JPS63113459A - 干渉防止可能な微粒子を含有する電子写真感光体 - Google Patents
干渉防止可能な微粒子を含有する電子写真感光体Info
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- JPS63113459A JPS63113459A JP13553886A JP13553886A JPS63113459A JP S63113459 A JPS63113459 A JP S63113459A JP 13553886 A JP13553886 A JP 13553886A JP 13553886 A JP13553886 A JP 13553886A JP S63113459 A JPS63113459 A JP S63113459A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子写真感光体に関し、特に良好な画像特性を
持ちつつモアレ模様を防止できるレーザー露光用電子写
真感光体に関するものである。
持ちつつモアレ模様を防止できるレーザー露光用電子写
真感光体に関するものである。
[発明の背景]
近年、電子写真プロセスを利用し、光源としてレーザー
光を用いて画像を形成するレーザービームプリンターの
開発が盛んになって来ている。レーザー光としてはHe
−HeやArなどの気体レーザや半導体レーザーが使用
されている。
光を用いて画像を形成するレーザービームプリンターの
開発が盛んになって来ている。レーザー光としてはHe
−HeやArなどの気体レーザや半導体レーザーが使用
されている。
しかるにレーザー光は可干渉性であることから新たな問
題が発生してきた。即ち、例えば電荷発生層上に電荷輸
送層が積層された有機感光体の場合にレーザー光が照射
されると、該照射光が電荷輸送層と電荷発生層(あるい
は導電性支持体)の両層で各々反射し、その各々の反射
光が干渉を起こし、プリント画像にモアレと呼ばれる紋
様が生じ画質が大幅に低下してしまう、このモアレ現象
は可干渉光を光源とする場合、そして中間調画像の場合
に特に著しい欠点となる。
題が発生してきた。即ち、例えば電荷発生層上に電荷輸
送層が積層された有機感光体の場合にレーザー光が照射
されると、該照射光が電荷輸送層と電荷発生層(あるい
は導電性支持体)の両層で各々反射し、その各々の反射
光が干渉を起こし、プリント画像にモアレと呼ばれる紋
様が生じ画質が大幅に低下してしまう、このモアレ現象
は可干渉光を光源とする場合、そして中間調画像の場合
に特に著しい欠点となる。
従来かかる欠点を解消する技術としては、導電性支持体
と感光層の間に光拡散反射面を有する下引層を設ける方
法(特開昭80−188850号参照)、導電性支持体
と感光層の間の下引層にチタンブラツクを用いる方法(
同80−184258号参照)、電荷発生層で使用光源
の光の大部分を吸収してしまう方法(同58−8224
1号参照)、電荷輸送層を構成するバインダー樹脂にミ
クロ相分離構造をとらせる方法(同81−18983号
参照)、屈折率nの感光層に波長λの露光を行う場合、
感光層の下部に入/4n以上の粗さの凹凸を設ける方法
(同80−247847号参照)、光導電体層中に可干
渉光を吸収又は散乱する物質を混入する方法(同80−
88550号参照)などがある。
と感光層の間に光拡散反射面を有する下引層を設ける方
法(特開昭80−188850号参照)、導電性支持体
と感光層の間の下引層にチタンブラツクを用いる方法(
同80−184258号参照)、電荷発生層で使用光源
の光の大部分を吸収してしまう方法(同58−8224
1号参照)、電荷輸送層を構成するバインダー樹脂にミ
クロ相分離構造をとらせる方法(同81−18983号
参照)、屈折率nの感光層に波長λの露光を行う場合、
感光層の下部に入/4n以上の粗さの凹凸を設ける方法
(同80−247847号参照)、光導電体層中に可干
渉光を吸収又は散乱する物質を混入する方法(同80−
88550号参照)などがある。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしこれらの従来技術には次のような欠点がある。即
ち、導電性基体と感光層の間に光拡散反射面を有する下
引層を設ける方法は、下引層の粗面の凹凸をコントロー
ルすることが難しく、同一の粗面を再現よく得がたいも
のである。また、下引面上が干渉縞に対して有効なほど
、粗面化されるためには膜厚がかなり必要であり、これ
は感光体の感度等の電子写真特性や接着性に影響を与え
るものである。また、このような複雑な下引層を用いる
ことはコストアップにもつながる。
ち、導電性基体と感光層の間に光拡散反射面を有する下
引層を設ける方法は、下引層の粗面の凹凸をコントロー
ルすることが難しく、同一の粗面を再現よく得がたいも
のである。また、下引面上が干渉縞に対して有効なほど
、粗面化されるためには膜厚がかなり必要であり、これ
は感光体の感度等の電子写真特性や接着性に影響を与え
るものである。また、このような複雑な下引層を用いる
ことはコストアップにもつながる。
導電性基体と感光層の間の下引層にチタンブラックを用
いる方法は、チタンブラック含有層と電荷発生物質、電
荷輸送物質のエネルギーレベルのマツチングが悪いため
感光体の感度、暗減衰などの電子写真特性に悪影響を与
えてしまうという欠点を有する。
いる方法は、チタンブラック含有層と電荷発生物質、電
荷輸送物質のエネルギーレベルのマツチングが悪いため
感光体の感度、暗減衰などの電子写真特性に悪影響を与
えてしまうという欠点を有する。
電荷発生層で使用光源の光の大部分を吸収してしまう方
法としては、■電荷発生層を厚くする。
法としては、■電荷発生層を厚くする。
■電荷発生層の分光吸収のピークを使用光源の波長に近
づける、■使用光源の光を吸収する色素を混合する。な
どがある、このうち■は熱励起キャリアの増大をまねき
、暗減衰、受容電位に悪影響を与える。■はこのような
材料が得がたく、もし得られても十分な性能を有するも
のが少なく、使いこなすのが困難である。また、吸収の
ピークと使用光源が重なったとしても、その吸収強度に
はやはり限度がある。■は、この混合によ゛って電子写
真特性への影響が考えられ、また影響の少ない色素をさ
がすことは難しい。
づける、■使用光源の光を吸収する色素を混合する。な
どがある、このうち■は熱励起キャリアの増大をまねき
、暗減衰、受容電位に悪影響を与える。■はこのような
材料が得がたく、もし得られても十分な性能を有するも
のが少なく、使いこなすのが困難である。また、吸収の
ピークと使用光源が重なったとしても、その吸収強度に
