JPS63124418A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
- Publication number
- JPS63124418A JPS63124418A JP26860886A JP26860886A JPS63124418A JP S63124418 A JPS63124418 A JP S63124418A JP 26860886 A JP26860886 A JP 26860886A JP 26860886 A JP26860886 A JP 26860886A JP S63124418 A JPS63124418 A JP S63124418A
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- JP
- Japan
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- etching
- resist
- shape
- dry etching
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はドライエツチング方法、さらに詳しくはフロン
系ガスを用いたＳｉＯ２膜（以下酸化膜と略記すること
がある）のエツチング方法に関する。
系ガスを用いたＳｉＯ２膜（以下酸化膜と略記すること
がある）のエツチング方法に関する。
従来、ドライエツチングにより酸化膜に順テーパーをつ
ける方法としては、等友釣なエツチングを行なったり、
フォトレジストを後退させながらテーパーをつける等が
行なわれてきた。この場合、エツチング後のパターンの
寸法の再現性が悪く、微細なパターンでは順テーパー形
成は実用上不可能であった。
ける方法としては、等友釣なエツチングを行なったり、
フォトレジストを後退させながらテーパーをつける等が
行なわれてきた。この場合、エツチング後のパターンの
寸法の再現性が悪く、微細なパターンでは順テーパー形
成は実用上不可能であった。
本発明の目的は、従来の技術における欠点をとりのぞき
、寸法積度の高いテーパーエツチング形状の得られる酸
化膜の順テーパー形状ドライエツチング方法を提供する
ことである。
、寸法積度の高いテーパーエツチング形状の得られる酸
化膜の順テーパー形状ドライエツチング方法を提供する
ことである。
本発明はＳｉＯ７膜のドライエツチングにおいて、逆台
形の形状のレジストをエツチングマスクとし、約１００
Ｐａのフロン系ガスを用いてエツチングすることを特徴
とするＳｉＯ７１ｍの順テーパー形状を形成する方法で
ある。
形の形状のレジストをエツチングマスクとし、約１００
Ｐａのフロン系ガスを用いてエツチングすることを特徴
とするＳｉＯ７１ｍの順テーパー形状を形成する方法で
ある。
本発明を図面を用いて説明する。第１図の１はカソード
カップル（陰極結合）方式エツチングリアクター、２は
エツチングガス（ＣＨＦ３ 、 Ｃ２Ｆ ６ 、１（ｅ
）の導入口、３は上部電極、４は下部電極、５は高周波
（１３，５６ＭＨｚ）電源、６は真空排気口、７．１３
は上部電極の冷却用水ライン、８は終点検出Ｈｅ−Ｎｅ
レーザーチューブである。第２図の９はレジスト、１２
はＳｉＯ２膜１０、Ｓｉ基板１１からなるウェハーであ
る。エツチング時は第１図のエツチングガス導入口２か
らガスを導入し、高周波電源５により上部３、下部電極
４の間でプラズマが発生し、イオンシース領域にＣＦ３
＋等の陽イオンが進入、加速され、陰極へ直進する。そ
の際、下部電極（陰極）上にある被エツチング物（ウェ
ハー）に衝突し、エツチングが行なわれ、生成物排気口
６より真空ポンプへ排気される。被エツチング物は通常
フォトレジスト等のマスクを用いて、エツチングする部
分とされない部分とを分けるのであるが、本発明におい
てはレジストを第２図の９のように逆台形にするので加
速されたＣＦ３＋等のイオンがＳｉ２面に対して垂直に
入射すると同時にレジスト下の逆台形によるシャドー空
間１３にも入り込み、レジスト下端よりエツチングが開
始される。
カップル（陰極結合）方式エツチングリアクター、２は
エツチングガス（ＣＨＦ３ 、 Ｃ２Ｆ ６ 、１（ｅ
）の導入口、３は上部電極、４は下部電極、５は高周波
（１３，５６ＭＨｚ）電源、６は真空排気口、７．１３
は上部電極の冷却用水ライン、８は終点検出Ｈｅ−Ｎｅ
レーザーチューブである。第２図の９はレジスト、１２
はＳｉＯ２膜１０、Ｓｉ基板１１からなるウェハーであ
る。エツチング時は第１図のエツチングガス導入口２か
らガスを導入し、高周波電源５により上部３、下部電極
４の間でプラズマが発生し、イオンシース領域にＣＦ３
＋等の陽イオンが進入、加速され、陰極へ直進する。そ
の際、下部電極（陰極）上にある被エツチング物（ウェ
ハー）に衝突し、エツチングが行なわれ、生成物排気口
６より真空ポンプへ排気される。被エツチング物は通常
フォトレジスト等のマスクを用いて、エツチングする部
分とされない部分とを分けるのであるが、本発明におい
てはレジストを第２図の９のように逆台形にするので加
速されたＣＦ３＋等のイオンがＳｉ２面に対して垂直に
