JPS6311298B2 - - Google Patents
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- JPS6311298B2 JPS6311298B2 JP13113680A JP13113680A JPS6311298B2 JP S6311298 B2 JPS6311298 B2 JP S6311298B2 JP 13113680 A JP13113680 A JP 13113680A JP 13113680 A JP13113680 A JP 13113680A JP S6311298 B2 JPS6311298 B2 JP S6311298B2
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Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、遠赤外線放射のための琺瑯発熱体の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来、塗料の乾燥木材の水分除去及び電子部品
製造のための予熱、乾燥等に利用されている遠赤
外線放射発熱体の製造方法として、例えば次のも
のがあつた。
製造のための予熱、乾燥等に利用されている遠赤
外線放射発熱体の製造方法として、例えば次のも
のがあつた。
ジルコニア系セラミツクを溶融し、それを金
属基体に噴出被着して被膜を作る溶射方法及び
金属基体に先ず、密着力の強い不釉を塗着し、琺
瑯焼付けし、次に遠赤外線の放射率の大きい
ZrO2・SiO2及び他の酸化物を含む上釉を更にそ
の上に塗着し、琺瑯を焼付ける２度焼付け方等が
あつた。
属基体に噴出被着して被膜を作る溶射方法及び
金属基体に先ず、密着力の強い不釉を塗着し、琺
瑯焼付けし、次に遠赤外線の放射率の大きい
ZrO2・SiO2及び他の酸化物を含む上釉を更にそ
の上に塗着し、琺瑯を焼付ける２度焼付け方等が
あつた。
しかしながら、前記のセラミツクの溶射法は
セラミツク被膜が金属基体から剥離し、クラツク
を生じ易い点及び製造コストが高くなる欠点があ
つた。又、の琺瑯２度焼付け方法は、２度の琺
瑯焼付けを行なうので、製造工程が煩雑で、コス
トも高くなる欠点があつた。
セラミツク被膜が金属基体から剥離し、クラツク
を生じ易い点及び製造コストが高くなる欠点があ
つた。又、の琺瑯２度焼付け方法は、２度の琺
瑯焼付けを行なうので、製造工程が煩雑で、コス
トも高くなる欠点があつた。
本発明では、前述のようなコスト高のセラミツ
クや２度焼成の手間を解消するため、種々研究、
実験を行ない、簡便に１度焼成で目的物を得られ
る方法として、琺瑯釉薬のベースとなるフリツト
（1200℃〜1300℃にて溶融後冷却してガラス化し
たもの）の成分比を独自な後記の表１とすること
によつて、遠赤外線放射発熱体を製造できるよう
にしたことを最も特徴とするものである。
クや２度焼成の手間を解消するため、種々研究、
実験を行ない、簡便に１度焼成で目的物を得られ
る方法として、琺瑯釉薬のベースとなるフリツト
（1200℃〜1300℃にて溶融後冷却してガラス化し
たもの）の成分比を独自な後記の表１とすること
によつて、遠赤外線放射発熱体を製造できるよう
にしたことを最も特徴とするものである。
即ち、本発明の方法は、新規な成分比のフリツ
トと、ZrO2・SiO2との他の金属酸化物及び粘土
等からなるミル添加物とを表２の割合にて泥漿状
に配合したことにより、この混合物を直接金属基
体に塗着し、所定温度（800℃〜850℃）にて琺瑯
焼付けを一度行なうだけで遠赤外線放射発熱体を
得たのである。
トと、ZrO2・SiO2との他の金属酸化物及び粘土
等からなるミル添加物とを表２の割合にて泥漿状
に配合したことにより、この混合物を直接金属基
体に塗着し、所定温度（800℃〜850℃）にて琺瑯
焼付けを一度行なうだけで遠赤外線放射発熱体を
得たのである。
次に本発明方法の最も特徴とする前記のフリツ
トの成分比及び前記琺瑯釉薬の配合比を示す。
トの成分比及び前記琺瑯釉薬の配合比を示す。
表 １
成分名 配合（重量比）
SiO2 35〜36％
B2O3 26〜27
Na2O 18〜19
Al2O3 ６〜７
CaO ４〜６
K2O ３〜４
CaF2 １〜３
MnO2 １〜２
NiO 0.3〜0.6
C0O 0.3〜0.6
表 ２
成分名 配合（重量部）
上記フリツト 100部
ZrO2・SiO2 40以上
粘 土 ４〜７
NaNO2（止め剤） 0.2〜0.5
（MnO2、Cu2O、Fe2O、Al2O3、C0O、
NiO、Cr2O3、Fe3O4） ２〜５ 水 45〜55 本発明の表２の配合中に、ZrO2・SiO2を入れ
ることによつて、本発明の琺瑯焼成温度（800〜
850℃）の下では、琺瑯層中にZrO2・SiO2が不均
質に分散するので、遠赤外線の放射に有利であ
る。
NiO、Cr2O3、Fe3O4） ２〜５ 水 45〜55 本発明の表２の配合中に、ZrO2・SiO2を入れ
ることによつて、本発明の琺瑯焼成温度（800〜
850℃）の下では、琺瑯層中にZrO2・SiO2が不均