はやはり限度がある。■は、この混合によ゛って電子写
真特性への影響が考えられ、また影響の少ない色素をさ
がすことは難しい。
電荷輸送層を構成するバインダー樹脂に、ミクロ相分離
構造をとらせる方法では、使用するバインダー樹脂がブ
ロック共重合体又はグラフト共重合体等を用いなくては
ならず、電子写真特性を満足させ、かつ望ましいミクロ
相分離構造を得るのが困難である。
構造をとらせる方法では、使用するバインダー樹脂がブ
ロック共重合体又はグラフト共重合体等を用いなくては
ならず、電子写真特性を満足させ、かつ望ましいミクロ
相分離構造を得るのが困難である。
感光層下部に凹凸を設ける方法は数多く提案されている
が、干渉縞状のムラを防止するのに充分な凹凸は、感光
層の均一な成膜を妨げ、特に凹凸の上に電荷発生層を形
成する場合には、電荷発生層が一般に薄い層であるため
、電荷発生層の厚さが不均一になり、画像特性に悪影響
を及ぼす場合が多い。
が、干渉縞状のムラを防止するのに充分な凹凸は、感光
層の均一な成膜を妨げ、特に凹凸の上に電荷発生層を形
成する場合には、電荷発生層が一般に薄い層であるため
、電荷発生層の厚さが不均一になり、画像特性に悪影響
を及ぼす場合が多い。
光導電体層中に可干渉光を吸収又は散乱する物質を混入
する方法では、吸収する物質を加えた場合には、感度の
低下を招き、散乱する物質を混入した場合には1画像ボ
ケ等1画像特性の低下を招く。
する方法では、吸収する物質を加えた場合には、感度の
低下を招き、散乱する物質を混入した場合には1画像ボ
ケ等1画像特性の低下を招く。
そこで本発明の目的は、上記欠点を解消し、低コストで
製造することができるにもかかわらず、良好な画像特性
を保持しつつ、かつ電子写真特性への影響を与えること
なく干渉縞状のムラの発生を防止したレーザー露光用電
子写真感光体を提供することにある。
製造することができるにもかかわらず、良好な画像特性
を保持しつつ、かつ電子写真特性への影響を与えること
なく干渉縞状のムラの発生を防止したレーザー露光用電
子写真感光体を提供することにある。
[問題点を解決するための手段コ
本発明者は上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた
結果1本発明に至った。
結果1本発明に至った。
即ち、本発明に係る電子写真感光体は、導電性基体上に
電荷発生層と電荷輸送層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷輸送層が少なくともバインダーと透明微粒子
を含有し、該微粒子の屈折率と電荷輸送層の屈折率の差
が0.03〜0.3の範囲にあることを特徴とする。
電荷発生層と電荷輸送層を有する電子写真感光体におい
て、該電荷輸送層が少なくともバインダーと透明微粒子
を含有し、該微粒子の屈折率と電荷輸送層の屈折率の差
が0.03〜0.3の範囲にあることを特徴とする。
本発明によれば、電荷輸送層の厚みをd、M、折率をn
、微粒子の粒径をrp、屈折率をn、とじた場合、照射
された波長入の光は、微粒子を透過した場合、(d−r
p)n◆rpnpの光学距離を通るのに対し、微粒子を
通らない場合、 dnの光学距離を通ることになり、
この差rp(n−np)が入/4n以上であれば微粒子
を通った光と通らない光で位相がπ/2以上ずれ、電荷
輸送層内での光の干渉を防止することができる。
、微粒子の粒径をrp、屈折率をn、とじた場合、照射
された波長入の光は、微粒子を透過した場合、(d−r
p)n◆rpnpの光学距離を通るのに対し、微粒子を
通らない場合、 dnの光学距離を通ることになり、
この差rp(n−np)が入/4n以上であれば微粒子
を通った光と通らない光で位相がπ/2以上ずれ、電荷
輸送層内での光の干渉を防止することができる。
また本発明によれば、光の散乱を利用する必要がないた
め、画像ボケ等の心配がなく、又電荷発生に寄与しない
光の吸収もないため、感度の低下もなく、ざらに下引層
を設けたり、あるいは感光層のいずれの部分にも凹凸を
つける必要もないため、製造上、有利である。
め、画像ボケ等の心配がなく、又電荷発生に寄与しない
光の吸収もないため、感度の低下もなく、ざらに下引層
を設けたり、あるいは感光層のいずれの部分にも凹凸を
つける必要もないため、製造上、有利である。
さらに本発明によれば、電荷輸送層に特殊なバインダー
樹脂を用いる必要もなく、1!子写真特性の低下も招か
ない。
樹脂を用いる必要もなく、1!子写真特性の低下も招か
ない。
以下、本発明について詳説する。
本発明の電子写真感光体の好ましい層構成の実施態様と
しては、下記(1)〜(6)の層構成を挙げることがで
きる。
しては、下記(1)〜(6)の層構成を挙げることがで
きる。
(1)第1図に示すように、上層より、電荷輸送P32
A、?lf荷発生層2B、導電性基体lの順に構成され
ているもの。
A、?lf荷発生層2B、導電性基体lの順に構成され
ているもの。
(2)第2図に示すように、上記(1)に示す層構成に
おいて、電荷発生層2Bと導電性基体lの間に下引層4
(中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
おいて、電荷発生層2Bと導電性基体lの間に下引層4
(中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
(3)第3図に示すように、上層より、電荷発生層2B
、電荷輸送層2A、導電性基体lの順に構成されている
もの。
、電荷輸送層2A、導電性基体lの順に構成されている
もの。
(4)第4図に示すように、上記(3)に示す層構成に
おいて、電荷輸送層2Aと導電性基体lの間に下引層4
(中間層、接着層等の機能を有する居)を有するもの。
おいて、電荷輸送層2Aと導電性基体lの間に下引層4
(中間層、接着層等の機能を有する居)を有するもの。
(5)第5図に示すように、上層より、電荷発生物質と
電荷輸送物質を含む電荷発生層2C1電荷輸送層2A、
導電性基体lの順に構成されているもの。
電荷輸送物質を含む電荷発生層2C1電荷輸送層2A、
導電性基体lの順に構成されているもの。
(6)第6図に示すように、上記(5)に示す層構成に
おいて、電荷輸送層2Aと導電性基体lの間に下引層4
(中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
おいて、電荷輸送層2Aと導電性基体lの間に下引層4
(中間層、接着層等の機能を有する層)を有するもの。
また上記層構成において、各層の間に中間層を設けても
よく、最上層に表面保護層を形成したものであってもよ
い。
よく、最上層に表面保護層を形成したものであってもよ
い。