入射すると同時にレジスト下の逆台形によるシャドー空
間１３にも入り込み、レジスト下端よりエツチングが開
始される。
ＣＦ３”イオンは直進性がある為、その台部分はレジス
ト上端の部分がマスクとなり、 ＳｉＯ２へ垂直に入射
する。５ｊ０２と接触したＣＦ３＋イオンは９ ＳｉＯ
２と反応してＳｉＦ４、ＣＯあるいはＣＯ２を生成して
排気される。レジストの下のシャドウ空間へも多少イオ
ンが入り込むと共に、レジストからの分解生成物や、プ
ラズマ中で発生するＣＦ系ポリマーがＳｉＯ２側壁を保
護する為に順テーパーの形状を得るものと考えられる。
ト上端の部分がマスクとなり、 ＳｉＯ２へ垂直に入射
する。５ｊ０２と接触したＣＦ３＋イオンは９ ＳｉＯ
２と反応してＳｉＦ４、ＣＯあるいはＣＯ２を生成して
排気される。レジストの下のシャドウ空間へも多少イオ
ンが入り込むと共に、レジストからの分解生成物や、プ
ラズマ中で発生するＣＦ系ポリマーがＳｉＯ２側壁を保
護する為に順テーパーの形状を得るものと考えられる。
第２図の下向きの矢印はフロン系ガスがＳｉＯ２膜に衝
突する方向を示してあり、第２図（ａ）はエツチング開
始時の状態を、第２図（ｂ）はエツチング進行時の状態
を示し、上向きへの矢印は、反応により生成した前記５
ＩＦ４ 、ＧＯ，００２などの排気される方向を示すも
のである。
突する方向を示してあり、第２図（ａ）はエツチング開
始時の状態を、第２図（ｂ）はエツチング進行時の状態
を示し、上向きへの矢印は、反応により生成した前記５
ＩＦ４ 、ＧＯ，００２などの排気される方向を示すも
のである。
本発明に用いるフロン系ガスとしては、ＣＦ４−Ｏ２、
ＣＦ４−Ｈ２、ＣＨＦ３ 、Ｃ２Ｆ６ 、［：３Ｆａお
よびこれらの混合物等公知のものが挙げられる。これら
ガスのエツチング実施時の圧力は約１００Ｐａが好まし
い。圧力がより高くなると下に凸の弓形（等方向）の形
状となり、圧力がより低くなるとレジスト上部からほぼ
垂直の形状となる。
ＣＦ４−Ｈ２、ＣＨＦ３ 、Ｃ２Ｆ６ 、［：３Ｆａお
よびこれらの混合物等公知のものが挙げられる。これら
ガスのエツチング実施時の圧力は約１００Ｐａが好まし
い。圧力がより高くなると下に凸の弓形（等方向）の形
状となり、圧力がより低くなるとレジスト上部からほぼ
垂直の形状となる。
第３図は本発明の応用例を示す。レジストな第２図で示
したと同様の逆台形とし、前記本発明の方法で酸化膜の
順テーパー形状を形成させ、ついでガス圧を下げると異
方性の強いエツチングが支配的になってほぼ垂直のエツ
チングが可能となり、第３図のごとき酸化膜形状を得る
ことができる。
したと同様の逆台形とし、前記本発明の方法で酸化膜の
順テーパー形状を形成させ、ついでガス圧を下げると異
方性の強いエツチングが支配的になってほぼ垂直のエツ
チングが可能となり、第３図のごとき酸化膜形状を得る
ことができる。
第４図は本発明のレジストの他の例を示す。
前述の第２図に示した形状のレジストを用いて正常のエ
ツチングが行なわれた場合は第４図（ａ）に示した酸化
膜形状が得られるが、さらに過剰のオーバーエツチング
になると、レジストそのものも多少エツチングされて、
元のパターン寸法よりシフトし、したがって酸化膜のテ
ーパー角は９０゜に近ずき第４図（ｂ）に示した形状に
なる。このような場合に、逆台形の上にその上表面を底
面とした、断面が方形のレジストを重ね合わせた第４図
（Ｃ）に示した形状のレジストを用いることによりオー
バーエツチングにおいても所呈の酸化膜形状を得ること
ができる。
ツチングが行なわれた場合は第４図（ａ）に示した酸化
膜形状が得られるが、さらに過剰のオーバーエツチング
になると、レジストそのものも多少エツチングされて、
元のパターン寸法よりシフトし、したがって酸化膜のテ
ーパー角は９０゜に近ずき第４図（ｂ）に示した形状に
なる。このような場合に、逆台形の上にその上表面を底
面とした、断面が方形のレジストを重ね合わせた第４図
（Ｃ）に示した形状のレジストを用いることによりオー
バーエツチングにおいても所呈の酸化膜形状を得ること
ができる。
以上説明したように、本発明の方法によりドライエツチ
ング時に用いるレジストマスクの形状を逆テーパーにし
、高圧力（１００Ｐａ前後）のフロン系ガスでＳｉＯ２
膜をドライエツチングすると寸法積度の高い順テーパー
のエツチング形状が得られ、レジスト剥離後のＧＶＤや
スパッタによる成膜において良好なステップカバレッジ
を行なうことができる。
ング時に用いるレジストマスクの形状を逆テーパーにし
、高圧力（１００Ｐａ前後）のフロン系ガスでＳｉＯ２
膜をドライエツチングすると寸法積度の高い順テーパー
のエツチング形状が得られ、レジスト剥離後のＧＶＤや
スパッタによる成膜において良好なステップカバレッジ
を行なうことができる。
第１図は陰極結合型エツチングリアクターの概念図、第
２図は本発明の詳細な説明図で第２図（ａ’）はエツチ
ング開始時、第２図（ｂ）はエツチング進行時の状態を
示す。第３図は本発明の応用例の模式図、第４図は本発
明のレジストの他の例を説明する図で、第４図（ａ）は
好ましいエツチングの例、第４図（ｂ）はオーバーエツ
