JPS63129631A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63129631A JPS63129631A JP27531386A JP27531386A JPS63129631A JP S63129631 A JPS63129631 A JP S63129631A JP 27531386 A JP27531386 A JP 27531386A JP 27531386 A JP27531386 A JP 27531386A JP S63129631 A JPS63129631 A JP S63129631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- semiconductor device
- carbon
- passivation film
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、半導体装置に於いて、パッシベーション膜と
してボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体膜を用
いることに依り、従来のＳｉＮ膜及び燐珪酸ガラス膜か
らなる二層構造のパッシベーション膜と同様にＮａイオ
ンのゲッタリング効果及び耐湿性に優れ、且つ、ストレ
スの発生を少なくして電極・配線の切断も起きないよう
にしたものである。
してボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体膜を用
いることに依り、従来のＳｉＮ膜及び燐珪酸ガラス膜か
らなる二層構造のパッシベーション膜と同様にＮａイオ
ンのゲッタリング効果及び耐湿性に優れ、且つ、ストレ
スの発生を少なくして電極・配線の切断も起きないよう
にしたものである。
本発明は、ストレスの発生が少ないパッシベーション膜
が用いられ、電極・配線の切断が防止された半導体装置
に関する。
が用いられ、電極・配線の切断が防止された半導体装置
に関する。
近年、半導体装置に於けるパッケージとしては、セラミ
ックを材料とするものからレジンなどをモールドして作
成したプラスチック・パッケージに代わりつつあり、そ
れに伴い、半導体装置のパッシベーション膜にも変化が
見られる。即ち、セラミック・パッケージの場合、耐湿
性が良好である為、パッシベーション膜としては、Ｎａ
イオンのゲッタリング効果が優れている燐珪酸ガラス（
ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：ＰＳ
Ｇ）膜を用いることで充分であった。然しなから、プラ
スチック・パッケージになると耐湿性が良くないので、
ＰＳＧ膜は湿気に曝されることになった。ＰＳＧ膜も耐
湿性は低く、吸水することに依り、Ｐ成分が溶出したり
、Ａｌからなる電極・配線を腐食させたりする。
ックを材料とするものからレジンなどをモールドして作
成したプラスチック・パッケージに代わりつつあり、そ
れに伴い、半導体装置のパッシベーション膜にも変化が
見られる。即ち、セラミック・パッケージの場合、耐湿
性が良好である為、パッシベーション膜としては、Ｎａ
イオンのゲッタリング効果が優れている燐珪酸ガラス（
ｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：ＰＳ
Ｇ）膜を用いることで充分であった。然しなから、プラ
スチック・パッケージになると耐湿性が良くないので、
ＰＳＧ膜は湿気に曝されることになった。ＰＳＧ膜も耐
湿性は低く、吸水することに依り、Ｐ成分が溶出したり
、Ａｌからなる電極・配線を腐食させたりする。
そこで、ＰＳＧ膜をプラズマ化学気相堆積（ｐｌａｓｍ
ａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：プラズマＣＶＤ）法で得られるＳｉＮ膜で
被覆して二層構造にすることが行われている。
ａ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ：プラズマＣＶＤ）法で得られるＳｉＮ膜で
被覆して二層構造にすることが行われている。
前記のような二層構造のパッシベーション膜に於いては
、ＳｉＮ膜がＰＳＧ膜に比較してＮａのゲッタリング効
果こそ劣るものの耐湿性は良好であることから、各々の
作用が綜合されてＮａのゲッタリング効果及び耐湿性そ
れぞれに優れた効果を発揮するとされている。
、ＳｉＮ膜がＰＳＧ膜に比較してＮａのゲッタリング効
果こそ劣るものの耐湿性は良好であることから、各々の
作用が綜合されてＮａのゲッタリング効果及び耐湿性そ
れぞれに優れた効果を発揮するとされている。
然しながら、そのような二層構造のパッシベーション膜
も良いことづくめではない。
も良いことづくめではない。
例えば、パッシベーション膜に於けるストレスが大きい
ことから、電極・配線に歪を与え、それ等が切断される
旨の問題が起きている。即ち、該パッシベーション膜に
於けるストレスは、１０９（ｄ ｙ ｎ／ｃｏ＋” ）
のオーダに達している。
ことから、電極・配線に歪を与え、それ等が切断される
旨の問題が起きている。即ち、該パッシベーション膜に
於けるストレスは、１０９（ｄ ｙ ｎ／ｃｏ＋” ）
のオーダに達している。
本発明は、Ｎａのゲッタリング効果及び耐湿性に優れ、