本発明に用いられる導電性基体としては、アルミニウム
、ニッケル、黄銅、ステンレス等の金属をドラム状に成
型するか、シート状のフィルムや箔にして用いられ、さ
らにポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ポリアリ
−レート、ポリイミド、ポリカーボネート等の高分子材
料、硬質紙等の絶縁性材料をドラム状に成型したものや
シート状のフィルムに導電処理して用いられる。導電処
理をする方法としては、導電性物質の含浸、金属鎖(例
えばアルミ箔)のラミネート、金属(例えばアルミニウ
ム、インジウム、酸化スズ、イツトリウム等)の蒸着、
導電加工等の方法がある。
、ニッケル、黄銅、ステンレス等の金属をドラム状に成
型するか、シート状のフィルムや箔にして用いられ、さ
らにポリエチレンテレフタレート、ナイロン、ポリアリ
−レート、ポリイミド、ポリカーボネート等の高分子材
料、硬質紙等の絶縁性材料をドラム状に成型したものや
シート状のフィルムに導電処理して用いられる。導電処
理をする方法としては、導電性物質の含浸、金属鎖(例
えばアルミ箔)のラミネート、金属(例えばアルミニウ
ム、インジウム、酸化スズ、イツトリウム等)の蒸着、
導電加工等の方法がある。
本発明においては、接着性あるいは電気的特性を向上す
るため導電性基体上に下引層を設けることができ、該下
引層に用いられる材料としては、酸化アルミニウム、酸
化インジウム、酸化チタン等の金属酸化物やアクリル樹
脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂
、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルホルマール樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール
樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共
重合体等の高分子材14.エチルセルロース、カルボキ
シメチルセルロース等のセルロース類等が挙げられ、そ
れぞれ単独あるいは二種以上組合わせて用いることがで
きる。なお、下引層は、上記の材料を適当な溶媒に溶解
し、導電性基体上に塗布することにより所定の膜厚に形
成される。塗布法としては。
るため導電性基体上に下引層を設けることができ、該下
引層に用いられる材料としては、酸化アルミニウム、酸
化インジウム、酸化チタン等の金属酸化物やアクリル樹
脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂
、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリカーボネート樹脂、
シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルホルマール樹
脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール
樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、塩化ビニリデン
−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共
重合体等の高分子材14.エチルセルロース、カルボキ
シメチルセルロース等のセルロース類等が挙げられ、そ
れぞれ単独あるいは二種以上組合わせて用いることがで
きる。なお、下引層は、上記の材料を適当な溶媒に溶解
し、導電性基体上に塗布することにより所定の膜厚に形
成される。塗布法としては。
導電性基体がドラム状である場合には、浸漬法、スプレ
ー法、押出又はスライドホッパー法等が好ましく、また
導電性基体がシート状である場合には、ロール法、押出
又はスライドホッパー法等が好ましく採用される。この
ようにして形成された下引層の膜厚は、0.01〜lO
ILmの範囲が好ましく、0.05〜5弘■の範囲がよ
り好ましい。
ー法、押出又はスライドホッパー法等が好ましく、また
導電性基体がシート状である場合には、ロール法、押出
又はスライドホッパー法等が好ましく採用される。この
ようにして形成された下引層の膜厚は、0.01〜lO
ILmの範囲が好ましく、0.05〜5弘■の範囲がよ
り好ましい。
本発明の電荷発生層は、少なくとも電荷発生物質を含有
する層であり、該物質のみで、あるいはバインダーに分
散せしめ、上記導電性基体または上記下引居士に塗布形
成されることが好ましい。
する層であり、該物質のみで、あるいはバインダーに分
散せしめ、上記導電性基体または上記下引居士に塗布形
成されることが好ましい。
本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸収し
て電荷を発生する次の代表例で示されるような有機顔料
がある。
て電荷を発生する次の代表例で示されるような有機顔料
がある。
(1) 七ノ7ゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錆塩アゾ
顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔料及びチ
アゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4) インシコ話導体及びチオインジゴ誘導体等の
インジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキサンチン顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料 しかし好ましくは電子吸引性基を有するアゾ系、フタロ
シアニン系又は多環キノン系顔料で。
顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ顔料及びチ
アゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4) インシコ話導体及びチオインジゴ誘導体等の
インジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキサンチン顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料 しかし好ましくは電子吸引性基を有するアゾ系、フタロ
シアニン系又は多環キノン系顔料で。
平均粒径が2戸置以下、特にIIL−以下の粒状体とし
て感光層中に分散含有させたものがよい。
て感光層中に分散含有させたものがよい。
