JPS6311902A - 結晶質光フアイバ及びその製造方法 - Google Patents
結晶質光フアイバ及びその製造方法Info
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- JPS6311902A JPS6311902A JP62052689A JP5268987A JPS6311902A JP S6311902 A JPS6311902 A JP S6311902A JP 62052689 A JP62052689 A JP 62052689A JP 5268987 A JP5268987 A JP 5268987A JP S6311902 A JPS6311902 A JP S6311902A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(7)技術分野
この発明は、コア・クラッド構造を持つ赤外光用の結晶
質光ファイバとその製造方法に関する。
質光ファイバとその製造方法に関する。
光通信用の光ファイバとしては、石英ガラスファイバが
広く用いられており、既に十分な実績がある。
広く用いられており、既に十分な実績がある。
石英ガラスファイバはステップインデックス型とグレー
ディッドインデックス型とがある。
ディッドインデックス型とがある。
ステップインデックス型は、中心のコアと、周辺のクラ
ッドの二層構造からなっている。
ッドの二層構造からなっている。
石英ガラスファイバは極めて低損失であって優れた特性
を持っている。しかし、可視光や近赤外光(〜1.5μ
m)にしか使えない。これより長い波長の光を通す事が
できない。
を持っている。しかし、可視光や近赤外光(〜1.5μ
m)にしか使えない。これより長い波長の光を通す事が
できない。
CO2レーザの光は、強力なパワーを得やすいので、医
療用、工業用に広い用途を持っている。しかし、波長が
10.6μmと長いため、これ全十分に低損失で通すこ
とのできるガラスファイバは存在しな゛い。
療用、工業用に広い用途を持っている。しかし、波長が
10.6μmと長いため、これ全十分に低損失で通すこ
とのできるガラスファイバは存在しな゛い。
CO2レーザ光用に開発されているファイバはいくつか
存在する。いずれもかなり大きい損失があり、短い距離
でのみ使用される。1m〜数mまでの長さのファイバが
使用される。
存在する。いずれもかなり大きい損失があり、短い距離
でのみ使用される。1m〜数mまでの長さのファイバが
使用される。
しかし、もともとC02レーザの光はパワー源として利
用する事が多いので、短い光ファイバであっても十分有
用である。
用する事が多いので、短い光ファイバであっても十分有
用である。
CO2レーザ光を通すことのできるファイバとして、ガ
ラスファイバと結晶質ファイバがある。
ラスファイバと結晶質ファイバがある。
ガラスファイバとしては、カルコゲナイドガラス、フッ
化物ガラスなどがある。
化物ガラスなどがある。
結晶質光ファイバには、金属ハライド結晶と呼ばれるも
のがある。
のがある。
これには、大別して3種類のものがある。
(1) 銀ハライド結晶
AgBr 、 AgCl、Agr及びこれらの混晶(1
1] タリウムハライド結晶 TlBr、TβCβ、TβI及びこれらの混晶01D
アルカリハライド結晶 CsI、CsBr及びこれらの混晶 これらの他に、Zn5e 5ZnS Zどの結晶質光フ
ァイバも赤外光ファイバとして用いられる。
1] タリウムハライド結晶 TlBr、TβCβ、TβI及びこれらの混晶01D
アルカリハライド結晶 CsI、CsBr及びこれらの混晶 これらの他に、Zn5e 5ZnS Zどの結晶質光フ
ァイバも赤外光ファイバとして用いられる。
本発明は、これらのファイバの材料のうち、銀ハライド
結晶の光ファイバの改良に関する。
結晶の光ファイバの改良に関する。
結晶質ファイバの製造方法は、プリフォームから出発す
る押し出し法、融液から出発する引上げ法、引下げ法な
どがある。
る押し出し法、融液から出発する引上げ法、引下げ法な
どがある。
押し出し法は、単結晶のプリフォーム全ダイに入れ、加
熱して軟らかくし、圧縮して細い穴から押し出すことに
より細いファイバとするものである。
熱して軟らかくし、圧縮して細い穴から押し出すことに
より細いファイバとするものである。
これにより多結晶のファイバを作る事ができる。
これに反して、るつぼに結晶材料を入れ、ヒータによっ
て加熱し、融かして液体にする方法もある。この液体を
原料融液という。るつぼ上面から種結晶を原料融液に漬
けて引上げてゆく方法が引上げ法である。通常の結晶成
長法と同じ手法である。
て加熱し、融かして液体にする方法もある。この液体を
原料融液という。るつぼ上面から種結晶を原料融液に漬
けて引上げてゆく方法が引上げ法である。通常の結晶成
長法と同じ手法である。
原料融液を入れるべきるつぼ下底に穴を穿っておき、穴
から結晶を引下げてゆくのが引下げ法である。
から結晶を引下げてゆくのが引下げ法である。
原料融液から出発するものは、単結晶のファイバ全得や
すい。しかし、成長速度が遅くて生産性が悪い。
すい。しかし、成長速度が遅くて生産性が悪い。
プリフォームから出発する押し出し法は、押し出し速度
がかなり速いので生産性が良い。
がかなり速いので生産性が良い。
従来の結晶質ファイバの押し出し加工に於て、金型温度
は250℃以上であった。特に300℃以上であること
が殆どであった。
は250℃以上であった。特に300℃以上であること
が殆どであった。
押し出し速度は101分以下、特に54分以下であるこ
とが多かった。
とが多かった。
本発明は、結晶質光ファイバを押し出し法で製造する場
合の改良に関する。
合の改良に関する。
ピ)従来技術
これらの赤外光用光ファイバは、通常コアのみからなる
。クラッドに相当する部分を欠いている。
。クラッドに相当する部分を欠いている。
コア材料が、単にポリマーチューブに挿入されたものが
光ファイバとして使われている。従って、コア結晶とチ
ューブの間に存在する空気がクラッドの働きをする。
光ファイバとして使われている。従って、コア結晶とチ
ューブの間に存在する空気がクラッドの働きをする。
コアと空気には屈折率の差がある。このため、界面で全
反射しながら、赤外光がコアの中に伝搬してゆく。エア
クラッド構造という。
