JPS631083A - 熱電効果素子 - Google Patents

熱電効果素子

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Publication number
JPS631083A
JPS631083A JP61145358A JP14535886A JPS631083A JP S631083 A JPS631083 A JP S631083A JP 61145358 A JP61145358 A JP 61145358A JP 14535886 A JP14535886 A JP 14535886A JP S631083 A JPS631083 A JP S631083A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
type semiconductors
effect element
thermoelectric effect
insulating film
sheets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61145358A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Nakada
中田 純一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Refrigeration Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Refrigeration Co filed Critical Matsushita Refrigeration Co
Priority to JP61145358A priority Critical patent/JPS631083A/ja
Publication of JPS631083A publication Critical patent/JPS631083A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、冷蔵庫等に用いられる熱電効果素子に関する
ものである。
従来の技術 近年、ペルチュ効果を利用した熱電効果素子は、2枚の
絶縁板の間に、半導体をはさみ固定するという方式が採
られている。
以下、図面を参照しながら、上述した従来の熱電効果素
子の一例について説明する。
第3図から第4図は、従来の熱電効果素子を示すもので
ある。第3図において、1は熱電効果素子であり電気絶
縁性のある2枚の1門程度のセラミック板2と、その間
にはさみ込まれ、はんだ3で、セラミック板2に固定さ
れたN型半導体4とP型半導体6より成り立つ。
N型半導体4とP型半導体6は、交互に並べられ、はん
だ3により、電気的に直列につながれており、また、そ
の両端には、直流電流を通すコード6が取りつけられて
いる。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、電気絶縁と構造
体としての強度が必要なため、セラミック板2を用いて
いるが、セラミック板は、可とう性がないので曲げや衝
撃力に対し簡単に割れるという問題を有していた。
また、N型半導体4とP型半導体5の接続とセラミック
板2への固定に、はんだ3を用いているが、はんだ3が
均一に薄く塗布できないために盛り上がったり流れたり
して、短絡による不良率が非常に多く、生産性が極めて
悪いという問題点を有していた。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決する為に本発明の熱電効果素子は、N
型半導体とP型半導体を、交互に直列につながる様に導
電性接着剤を電気絶縁フィルム上に、パターン塗布し、
かつその電気絶縁フィルムを貼りつけだ2枚の金属の薄
板ではさみ込み固定するという構成を備えたものである
作  用 本発明は、上記した構成によって、熱電効果素子自体に
若干の可とう性を与え、曲げや衝撃力に対しても割れる
ことがなく、また、導電性接着材を用いることで、均一
塗布が可能となυ、短絡による不良率が低減できて生産
性を向上させるものである。
実施例 以下本発明の一実施例の熱電効果素子について、図面を
参照しながら説明する。
第1図は、本発明の一実施例における熱電効果素子であ
る。従来例と同一構成のものについては、同一番号を符
してその詳細な説明を省略する。
図において、1は熱電効果素子であり、2枚の0.5簡
程度のアルミ、銅、鉄等の金属の薄板7の間にN型半導
体4とP型半導体5をはさみ込み固定している。薄板7
の片面には、電気絶縁性のため60〜100μ程度のポ
リエステル等の電気絶縁フィルム8を接着してあり、電
気絶縁フィルム8上には、前記N型半導体4とP型半導
体5を電気的に直列に接続し、かつ薄板2に固定するだ
めの導電性接着剤9が、接着前にあらかじめパターン塗
布しである。導電性接着剤9としては、通常の溶剤型や
2液温合反応型の接着剤に、カーボンや金属粉を分散さ
せたものを用い、塗布厚は、100μ〜200μ程度で
良い。N型半導体4とP型半導体6を、前記導電性接着
剤9を塗布した電気絶縁フィルム8付き薄板2にはさみ
、数分間s O、!i’ / d程度の圧力を加えれば
、熱電効果素子1が作られる。
以上の様に本実施例によれば、金属の薄板でN型半導体
とP型半導体をはさみ固定するので、熱電効果素子自体
に若干の可とう性を与え、曲げや衝撃力に対しても割れ
ることがなく、N型半導体とP型半導体を導電性接着材
で接続し、薄板に固定するため、均一塗布が可能となり
、短絡による不良が低減し、生産性を非常に向上させる
ことができる。
発明の効果 以上の様に本発明は、N型半導体とP型°半導体を交互
に直列につながる様に、導電性接着剤を電気絶縁フィル
ム上にパターン塗布し、かつその電気絶縁フィルムを貼
りつけた2枚の金属の薄板ではさみ込み固定した熱電効
果素子であるので、熱電効果素子自体に若干の可とう性
を与え、曲げや衝撃力に対しても割れることがなく、ま
た、短絡による不良が低減し、生産性を著しく向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における熱電効果素子の斜視
図、第2図は第1図のI−I線における断面図、第3図
は従来の熱電効果素子の斜視図、第4図は第3図のII
−II’線における断面図である。 4・・・・・・N型半導体、5・・・・・・P型半導体
、7・・・・・・薄板、岨・・・・・・電気絶縁フィル
ム、9・・・・・・導電性接着剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名4−
−−−N型半各1苓 5−−−P警手等・年 7−−−薄板 第2図       7 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. N型半導体とP型半導体を、交互に直列につながる様に
    、導電性接着剤を電気絶縁フィルム上にパターン塗布し
    、かつその電気絶縁フィルムを貼りつけた2枚の金属の
    薄板で、はさみ込み固定した熱電効果素子。
JP61145358A 1986-06-20 1986-06-20 熱電効果素子 Pending JPS631083A (ja)

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JP61145358A JPS631083A (ja) 1986-06-20 1986-06-20 熱電効果素子

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JP61145358A JPS631083A (ja) 1986-06-20 1986-06-20 熱電効果素子

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JPS631083A true JPS631083A (ja) 1988-01-06

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ID=15383345

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JP61145358A Pending JPS631083A (ja) 1986-06-20 1986-06-20 熱電効果素子

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JP (1) JPS631083A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999034452A1 (en) * 1997-12-25 1999-07-08 Seiko Instruments Inc. Thermoelectric generation unit and portable electronic device using the unit
JP2006120670A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Okano Electric Wire Co Ltd 熱電変換モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999034452A1 (en) * 1997-12-25 1999-07-08 Seiko Instruments Inc. Thermoelectric generation unit and portable electronic device using the unit
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