JPS63111180A - 無電解メッキ用基板コンディショニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ、産業上の利用分野 この発明は誘電材料のコンディショニングに関するもの
であり、特に、導電性金属を上に無電解付着させる基板
を作成するための誘電体基板の処理に関するものである
。このコンディショニングは、孔の中にも基板表面上に
も、またはその両方にも行なうことができる。この発明
は特に印刷回路カードおよび印刷回路ボードの製造に適
用することができる。

Ｂ、従来技術 印刷回路カードまたは印刷回路ボードの製造において、
誘電体のシート材料が基板として用いられる。この基板
の主表面の片面または両面に、導電性回路パターンが形
成される。

導電性パターンは、基板の表面上に、周知の各種技術に
より形成することができる。これら周知の技術には、銅
の層をエツチングして、所要の回路パターンを形成する
サブトラクティブ法、銅を基板表面上に、所要の形状に
直接無電解メッキをするＥＤＢ　（無電解直接付着）、
ピール・アパート銅の薄層から、所要の回路パターンを
はがすピール・アパート法などがある。さらに、層と層
との接続は、メッキしたスルーホールまたはバイアによ
り行なわれる。このような孔をメッキする場合、銅を直
接誘電体基板（スルーホールまたはバイアの内壁）にメ
ッキする必要がある。さらに、無電解直接付着法を用い
る場合は、基板表面にも直接メッキする必要がある。

誘電体基板は非電導性であるため、基板にメッキする場
合（孔の壁の場合も、基板表面の場合も）基板上に金属
を付着させる前に、基板をシード付け、すなわち触媒化
する必要がある。

触媒化に広く用いられている方法に、基板を塩化第一す
ず増感剤溶液と塩化パラジウム活性剤で処理し、金属パ
ラジウム粒子の層を形成させる方法がある。たとえば、
米国特許第３０１１９２０号明細書には誘電体基板を触
媒化する方法が例示されている。この方法は、基板をま
ずコロイド金属溶液で基板を処理して増感し、増感した
誘電体基板から選択性溶剤により保護コロイドを除去し
て処理を促進させた後、増感した基板上に、金属コーテ
ィングを無電解付着させる。たとえば銅の場合は、銅塩
と還元剤の溶液を用いて付着させる。

また、米国特許第３００９Ｅｉ０８号明細書に開示され
ているように、誘電体基板上に半コロイド溶液から金属
パラジウム等の“導電化“型金属粒子の薄膜を付着させ
て前処理を行ない、導電化された基板上の導電性金属に
電気メッキが行なえるような導電性の基板を形成するこ
ともできる。

米国特許第４０６６８０９号明細書には、いわゆる“ト
リプル・シーディング技術が開示されている。この方法
は、誘電材料の表面に塩化第一すず増感剤水溶液を接触
させた後、塩化パラジウム活性化側水溶液を接触させ、
次に塩化パラジウム・塩化第一すず・塩酸水溶液のシー
プ・バスに浸漬させるものである。

最近になって、米国特許第４４７８８８３号および第４
５５４１８２号明細書には、誘電体基板の表面を少なく
とも２種類の、利用可能なイオン部分を有する多官能性
イオン性重合体材料を含有する組成物でコンディショニ
ングすることにより、誘電体基板のシーディングまたは
活性化の効率を高め、導電性金属の無電解メッキを改善
し、信頼性を得る方法が開示されている。上記重合体材
料には、非反応性のポリアクリルアミドの主鎖に、テト
ラアルキルアンモニウムの化合物の短鎖が結合した共重
合体が含まれる。

Ｃ０発明が解決しようとする問題点 米国特許第４５５４１８２号および第４４７８８８３号
明細書に開示されたコンディショニングの方法は、大部
分は満足できるものであるが、これらの方法は湿式処理
を必要とするため、湿式法に特有の問題を有する。湿式
法に伴う問題の中には、環境および安全の問題がある。