反射しながら、赤外光がコアの中に伝搬してゆく。エア
クラッド構造という。
空気がクラッドの役割を果すというが、これは極めて不
安定なりラッドである。
安定なりラッドである。
光伝送において極めて重要な役割に果たすコア表面が、
光ファイバの置かれている環境や条件によって、汚染さ
れたり、損傷全骨けたりする。
光ファイバの置かれている環境や条件によって、汚染さ
れたり、損傷全骨けたりする。
コア表面が汚染された場合、水滴などが付いた場合、コ
ア・クラッド間の屈折率差が変わるので、ここで強い吸
収が起こる。
ア・クラッド間の屈折率差が変わるので、ここで強い吸
収が起こる。
C02レーザの光は強力な光であるので、吸収によって
強く発熱する。ときには、光ファイバが破壊されること
もある。
強く発熱する。ときには、光ファイバが破壊されること
もある。
特に、光ファイバの出射端、入射端に於て、光の漏れが
著しく、端部に熱損傷が発生しやすい。
著しく、端部に熱損傷が発生しやすい。
このように、エアクラッド構造には、いくつかの難点が
ある。
ある。
赤外光ファイバにクラッドを付ける事ができればよいわ
けである。
けである。
クラッドを有する赤外光ファイバについて概観する。
赤外光ファイバコアの外周に金属被膜を真空蒸着し、こ
れによって光フアイバコアを保護し、表面からの赤外光
の洩れを防止する、という提案がなされた(特開昭56
−132301.昭和56年10月26日公開)。
れによって光フアイバコアを保護し、表面からの赤外光
の洩れを防止する、という提案がなされた(特開昭56
−132301.昭和56年10月26日公開)。
たとえば、1μm厚みの金を光ファイバのまわりに真空
蒸着する。金は赤外光をよく反射するので、コアの中に
赤外光全効果的に閉じこめる事ができる。
蒸着する。金は赤外光をよく反射するので、コアの中に
赤外光全効果的に閉じこめる事ができる。
しかし、金コーティング元ファイバには次のような欠点
がある。
がある。
円形断面をもつ光ファイバの外周に、金を均等に蒸着す
るのが難しい。金材料の無駄も多い。
るのが難しい。金材料の無駄も多い。
さらに、金層を厚く付ける事ができない。せいぜい1μ
m程度の薄いものしかできない。このように薄いと、物
理的にコア全保護するという機能に乏しい。コア内に光
全閉じこめる効果も不十分である。
m程度の薄いものしかできない。このように薄いと、物
理的にコア全保護するという機能に乏しい。コア内に光
全閉じこめる効果も不十分である。
金は赤外光に対して透明でない。このため金層に入った
赤外光は強く吸収され、発熱する。このため、金層全あ
まり厚くできない、という欠点もある。
赤外光は強く吸収され、発熱する。このため、金層全あ
まり厚くできない、という欠点もある。
石英ガラスファイバなどの場合と同じく、クラッドは、
その波長の光をよく通す材料であるべきである。
その波長の光をよく通す材料であるべきである。
また、赤外用結晶材料のコアとクラッドからなる結晶質
ファイバを作製する方法が提案されているが、工数が多
く、製造工程が煩雑である、という欠点があった。
ファイバを作製する方法が提案されているが、工数が多
く、製造工程が煩雑である、という欠点があった。
(ロ) 目 的
予め作製されたコアの外側に、次工程でクラッド全被覆
形成するというのでは’x (、押し出し法により、−
挙にコア・クラッド構造の結晶質光ファイバを製造する
方法を提供する事が本発明の第1の目的である。
形成するというのでは’x (、押し出し法により、−
挙にコア・クラッド構造の結晶質光ファイバを製造する
方法を提供する事が本発明の第1の目的である。
AgBr−AgCl混晶系のファイバの改良であって、
コア・クラッドの界面を二重に備えており、CO□レー
ザの光線を、より一層強くコアに閉じこめる事のできる
ファイバを提供する事が本発明の第2の目的である。
コア・クラッドの界面を二重に備えており、CO□レー
ザの光線を、より一層強くコアに閉じこめる事のできる
ファイバを提供する事が本発明の第2の目的である。
に)本発明の方法
本発明は、 AgBrとAgClとを組み合わせ、2重
のクラッドとコアとよりなる三重構造の赤外用光ファイ
バを与える。
のクラッドとコアとよりなる三重構造の赤外用光ファイ
バを与える。
10.6μmの波長の光に対して、AgBrの方がAg
C[よりも屈折率が高い。そこで、AgBrとAg(J
をコア・クラッドに適合するように組合わせる。
C[よりも屈折率が高い。そこで、AgBrとAg(J
をコア・クラッドに適合するように組合わせる。
ただし、後に述べるように、コアの材料が押し出し条件
によって、コアと内クラツドに分かれる。
によって、コアと内クラツドに分かれる。
こうなるなめに、コアの材料が制限される。
コアは純粋のAgBrであってはならない。
しかし、クラッド材料は2層に分離したりしないので、
そのような制限がす<、10軽のAgCdであってもよ
い。
そのような制限がす<、10軽のAgCdであってもよ
い。
コアとクラッドの要求される特性には、このような非対
称性がある。このため、AgBr 、 AgClの選択
に関して、非対称性がある。複雑な組合わせと選択しな
ければならない。
称性がある。このため、AgBr 、 AgClの選択
に関して、非対称性がある。複雑な組合わせと選択しな
ければならない。
第1図は本発明の製造方法を行なうための結晶質ファイ
バ押し出し装置の断面図である。
バ押し出し装置の断面図である。
プリフォーム1は、コア1bと、クラッド1aとよりな
る良質の単結晶である。コア・クラッドともにAgBr
とAg(Jとを組合わせな成分をもつ結晶である。しか
し、組成比が異なるのでコアとクラッドという差異が生
ずる。
る良質の単結晶である。コア・クラッドともにAgBr
とAg(Jとを組合わせな成分をもつ結晶である。しか
し、組成比が異なるのでコアとクラッドという差異が生
ずる。
コア材料とクラッド材料の組合わせについては、次の5
つの場合が可能である。
つの場合が可能である。
(I):17はAgBr f主体として、AgClを0
.1〜10W#添加した混晶である。添加量をx v筋
とする。
.1〜10W#添加した混晶である。添加量をx v筋
とする。
クラッドはAgGg 100%の混晶である。簡単に書
くと、 コア AgBr : AgCl= 1 : xクラッド