この場合感光体の光感度、メモリー現象、残留電位等の
電子写真特性がよりすぐれたものとなる。又前記アゾ系
顔料は、それ単独の感光層表面に負帯電したときの該層
中の電子移動速度が正帯電時より大きい(つまり負帯電
時の光感度が大きい)ものであるから、光照射発生電子
が感光層表面の正帯電を打ち消して高い光感度特性を発
揮することができる。
電子写真特性がよりすぐれたものとなる。又前記アゾ系
顔料は、それ単独の感光層表面に負帯電したときの該層
中の電子移動速度が正帯電時より大きい(つまり負帯電
時の光感度が大きい)ものであるから、光照射発生電子
が感光層表面の正帯電を打ち消して高い光感度特性を発
揮することができる。
特に正帯電型感光体の表面層中に用いられると光感度の
点から極めて有利なものとなる。
点から極めて有利なものとなる。
重犯本発明に適するアゾ系顔料としては、例えば次の例
示化合物群[I]〜[17]で示されるものがある。
示化合物群[I]〜[17]で示されるものがある。
CI) CP−N=N−A−N=N−CI)ここでc
pはカプラー成分を示し、一般に知られているカプラー
成分はすべて用いることができる。
pはカプラー成分を示し、一般に知られているカプラー
成分はすべて用いることができる。
また、Aは、二価の結合基を示す。
CP及びAの具体例としては、下記のものが挙げられる
。
。
OCH3
などがある。
(II ) Cp−N = N −A I−N lI
N −A !−N =N −CpここでA r 、 A
!は、芳香族あるいは、ヘチロ環基を表す。具体的に
は、 などがある。
N −A !−N =N −CpここでA r 、 A
!は、芳香族あるいは、ヘチロ環基を表す。具体的に
は、 などがある。
U
R,−It、は水素あるいは、塩素または臭素原子を示
す。またXlはヨウ素原子、N Ot、CNまたはCC
Hs等を示す。nは0.2.3または4の整数である。
す。またXlはヨウ素原子、N Ot、CNまたはCC
Hs等を示す。nは0.2.3または4の整数である。
X、は塩素、臭素またはヨウ素原子あるいはニトロ基、
シアノ基、アセチル基等を示す。nは0゜2.3または
4の整数である。
シアノ基、アセチル基等を示す。nは0゜2.3または
4の整数である。
より具体的には次の化合物が挙げられる。
(G−1)
(G−2)
(G−3)
(G −4)
(G−5)
(G−10)
(G−11)
Q −門
υ=
υ(G−23) (G−24) (G−25) (G−26) (G−27) (G−29) (G−30) (G−31) υ (G−32) (G−33) (G−34) 。
υ=
υ(G−23) (G−24) (G−25) (G−26) (G−27) (G−29) (G−30) (G−31) υ (G−32) (G−33) (G−34) 。
電荷発生物質の分散手段としては適当な溶媒あるいはバ
インダーの溶液に前記電荷発生物質を加え、サンドミル
、ボールミル、超音波分散等の分散手段を用いることが
できる。
インダーの溶液に前記電荷発生物質を加え、サンドミル
、ボールミル、超音波分散等の分散手段を用いることが
できる。
適当な溶媒としては、1,2−ジクロロエタン、クロロ
フォルム、 1,1.1−)リクロロエタン、ジクロロ
メタン、アセトン、ジオキサン、メチルエチルケトン、
テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
ジエチルエーテル等が挙げられる。
フォルム、 1,1.1−)リクロロエタン、ジクロロ
メタン、アセトン、ジオキサン、メチルエチルケトン、
テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、キシレン、
ジエチルエーテル等が挙げられる。
電荷発生物質とバインダーとの混合比率は、電荷発生物
質100部に対しバインダーが10〜500部、好まし
くは30〜200部である。
質100部に対しバインダーが10〜500部、好まし
くは30〜200部である。
電荷発生層の膜厚は0.O1〜10.Bmが好ましく、
より好ましくは0.05〜2終鵬である。
より好ましくは0.05〜2終鵬である。
本発明の電荷輸送層に用いられる電荷輸送物質としては
、トリアゾール誘導体(例えば特公昭34−5487号
)、オキサゾール誘導体(例えば同35−1125号)
、オキサジアゾール誘導体(例えば同34−5466号
)、ピラゾリン誘導体(例えば同34−10368号)
、イミダゾール誘導体(例えば同35−11215号、
同37−16096号)、フルオレノン誘導体(特開昭
52−128373号、同54−110837号)、カ
ルバゾール誘導体(例えば同54−59142号)更に
同58−134642号、同58−65440号等に記
載の物質が挙げられる。
、トリアゾール誘導体(例えば特公昭34−5487号
)、オキサゾール誘導体(例えば同35−1125号)
、オキサジアゾール誘導体(例えば同34−5466号
)、ピラゾリン誘導体(例えば同34−10368号)
、イミダゾール誘導体(例えば同35−11215号、
同37−16096号)、フルオレノン誘導体(特開昭
52−128373号、同54−110837号)、カ
ルバゾール誘導体(例えば同54−59142号)更に
同58−134642号、同58−65440号等に記
載の物質が挙げられる。
本発明において好ましい電荷輸送物質としては、下記一
般式(1)〜(7)に示されるような化合物が挙げられ
る。
般式(1)〜(7)に示されるような化合物が挙げられ
る。
一般式(1)
一般式(3)
一般式(5)
一般式(6)
上式中、R,−R,、R6−R14、R+a〜Rt4、
R1,〜R31SRss”−Rssは、水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、
シアノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、
ジアラルキルアミノ基、ニトロ基、またはメトキシ基を
表わし、R6はアルキル基、置換基を存してもよいフェ
ニル基、または置換基を存してもよいナフチル基を表わ
し、R6は水素原子、アルキル基、シアノ基、または置
換基を有してもよいフェニル基を表わし、R+sは水素
原子、置換基を有してもよいフェニル基、シアノ基、ま
たはアルキル基を表わし、 Ar+は f14+ を表わしく式中R31、R4゜、R41はアルキル基、
ベンジル基、フェニル基またはナフチル基(これらは各
々置換基を有してもよい)を表わし、Ratは水素原子
、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキ
シ基、ジアラルキルアミノ基またはニトロ基を表わす。