たとえば、水性組成物は加水分解や細菌の影響のおそれ
がある。

このため、このような組成物は、毎日など一定期間ごと
に廃棄して、毎回組成物を新しく調整する必要がある。

また、バッチごとの均一性を保つため、基板表面上の重
合体の組成および量の制御に十分な注意を払う必要があ
る。このために、組成物の撹拌、温度、コーティングさ
れた基板が次のすすぎ洛中にある時間、および使用する
組成物の純度等を注意深く制御する必要がある。必要な
制御の観点から、特には基板上に残った重合体の量が、
所要の量と異なる場合があり、この場合、表面上に残る
シープ組成物の量が異なる。このことは、必要な量との
差異が大き過ぎると問題を生じることがある。たとえば
、表面上に残ったシープの濃度は、低過ぎるとメッキが
不良になり、高過ぎるとレジストや、後の工程でメッキ
する銅にふくれを生じるため、きわめて重要である。

また、上記の湿式法を使用すると、使用するフォトレジ
ストの接着力の低下により、後の工程でメッキする金属
の剥離が生ずることがあることも判明した。

Ｄ６問題点を解決するための手段 この発明は、湿式化学処理を必要とせず、したがって湿
式化学処理に特有の問題を無くした誘電体基板のコンデ
ィショニング法に関するものである。さらに、この発明
の方法は、基板と、後の工程でメッキされた金属のパタ
ーンを形成するのに用いるフォトレジストとの接着を増
大させる。この発明の方法は、誘電体基板の乾式プラズ
マ・コンディショニングに関するものである。特にこの
発明によれば、後の導電性金属を無電解メッキするため
の誘電体基板材料が、基板を気体のプラズマに露出させ
ることによりコンディショニングされる。基体のプラズ
マはアンモニア、有機アミンまたはこれらの混合物から
得られる。基板を気体のプラズマに露出した後、コロイ
ド状の触媒を含有する組成物と接触させて、活性化し、
直接または先駆物質として、導電性金属の無電解メッキ
の開始が可能な触媒化された領域を形成する。

この発明により、１回のシーダニ程を用いるだけで、孔
の中、およびＥＤＢ法を用いる場合には、主表面上の両
方に、優秀なメッキを行なうことが可能になる。

Ｅ、実施例 この発明の方法は、各種の誘電（非電導性）基板の処理
、またはコンディショニングに適用される。誘電体基板
、好ましくは熱硬化性樹脂をこの発明により処理するこ
とができる。

代表的な熱硬化性樹脂には、エポキシ、フェノールを主
体とする材料、ポリイミドおよびポリアミドがある。誘
電材料は、ガラスを充填したエポキシまたはフェノール
系材料等、フィラーまたは補強材、もしくはその両方を
含有する重合体の成形品とすることができる。フェノー
ル系材料には、フェノール、レゾルシノールおよびクレ
ゾールの共重合体がある。この発明により処理する基板
は、アーンモニアまたはアミン類、もしくはその両方に
反応する極性基を含み、水酸基およびエポキシ基を含む
ものが好ましい。

代表的なエポキシ樹脂には、ビスフェノールＡとエビク
ロロヒドリンから得られるビスフェノールＡ型樹脂、フ
ェノール等のフェノール系材料と、ホルムアルデヒド等
のアルデ、ヒトから製造スるノボラック樹脂を、エビク
ロロヒドリンでエポキシ化して得られる樹脂状材料、テ
トラグリシジルジアミノジフェニルメタン等の多官能性
エポキシ樹脂、アジピン酸ビス（３，４−エポキシ−６
−メチルシクロヘキサメチル）等の脂環式エポキシ樹脂
等がある。最も通常に用いられるエポキシ樹脂は、ビス
フェノールＡ型である。

また、エポキシ樹脂は、周知のように促進剤および硬化
剤を含んだものでもよい。適当な硬化剤の例に、ポリア
ミド、第１、第２および第３アミン類、ポリアミド、ポ
リスルホン、ユリアーフェノールーホルムアルデヒド、
酸類、無水酸類などがある。ほかに、適当な硬化剤には
ＢＦ３およびその錯体などのルイス酸がある。