AgBr : AgCl= O: 10.11
彬≦X≦lQi泌 (1):!7はAgBr @主体とし、AgCl=z
0.1wt%〜10wt%添加した混晶である。
くと、 コア AgBr : AgCl= 1 : xクラッド
AgBr : AgCl= O: 10.11
彬≦X≦lQi泌 (1):!7はAgBr @主体とし、AgCl=z
0.1wt%〜10wt%添加した混晶である。
クラッドはAgClを主体とし、 AgBr f Ow
筋〜10mm/分の添加した混晶である。AgBrの添
加量全yと書く。簡単シζ書くと、 コア AgBr : AgCl= 1 : xクラッド
AgBr : AgC[= y : IQ、
l■彬≦X≦to”=rts o<y≦LOW筋 x、yの大小関係は任意である。
筋〜10mm/分の添加した混晶である。AgBrの添
加量全yと書く。簡単シζ書くと、 コア AgBr : AgCl= 1 : xクラッド
AgBr : AgC[= y : IQ、
l■彬≦X≦to”=rts o<y≦LOW筋 x、yの大小関係は任意である。
■ コアはAgBr f主体として、AgClを0 、
1wt%〜10wt%添加しに混晶である。クラッドも
AgBrを主体として、AgClを0 、1wt1〜1
01%添加した混晶である。しかし、コアに於けるAg
Clの含有率が、クラッドに於けるAgC,5の含有率
より低い。簡単に書くと コア AgBr : AgC[= 1 : Xクラッド
AgBr : AgCl= 1 : uQ、
1wt%≦x < u≦l0wti(皿)コアはAgC
lを主体とし、AgBr f:Q 。1wt% 〜10
W筋添加した混晶である。クラッドはAgClを主体と
し、AgBr t−Qv#〜lQw#添加した混晶であ
る。ただし、コアに於けるAgBrの含有量がクラッド
に於けるAgBrの含有量よりも大きい。
1wt%〜10wt%添加しに混晶である。クラッドも
AgBrを主体として、AgClを0 、1wt1〜1
01%添加した混晶である。しかし、コアに於けるAg
Clの含有率が、クラッドに於けるAgC,5の含有率
より低い。簡単に書くと コア AgBr : AgC[= 1 : Xクラッド
AgBr : AgCl= 1 : uQ、
1wt%≦x < u≦l0wti(皿)コアはAgC
lを主体とし、AgBr f:Q 。1wt% 〜10
W筋添加した混晶である。クラッドはAgClを主体と
し、AgBr t−Qv#〜lQw#添加した混晶であ
る。ただし、コアに於けるAgBrの含有量がクラッド
に於けるAgBrの含有量よりも大きい。
:27 AgBr : AgCl=Z : 1クラツ
ド AgBr : AgCl1= 7 : 1
o<y≦l0wt% 0.1w筋≦2≦I Qvr筋 y (z (V) :tアはAgC# を主体とし、AgBr
f Q、1wt%〜10Wt/i添加した混晶である。
ド AgBr : AgCl1= 7 : 1
o<y≦l0wt% 0.1w筋≦2≦I Qvr筋 y (z (V) :tアはAgC# を主体とし、AgBr
f Q、1wt%〜10Wt/i添加した混晶である。
クラッドはAgCl100%である。
コア AgBr : AgCl=z : 1クラツド
AgBr : AgCl= O: 1O−IW
筋≦2≦l 0WVJ このように、 AgBr 、 AgClのコア、クラッ
ド成分組合わせに於て、5つの場合がある。
AgBr : AgCl= O: 1O−IW
筋≦2≦l 0WVJ このように、 AgBr 、 AgClのコア、クラッ
ド成分組合わせに於て、5つの場合がある。
極めて分りに(いので、組成図によって説明する。
第4図はコア・クラッドの組成比グラフである。
これは通常よく用いられる相図ではない。本発明を的確
に表現するため、本発明者が特別に考案した組成比グラ
フである。
に表現するため、本発明者が特別に考案した組成比グラ
フである。
正方形0PQRよりなる。横軸方向がコアの組成上水す
。縦軸方向がクラッドの組成を示す。
。縦軸方向がクラッドの組成を示す。
コア、クラッドともにAgBrが100%のものを基準
とし、AgClの比が増えるごとに座標η、この値が増
えるものとしている。
とし、AgClの比が増えるごとに座標η、この値が増
えるものとしている。
原点Oは、コア、クラッドともに100%AgBrを表
現している。点PはコアがAgCl100%、クラッド
がAgBr 100%を示す。
現している。点PはコアがAgCl100%、クラッド
がAgBr 100%を示す。
つまり、コアについていえば、直線ORは、AgBr1
00%を示し、直線PQはAgCl100%を示してい
る。コアの組成比変数をηとする。ηは0から1の間の
値をとる。直線ORでηは0.直線PQでηは1とする
。
00%を示し、直線PQはAgCl100%を示してい
る。コアの組成比変数をηとする。ηは0から1の間の
値をとる。直線ORでηは0.直線PQでηは1とする
。
つまり、ηはコアの、AgC2が全体に占める重量比で
ある。
ある。
1、l、l[に於る変数Xは、ηに対してη =(1)
1+X
の関係がある。
皿、■に於る変数2は、ηに対して
η = −(2)
1+z
の関係がある。これは比の表現を分数表現に書き換えた
だけの事である。
だけの事である。
1、L lに於て、コア組成に関し、x = 001w
筋と10W筋とが境界を与える。皿、■に於て、z=0
,1wt%と1(lvt% とが境界を与えている。
筋と10W筋とが境界を与える。皿、■に於て、z=0
,1wt%と1(lvt% とが境界を与えている。
これらは(1)、(2)式からそれぞれηの下記の値に
対応する。
対応する。
! = 0.1W%J 77 = 0.001 (
直線a)! = 10wt% 77 = 0.0
91 (直線b)” =IQv姉77 == 0−91
(直線C)z = 0.1vt% 77 =
0.999 (直線d)第4図に於て縦直線a、b、c
、dはηのこれらの値に対応している。 コア組成に関
しては、1%l、Hについてはa Nbにあり、皿、■
についてはc Ndにある。
直線a)! = 10wt% 77 = 0.0
91 (直線b)” =IQv姉77 == 0−91
(直線C)z = 0.1vt% 77 =
0.999 (直線d)第4図に於て縦直線a、b、c
、dはηのこれらの値に対応している。 コア組成に関
