JPS63114277A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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Publication number
JPS63114277A
JPS63114277A JP61260924A JP26092486A JPS63114277A JP S63114277 A JPS63114277 A JP S63114277A JP 61260924 A JP61260924 A JP 61260924A JP 26092486 A JP26092486 A JP 26092486A JP S63114277 A JPS63114277 A JP S63114277A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
filter
wavelength
semiconductor device
optical semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP61260924A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Hasegawa
治 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP61260924A priority Critical patent/JPS63114277A/ja
Publication of JPS63114277A publication Critical patent/JPS63114277A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4246Bidirectionally operating package structures

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は、波長の長さにより選択的に光を反射するフィ
ルタを光の入射する方向又は出射する方向に対し斜めに
して光半導体装置に珈り付けることにより、波長多重光
通信の光学系の小型化を図る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は光半導体装置に関するものであり、更に詳しく
言えば波長多重光通信に用いられる光半導体装置に関す
るものである。
(従来の技術〕 第3図は波長多重光通信システムに用いられる従来例の
光半導体装置を説明する図である。lは$380am波
長の光を発する発光ダイオードであり、2はフォトダイ
オードである。また3〜5はレンズであり、6は光の波
長の長さによって選択的に反射するフィルタであり、第
4図のフィルタ特性を有する。7は780nmおよび8
80nmの波長の光を混信することなく伝播可能な多重
通信用の光ファイバであり、9はフ中トダイ才一ドテT
oる。10〜12はレンズ、13は第4図で示すフィル
タ特性を有するフィルタである。
次に第3図の波長多重通信システムの動作について説明
する。左方のセットの発光ダイオードlで発せられた8
80nmの信号光はレンズ4を通った後フィルタ6で反
射され、更にレンズ5およびファイバ7を通って右方の
セットのレンズ12に伝播する1次いでフィルタ13で
反射され、レンズllを通ってフォトダイオード9に入
射する。
一方、右方のセットの発光ダイオード8から発せられた
780nmの信号光はレンズlOを通っり後フィルタ1
3を通過し、レンズ12およびファイバ7を通って左方
のセットのレンズ5に伝播する。更にフィルタ6および
レンズ3を通過した後にフォトダイオード2に入射する
このようにして双方向の通信が一木のファイバを介して
行なわれる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、かかる波長多重光通信の利用が更に進めるた
めには各セットが小型化および低価格することが望まし
い。
本発明はかかる点に着目して創作されたものであり、波
長多重光通信に用いられるコンパクトな光を導体装この
提供を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光半導体装nは、波長の長さにより選択的に光
を反射するフィルタを有し、該フィルタ面が光の入射も
しくは出射方向に対し傾斜して形成されていることを特
徴とする。
〔作用〕
光半導体装置に取り付けられたフィルタに光が斜めに入
射するとき、該フィルタはある波長の光を通過し、別の
波長の光を反射する。
このようにして特定の波長のみが光半導体装tに入射し
たり、あるいは光半導体装置から出射する。
〔実施例〕
次に図を参照しながら本発明の実施例について説lJ1
する。第1図は本発明の実施例に係る光半導体装lの構
造断面図である。14は支持体18の内側に埋め込まれ
た封止用ガラス、15はリードピンであり、16は半導
体チップである。17はボンディングワイヤであり、半
導体チップ16上の電極と1つのリードビンとを電気的
に接続している。19は支持体18の一端に固着するリ
ング、20は表面に反射膜28が形成されているガラス
であり、21はガラス20を固定するとともに内部を密
封するためのMLN:用ガラスである。
次に実施例装置のつくり方を概略説明すると、一般にリ
ング19の材料としてコバールが用いあられ、板又はパ
イプから圧延成形されてつくられる。またガラス20の
材料としてはコバールガラスと同一の熱膨張係数のコバ
ールガラスが用いられ、両面が鏡面に研府された後、長
円型に切断される。このガラス20は封市用ガラス14
(PbOなどの低融点ガラス)によってリング19に固
着され、リング19の表面はN1などのメッキが施され
る。さらにガラス20の表面には蒸着法やスパッタリン
グ法によって酸化II、I(Ah03.Tt02など)
が形成され、これによりガラス20は波長の長さにより
選択的に光を反射又は透過するフィルタとなる。このよ
うにして光半導体装置に斜めに取り付けられたフィルタ
を有する本発明の実施例装置が完成する。
第2図は本発明の実施例装置を波長多毛光通信システム
に適用する図である。23は本発明の光半導体装置とし
てのフォトダイオード、24は光が入射する方向に対し
て斜め(45°)になるようにフォトダイオード自体に
取り付けられた第4図に示す特性を有するフィルタであ
る。25は発光ダイオード、26はファイバ、27はレ
ンズである。
次に第2図のシステムの動作を説明する0発光ダイオー
ド25から出た880nmの波長の光はフィルタ24に
より反射され、レンズ27を通過した後、ファイバ26
を通って不図示の別の局の方へ伝送される。一方、該別
の局から発した780nmの波長の光はファイバ26お
よびレンズ27を通り、次いで24を通過してフォトダ
イオード23の内部に入り、これにより光を受信する。
このようにフォトダイオード23に直接フィルタ24を
取り付けることにより、システムを構成する部品点数を
少なくすることが可能となり、またシステムを小型化す
ることができる。
なお実施例ではフォトダイオード23にフィルタ24を
取り付けた場合について説明したが、発光ダイオード2
5に取り付けることも可壱である。またフィルタ24の
表面に形成する酸化膜の組成を変えることにより、種々
のフィルタ特性のフィルタを作成することも可能である
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば光半導体装置に直
接、フィルタを斜めに取り付けることにより、光通信シ
ステムを構成する部品点数を少なくすることができると
ともに、システム全体の小型化を図ることが可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図は末完IJ1の実施例に係る光半導体装置の構成
断面図。 第2図は本発明の実施例装置を光通信システムに応用す
る場合の説II図、 第3図は従来例に係る波長多重光通信システムの説明図
、 第4図はフィルタの特性を示す図である。 (符号の説明) 1.8.25・・・発光ダイオード、 2.9.23・・・フォトダイオード、3〜5.10〜
12.27・・・レンズ、6.13.24・・・フィル
タ、 7.26・・・ファイバ、 14・・・封止用ガラス、 15・・・リードピン、 16・・・半導体チップ、 17・・・ポンディングワイヤ、 18・・・支持体、 19・・・リング、 20・・・ガラス、 21・・・封ロー用ガラス。 22・・・反射膜。 代理人 弁理士 井桁 貞−゛、′ A虜51゛口月6)鴫ミづ駐i−イ列 B同第! コ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)波長の長さにより選択的に光を反射するフィルタ
    を有し、該フィルタ面が光の入射もしくは出射方向に対
    し傾斜して形成されていることを特徴とする光半導体装
    置。
  2. (2)前記傾斜角度は約45°であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項に記載の光半導体装置。
  3. (3)前記フィルタはガラス板に反射膜を被着すること
    により形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項
    に記載の光半導体装置。
JP61260924A 1986-10-31 1986-10-31 光半導体装置 Pending JPS63114277A (ja)

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JP61260924A JPS63114277A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 光半導体装置

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JPS63114277A true JPS63114277A (ja) 1988-05-19

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04111761U (ja) * 1991-03-14 1992-09-29 ホーヤ株式会社 受光素子
JP2008091738A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Truelight Corp 双方向光信号送受信装置
WO2011046004A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 株式会社Qdレーザ 光送受信装置
CN101150368B (zh) 2006-09-21 2011-12-28 光环科技股份有限公司 双向光信号收发装置

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