R1,〜R31SRss”−Rssは、水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、
シアノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、
ジアラルキルアミノ基、ニトロ基、またはメトキシ基を
表わし、R6はアルキル基、置換基を存してもよいフェ
ニル基、または置換基を存してもよいナフチル基を表わ
し、R6は水素原子、アルキル基、シアノ基、または置
換基を有してもよいフェニル基を表わし、R+sは水素
原子、置換基を有してもよいフェニル基、シアノ基、ま
たはアルキル基を表わし、 Ar+は f14+ を表わしく式中R31、R4゜、R41はアルキル基、
ベンジル基、フェニル基またはナフチル基(これらは各
々置換基を有してもよい)を表わし、Ratは水素原子
、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキ
シ基、ジアラルキルアミノ基またはニトロ基を表わす。
)、R□、Rstは水素原子またはフェニル基を表わす
。nは0又は正の整数を表わす。
。nは0又は正の整数を表わす。
以下余白
具体例には、次の化合物が挙げられる。
本発明においてTt電荷輸送層上記電荷輸送物質以外に
少なくともバインダーと透明微粒子を含有する。
少なくともバインダーと透明微粒子を含有する。
バインダーとしては、電荷輸送物質との相溶性が高く、
さらに透明性及び絶縁性の高いものがよく、一般に電子
写真感光体に用いられているものはすべて用いることが
でき、例えばポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂等が挙げられる。
さらに透明性及び絶縁性の高いものがよく、一般に電子
写真感光体に用いられているものはすべて用いることが
でき、例えばポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポ
リアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、
ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタクリレート
樹脂等が挙げられる。
本発明の電荷輸送層には、第7図に示す如き透明微粒子
5が含有される0本発明に用いられる透明微粒子はバイ
ンダー樹脂と相溶しないものが好ましく1例えばテフロ
ン樹脂、ポリ弗化ビニリデン樹脂、四弗化エチレン−六
弗化プロピレン共重合体、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化
ビニル樹脂。
5が含有される0本発明に用いられる透明微粒子はバイ
ンダー樹脂と相溶しないものが好ましく1例えばテフロ
ン樹脂、ポリ弗化ビニリデン樹脂、四弗化エチレン−六
弗化プロピレン共重合体、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化
ビニル樹脂。
ポリプロピレン樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニ
レンスルフィド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ
樹脂、ウレタン樹脂等が用いられる0本発明に用いられ
る透明微粒子は電荷輸送層の塗布液を得る際溶媒に溶解
しないことが好ましく、このため架橋性樹脂を用いるこ
とも好ましい。
レンスルフィド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ
樹脂、ウレタン樹脂等が用いられる0本発明に用いられ
る透明微粒子は電荷輸送層の塗布液を得る際溶媒に溶解
しないことが好ましく、このため架橋性樹脂を用いるこ
とも好ましい。
本発明において好ましいバインダー樹脂と塗布溶媒と微
粒子の組合せとしては、例えば下記の組合せが挙げられ
る。
粒子の組合せとしては、例えば下記の組合せが挙げられ
る。
バわグー / 溶 媒 / 微粒子
1)、ポリカーイーネート/ジクaOエダンlポリ弗化
ビニリデン2) ポリh−ボネートlテトラヒドロフラ
ジlボリブ吐しン3) イリ方−イネート/ジクaaエ
タン/架橋ボッメチルメタクリレート4) ポリメチル
メタクリレート/テトラヒトミフラジlテフロン5)
ポリメチルメタクリレートlトルエン/ 架1ポリス
チレン8) メチルメタクリレート−スチレンu合体/
テトラヒトaフランlポリ!チレン7) メチルメタク
リレート−スチレン共重合体lトルエン/ボリフェニレ
シスルフィド8) ポリスチレン/テトラヒトaフラン
/1mjリメチルメタクリレート本発明に用いられる微
粒子の製造方法は乳化重合法、気相重合法、懸濁重合法
などにより、最初から微粒子状に形成してもよいし、ま
た樹脂を粉砕、分級等の工程で微粒子化してもよく、さ
らに両者を併用してもよい。
ビニリデン2) ポリh−ボネートlテトラヒドロフラ
ジlボリブ吐しン3) イリ方−イネート/ジクaaエ
タン/架橋ボッメチルメタクリレート4) ポリメチル
メタクリレート/テトラヒトミフラジlテフロン5)
ポリメチルメタクリレートlトルエン/ 架1ポリス
チレン8) メチルメタクリレート−スチレンu合体/
テトラヒトaフランlポリ!チレン7) メチルメタク
リレート−スチレン共重合体lトルエン/ボリフェニレ
シスルフィド8) ポリスチレン/テトラヒトaフラン
/1mjリメチルメタクリレート本発明に用いられる微
粒子の製造方法は乳化重合法、気相重合法、懸濁重合法
などにより、最初から微粒子状に形成してもよいし、ま
た樹脂を粉砕、分級等の工程で微粒子化してもよく、さ
らに両者を併用してもよい。
本発明に用いられる透明微粒子は、感光層の厚み内にお
さまる大きさであれば、どの程度でもよいが、好ましく
は0.5〜10g膿、より好ましくは1〜5 JLll
である。
さまる大きさであれば、どの程度でもよいが、好ましく
は0.5〜10g膿、より好ましくは1〜5 JLll
である。
又、微粒子は球形である必要はなく、針状あるいは板状
であってもよく、針状の場合短軸の長さが、又板状の場
合厚みが、好ましくは0.5〜10gm、より好ましく
は1〜5ル厘がよく、針状の場合の長袖、及び板状の場
合の幅及び長さは2〜50JL11が好ましい、微粒子
は大きすぎると、電荷輸送に悪影響を与えたり、感光層
の厚みにおさまらなくなる等の問題を生じ、小さすぎる
と干渉輪状の濃度ムラを防ぐ効果が少ない。
であってもよく、針状の場合短軸の長さが、又板状の場
合厚みが、好ましくは0.5〜10gm、より好ましく