しては、1%l、Hについてはa Nbにあり、皿、■
についてはc Ndにある。
以上はコアの組成ηに関する横軸の説明であった。次に
クラッドの組成ζについて説明する。
クラッドの組成ζについて説明する。
横直線OPは、クラッドが100%AgBrである事を
示す。横直線RQは、クラッドが100%AgClであ
る事を示す。クラッドの組成変数ζは、クラブト全体に
占めるAgCAの重量比として定義する。
示す。横直線RQは、クラッドが100%AgClであ
る事を示す。クラッドの組成変数ζは、クラブト全体に
占めるAgCAの重量比として定義する。
ζ=0がOPに、ζ=1がRQに対応している。
IとVに於てクラッドはAgCtが100%である。
これはぐ=1という事であり、ζ;lの直線をiという
と、I、Vは直線i(直線RQに同じ)にある、という
事ができる。
と、I、Vは直線i(直線RQに同じ)にある、という
事ができる。
Iはコア組成に関してa Nb間にあり、クラッドに関
してはi上にある。結局、■は線分ABで示される領域
に等価である。
してはi上にある。結局、■は線分ABで示される領域
に等価である。
■はコア組成に関してcNd間にあり、クラッドに関し
てはi上にある。結局、■は線分MNで示される領域に
等価である。
てはi上にある。結局、■は線分MNで示される領域に
等価である。
■はクラッド中の、AgCtのAgBrに対する重量比
Uが0.1w姉〜tovr埒であるといっている。■と
皿はクラッド中の、 AgBrのAgCtに対する重量
比yが0wt%〜l0wt%であるといっている。これ
らは、 ζ = −(3) 1+u という式によって、AgCAの全体に対する重量比ζに
書き換える事ができる。それぞれの限界値は下記に対応
する。
Uが0.1w姉〜tovr埒であるといっている。■と
皿はクラッド中の、 AgBrのAgCtに対する重量
比yが0wt%〜l0wt%であるといっている。これ
らは、 ζ = −(3) 1+u という式によって、AgCAの全体に対する重量比ζに
書き換える事ができる。それぞれの限界値は下記に対応
する。
u==Q、l4崇 ζ=0.001 (直線e)
u == 10W筋 ζ=0.091 (直線
の)’ = 10!# ζ=0.91 (直線
g)第4図に於て横に引いた直線e1f1gはこの上記
の値に対応している。
u == 10W筋 ζ=0.091 (直線
の)’ = 10!# ζ=0.91 (直線
g)第4図に於て横に引いた直線e1f1gはこの上記
の値に対応している。
lについては、”、’/の範囲が限定され、x。
y自体の大小関係は規定されていない。つまり、コアに
関してはaNb間に、クラッドに関してはgNi間にあ
ればよい。結局、目は長方形CDBAで示される領域に
対応する。
関してはaNb間に、クラッドに関してはgNi間にあ
ればよい。結局、目は長方形CDBAで示される領域に
対応する。
■については、より複雑である。コアについてはa N
b間、クラッドについては+5 Nf’間にある。
b間、クラッドについては+5 Nf’間にある。
その上、X(uという不等式がある。これは式(1)、
(3)から、ηくこという事である。η=このグラフが
直線OQである。ηくζは、OQの左上という事を意味
する。従って、■は三角形IGHで囲まれる(線分IG
が除かれる)領域に対応する、という事が分る。
(3)から、ηくこという事である。η=このグラフが
直線OQである。ηくζは、OQの左上という事を意味
する。従って、■は三角形IGHで囲まれる(線分IG
が除かれる)領域に対応する、という事が分る。
皿については、同様に複雑な点がある。コアに関しては
cwd間にあり、クラッドに関しては8〜1間にある。
cwd間にあり、クラッドに関しては8〜1間にある。
さらにy<zという条件がある。
これはζくηという事である。直線OQの左上である。
結局、皿は不等脚台形JKNMで示される領域に対応す
る。
る。
1〜Vのコア・クラッド組成を、η、ζで書くと、次の
ようになる。これは第4図の表現と等価である。
ようになる。これは第4図の表現と等価である。
1 0.001≦η≦0.091 ζ=11 0.0
01≦η≦0.091 0.91≦ζくll1l O,
001≦ηくζ60.091皿 0.91 ≦η ≦
0.999 ドζ 0.91≦ζくIV
O,91≦η≦0.999 ζ=1となる。ただしI
、Ifはひとつにまとめる事ができる。■に於てクラッ
ドは「混晶」だといっており、IでクラッドがAgCl
100%の結晶だと表現しているから、このように、2
つに分けられる。
01≦η≦0.091 0.91≦ζくll1l O,
001≦ηくζ60.091皿 0.91 ≦η ≦
0.999 ドζ 0.91≦ζくIV
O,91≦η≦0.999 ζ=1となる。ただしI
、Ifはひとつにまとめる事ができる。■に於てクラッ
ドは「混晶」だといっており、IでクラッドがAgCl
100%の結晶だと表現しているから、このように、2
つに分けられる。
しかし、混晶比AgBr : AgCl= y : 1
を定義したとき、0≦y≦lQW七%とすれば、I、l
を含むことになる。y = Q wt%を混晶というの
は変であるが、これも混晶と呼ぶことにすれば、Iとl
をひとつにまとめる事ができる。
を定義したとき、0≦y≦lQW七%とすれば、I、l
を含むことになる。y = Q wt%を混晶というの
は変であるが、これも混晶と呼ぶことにすれば、Iとl
をひとつにまとめる事ができる。
皿とVも0≦y≦lQW筋とすればひとつにまとめられ
る。
る。
このような組成のプリフォームを作製する事は、本発明
を実施するための準備として必要である。
を実施するための準備として必要である。
まず、引上げ法又はポート法でコアの部分を単結晶とし
て成長させる。これを円柱研削し円柱形の単結晶とする
。
て成長させる。これを円柱研削し円柱形の単結晶とする
。
クラッドについても、同様に単結晶を成長させる。内部
を除去し円筒形に研削する。このクラッドとコアとを組
合わせてプリフォームとする。
を除去し円筒形に研削する。このクラッドとコアとを組
合わせてプリフォームとする。
このようにプリフォームは、AgBrとAgCtの混晶
であって、コアとなりクラッドとなる部分を予め形成し
たものである。
であって、コアとなりクラッドとなる部分を予め形成し
たものである。
