JPS6311732Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は半導体装置の収納容器に関するもの
で、主としてMOS形半導体装置を対象とした導
電性樹脂製収納容器の改良である。

MOS形半導体装置は半導体基板と電極金属間
に静電気がチヤージされやすく、これがかなり高
い電圧になるために半導体装置の機能を一瞬にし
て破壊する場合が少なくない。

従来このような破壊を防ぐためにMOS構造半
導体装置のリードを導電性スポンジに突き挿して
各リード間を導通せしめるという方法が採られて
いた。

しかし上記導電性スポンジは合成スポンジゴム
などにカーボンＣまたは鉄Fe等のごとき導電性
物質の微粉末をスポンジの多孔構造の内部にまで
滲透はたは沈着せしめたものであるため、これに
リードを抜き挿しすると上記導電性物質の微粉末
が飛散して、しばしば試験器やソケツトの中に入
り込み、故障或いは誤動作を引き起こすことがあ
る。

そこでこの対策として導電性樹脂を成型加工し
て半導体装置を収納する容器を作製する方法が試
みられているが、従来は半導体装置の大きさ、形
状に合わせて容器を作製していたので、種類が多
く費用がかさむという問題があつた。

本考案はこれらの問題点を解消するためになさ
れたもので、導電性微粉末の飛散がなく、且つ汎
用性のある導電樹脂製半導体装置収納容器を提供
することを目的とする。

本考案の特徴は、複数のリード端子を有する半
導体装置に収納容器において、幅が表面両側から
底部に向つて次第に狭く形成され、底部が前記リ
ード端子を締めつけ得る程度の幅を有した溝が、
前記リード端子間の最短距離のピツチで平行に配
設されるように導電性樹脂を成形加工してなるこ
とにある。

以下本考案の詳細を図面により説明する。

第１図は本考案の一実施例の要部斜視図であ
る。半導体装置収納容器１は導電性樹脂で作製さ
れており、全面に溝２がピツチｐで平行に設けら
れている。本実施例ではピツチｐは2.54mmにし
た。また前記溝２は底部３の巾より頂部４の巾の
方が広くなつている。

上記のごとく本実施例において溝２を2.54mmピ
ツチで平行に配設したのは次の理由による。

集積回路、トランジスタアレイなどのように端
子数が多く、しかも端子リードをプリント基板の
孔に挿入固着して使用される半導体装置は、その
端子リードの配置をプリント基板の孔の配置に合
せて作られている。通常のプリント基板は縦横と
も2.54mmピツチで孔が設けられている。換言すれ
ば第２図に示すように２組の平行線群Ai（ｉ＝
１，２，…，ｎ）とBj（ｊ＝１，２，…，ｍ）を
直交させた時、その両者の交点AiBjがプリント
基板の孔の位置となる。上記半導体装置のリード
の位置は上記プリント基板の孔の位置即ち第２図
の交点AiBjのどれかの位置に対応している。

従つて導電樹脂の板の全面に第２図の交点
AiBjに相当する位置に孔をあけて置けば、前記
半導体装置のリードをその孔に挿入することによ
り収納することができる。しかしこの場合は半導
体装置のリードと上記孔とを位置合せすることが
必要で煩雑である。そこで第２図の２組の平行線
群のうちの一方、例えばBjの平行線群に相当す
る部分を溝にすれば半導体装置を収納するに際し
て位置合わせの煩雑さが除かれて便利である。

第３図は上述の趣旨で作製された第１図の実施
例に集積回路を収納した状態の一例を示すもので
ある。収納容器１は導電性樹脂を成形加工して製
作され、溝２を2.54mmピツチで平行に設けてあ
る。溝２にはデユアル・イン・ライン型集積回路
（Dual−in−linetype，以下DIT ICと略す）５の
リード６，７が挿入されている。溝２の深さは
DIT IC５の基体の底面８から下の部分のリード
の長さより浅くしてあるので、リード６，７の先
端は溝２の底部３に締めつけられ、各リード間を
導通させ、ICの破壊を防いでいる。リードの配
置はリード６とリード７の間隔は5.08mmであるか
ら図に示すように２ピツチ離れた２本の溝に丁度
収まる。またDIT ICを収納するに際しては、溝
２の頂部４の巾が広くなつているのでリードを挿
入し易い。

第４図は他の型の集積回路の底面であつて、リ
ード６は四辺に２列に配置されている。この場合
も相互に隣接するリード間隔及び内側のリードと
外側のリードの間隔ともに2.54mmである。従つて
この場合も第１図実施例の収納容器に収納できる
ことは明らかである。

第６図は、第１図の実施例の収納容器に種々の
半導体装置１０，２０を収納した場合の斜視図で
ある。半導体装置１０はDITタイプで、２０は４
つの側面に複数のリード端子がそれぞれ設けられ
たタイプである。本実施例の収納容器１は溝２が
リード端子の最短距離である2.54mm（100mil）の
ピツチｐで設けられているので、どのような種類
の半導体装置も収容できる。IC１０はリード端
子がピツチｐ間隔で設けられ、IC２０は隣接す
るリード端子間はピツチｐで対向する辺のリード
端子間はピツチ５ｐで設けられている。もちろん
第４図の如くリードが配列されたICも収容でき
る。

第５図は、第１図、第３図、及び第６図に示し
た半導体収納容器の溝方向と垂直な方向の断面図
である。本実施例はミゾ２の底部３の巾をリード
の太さより狭くしてある。リードをこの溝２に挿
入して上部より押圧すれば、リードの先端は底部
３に食い込み固く保持されるので、各リード間の
導通が完全になると同時に、少々の振動では抜け
落ちることもなく、取扱上便利になる。

更に集積回路の小型化、或いは集積度の向上な
どにより、リード間隔が狭くなつた場合には、そ
のリード間隔に溝のピツチを合せて本考案の趣旨
の収納容器を作ることができる。

以上説明したごとく本考案の収納容器によれ
ば、MOS型半導体装置の保護のための静電気対
策機能を損うことなく、導電性微粉末が埃として
飛散しないので機器の故障や誤動作を防ぐことが
でき、しかも汎用性を持たせることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す要部斜視図、
第２図は本考案の溝の位置と半導体装置のリード
の位置との関係を説明するための図面、第３図は
第１図の一実施例をDIT ICに使用した時の状態
を示す要部斜視図、第４図はDIT ICとは異なる
型の集積回路のリードの配置図、第５図は、本考
案の半導体収納容器の溝方向と垂直な方向の断面
図、第６図は種々の半導体装置を収納した場合の
斜視図である。 １……導電性樹脂製半導体装置収納容器、２…
…溝、３……溝の底部、４……溝の頂部、ｐ……
溝のピツチ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 複数のリード端子を有する半導体装置の収納容
   器において、幅が表面両側から底部に向つて次第
   に狭く形成され、底部が前記リード端子を締めつ
   け得る程度の幅を有した溝が、前記リード端子間
   の最短距離のピツチで平行に配設されるよう導電
   性樹脂を成形加工してなることを特徴とする半導
   体装置の収納容器。