質に分散するので、遠赤外線の放射に有利であ
る。
次に、本発明の琺瑯発熱体の製造方法の１実施
例を図面を用いて説明する。１は、鉄やステンレ
ス等のパイプから成る金属基体である。該金属基
体１は密着性向上を期すため脱脂、酸洗い、中和
等の前処理が施される。次に下記表３の成分のフ
リツト100に対して、ZrO2・SiO2175、粘土５、
止め剤0.5、金属酸化物としてMnO22とFe2O32、
水55の重量部にてそれらを泥漿状にミル配合し該
泥漿状配合物を、前記前処理を施した金属基体１
の表面に塗着し、830℃にて琺瑯焼付けを行ない、
梨地状の表面を有する80〜200μの膜厚の黒色を
帯びた遠赤外線放射層２を形成した。
例を図面を用いて説明する。１は、鉄やステンレ
ス等のパイプから成る金属基体である。該金属基
体１は密着性向上を期すため脱脂、酸洗い、中和
等の前処理が施される。次に下記表３の成分のフ
リツト100に対して、ZrO2・SiO2175、粘土５、
止め剤0.5、金属酸化物としてMnO22とFe2O32、
水55の重量部にてそれらを泥漿状にミル配合し該
泥漿状配合物を、前記前処理を施した金属基体１
の表面に塗着し、830℃にて琺瑯焼付けを行ない、
梨地状の表面を有する80〜200μの膜厚の黒色を
帯びた遠赤外線放射層２を形成した。
表 ３
成分名 配合（重量比）
SiO2 36％
B2O3 27
Na2O 18
Al2O3 ７
CaO ４
K2O ４
CaF2 ２
MnO2 １
NiO 0.5
C0O 0.5
上記のようにして遠赤外線放射層２を形成した
金属基体１は、その中空部分に、左右の電極端子
３と両端にて接続するニクロム線等の発熱体４を
収納する。図中の５は、金属基体１の中空部分に
充填されるMgO等の耐熱絶縁性充填材を示し、
６は前記充填材５を、中空部分内に封入しておく
ための気密材を示す。
金属基体１は、その中空部分に、左右の電極端子
３と両端にて接続するニクロム線等の発熱体４を
収納する。図中の５は、金属基体１の中空部分に
充填されるMgO等の耐熱絶縁性充填材を示し、
６は前記充填材５を、中空部分内に封入しておく
ための気密材を示す。
尚、金属基体１をパイプから平板に変えて、平
板の表面に遠赤外線放射層２を形成すれば、パネ
ル状の遠赤外線放射琺瑯発熱体として利用でき
る。
板の表面に遠赤外線放射層２を形成すれば、パネ
ル状の遠赤外線放射琺瑯発熱体として利用でき
る。
この様にして製造された遠赤外線放射発熱体
は、ジルコン粒子を分散して有する不均質なガラ
ス層である黒色で梨地状の遠赤外線放射層をその
表面に形成し、該放射層は、発熱体４に対する適
宜の加熱により強力な遠赤外線を放射する。
は、ジルコン粒子を分散して有する不均質なガラ
ス層である黒色で梨地状の遠赤外線放射層をその
表面に形成し、該放射層は、発熱体４に対する適
宜の加熱により強力な遠赤外線を放射する。
本発明の方法は、上述した通りであり、本発明
の第１の効果は琺瑯層の金属基体への密着性が向
上し、下釉及び上釉の使い分けを区別をなくし、
だた一度の琺瑯焼付けのみで遠赤外線放射発熱体
を製造できることである。
の第１の効果は琺瑯層の金属基体への密着性が向
上し、下釉及び上釉の使い分けを区別をなくし、
だた一度の琺瑯焼付けのみで遠赤外線放射発熱体
を製造できることである。
第２の効果は、琺瑯層の金属基体への密着性が
向上することにより、機械的衝撃に対して強く、
又冷熱サイクルに対して剥離やクラツクを生じな
い遠赤外線放射発熱体を製造できることである。
向上することにより、機械的衝撃に対して強く、
又冷熱サイクルに対して剥離やクラツクを生じな
い遠赤外線放射発熱体を製造できることである。
第３の効果は、フリツトの成分配合を工夫した
ことによつてZrO2・SiO240部以上（実施例では
175部）を添加可能にし、強力な遠赤外線放射層
を形成できる点である。
ことによつてZrO2・SiO240部以上（実施例では
175部）を添加可能にし、強力な遠赤外線放射層
を形成できる点である。
第４の効果は、ZrO2・SiO2を多量に混入する
ため、ZrO2・SiO2粒子をガラス層に分散して存
在させ不均質なガラス層を形成し、従来の諸欠点
（つまとび、チツピング等）を減少させている。
ため、ZrO2・SiO2粒子をガラス層に分散して存
在させ不均質なガラス層を形成し、従来の諸欠点
（つまとび、チツピング等）を減少させている。
第５の効果は、放射率（完全黒体を１としそれ
との比によつて表わされる）が１に近い値になつ
ているので、効率的な遠赤外線放射を為し得る。
との比によつて表わされる）が１に近い値になつ
ているので、効率的な遠赤外線放射を為し得る。
第６の効果は、一般の琺瑯焼付と同様に行なえ
る為、量産性があり安価である。
る為、量産性があり安価である。
第７の効果は、耐火性及び電気絶縁性が大きく
物理的に安定な遠赤外線放射層を形成し得る。
物理的に安定な遠赤外線放射層を形成し得る。
第１図は本発明の製造方法によつて製造される
遠赤外線放射のための琺瑯発熱体の一実施例を示
す一部切欠平面図。
遠赤外線放射のための琺瑯発熱体の一実施例を示
す一部切欠平面図。
Claims (1)