さらに、光学的特性を損なわない程度に、機械的特性を
改善するためなどの目的で、その他の微量元素を添加し
てもよい。
改善するためなどの目的で、その他の微量元素を添加し
てもよい。
こうしてプリフォームが準備されるので、本発明は、こ
れを出発原料として用いる。
れを出発原料として用いる。
プリフォームが本発明に従って押し出し加工されると、
コアの部分がコアと内クラツドになる。
コアの部分がコアと内クラツドになる。
この部分をコア・内クラツド部分と呼ぶ。
クラッドの部分は最外方に位置するクラッドになる。こ
の部分を外クラッド部分と呼ぶ。
の部分を外クラッド部分と呼ぶ。
第1図に於て、金型4.4は、プリフォーム1の入るべ
き円柱状の空間を形成している。
き円柱状の空間を形成している。
この空間の先端には、細い穴を有する押し出しダイス2
が設けである。軟化したプリフォームは、ここから外部
へ押し出される。
が設けである。軟化したプリフォームは、ここから外部
へ押し出される。
金型4.4の周囲には、金型とプリフォームを均一に加
熱するためのヒータ5が設けられている。
熱するためのヒータ5が設けられている。
金型の温度をモニタするため、金型内に熱電対(図示せ
ず)を設け℃いる。これの温度測定値に帰りで 1−’
J77’lパq−朱11舖冬粁外へ−7へ1て金型
、プリフォームを所定の温度に保持する。
ず)を設け℃いる。これの温度測定値に帰りで 1−’
J77’lパq−朱11舖冬粁外へ−7へ1て金型
、プリフォームを所定の温度に保持する。
ラム3は前記の円柱状空間を進退可能に設けられる。こ
れは、プリフォーム1を、押し出しダイス、2から押し
出すものである。
れは、プリフォーム1を、押し出しダイス、2から押し
出すものである。
第1図に示すような押し出し装置の構成は公知である。
本発明は、既に述べたプリフォームの組成と、プリフォ
ームの押し出し温度、押し出し速度に特徴がある。これ
らの条件を特別に設定することνζより、コア材が、コ
アと内クララYの2層に分かれるのである。
ームの押し出し温度、押し出し速度に特徴がある。これ
らの条件を特別に設定することνζより、コア材が、コ
アと内クララYの2層に分かれるのである。
既に述べたように、従来の結晶質光ファイバの押し出し
加工に於て、金型温度は250℃以上で、300℃以上
である事が殆どであった。押し出し速度は10m/分以
下、特に5IIIIIZ分以下であることが多かった。
加工に於て、金型温度は250℃以上で、300℃以上
である事が殆どであった。押し出し速度は10m/分以
下、特に5IIIIIZ分以下であることが多かった。
ところが本発明では、
(1)金型温度 80℃〜200℃(11)
押し出し速度 5〜30g+m/分従来の方法に
比べて、本発明の押し出し条件は、温度域が低く、押し
出し速度が速い。
押し出し速度 5〜30g+m/分従来の方法に
比べて、本発明の押し出し条件は、温度域が低く、押し
出し速度が速い。
前述したような銀ハライド混晶である二重構造プリフォ
ームを、金型4の円柱状内部空間に入れ、ラム3で封じ
、ヒータ5によって、80℃〜200℃に加熱する。こ
の温度でプリフォームは融けないが、軟化する。
ームを、金型4の円柱状内部空間に入れ、ラム3で封じ
、ヒータ5によって、80℃〜200℃に加熱する。こ
の温度でプリフォームは融けないが、軟化する。
ラム3に適当な機械力を加えて、押し出しダイス2から
、多結晶ファイバ6を5〜30m/分 の速さで押し
出す。
、多結晶ファイバ6を5〜30m/分 の速さで押し
出す。
そうすると、細い多結晶ファイバ6が連続的に製造され
てゆくことになる。
てゆくことになる。
製造された多結晶ファイバの拡大断面図を第2図(b)
に示している。
に示している。
太線で示した部分がコア・クラッドの界面である。プリ
フォームがコア・クラッドの二重構造を持っており、こ
の界面がファイバに形成した後に残ったものである。し
たがって、この界面Yは、プリフォームの中にもともと
存在したものである。
フォームがコア・クラッドの二重構造を持っており、こ
の界面がファイバに形成した後に残ったものである。し
たがって、この界面Yは、プリフォームの中にもともと
存在したものである。
断面図に於て、細線は結晶粒界を示している。
ファイバ断面に現われる結晶粒の大きさが一様でない。
本発明の最大の特徴がここにある。結晶粒は中心部で極
めて小さく、周辺部では極めて太きい。コアの部分でこ
のような差異が歴然として生ずるのである。
めて小さく、周辺部では極めて太きい。コアの部分でこ
のような差異が歴然として生ずるのである。
実測によると、中心部の結晶粒の直径D2 と、周辺部
の結晶粒の直径Dl との比DI/D2は5倍以上であ
る。
の結晶粒の直径Dl との比DI/D2は5倍以上であ
る。
結晶粒の形状、寸法は不定であるが、中心部と周辺部の
結晶粒の大きさには、轄然とした差異がある。
結晶粒の大きさには、轄然とした差異がある。
しかも、結晶粒の大きさの差異が、連続的に或はランダ
ムに起こるのではす<、はぼ同一円上にそって、この変
化が起こっている。これが重要な点である。
ムに起こるのではす<、はぼ同一円上にそって、この変
化が起こっている。これが重要な点である。
結晶粒の大きさの差異により、新たな界面Xが発生する
。この界面Xは押し出し成型を経る事により、自然に発
生するのである。この界面又は、ファイバ外周に対して
、はぼ同心円状である。
。この界面Xは押し出し成型を経る事により、自然に発
生するのである。この界面又は、ファイバ外周に対して
、はぼ同心円状である。
このようにして、本発明の方法により、光ファイバには
、2つの界面が生じる。結晶粒径の違いによる界面Xと
、組成の違いによる界面Yとである。
、2つの界面が生じる。結晶粒径の違いによる界面Xと
、組成の違いによる界面Yとである。
界面Yの内外では、結晶粒が概して大きく、粒径の差異
はない。しかし、プリフォームを製造する際に組成を変
えているから、組成の相違が界面Yの内外に存在してい
る。
はない。しかし、プリフォームを製造する際に組成を変
えているから、組成の相違が界面Yの内外に存在してい
る。
同じプリフォームを押し出し成形しても、温度が200
℃を越えると、結晶粒径は中心でも周辺でもほぼ同じ大
きさになる。粒径に於て殆ど差がない。大きい粒径の一