導電体基板は通常ガラス繊維等のフィラーまたは補強材
、もしくはその両方を含有する。このような繊維を含有
する組成物は、エポキシ組成物を繊維に含浸させて製造
する。繊維に配合する場合、エポキシ組成物の量は、エ
ポキシ組成物とガラス繊維との固形分の総量に対して通
常約３０ないし約７０％で、約５５ないし約６５重量％
のものが最も一般的である。

組成物を補強用ガラス繊維と配合した後、硬化させてＢ
状態とし、シート等、所要の形状に成形する。シートを
使用する場合、厚みは通常約１゜５ないし約８ミル、好
ましくは約２ないし約３ミルとする。Ｂ状態への硬化は
、一般に約８０ないし約１００°Ｃの温度で約３ないし
約１０分で行なう。

次に一般に行なわれているように、基板を他の支持基板
と積層する。たとえば、これらの基板の接着は、数枚の
基板のシートを、予熱したプレスを用いて、所定の圧力
および温度、たとえば約２００ないし約５００　ｐｓ　
ｌ　Ｎ好ましくは約２５０ないし約３００ｐｓｉの圧力
、約１８０℃の温度で圧縮して行なう。圧縮工程の時間
は、使用する材料および圧力により可変である。上記の
条件では、約１時間が適当である。

この明細書における“表面”の用語は、基板の主表面の
ほかにスルーホールの内面も含むものとする。たとえば
、この発明は、回路がビールアパート銅の薄層上の付加
的メッキ、またはサブトラクティブ法によって形成され
るメッキしたスルーホールのシーディングに宵用である
。また、この発明は、無電解直接接着（ＥＤＢ）を用い
る場合、溶液中でのシーディングにも宵月である。この
場合、回路は孔の中にも、基板表面の所要区域にも、付
加的にメッキする。

この発明の方法により、誘電体基板の処理を開示する前
に、基板に所要のスルーホールをあけ、スルーホールを
あけた基板を適当に洗滌、前処理を行なう。

たとえば、前処理には、犠牲ホイル法、サンドブラスト
または蒸気ブラスト等の物理的手段と、溶剤による膨潤
等の化学的方法のいずれか、または両方を用いた活性サ
イトの形成などがある。代表的な溶剤は、Ｎ−メチルピ
ロドリンである。基板はまた、クロム酸混液で前処理し
てもよい。

この発明によれば、基板をアンモニアまたはを機アミン
類、もしくはその両方から得られる気体プラズマに露出
する。適当な有機アミン類はＲＩＮ（Ｒ２）２および（
Ｒ２）　２　Ｎ　Ｒ３Ｎ　−（Ｒ”　）　２で表わされ
る。

Ｒ１は１価の炭化水素基である。

各Ｒ２は、それぞれ水素原子または１価の炭化水素基で
ある。Ｒ３は、２価の炭化水素基である。

これらの炭化水素基は、通常工ないし約１２の炭素原子
、好ましくは工ないし４個の炭素原子を含存する。

さらに、窒素原子と結合した炭化水素基は、ハロゲン原
子、水酸基、アルコキシル基と置換することができる。

適当なアミンの例として、メチルアミン、ジメチルアミ
ン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルア
ミン、ｎ−プロピルアミン、ジーｎ　−プロピルアミン
、トリーｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−
アミルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ラウリルアミン、
エチレンジアミン、トリタメレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、エタノールアミン、ジェタノールアミン
、アリルアミン、アリルジメチルアミン、２−アミノジ
エチルエーテル、１−ジメチルアミノ−２−クロロエタ
ン、シクロプロピルアミン、シキロヘキシルアミン、エ
チレンイミン、１−メチルエチレンイミン等がある。