- １ 重量比SiO235〜36％、B2O326〜27％、
Na2O18〜19％、Al2O36〜７％、CaO4〜６％、
K2O3〜４％、CaF21〜３％、MnO21〜２％、
NiO0.3〜0.6％、C0O0.3〜0.6％の成分としたフリ
ツト100部に対して、特にZrO2・SiO2を40部以上
加え、更に粘土４〜７部、止め薬0.2〜0.5％、
MnO2、Cu2O、Fe2O3、Al2O3、C0O、NiO、
Cr2O3、Fe3O4の金属酸化物のうち１種以上を２
〜５部、水45〜55部を泥漿状に配合し、これら泥
漿状配合物を金属基体に塗着して琺瑯焼付け１回
のみにより遠赤外線放射層を形成することを特徴
とする遠赤外線放射のための琺瑯発熱体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13113680A JPS5756348A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of enameled heating element for radiating far infrared ray |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13113680A JPS5756348A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of enameled heating element for radiating far infrared ray |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5756348A JPS5756348A (en) | 1982-04-03 |
| JPS6311298B2 true JPS6311298B2 (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=15050827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13113680A Granted JPS5756348A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Manufacture of enameled heating element for radiating far infrared ray |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5756348A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177051A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-06 | ト−メイ工業株式会社 | ホ−ムサウナ |
| JPS6119090A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | 松下電器産業株式会社 | シ−ズヒ−タ |
| JPS61179881A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の赤外線放射体とその製造方法 |
| JPS61179882A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の遠赤外線放射体とその製造方法 |
| JPS61190080A (ja) * | 1985-02-19 | 1986-08-23 | Ibiden Co Ltd | 金属基材の遠赤外線放射体とその製造方法 |
| JPS6347837Y2 (ja) * | 1987-02-25 | 1988-12-09 | ||
| JPH01107485A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 絶縁電熱素子 |
| JPH01107486A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 絶縁電熱素子 |
| JPH06100332A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-04-12 | Hiroshi Taniguchi | 遠赤外線放射ガラス組成物 |
| JP6679511B2 (ja) * | 2016-07-05 | 2020-04-15 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ |
-
1980
- 1980-09-19 JP JP13113680A patent/JPS5756348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5756348A (en) | 1982-04-03 |
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