しかも、ストレスの発生が少ないパッシベーション膜を
有する半導体装置を提供しようとする。
しかも、ストレスの発生が少ないパッシベーション膜を
有する半導体装置を提供しようとする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、プラズマＣｖＤ法を適用して形成したボ
ロン・ナイトライド膜が緻密で耐湿性が良好であり、且
つ、Ｎａイオンに対するゲッタリング効果もあることを
見出したが、この場合もストレスの問題のみは解消され
なかった。
ロン・ナイトライド膜が緻密で耐湿性が良好であり、且
つ、Ｎａイオンに対するゲッタリング効果もあることを
見出したが、この場合もストレスの問題のみは解消され
なかった。
そこで、ボロン・ナイトライドに共有結合半径が僅かに
異なり、また、それ等になじみが良く、且つ、半導体装
置に悪影響を与えることがないカーボンを加え、ボロン
・ナイトライド・カーボン共有結合体膜を形成したとこ
ろ、パッシベーション膜としての機能を維持しながらス
トレスのみを１０’ （ｄ ｙ ｎ／ｃｍ” ）のオ
ーダに低下させることができた。
異なり、また、それ等になじみが良く、且つ、半導体装
置に悪影響を与えることがないカーボンを加え、ボロン
・ナイトライド・カーボン共有結合体膜を形成したとこ
ろ、パッシベーション膜としての機能を維持しながらス
トレスのみを１０’ （ｄ ｙ ｎ／ｃｍ” ）のオ
ーダに低下させることができた。
このようなことから、本発明に依る半導体装置に於いて
は、表面にボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体
からなるパッシベーション膜が形成されてなる構造にな
っている。
は、表面にボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体
からなるパッシベーション膜が形成されてなる構造にな
っている。
〔作用〕 ゛
前記手段を採ることに依り、従来のＳｉＮ膜及び燐珪酸
ガラス膜からなる二層構造のパッシベーション膜と同様
にＮａイオンのゲッタリング効果及び耐湿性に優れ、且
つ、ストレスの発生が少ないので電極・配線の切断も起
きないパッシベーション膜を備えた半導体装置が容易に
得られる。
ガラス膜からなる二層構造のパッシベーション膜と同様
にＮａイオンのゲッタリング効果及び耐湿性に優れ、且
つ、ストレスの発生が少ないので電極・配線の切断も起
きないパッシベーション膜を備えた半導体装置が容易に
得られる。
表面に厚さ１ 〔μｍ〕のＡＩｌ電極・配線を有する半
導体装置に厚さｌ〔μｍ〕のボロン・ナイトライド・カ
ーボン共有結合体からなるパッシベーション膜を形成し
た試料を一万個作成したところ、Ａ１電極・配線の切断
は皆無であった。
導体装置に厚さｌ〔μｍ〕のボロン・ナイトライド・カ
ーボン共有結合体からなるパッシベーション膜を形成し
た試料を一万個作成したところ、Ａ１電極・配線の切断
は皆無であった。
この場合のパッシベーション膜の形成条件を例示すると
次の通りである。
次の通りである。
適用技術：プラズ゛マＣＶＤ法
ソース・ガス：Ｂ２Ｈ６＋ＮＨ３＋ＣＸ Ｈ。
具体的には、
Ａｒ／ （４（％））ＢｚＨｅ
Ａｒ／（４（％））ＮＨ３
Ｈ４
の混合ガス
温度：３５０（’Ｃ）〜４５０（’Ｃ）時間：１５〔分
〕 このようにして形成したパッシベーション膜に於けるス
トレスをウェハの反りを測定する方法で測定したところ
全ての試料が約２ｘｌＯ’ （ｄｙｎ／ｃｏ＋”）程
度以下であり、また、不純物のゲッタリング効果はＳｉ
Ｎより遥かに良好で、且つ、耐湿性も優れていた。
〕 このようにして形成したパッシベーション膜に於けるス
トレスをウェハの反りを測定する方法で測定したところ
全ての試料が約２ｘｌＯ’ （ｄｙｎ／ｃｏ＋”）程
度以下であり、また、不純物のゲッタリング効果はＳｉ
Ｎより遥かに良好で、且つ、耐湿性も優れていた。
本発明に依る半導体装置に於いては、パッシベーション
膜としてボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体膜
を用いた構成になっている。
膜としてボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体膜
を用いた構成になっている。
このような構成を採ることに依り、従来のＳｉＮ膜及び
燐珪酸ガラス膜からなる二層構造のパッシベーション膜
と同様にＮａイオンのゲッタリング効果及び耐湿性に優
れ、且つ、ストレスの発生が少ないので電極・配線の切
断も起きないパッシベーション膜を備えた半導体装置を
容易に得ることができる。
燐珪酸ガラス膜からなる二層構造のパッシベーション膜
と同様にＮａイオンのゲッタリング効果及び耐湿性に優
れ、且つ、ストレスの発生が少ないので電極・配線の切
断も起きないパッシベーション膜を備えた半導体装置を
容易に得ることができる。
Claims (1)
- 表面にボロン・ナイトライド・カーボン共有結合体か