アンモニアとアミンは単独でも、これらを混合しても、
使用することができる。さらに、必要があれば、アンモ
ニアおよびアミンの一方または両方ハ、ヘリウム、アル
ゴン、ネオン、窒素、亜酸化窒素、−酸化窒素、二酸化
窒素、酸素、空気、−一酸化炭素、二酸化炭素、水素等
の無機気体で希釈することができる。希釈用の無機気体
をプラズマ雰囲気中で使用する場合は、アンモニアまた
は有機アミン・ガスの分圧の１／１０以下の量を使用す
ることが好ましい。

プラズマ処理は、まず、プラズマ反応チェンバを、たと
えば約１０−５トルの基礎圧力に減圧する。

チェンバの圧力が、所要の動作圧力で安定した後、アン
モニアおよびアミンのいずれか一方または両方を、標準
状態で約２０ないし約４０００ｃｍ３／分、典型的には
約１０００ｃｍ３／分の流速で流し、電極および外部電
源を用いて、所要の周波数、所要の強さの電流を供給す
る。プラズマ処理に必要な圧力は、約０．１ないし約４
トル、好ましくは約０．２ないし約０．８トルである。

基板温度は通常室温ないし約３００’Ｆとする。使用す
る電力密度は、プラズマ装置の１表面について、約０゜
０１ないし約０．５Ｗ／ａｍ２とする。

この処理は通常約１０ないし約１５０分間行なう。

プラズマ装置の電極に供給する電力および電流は、処理
を行なう基板を入れた反応チェンバ内にプラズマを形成
する。

使用する電力はどのような電気エネルギー源からも得ら
れるが、発電機が代表例である。

この発明のプラズマ処理を行なうのに適したプラズマ反
応器は、市販のものでこの明細書では詳細に説明する必
要はない。この発明の実施に適した代表的な市販のプラ
ズマ反応器は、ＰｈｏｅｎｉｘＭａｔｅｒｉａｌ　Ｃｏ
ｍｐａｎｙ　　（Ｐ　Ｍ　Ｃ）のＭｏｄｅｌ　７１１、
Ｂｒａｎｓｏｎ社のＩＰＣ−Ｐａｒａｌｌｅｌ　Ｐｌａ
ｔｅ　Ｒｅａｃｔｏｒ　Ｍｏｄｅ！７４１５、Ｋｏｋｓ
ａｉ社のインライン・プラズマ・システム、Ａｐｐｌｉ
ｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｙｓｔｅｍ社のプラズマ曇りア
クタ、およびＴｅｃｈｎ　ｉｃｓ社のプラズマ・リアク
タなどがある。

この発明により、基板をプラズマ処理した後、基板を無
電解メッキを開始させることのできる触媒組成物を含有
する組成物に接触させることにより活性化させる。この
組成物は、直接触媒化サイトを形成するか、または触媒
化サイトを形成する先駆物質として作用する金属を含有
する。触媒組成物中の金属は、元素の形、合金、化合物
、またはこれらの混合物のいずれでもよい。好ましい金
属触媒は金、パラジウム、プラチナ等の貴金属である。

最も好ましい触媒はパラジウムである。代表的なパラジ
ウム組成物は、約１．２ないし２．５ｇ／αパラジウム
塩（好ましくはＰ　ｄ　Ｃ９２）、約８０ないし１５０
ｇ／ｕの第１スズ塩（好ましくは５ｎＣＱ、２”２Ｈ２
０）および約１００ないし１５０ｍＭの酸（好ましくは
ＨＣＱ）を含有する。

ＨＣｆｉが３７％溶液の場合は、約２８０ないし約３８
０ｍαのＨＣＱを使用するのが好ましい。最も好ましい
組成物は、ＰｄＣα２約１．５ｇ／Ｑ、、ＳｎＣα２・
２Ｈ２０約８０ｇ／ｕ、および３７％ＨＣＱ約２８０ｍ
誌を含有するものである。この組成物は、通常約６５±
１０°Ｆの温度に保つ。

