜、チタン
膜及びモリブデン膜を順次エッチングして電極を形成す
る工程とを含む特許請求の範囲第（１）項記載のショッ
トキーバリアダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14533486A JPS631065A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14533486A JPS631065A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS631065A true JPS631065A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15382769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14533486A Pending JPS631065A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | シヨツトキ−バリアダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS631065A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03219674A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の電極構造及びその製造方法 |
| JPH0766391A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Nec Corp | オーミック電極 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14533486A patent/JPS631065A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03219674A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-09-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の電極構造及びその製造方法 |
| JPH0766391A (ja) * | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Nec Corp | オーミック電極 |
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