様な結晶粒の集まりとなり、第2図(a)に示すような
断面になる。
℃を越えると、結晶粒径は中心でも周辺でもほぼ同じ大
きさになる。粒径に於て殆ど差がない。大きい粒径の一
様な結晶粒の集まりとなり、第2図(a)に示すような
断面になる。
第2図(a)の断面をもつものを、以後、従来法による
比較例として説明する。これには、組成の相異によるコ
ア・クラッド界面Y(太線で示す)のみが存在する。
比較例として説明する。これには、組成の相異によるコ
ア・クラッド界面Y(太線で示す)のみが存在する。
金型温度を下げて、200℃になるとはじめて、ファイ
バ中心部に、結晶粒の小さい部分が現われる。
バ中心部に、結晶粒の小さい部分が現われる。
温度をさらに下げてゆくと、中心部の小さい結晶粒の部
分が拡大してくる。つまり、中心のコアに当たる部分が
拡大してくる。反対にクラッドの部分が減少してくるの
である。
分が拡大してくる。つまり、中心のコアに当たる部分が
拡大してくる。反対にクラッドの部分が減少してくるの
である。
簡単に言えば、温度が低いとクラッドが薄くなり、温度
が高いとクラッドが厚くなる。ここでクラッドというの
は、界面Xの外側の事である。コアというのは界面Xの
内側の事である。
が高いとクラッドが厚くなる。ここでクラッドというの
は、界面Xの外側の事である。コアというのは界面Xの
内側の事である。
そして、80℃以下になると、ファイバ断面の全体が微
細な結晶になる。つまり、第2図(b)の界面Xの内部
にある部分が全体に拡がったような構造になる。このた
め、界面Xによって規定されるコア・クラッド構造が’
l<7xる。
細な結晶になる。つまり、第2図(b)の界面Xの内部
にある部分が全体に拡がったような構造になる。このた
め、界面Xによって規定されるコア・クラッド構造が’
l<7xる。
図式的にいえば、200℃以上になるとコアが消失し、
80℃以下になるとクラッドが消失する。このため、8
0℃以下又は200℃以上の押し出し温度では、二重構
造が’lx<72るのである。
80℃以下になるとクラッドが消失する。このため、8
0℃以下又は200℃以上の押し出し温度では、二重構
造が’lx<72るのである。
既に述べたとおり、内クラツド部の結晶粒の大きさDl
と、コア部の結晶粒の大きさD2の比の値DI/D2は
5以上であることが望ましい。
と、コア部の結晶粒の大きさD2の比の値DI/D2は
5以上であることが望ましい。
このように、粒径の差がある時、コア部と内りラッド部
の、C02レーザ光に対する屈折率差が、約2%以上に
なる。
の、C02レーザ光に対する屈折率差が、約2%以上に
なる。
屈折率差により、コアに光を閉じこめることができる。
コアが有効に光を閉じこめる事ができるためには、クラ
ッドの厚みは、かなり厚(すくてはならない。少なくと
もコア径の5%以上の厚みを持たなければならない。
ッドの厚みは、かなり厚(すくてはならない。少なくと
もコア径の5%以上の厚みを持たなければならない。
顕微鏡観察によって粒径を実測しな。中心部の結晶粒の
大きさは数μmであった。周辺部の結晶粒の大きさは3
0〜100μm程度であった。
大きさは数μmであった。周辺部の結晶粒の大きさは3
0〜100μm程度であった。
結晶粒径は、ファイバ径の大小にもよる。
ファイバ径が1mである時、周辺の結晶粒の大きさは約
50〜100μmであった。。
50〜100μmであった。。
ファイバ径が0.7mである時、周辺の結晶粒の大きさ
は約40〜70μmであった。
は約40〜70μmであった。
本発明は、Ag、Br −AgCt混晶による結晶材料
、押し出し温度80℃〜200℃、押し出し速度5m/
分〜30閣/分 という特定の条件の組合わせにより、
結晶粒径が中心と周辺で異なり、界面Xによって特徴づ
けられるコア・クラッド二重構造となる結晶質ファイバ
を押し出し加工により製作するものである。
、押し出し温度80℃〜200℃、押し出し速度5m/
分〜30閣/分 という特定の条件の組合わせにより、
結晶粒径が中心と周辺で異なり、界面Xによって特徴づ
けられるコア・クラッド二重構造となる結晶質ファイバ
を押し出し加工により製作するものである。
二重構造となる理由は、以下のように推測される。
強い圧力で押されて、プリフォームがダイスから細いフ
ァイバとなって出て(る時、ファイバを構成する結晶粒
が微細化する。ダイスを通過した後、微細な結晶粒が大
きく統合されてゆく再結晶化が起こる。
ァイバとなって出て(る時、ファイバを構成する結晶粒
が微細化する。ダイスを通過した後、微細な結晶粒が大
きく統合されてゆく再結晶化が起こる。
再結晶化の際、ファイバ押し出し加工時のファイバ内の
応力の不均一により、ファイバ中心部と周辺部の微細な
結晶粒が再結晶化する速度が異なる。この中心と周辺の
結晶粒径の差異と、ファイバ内応力分布による屈折率の
差異とを生じるものではないか、と推測されるのである
。
応力の不均一により、ファイバ中心部と周辺部の微細な
結晶粒が再結晶化する速度が異なる。この中心と周辺の
結晶粒径の差異と、ファイバ内応力分布による屈折率の
差異とを生じるものではないか、と推測されるのである
。
重要なことは、このコア・クラッド構造が屈折率差を生
じ、光をコアに閉じこめる作用を持っている、という事
である。
じ、光をコアに閉じこめる作用を持っている、という事
である。
コアの組成は、A、HBrとAgCtの混晶であって、
AgClの混晶比率ηが0.001〜0.091と、0
.91〜0.999のものに限られる。これ以外の組成
であると、コア、内クラツドの2重構造が発生しない。
AgClの混晶比率ηが0.001〜0.091と、0
.91〜0.999のものに限られる。これ以外の組成
であると、コア、内クラツドの2重構造が発生しない。
AgBrが100%のコアであると、2重構造が生じな
い。それで100%AgBrコアが除外される。
い。それで100%AgBrコアが除外される。
なぜ、押し出し成形に於て、コア・内クラツドの2重構
造ができるのか?というと、次のように考えられる。
造ができるのか?というと、次のように考えられる。
強い圧力で押されて、プリフォームがダイスから細いフ
ァイバとなって出てくる時、ファイバを構成する結晶粒
は微細化する。ダイスを通過した後、微細な結晶粒が大
きく統合されてゆく再結晶化が起こる。この際、ファイ