代表的なトリプル・シーダ法では、まず誘電体基板の表
面およびスルーホールの一方または両方を、塩化第一す
ず増感溶液（ＳｎＣｕ２・ＨＣ誌）に接触させる。通常
接触時間は４ないし１０分間で、約７分間が最も一般的
である。次に、基板またはスルーホールから塩化第一す
ずを水ですすいで除去する。通常約５５ないし約８０℃
の温水によりすすぎを行なう。

シーディングの次の段階は、誘電体基板の表面およびス
ルーホールの表面のいずれかまたは両方を、塩化パラジ
ウム活性化剤に、２±１分間浸漬することによって行な
う。

シーディング工程の第３段階は、基板表面およびスルー
ホール表面のいずれかまたは両方を、塩化パラジウム・
塩化第一すず・塩酸のシーダ浴に接触させることである
。接触時間は、１ないし１０分間とすることができるが
、一般には約５分である。

この工程の第１段階の溶液は、５３ないし５７ｇ／ｎの
５ｎＣＱ２”２Ｈ２０を、含有する塩化第一すず溶液を
、５０ｍα／立の３７％塩酸により、ｐＨを０．２ない
し０．５に調節すると、所要の前処理溶液が得られる。

ＳｎＣα２・２Ｈ２０を塩酸に溶解して、得られた混合
物を脱イオン水のタンクに加える。溶液のｐＨは通常約
０．４で、８５±１０°Ｆの温度に保つ。

トリプル・シーダ法の第２段階のため、５０ｇの塩化パ
ラジウム（濃度０．１３ないし０．１７ｇ／Ｑ、）を約
３７８０ｍＱ、の３７％塩酸と混合して、塩化パラジウ
ム浴を形成する。ＰｄＣ９，２を塩酸に溶解して、得ら
れた混合物を脱イオン水のタンクに加える。この場合も
浴はｅ５±１０°Ｆの温度に保ち、ｐＨは０．７５ない
し１．００に保つ。

最後の塩化パラジウム、塩化第一すずおよび塩酸のシー
ダ浴は、１．２ないし２．５ｇ／Ｑ、のＰ　ｄ　Ｃ２２
，８０ないし１５０ｇ／Ｑの５ｎＣＱ２ａ２Ｈ２０およ
び２８０ないし３６０ｍＱ／見の３７％ＨＣαからなる
浴である。この第３のシーディング浴も、６５±１０°
Ｆの温度に保つ。代表的な浴の溶液は、Ｐ　ｄ　ＣＱ、
２約１．５ｇ／ｕ。

Ｓ　ｎ　ＣＱ２約１００ｇ／ｕ、および２８０ｍＱ／α
の３７％塩酸を含有する。

次に、ニッケル、銅等の金属を処理した表面上に無電解
メッキを行なう。金属は所要の厚みにコーティングする
。代表的な無電解銅メッキ浴、およびその適用法につい
ては、米国特許第３８４４７９９号および第４１５２４
ＥｉＴ号明細書に開示されている。

無電解銅メッキ浴は、第二銅イオン源、還元剤、第二銅
イオンの錯化剤およびｐＨ調整剤を含有する水性組成物
である。このメッキ浴は、シアン・イオン源および界面
活性剤も含有するものが好ましい。

一般に使用される第二銅イオン源は硫酸第二銅、または
使用する錯化剤の第二銅塩である。硫酸第二銅を使用す
る場合は、約３ないし約１５ｇ／ｕ、最も一般的には約
８ないし約１２ｇ／αを使用する。使用する最も一般的
な還元剤は、ホルムアルデヒドで、通常約０．７ないし
約７ｇ／！ｌを使用するが、約０．７ないし約２．２ｇ
／！ｌが最も好ましい。他の還元剤の例として、パラホ
ルムアルデヒド、トリオキサン、ジメチルヒダントイン
、グリオキサール等のホルムアルデヒドの先駆物質また
は誘導体、アルカリ金属のホウ水素化物（ホウ素水素化
ナトリウムおよびホウ水素化カリウム）等のホウ水素化
物、およびトリメキシホウ水素化ナトリウム等の置換ホ
ウ水素化物、アミンボラン（イソプロピルアミンボラン
およびモルホリンボラン）等のボラン類等がある。Ｎｉ
およびＣｕの無電解メッキには、次亜リン酸塩還元剤も
使用することができる。