は1〜5ル厘がよく、針状の場合の長袖、及び板状の場
合の幅及び長さは2〜50JL11が好ましい、微粒子
は大きすぎると、電荷輸送に悪影響を与えたり、感光層
の厚みにおさまらなくなる等の問題を生じ、小さすぎる
と干渉輪状の濃度ムラを防ぐ効果が少ない。
本発明においては透明微粒子と電荷輸送層の屈折率が異
なっていればよく、その屈折率羨は0.03〜0.3の
範囲であり、好ましくは0.05〜0.2の範囲である
。 0.03より小さいと干渉縞状の濃度ムラを防ぐ効
果が少なく、0.3より大きいと光散乱が大きくなり1
画像ボケ等が生じてしまう。
なっていればよく、その屈折率羨は0.03〜0.3の
範囲であり、好ましくは0.05〜0.2の範囲である
。 0.03より小さいと干渉縞状の濃度ムラを防ぐ効
果が少なく、0.3より大きいと光散乱が大きくなり1
画像ボケ等が生じてしまう。
本明細書において屈折率とは像様露光に使用する光の波
長下での値を言い、像様露光に使用する光としては1例
えばHe−Neレーザー光、半導体レーザー光(波長7
80mm)等がある。
長下での値を言い、像様露光に使用する光としては1例
えばHe−Neレーザー光、半導体レーザー光(波長7
80mm)等がある。
本発明の透明微粒子は電荷輸送層中の何処に含有せしめ
てもよいが、好ましくは電荷発生層とのの境界付近がよ
い、その場合該微粒子は面方向(居に平行なオ向)に一
定の間隔!(第7図参照)をおいて存在することが好ま
しい、該間隙があれば位相のずれを生じ、干渉の防止効
果が大きくなる。なお電荷輸送層中に含有せしめられる
微粒子は、該電荷輸送層から突出し電荷発生層中に一部
がまたがっていてもよい。
てもよいが、好ましくは電荷発生層とのの境界付近がよ
い、その場合該微粒子は面方向(居に平行なオ向)に一
定の間隔!(第7図参照)をおいて存在することが好ま
しい、該間隙があれば位相のずれを生じ、干渉の防止効
果が大きくなる。なお電荷輸送層中に含有せしめられる
微粒子は、該電荷輸送層から突出し電荷発生層中に一部
がまたがっていてもよい。
本発明において電荷輸送層は下引層の塗布と同様の塗布
方法で塗布することができる。なお本発明において微粒
子は電荷輸送物質を含有していてもよく、その場合電荷
輸送物質を微粒子製造時に該微粒子に含有せしめてもよ
いし、あるいは塗布時に電荷輸送層塗布溶媒に膨潤させ
ることで、電荷輸送物質を含有させてもよい。
方法で塗布することができる。なお本発明において微粒
子は電荷輸送物質を含有していてもよく、その場合電荷
輸送物質を微粒子製造時に該微粒子に含有せしめてもよ
いし、あるいは塗布時に電荷輸送層塗布溶媒に膨潤させ
ることで、電荷輸送物質を含有させてもよい。
本発明において微粒子を電荷発生層との界面付近に集中
するためには、以下の方法を採ることができる。
するためには、以下の方法を採ることができる。
■電荷発生層が基体側にあるシート状感光体の場合、微
粒子に対し、比重の小さい溶剤を選ぶことにより、塗布
時に、微粒子を自然沈降させ、電荷発生層側に局在させ
る。
粒子に対し、比重の小さい溶剤を選ぶことにより、塗布
時に、微粒子を自然沈降させ、電荷発生層側に局在させ
る。
■電荷発生層が電荷輸送層より上層にあるシート状感光
体の場合、微粒子に対し、比重の大きい溶剤を選ぶこと
により、微粒子を浮上させ■と同様にして局在させる。
体の場合、微粒子に対し、比重の大きい溶剤を選ぶこと
により、微粒子を浮上させ■と同様にして局在させる。
■微粒子を含んだ電荷輸送層塗布液と含まない塗布液を
2回に分け、電荷発生層に近い側に微粒子を含んだ電荷
輸送層を塗布する。
2回に分け、電荷発生層に近い側に微粒子を含んだ電荷
輸送層を塗布する。
■スライド・ホッパー等重層塗布可能な塗布方法あるい
は1回の塗布工程で2つのコーターから塗布を行う等の
方法で、微粒子を含む電荷輸送層と含まない電荷輸送層
を同時に作成する。
は1回の塗布工程で2つのコーターから塗布を行う等の
方法で、微粒子を含む電荷輸送層と含まない電荷輸送層
を同時に作成する。
上記電荷輸送層を2居に形成する場合各音に用いるバイ
ンダーは同種のものであっても異種のものであってもよ
い、また2居に形成された電荷輸送層の界面は凹凸であ
ってもよい。
ンダーは同種のものであっても異種のものであってもよ
い、また2居に形成された電荷輸送層の界面は凹凸であ
ってもよい。
本発明の電荷輸送層内の組成はバインダー100ffi
−1層1部に対し、電′tJ輸送物質が好ましくは25
〜200重量部(より好ましくは50〜100重量部)
。
−1層1部に対し、電′tJ輸送物質が好ましくは25
〜200重量部(より好ましくは50〜100重量部)
。
本発明の微粒子が好ましくは0.1〜20重量部(より
好ましくは0.3〜10fi量部)である、微粒子が多
すぎると、残留電位が残りやすくなり、又少なすぎると
モアレ模様を減少させる効果がでない。
好ましくは0.3〜10fi量部)である、微粒子が多
すぎると、残留電位が残りやすくなり、又少なすぎると
モアレ模様を減少させる効果がでない。
本発明において電荷輸送層の膜厚は1層の場合若しくは
2層以上の場合でも5〜50#Lmが好ましく、より好
ましくはlO〜30ル1である。
2層以上の場合でも5〜50#Lmが好ましく、より好
ましくはlO〜30ル1である。
[発明の効果]
本発明によれば、低コストで製造することができるにも
かかわらず、良好な画像特性を保持しつつ、かつ電子写
真特性への影響を与えることなく干渉縞状のムラの発生
を防止したレーザー露光用電子写真感光体を提供するこ
とができる。
かかわらず、良好な画像特性を保持しつつ、かつ電子写
真特性への影響を与えることなく干渉縞状のムラの発生
を防止したレーザー露光用電子写真感光体を提供するこ
とができる。
[実施例]
以下に本発明の好ましい実施例を示すが、本発明はこれ
によって限定されるものではない。
によって限定されるものではない。
実施例1
ポリビニルホルマール樹脂(商品名:ビニレックL、チ
ー、ン社製)10gを1.2−ジクロロエタン1.00
0+osLに溶解し、アルミニウムシリンダにディップ
(浸漬)塗布法により塗布して約0.15gmの膜厚の
下引層を形成した。
ー、ン社製)10gを1.2−ジクロロエタン1.00
0+osLに溶解し、アルミニウムシリンダにディップ
(浸漬)塗布法により塗布して約0.15gmの膜厚の
下引層を形成した。
次に、ポリビニルホルマール樹脂(商品名:デンカホル
マー/L/1100、電気化学社製)4g、ポリビニル
ブチラール樹脂(商品名:エスレックBLS、積木化学
社製)、電荷発生物質として(G−7)10g。
マー/L/1100、電気化学社製)4g、ポリビニル