チングの例、第４図（ｃ）はオーバーエツチングにも適
合するレジストの形状の例を示す。 １・・・・・・エツチングリアクター、２・・・・・・
エツチングガス導入口、３・・・・・・上部電極、 ４・・・・・・丁部電極、 ５・・・・・・高周波電源、 ６・・・・・・真空排気口、 ７・・・・・・冷却水人口、 ８・・・・・・終点検出Ｈｅ−Ｎｅレーザーチューブ、
９・・・・・・レジスト、 １０・・・・・・ＳｉＯ２膜、 １１・・・・・・Ｓｉ基板、 １２・・・・・・ウェハー、 １３・・・・・・シャドー空間、 １４・・・・・・冷却水出口。 特許出願人 キャノン株式会社 キャノン販売株式会社
２図は本発明の詳細な説明図で第２図（ａ’）はエツチ
ング開始時、第２図（ｂ）はエツチング進行時の状態を
示す。第３図は本発明の応用例の模式図、第４図は本発
明のレジストの他の例を説明する図で、第４図（ａ）は
好ましいエツチングの例、第４図（ｂ）はオーバーエツ
チングの例、第４図（ｃ）はオーバーエツチングにも適
合するレジストの形状の例を示す。 １・・・・・・エツチングリアクター、２・・・・・・
エツチングガス導入口、３・・・・・・上部電極、 ４・・・・・・丁部電極、 ５・・・・・・高周波電源、 ６・・・・・・真空排気口、 ７・・・・・・冷却水人口、 ８・・・・・・終点検出Ｈｅ−Ｎｅレーザーチューブ、
９・・・・・・レジスト、 １０・・・・・・ＳｉＯ２膜、 １１・・・・・・Ｓｉ基板、 １２・・・・・・ウェハー、 １３・・・・・・シャドー空間、 １４・・・・・・冷却水出口。 特許出願人 キャノン株式会社 キャノン販売株式会社
Claims (1)
- ＳｉＯ＿２膜のドライエッチングにおいて、逆台形の
形状のレジストをエッチングマスクとし、約１００Ｐａ
のフロン系ガスを用いてエッチングすることを特徴とす
るＳｉＯ＿２膜の順テーパー形状を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26860886A JPS63124418A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26860886A JPS63124418A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124418A true JPS63124418A (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=17460902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26860886A Pending JPS63124418A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124418A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6758941B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-07-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing unit, window member for plasma processing unit and electrode plate for plasma processing unit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466768A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Forming method of electrode window in semiconductor device |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP26860886A patent/JPS63124418A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466768A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Forming method of electrode window in semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6758941B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-07-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing unit, window member for plasma processing unit and electrode plate for plasma processing unit |
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