適当な錯化剤には、ロッシェル塩、エチレンジアミン四
酢酸、エチレンジアミン四酢酸のナトリウム塩（−１二
、三および四ナトリウム）、ニトリロ四酢酸およびアル
カリ塩、グルコン酸、グルコン酸塩、トリエタノールア
ミン、グルコノ−ｒ−ラクトン、Ｎ−ヒドロキシエチル
エチレンジアミントリアセテート等の変性エチレンジア
ミンアセテート類がある。さらに、他の多くの第二銅錯
化剤が米国特許第２９９６４０８号、第３０７５８５８
号、第３０７５８５５号および第２９３８８０５号明細
書に開示されている。錯化剤の量は、溶液中に存在する
第二銅イオンの量に依存するが、通常約２０ないし約５
０ｇ／Ｑ１または３〜４倍のモル過剰である。

メッキ浴は、コーティングされる表面のぬれを助ける界
面活性剤を含有したものでもよい。適当な界面活性剤に
は、たとえばＧａｆａｃＲＥ−５１０の商品名で市販さ
れている有機リン酸エステルがある。

一般に界面活性剤の量は、約０．０２ないし約０゜３ｇ
／ｆｉとする。さらに、浴のｐＨも、たとえば水酸化ナ
トリウムまたは水酸化カリウム等の塩基性化合物を所要
のｐＨとするのに必要な量を添加することにより制御す
る。無電解メッキ浴のｐＨは、ｌｉｅないし１１．８が
好ましい。

メッキ浴はシアン−イオンを含んだものでよく、約１０
ないし約２５ｍｇ／Ｑを添加して、浴のシアン・イオン
濃度を０．０００２ないし０．０００４モルの範囲にす
る。この発明で使用されるシアン化物の例は、アルカリ
金属、アルカリ出金属およびアンモニウムのシアン化物
である。さらに、メッキ浴は従来技術で周知の他の微量
添加物を含有してもよい。

メッキ浴は通常比重が１．０６０ないし１．０８０の範
囲で使用する。さらに浴の温度は通常７０ないし８０℃
に保つが、最も一般的には７０ないし７５℃とする。

さらに、必要があれば、銅メッキは、米国特許第４４４
８８０４号および第４５２５３９０号明細書に開示され
ているような、二重メッキ浴を用いて行なうこともでき
る。

下記の非限定の例は、この発明をさらに詳細に説明する
ものである。

■土 ガラス繊維強化エポキシ樹脂のプリプレグを、Ｐｈｏｅ
ｎｉｘ　Ｍａｔｅｒｉａｌ　Ｃｏｍｐａｎｙ　（ＰＭＣ
）のモデル７１１プラズマ発生装置の反応チェンバ内に
置き、アンモニアを標準状態で約１０００ｃｍ３／分の
流速で、装置の上部円形金属電極に送った。使用した圧
力は約４５０　ミ’Ｊ　）ル、電力は約３８０Ｗ１電力
密度は下部電極の面積に対し約０．５Ｗ／ａｍ２とした
。この処理は約３０分間行なった。

次１：基板ヲＰ　ｄ　ＣＱ２約１．５ｇ／（Ｉｔ、。

ＳｎＣα２約１００ｇ／２１３７％Ｈ（ｌ約２８０ｍα
／立を含有するメッキ浴に約６５°Ｆで約３分間浸漬し
た。次にこの基板を８％塩酸溶液で促進処理を行なった
。

次に基板を直流プラズマ法を用いて、保持されたシーブ
を測定した。特に、シーディングされた基板の既知の表
面は王水で処理してすずおよびパラジウム化合物を除去
した。試料を既知の容積に希釈し、タングステン電極間
の約３０００〜５０００００にのアルゴン・プラズマ中
に吸引した。