ブチラール樹脂(商品名:エスレックBLS、積木化学
社製)、電荷発生物質として(G−7)10g。
1.2−ジクロロエタン1,000 tanをボールミ
ル中で粉砕分散し、分散液を得た。
ル中で粉砕分散し、分散液を得た。
得られた分散液を前記下引層上にディップ法により塗布
し、100℃で10分間乾燥して、膜厚的0.2ル腸の
電荷発生層を形成した。
し、100℃で10分間乾燥して、膜厚的0.2ル腸の
電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂(パンライトに一1300帝
人化成社製) 120g、電荷輸送物質(c) 80g
、メチルメタクリレ−) 100重量部に対し、
2重量部のジビニルベンゼンを加えて懸濁重合した架橋
ポリメチルメタクリレート樹脂を粉砕1分級し、平均粒
径5.2井烏とした透明微粒子4gを1.2−ジクロロ
エタン1,000 mlに溶解及び分散し、ディップ塗
布法により前記電荷発生層上に塗布し、 110℃で1
0分間乾燥し、膜厚約22終の電荷輸送層第1層を形成
した。
人化成社製) 120g、電荷輸送物質(c) 80g
、メチルメタクリレ−) 100重量部に対し、
2重量部のジビニルベンゼンを加えて懸濁重合した架橋
ポリメチルメタクリレート樹脂を粉砕1分級し、平均粒
径5.2井烏とした透明微粒子4gを1.2−ジクロロ
エタン1,000 mlに溶解及び分散し、ディップ塗
布法により前記電荷発生層上に塗布し、 110℃で1
0分間乾燥し、膜厚約22終の電荷輸送層第1層を形成
した。
尚、 630nmのモノクロ光子、7フベ屈折計を用
いて別々に電荷輸送層と微粒子の屈折率を測定したとこ
ろ、それぞれ1.57.1.49であった。
いて別々に電荷輸送層と微粒子の屈折率を測定したとこ
ろ、それぞれ1.57.1.49であった。
さらにポリカーボネート樹脂(パンライトに−1300
、奇人化成社製) 150g、電荷輸送物質(C)75
g 、 1.2−ジクロロエタン1.Goo■立に溶解
し、ディップ塗布法により、前記電荷輸送層第1層上に
塗布し、 110℃で10分間乾燥して全膜厚21pm
の電荷輸送層を形成した。このようにして得られた感光
体を発振波長833!l簡のヘリウム−ネオンレーザ−
を有するレーザープリンター実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、干
渉縞状のムラは見られなかった。また、文字パターンな
どのライン画像についてもシャープな画像が得られた。
、奇人化成社製) 150g、電荷輸送物質(C)75
g 、 1.2−ジクロロエタン1.Goo■立に溶解
し、ディップ塗布法により、前記電荷輸送層第1層上に
塗布し、 110℃で10分間乾燥して全膜厚21pm
の電荷輸送層を形成した。このようにして得られた感光
体を発振波長833!l簡のヘリウム−ネオンレーザ−
を有するレーザープリンター実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、干
渉縞状のムラは見られなかった。また、文字パターンな
どのライン画像についてもシャープな画像が得られた。
比較例1
実施例1において、電荷輸送1層第1層に微粒子を加え
ない以外は実施例1と同様に感光層を形成して得られた
感光体を実施例1と同じ実験機に取付けて画像出しを行
ったところ1文字パターンなどのライン画像については
シャープな画像が得られたが、各種ドツトパターンによ
る中間調の画像には干渉縞状ムラが見られた。
ない以外は実施例1と同様に感光層を形成して得られた
感光体を実施例1と同じ実験機に取付けて画像出しを行
ったところ1文字パターンなどのライン画像については
シャープな画像が得られたが、各種ドツトパターンによ
る中間調の画像には干渉縞状ムラが見られた。
実施例2
フルミXIJi PETベースに下記のようにして感光
層を形成した。
層を形成した。
先ず、ポリビニルホルマール樹脂(商品名:ビニレック
K、チッソ社製) logを1.2−ジクロロエタン1
,000 +jlに溶解し、上記アルミ蒸着PETベー
ス上にロールコータ−塗布し、膜厚0.18終1の下引
層を形成した。
K、チッソ社製) logを1.2−ジクロロエタン1
,000 +jlに溶解し、上記アルミ蒸着PETベー
ス上にロールコータ−塗布し、膜厚0.18終1の下引
層を形成した。
次いでポリカーボネート樹脂(商品名:パンライ) L
−1250,奇人化成社製)5g、電荷発生物質として
(に−12) 10 g、1.2−ジクロロエタン1.
000 m lをサンドグラインダー中で4時間粉砕分
散し、分散液を得た。得られた分散液を上記下引層上に
ロールコータ−塗布法により、膜厚的0.18#L!l
の電荷発生層を形成した。
−1250,奇人化成社製)5g、電荷発生物質として
(に−12) 10 g、1.2−ジクロロエタン1.
000 m lをサンドグラインダー中で4時間粉砕分
散し、分散液を得た。得られた分散液を上記下引層上に
ロールコータ−塗布法により、膜厚的0.18#L!l
の電荷発生層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂(パンライトに−1300)
100g、電荷輸送物質(a) 75g、ポリ弗化ビ
ニリデン樹脂(FORAFLON 100OVLII、
昭和電工社製)を分級して、平均粒径4.2JL11に
した微粒子8gを1,2−ジクロロエタン1.000
rtrlに溶解及び分散し、電荷輸送層下層液とし、さ
らにポリカーボネート樹脂(商品名:パンライトに−1
300)100g電荷輸送物質(a) 75gを1.2
〜ジクロロエタン1.000 mlに溶解し、電荷輸送
層上層液とし、ffi層塗血用スライドホッパーにて、
上、下層を同時塗布し、120℃5分間乾燥して、膜厚
約22終■の電荷輸送層を形成した。
100g、電荷輸送物質(a) 75g、ポリ弗化ビ
ニリデン樹脂(FORAFLON 100OVLII、
昭和電工社製)を分級して、平均粒径4.2JL11に
した微粒子8gを1,2−ジクロロエタン1.000
rtrlに溶解及び分散し、電荷輸送層下層液とし、さ
らにポリカーボネート樹脂(商品名:パンライトに−1
300)100g電荷輸送物質(a) 75gを1.2
〜ジクロロエタン1.000 mlに溶解し、電荷輸送
層上層液とし、ffi層塗血用スライドホッパーにて、
上、下層を同時塗布し、120℃5分間乾燥して、膜厚
約22終■の電荷輸送層を形成した。
尚、?90n厘のモノクロ光子で電荷輸送層及び微粒子
の屈折率をそれぞれ測定したところ、!、57及び1.
42であった。
の屈折率をそれぞれ測定したところ、!、57及び1.