バ押し出し加工時の7フイハ内の応力の不均一シーより
、ファイバ中心部および周辺部の微細な結晶粒が再結晶
する速度が異なる。周辺部の方がひずみ応力が大きいの
で、再結晶が速い。
ァイバとなって出てくる時、ファイバを構成する結晶粒
は微細化する。ダイスを通過した後、微細な結晶粒が大
きく統合されてゆく再結晶化が起こる。この際、ファイ
バ押し出し加工時の7フイハ内の応力の不均一シーより
、ファイバ中心部および周辺部の微細な結晶粒が再結晶
する速度が異なる。周辺部の方がひずみ応力が大きいの
で、再結晶が速い。
このために、内外で結晶粒が異なるのであろう。
それとともに、内外で屈折率差が生ずるのであろう。
これは、押し出し速度が速いことと、温度が低いことに
よる。
よる。
また、コアの混晶比にもよる。100%AgBrだとこ
ういう事が起こらない。粒径が大きいものばかりになる
。
ういう事が起こらない。粒径が大きいものばかりになる
。
AgBr : AgCL = 50%:50%では、全
体に結晶粒が小さくなりすぎる。それゆえ、混晶比が、
これらの中間である0 、1 wt%〜tovtsであ
る領域で結晶粒径のちがう領域を作り出すことができる
ようになるのである。
体に結晶粒が小さくなりすぎる。それゆえ、混晶比が、
これらの中間である0 、1 wt%〜tovtsであ
る領域で結晶粒径のちがう領域を作り出すことができる
ようになるのである。
外クラッドに対する組成比の制限は比較的少ない。
ただし、コア・クララY間(Y界面)で材料にもとづ(
屈折率差がなければならないから、クラッドのAgBr
混晶比は、コアのAgBrの混晶比より少なくなくては
ならない。
屈折率差がなければならないから、クラッドのAgBr
混晶比は、コアのAgBrの混晶比より少なくなくては
ならない。
これは第4図で直線OQの左上に組成比値が存在すると
いう事である。
いう事である。
(イ)作 用
本発明によって製造した結晶質光ファイバは三重構造を
もっている。界面Xより内部のコアと、界面又と界面Y
の間の内クラツド、界面Yより外側の外クラッドの三重
構造である。
もっている。界面Xより内部のコアと、界面又と界面Y
の間の内クラツド、界面Yより外側の外クラッドの三重
構造である。
第1図に示したように、もともと二重構造を備えたプリ
フォームから出発するので、三重構造になる。
フォームから出発するので、三重構造になる。
CO2レーザの光を通すと、屈折率差によって、光がコ
アの中に閉じこめられる。屈折率差が、コアと内クラツ
ドの間で、2〜1%程度生ずることが測定によって分っ
た。これだけの屈折率差があれば、光を効率的に閉じこ
めることができる。光ファイバの表面から漏れる光成分
が減少するから、実質的に透過率が高くなる。特に、赤
外ファイバの問題として深刻なものである、出射端、入
射端での光の漏れを有効に防ぐことができる。
アの中に閉じこめられる。屈折率差が、コアと内クラツ
ドの間で、2〜1%程度生ずることが測定によって分っ
た。これだけの屈折率差があれば、光を効率的に閉じこ
めることができる。光ファイバの表面から漏れる光成分
が減少するから、実質的に透過率が高くなる。特に、赤
外ファイバの問題として深刻なものである、出射端、入
射端での光の漏れを有効に防ぐことができる。
また、ファイバの表面が傷ついても、透過率の低下がよ
り少ない。クラッドがコアを保護しているからである。
り少ない。クラッドがコアを保護しているからである。
さらに、より小さいビームスポットを得やすい、という
事がある。光エネルギーがコア);局在しているからで
ある。第3図に示すような評価装置を用いて、ビーム径
の拡がりを測定することができる。アクリルのバーンパ
ターンから、ビーム径を測定すると、本発明の光ファイ
バの方が、スポット径が小さいという事が分った。
事がある。光エネルギーがコア);局在しているからで
ある。第3図に示すような評価装置を用いて、ビーム径
の拡がりを測定することができる。アクリルのバーンパ
ターンから、ビーム径を測定すると、本発明の光ファイ
バの方が、スポット径が小さいという事が分った。
(2)効 果
プリフォームを押し出し装置によって押し出すだけの工
程により、コア・内クラツド・外クラッド三重構造の結
晶質ファイバを製造する事ができる。
程により、コア・内クラツド・外クラッド三重構造の結
晶質ファイバを製造する事ができる。
このファイバは、C02レーザの光を中心に集めて伝搬
する作用を持つコアと、コアを被覆して機械的にこれを
保護するとともに界面に於てC02レーザの光を反射す
る2重のクラッドよりなる。このため、全体として、コ
アだけからなる光ファイバに比べて透過率が高くなる。
する作用を持つコアと、コアを被覆して機械的にこれを
保護するとともに界面に於てC02レーザの光を反射す
る2重のクラッドよりなる。このため、全体として、コ
アだけからなる光ファイバに比べて透過率が高くなる。
透過率を測定すると、0.7snφ、1m長さの光ファ
イバで、本発明のものが68%であった。同径、同長の
比較例(第2図(a)に示す)にあっては透過率が55
%であった。13%もの差があったのである。この結果
から、C02レーザの光を極めて有効に伝搬させる事が
できる、という事が分る。
イバで、本発明のものが68%であった。同径、同長の
比較例(第2図(a)に示す)にあっては透過率が55
%であった。13%もの差があったのである。この結果
から、C02レーザの光を極めて有効に伝搬させる事が
できる、という事が分る。
また、レーザ光がより狭く局在しているから、Zn5e
77どのレンズを使い、より小さいスポットのビーム
に絞ることができる。
77どのレンズを使い、より小さいスポットのビーム
に絞ることができる。
第8図に示す評価装置により、C02レーザの光のビー
ム拡がりを、本発明と比較例のファイバについて測定し
た。
ム拡がりを、本発明と比較例のファイバについて測定し
た。
結晶質光ファイバの光をZn5eレンズで集光し、アク
リル板に当てる。アクリル板はビーム径に応じて焼損す
る。焼損した部分の形状をバーンパターンという。バー
ンパターンからビーム径を知る事ができる。
リル板に当てる。アクリル板はビーム径に応じて焼損す
る。焼損した部分の形状をバーンパターンという。バー
ンパターンからビーム径を知る事ができる。
本発明の光ファイバを用いた時のバーンパターンは0.