高温のプラズマにより、元素は特有の波長の光を放出す
る。この放出を標準試料と比較して、溶液中の濃度を求
め、一定容積の基板上の量を算出する。報告値の単位は
μｇ／ｃＩ１１２である。この方法を２回実施したとこ
ろ、検出されたパラジウムは平均２．６１ｐｐｍ１すず
は平均２．２７ｐｐｍであった。

シーディングした基板にフォトレジストを塗布し、作像
および現像を行なった。次に現像したフォトレジストを
含有する基板を無電解アディティブ銅メッキ浴に浸漬し
、約２ミルの厚みにメッキを行なった。無電解メッキ浴
は、Ｃｕ　Ｓ　Ｏ４・５Ｈ２０約１０　ｇ／ｕ、エチレ
ンジアミン四酢酸の二本塩３５ｇ／＜Ｌ、ＧａｆａｃＲ
Ｅ−６１００，２５ｇ／ｆ１１シアン化ナトリウム約１
４ｍｇ／ｕ、３７％のホルムアルデヒド水溶液約２ｍ１
ｌ／Ｑ、を含有するものを使用した。メッキ浴の比較は
約１．０７、ｐＨはＮａＯＨの添加により１１゜７、浴
温は約７３±５°Ｃとした。浴の酸素含有量は約２．５
％ないし約３．５１）１）ｍに保った。ガスの流速は約
１２８ＣＦＭとした。

次に基板をり一等（Ｌｅｅｓ　ｅｔ　ａｌ、）、′多層
印刷回路板のマイクロメカニクス（Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈ
ａｎ　１ｃｓｏｆ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｐｒ１ｎｔ
ｅｄ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ　Ｂｏａｒｄｓ）”　％　ＩＢＭ
ジャーナル・オブ・リサーチ−アンド・ディベロツプメ
ント（ＩＢＭ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｒｅ５ｅａｒｃ
ｈ　ａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　　）、　Ｖｏｌ、
　　２８、Ｎｏ、　　６、１９８４年１１月、Ｐａｐｅ
ｒ７１５の“Ｐ　Ｔ　Ｈ＃Ｊ　ｍ試験（Ｐ　Ｔ　Ｈｐｅ
ｅｌ　ｔｅｓｔ）”と題する論文に記載の方法で、剥離
強度を測定したところ、約８゜１５ポンド／インチであ
った。

比較例２ エポキシ拳プリプレグを、この発明のプラズマ処理によ
る前処理を行なわずに、上記の方法を繰返した。得られ
た結果は、パラジウム約０．８４μｇ／ｃｍ２、すず約
０．７４μｇ／ｃｍ２であった。

さらに、剥離強度はわずかに約５．３６ポンド／インチ
であった。

例３〜１０ 下記の表に示したパラメータを使用してプラズマ処理を
行なったこと以外は、例１と同じ方法で試料を作製した
。例１、比較例２、および例３〜１０の結果も、この発
明の効果と従来技術との比較を容易にするため、下記の
表にまとめた。

この発明の処理を、無処理のものと比較すると、この発
明の方法によれば、改良された結果が得られることが明
らかである。

（以下余白）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　導電性金属が無電解メッキされる誘電体基板の表面を
   コンディショニングする方法において、前記基板を、ア
   ンモニア、有機アミンまたはこれらの混合物からなるグ
   ループから選ばれる気体から得られたガス状プラズマに
   さらし、 そして、前記基板をコロイド状の触媒を含んだ組成物と
   接触させて活性化することにより、前記基板上に直接触
   媒化サイトを形成するかまたは触媒化サイトを形成する
   先駆物質を形成する、ことを特徴とする前記方法。