42であった。
このようにして得られたシート状感光体を適当な大きさ
に裁断後、超音波融着を行ってエンドレスベルト状とし
た。
に裁断後、超音波融着を行ってエンドレスベルト状とし
た。
この感光体ベルトを発振波長7110nmの半導体レー
ザーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ド
ツトパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、
干渉輪状のムラはまったく見られなかった。また文字パ
ターンなどのライン画像についてもシャープな画像が得
られた。
ザーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ド
ツトパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、
干渉輪状のムラはまったく見られなかった。また文字パ
ターンなどのライン画像についてもシャープな画像が得
られた。
比較例2
実施例2において、電荷輸送層下層液布液に微粒子を添
加しなかった他は実施例2と同様に感光層を形成し、さ
らにエンドレスベルト状感光体とした。
加しなかった他は実施例2と同様に感光層を形成し、さ
らにエンドレスベルト状感光体とした。
この感光体ベルトを発振波長790nmの半導体レーザ
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出し
を行ったところ1文字パターンなどのライン画像につい
てはシャープな画像が得られた。しかし各種ドツトパタ
ーンによる中間調の画像には干渉縞状のムラが見られ、
ドツトパターンによっては強く現われる場合もあった。
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて画像出し
を行ったところ1文字パターンなどのライン画像につい
てはシャープな画像が得られた。しかし各種ドツトパタ
ーンによる中間調の画像には干渉縞状のムラが見られ、
ドツトパターンによっては強く現われる場合もあった。
実施例3
実施例2において、電荷発生物質と電荷輸送物質の組み
合わせを次頁衣−1のようにした外は、同様にしてエン
ドレスベルト状感光体を得た。
合わせを次頁衣−1のようにした外は、同様にしてエン
ドレスベルト状感光体を得た。
この感光体ベルトを発振波長790nmの半導体レーザ
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、い
ずれの組み合わせの場合にもやはり干#縞状のムラは見
られなかった。また文字パターンなどのライン画像につ
いてもシャープな画像が得られた。
ーを有するレーザープリンタ実験機に取付けて各種ドツ
トパターンによる中間調の画像出しを行ったところ、い
ずれの組み合わせの場合にもやはり干#縞状のムラは見
られなかった。また文字パターンなどのライン画像につ
いてもシャープな画像が得られた。
比較例3
実施例2と全く同様にして電荷発生層まで形成した後、
メチルメタクリレ−) 80fii部、スチレン20重
呈部の比率のメチルメタクリレート−スチレンブロック
共重合体150g、電荷輸送物質(a)120gヲトル
エン1,000 m文に溶解した電荷輸送層塗布液をス
ライドホッパー塗布法により塗布し。
メチルメタクリレ−) 80fii部、スチレン20重
呈部の比率のメチルメタクリレート−スチレンブロック
共重合体150g、電荷輸送物質(a)120gヲトル
エン1,000 m文に溶解した電荷輸送層塗布液をス
ライドホッパー塗布法により塗布し。
110″0.20分間乾帰して19JL11の膜厚の半
透明の電荷輸送層を得た。
透明の電荷輸送層を得た。
さらにこの感光体を加工し、エンドレスベルト状感光体
を得た。この感光体ベルトを発振波長790rosの半
導体レーザーを有するレーザープリンタ実験機に取付け
て画像出しを行ったところ、中間m画像に干渉縞状ムラ
は見られないが、感度が低く、かぶり画像が見られる上
1文字パターンなどのライン画像についてもシャープな
画像が得られなかった。
を得た。この感光体ベルトを発振波長790rosの半
導体レーザーを有するレーザープリンタ実験機に取付け
て画像出しを行ったところ、中間m画像に干渉縞状ムラ
は見られないが、感度が低く、かぶり画像が見られる上
1文字パターンなどのライン画像についてもシャープな
画像が得られなかった。
比較例4
電荷輸送層に加える微粒子を、架橋ポリメチルメタクリ
レート樹脂の代りに白色不透明で屈折率1.64である
平均粒径4.2pmの沈降性硫酸バリウムに代えた他は
実施例1と全く同様にして感光体を作成し、実施例1と
同様にして中間yJ画像出しテストを行ったところ、干
#縞状のムラは見られなかったが、実施例1の感光体で
は、適性画像濃度を得るのに必要であったレーザー出力
が1.3にWであったのに対し、3.3mWのレーザー
出力を要した。
レート樹脂の代りに白色不透明で屈折率1.64である
平均粒径4.2pmの沈降性硫酸バリウムに代えた他は
実施例1と全く同様にして感光体を作成し、実施例1と
同様にして中間yJ画像出しテストを行ったところ、干
#縞状のムラは見られなかったが、実施例1の感光体で
は、適性画像濃度を得るのに必要であったレーザー出力
が1.3にWであったのに対し、3.3mWのレーザー
出力を要した。
比較例5
電荷輸送層に加える微粒子を、架橋ポリメチルメタクリ
レート樹脂の代りに未架橋のポリメチルメタクリレート
樹脂とし、他は実施例工と全く同様にしてテストしたと
ころ、ポリメチルメタクリレート樹脂が電荷輸送層に相
溶し、干渉縞状のムラを防止する効果を示さなかった。
レート樹脂の代りに未架橋のポリメチルメタクリレート
樹脂とし、他は実施例工と全く同様にしてテストしたと
ころ、ポリメチルメタクリレート樹脂が電荷輸送層に相
溶し、干渉縞状のムラを防止する効果を示さなかった。
比較例6
電荷輸送層に加える微粒子を、架橋ポリメチルメタクリ
レート樹脂の代りに屈折率】、83の高屈折ガラスの微
粉末(平均粒径5,1μM)を用いた他は実施例1と全
く同様にしてテストしたところ。
レート樹脂の代りに屈折率】、83の高屈折ガラスの微
粉末(平均粒径5,1μM)を用いた他は実施例1と全
く同様にしてテストしたところ。
干渉縞状のムラは見られなかったが、画像にbずかなポ
ケがみられ、又、適性画像濃度を得るのに必要なレーザ
ー出力も2.1mWと実施例1の感光体より、感度の低
下がみられた。
ケがみられ、又、適性画像濃度を得るのに必要なレーザ
ー出力も2.1mWと実施例1の感光体より、感度の低
下がみられた。
第1図〜第6図は本発明の電子写真感光体の層、1.l
r&の実施態様を示す概略断面図、第7図は本発明に用
いられる透明微粒子の存在状態を示めす説明図である。
r&の実施態様を示す概略断面図、第7図は本発明に用
いられる透明微粒子の存在状態を示めす説明図である。
Claims (2)
- (1)導電性基体上に電荷発生層と電荷輸送層を有する
電子写真感光体において、該電荷輸送層が少なくともバ
インダーと透明微粒子を含有し、該微粒子の屈折率と電
荷輸送層の屈折率の差が0.03〜0.3の範囲にある
ことを特徴とする電子写真感光体。 - (2)透明微粒子が電荷発生層と電荷輸送層の境界付近
に含有せしめられていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の電子写真感光体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11026586 | 1986-05-13 | ||
| JP61-110265 | 1986-05-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113459A true JPS63113459A (ja) | 1988-05-18 |
| JPH0623852B2 JPH0623852B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=14531303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13553886A Expired - Lifetime JPH0623852B2 (ja) | 1986-05-13 | 1986-06-10 | 干渉防止可能な微粒子を含有する電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0623852B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03175454A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-07-30 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| EP0716348A2 (en) | 1994-12-07 | 1996-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge including same and image forming apparatus |
| JP2007141951A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Asm Japan Kk | 多孔質膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13553886A patent/JPH0623852B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03175454A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-07-30 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
| EP0716348A2 (en) | 1994-12-07 | 1996-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge including same and image forming apparatus |
| EP0716348A3 (en) * | 1994-12-07 | 1997-04-23 | Canon Kk | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus using the same |
| US5834145A (en) * | 1994-12-07 | 1998-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitve member and image forming apparatus |
| JP2007141951A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Asm Japan Kk | 多孔質膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623852B2 (ja) | 1994-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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