3snφであった。比較例のバーンパターンは0.6+
mφであった。
3snφであった。比較例のバーンパターンは0.6+
mφであった。
第1表は本発明と比較例(従来例)に係る結晶質ファイ
バの、CO□レーザ光を通した時のビームスポット径と
透過率の測定結果を示す表である。
バの、CO□レーザ光を通した時のビームスポット径と
透過率の測定結果を示す表である。
第1表 本発明、従来例のファイバの
ビームスポット径、透過率
比較例のファイバも、第2図(a)に示すように、コア
・クラッド構造をもっているから、出射面でのビーム径
がファイバ外径(0,7m=φ)より狭く、0.61φ
となっている。また透過率もがなり良い。
・クラッド構造をもっているから、出射面でのビーム径
がファイバ外径(0,7m=φ)より狭く、0.61φ
となっている。また透過率もがなり良い。
しかし、本発明の光ファイバは、スポット径、透過率に
おいて、それよりもなお優れている。
おいて、それよりもなお優れている。
C02レーザの光を効率よ(伝搬させることができ、出
射端に於てより細いビームに絞る事ができる。
射端に於てより細いビームに絞る事ができる。
従って、C02レーザの光を導くために本発明の光ファ
イバを用いれば、加工対象物の上に、強いエネルギー密
度の光を集中させる事ができる。
イバを用いれば、加工対象物の上に、強いエネルギー密
度の光を集中させる事ができる。
本発明の光ファイバを利用する事により、CO2レーザ
を用いた工業用加工機、医療用治療機は、より一層有用
性を高める事ができる。
を用いた工業用加工機、医療用治療機は、より一層有用
性を高める事ができる。
第1図は本発明の結晶質光ファイバの製造装置の縦断面
図。 第2図(a)は結晶粒径がファイバ全断面に於てほぼ同
一である従来例の結晶質ファイバの断面図。 第2図中)は本発明による結晶質ファイバの断面図。 第3図はビームを評価するための装置の構成図。 第4図はコア、クラッドの混晶比率を示すグラフ。 1 ・・・・・・ プリフォーム 1a ・・・ プリフォームのクラッド1b ・・・
プリフォームのコア 2 ・・・・・・ 押し出しダイス 3 ・・・・・・ ラ ム4・・・
・・・金 型 5 ・・・・・・ ヒ − タロ ・・・
・・・ 多結晶ファイバ 発 明 者 高 橋 謙
−葭 1) 典 之
図。 第2図(a)は結晶粒径がファイバ全断面に於てほぼ同
一である従来例の結晶質ファイバの断面図。 第2図中)は本発明による結晶質ファイバの断面図。 第3図はビームを評価するための装置の構成図。 第4図はコア、クラッドの混晶比率を示すグラフ。 1 ・・・・・・ プリフォーム 1a ・・・ プリフォームのクラッド1b ・・・
プリフォームのコア 2 ・・・・・・ 押し出しダイス 3 ・・・・・・ ラ ム4・・・
・・・金 型 5 ・・・・・・ ヒ − タロ ・・・
・・・ 多結晶ファイバ 発 明 者 高 橋 謙
−葭 1) 典 之
Claims (8)
- (1)AgBr:AgCl=1:xの混晶であつてコア
と内クラツドとよりなり、中心部のコアの結晶粒径が周
辺部の内クラツドの結晶粒径よりも微小であつてコアと
内クラッドの間に界面Xが存在するコア・内クラッド部
分と、AgBr:AgCl=y:1の混晶であるか或は
AgBr:AgCl=1:uの混晶であつて前記コア・
内クラッド部の外側に界面Yに於て接する外クラツドと
よりなり、0.1wt%≦x≦10wt%、0wt%≦
y≦10wt%、0.1wt%≦u≦10wt%、x<
uである事を特徴とする結晶質光ファイバ。 - (2)結晶質内クラツドの厚さが、コアの直径の5%以
上である事を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
の結晶質光ファイバ。 - (3)結晶質コアの粒径が、結晶質内クラツドの結晶粒
径の1/5以下である事を特徴とする特許請求の範囲第
(1)項又は第(2)項記載の結晶質光ファイバ。 - (4)AgBr:AgCl=z:1の混晶であつてコア
と内クラツドとよりなり中心部のコアの結晶粒径が周辺
部の内クラツドの結晶粒径よりも微小であつて、コアと
内クラツドの間に界面Xが存在するコア・内クラツド部
分と、AgBr:AgCl=y:1の混晶であつて前記
コア・内クラツド部の外側に界面Yに於て接する外クラ
ッドとよりなり、0wt%≦y≦10wt%、0.1w
t%≦z≦10wt%、y<zである事を特徴とする結
晶質光ファイバ。 - (5)結晶質内クラツドの厚さが、コアの直径の5%以
上である事を特徴とする特許請求の範囲第(4)項記載
の結晶質光ファイバ。 - (6)結晶質コアの粒径が、結晶質内クラッドの結晶粒
径の1/5以下である事を特徴とする特許請求の範囲第
(4)項又は第(5)項に記載の結晶質光ファイバ。 - (7)AgBr:AgCl=1:xの混晶であるコアと
、AgBr:AgCl=y:1の混晶であるか或はAg
Br:AgCl=1:uの混晶であるクラッドとを組合
わせたプリフオームであつて、0.1wt%≦x≦10
wt%、0.1wt%≦u≦10wt%、0wt%≦y
≦10wt%、x<uである組成のプリフオームを、8
0℃〜200℃に加熱し、5〜30mm/分の加工速度
で押し出し加工する事を特徴とする結晶質光ファイバの
製造方法。 - (8)AgBr:AgCl=z:1の混晶であるコアと
、AgBr:AgCl=y:1の混晶であるクラッドと
を組合わせたプリフオームであつて、0wt%≦y≦1
0wt%、0.1wt%≦z≦10wt%、y<zであ
る組成のプリフオームを、80℃〜200℃に加熱し、
5〜30mm/分の加工速度で押し出し加工する事を特
徴とする結晶質光ファイバの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5747786 | 1986-03-15 | ||
| JP61-57477 | 1986-03-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311902A true JPS6311902A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=13056785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62052689A Pending JPS6311902A (ja) | 1986-03-15 | 1987-03-06 | 結晶質光フアイバ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169421A (en) * | 1990-09-15 | 1992-12-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing silica glass optical waveguide preform |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052689A patent/JPS6311902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5169421A (en) * | 1990-09-15 | 1992-12-08 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing silica glass optical waveguide preform |
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