らなるパッシベーション膜が形成されてなる半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27531386A JPS63129631A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27531386A JPS63129631A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63129631A true JPS63129631A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17553702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27531386A Pending JPS63129631A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63129631A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499026A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
| US5142350A (en) * | 1990-07-16 | 1992-08-25 | General Motors Corporation | Transistor having cubic boron nitride layer |
| US5227318A (en) * | 1989-12-06 | 1993-07-13 | General Motors Corporation | Method of making a cubic boron nitride bipolar transistor |
| US5232862A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-03 | General Motors Corporation | Method of fabricating a transistor having a cubic boron nitride layer |
| US5279869A (en) * | 1989-12-06 | 1994-01-18 | General Motors Corporation | Laser deposition of cubic boron nitride films |
| US5324690A (en) * | 1993-02-01 | 1994-06-28 | Motorola Inc. | Semiconductor device having a ternary boron nitride film and a method for forming the same |
| US5330611A (en) * | 1989-12-06 | 1994-07-19 | General Motors Corporation | Cubic boron nitride carbide films |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP27531386A patent/JPS63129631A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5227318A (en) * | 1989-12-06 | 1993-07-13 | General Motors Corporation | Method of making a cubic boron nitride bipolar transistor |
| US5279869A (en) * | 1989-12-06 | 1994-01-18 | General Motors Corporation | Laser deposition of cubic boron nitride films |
| US5330611A (en) * | 1989-12-06 | 1994-07-19 | General Motors Corporation | Cubic boron nitride carbide films |
| US5142350A (en) * | 1990-07-16 | 1992-08-25 | General Motors Corporation | Transistor having cubic boron nitride layer |
| US5232862A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-03 | General Motors Corporation | Method of fabricating a transistor having a cubic boron nitride layer |
| JPH0499026A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
| US5324690A (en) * | 1993-02-01 | 1994-06-28 | Motorola Inc. | Semiconductor device having a ternary boron nitride film and a method for forming the same |
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