JPS63130165A - 有機薄膜の製造方法 - Google Patents
有機薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63130165A JPS63130165A JP61275144A JP27514486A JPS63130165A JP S63130165 A JPS63130165 A JP S63130165A JP 61275144 A JP61275144 A JP 61275144A JP 27514486 A JP27514486 A JP 27514486A JP S63130165 A JPS63130165 A JP S63130165A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- organic thin
- layer
- coupling agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は有機薄膜の製造方法に係り、更に詳しくは有機
薄膜を形成する基板の疎水化処理工程に関する。
薄膜を形成する基板の疎水化処理工程に関する。
（従来の技術）
近年、有機薄膜を利用し次電気的および光学的素子の開
発が活発化する中で１％にラングミーア拳プロジェット
法＋ＬＢ法）による有機薄膜の製造法が注目されている
。ＬＢ法により作られた薄膜（ＬＢ膜）は１層あたＣ２
０〜５０′Ａと非常に薄いためＭエフやＭ工Ｍといりた
構造を持つ素子の絶縁層あるいは電気的、光学的機能層
として応用されようとしている◇ 従来、基板にステアリン酸鉄あるいはパラフィンをコー
トして疎水化し、予め有機薄膜が形成されている水面に
対し垂直に基板を沈め々から第１層めを累積する方法が
知られている＠しかし、ステアリン酸鉄あるいはパラフ
ィンを薄く均一に塗布することができないという欠点が
ありり。また、１’−Ｔｈｉｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｕｎｓ
、 ｊ９ （１９８３）３０５〜３１５Ｊにはシリコン
基板上の８１０２膜をビス（トリメチルシリル）アミン
で５分間処理して疎水化したものについて同様の操作を
行なう技術が記載されている。しか〈発明が解決しよう
とする問題点） このように、従来の技術では有機薄膜を確実に形成する
ことができず、また、得られた有機薄膜にも欠陥があり
た・ 本発明は、信頼性の高い有機薄膜の製造方法を提供する
ことを目的とする〇 〔発明の構成〕 （問題点を解決する念めの手段と作用）本発明はラング
ミ、ア・プロジェット膜の製造方法において、基板に反
応温度１０〜４０℃、気相で、１００分間以上シランカ
ップリング剤を反応させることにより基板を疎水化処理
する工程を具備することを特徴とする有機薄膜の製造方
法である。
発が活発化する中で１％にラングミーア拳プロジェット
法＋ＬＢ法）による有機薄膜の製造法が注目されている
。ＬＢ法により作られた薄膜（ＬＢ膜）は１層あたＣ２
０〜５０′Ａと非常に薄いためＭエフやＭ工Ｍといりた
構造を持つ素子の絶縁層あるいは電気的、光学的機能層
として応用されようとしている◇ 従来、基板にステアリン酸鉄あるいはパラフィンをコー
トして疎水化し、予め有機薄膜が形成されている水面に
対し垂直に基板を沈め々から第１層めを累積する方法が
知られている＠しかし、ステアリン酸鉄あるいはパラフ
ィンを薄く均一に塗布することができないという欠点が
ありり。また、１’−Ｔｈｉｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｕｎｓ
、 ｊ９ （１９８３）３０５〜３１５Ｊにはシリコン
基板上の８１０２膜をビス（トリメチルシリル）アミン
で５分間処理して疎水化したものについて同様の操作を
行なう技術が記載されている。しか〈発明が解決しよう
とする問題点） このように、従来の技術では有機薄膜を確実に形成する
ことができず、また、得られた有機薄膜にも欠陥があり
た・ 本発明は、信頼性の高い有機薄膜の製造方法を提供する
ことを目的とする〇 〔発明の構成〕 （問題点を解決する念めの手段と作用）本発明はラング
ミ、ア・プロジェット膜の製造方法において、基板に反
応温度１０〜４０℃、気相で、１００分間以上シランカ
ップリング剤を反応させることにより基板を疎水化処理
する工程を具備することを特徴とする有機薄膜の製造方
法である。
本発明で用いられる基板は、その表面がシランカップリ
ング剤と反応するものであれば、どのよつなものであっ
てもよく、格別に限定されるものではない・例えば、空
気中の酸素や水分によって、あるいは、素子構造上の必
要によりて酸化層が形成されているＳｌやＧａＡｓ等の
基板、ガラス基板等が挙げられる＠ シランカップリング剤としては、けい素の置換基として
少なくとも１個以上の疎水基金含有するものが用いられ
る。さらに、この基板が電気的素子に用いられる場合は
、［気的特性に影響を及ぼさない処理剤が良い。ビス（
トリメチルシリル）アミンやトリメチルクロ四シランに
代表されるように表面水酸基と反応して単分子被膜を形
成し。
ング剤と反応するものであれば、どのよつなものであっ
てもよく、格別に限定されるものではない・例えば、空
気中の酸素や水分によって、あるいは、素子構造上の必
要によりて酸化層が形成されているＳｌやＧａＡｓ等の
基板、ガラス基板等が挙げられる＠ シランカップリング剤としては、けい素の置換基として
少なくとも１個以上の疎水基金含有するものが用いられ
る。さらに、この基板が電気的素子に用いられる場合は
、［気的特性に影響を及ぼさない処理剤が良い。ビス（
トリメチルシリル）アミンやトリメチルクロ四シランに
代表されるように表面水酸基と反応して単分子被膜を形
成し。
しかも疎水基がメチル基のようにできるだけ小さいもの
が望ましい。
が望ましい。
例えば１次のようなものが挙げられる。
のいずれかである〇
本発明において用いられる有機分子は、一般にＬＢ法で
用いられる有機分子すなわち一分子内に親水基と疎水基
金有する界面活性剤であれば、いかなるものでもよく格
別に限定されるものではないＯ （実施例） Ｉ）実施例 熱酸化により作られたシリコン基板上のＳｉ ０２膜表
面は王水処理後十分に水洗され九〇水によりて表面が完
全に一様に潤れることを確認した後、スピン乾燥し、
１００℃で１０分間ベークされた。
用いられる有機分子すなわち一分子内に親水基と疎水基
金有する界面活性剤であれば、いかなるものでもよく格
別に限定されるものではないＯ （実施例） Ｉ）実施例 熱酸化により作られたシリコン基板上のＳｉ ０２膜表
面は王水処理後十分に水洗され九〇水によりて表面が完
全に一様に潤れることを確認した後、スピン乾燥し、
１００℃で１０分間ベークされた。
あらかじめ容器中で飽和蒸気圧に達しているビス（トリ
メチルシリル）アミン雰囲気の中へ基板を置き、 ２０
℃で反応させる。反応時間が１００分、１０００分、１
５００分のものを各々炸裂した。反応後基板を取り出し
１００℃で１０分間ベークした０ＱＩＣＪ２ ０．２５
ｍ Ｍの水溶液上にステアリン酸のクロロホルム溶液
を展開し、クロロホルムが蒸発した後表面積を減少させ
て圧縮する・表面圧を２５ｄｙｎシーに保ったまま上記
疎水化処理し友熱酸化シリコン基板１１０ｔｉｌ／分の
スピードで水面に対して垂直にして沈めることによって
、第１層目を累積し友０続いて、同じスピードで引き上
げて第２層目が累積さｎ九〇同様な操作ｆ：！ｊり返え
して１０層累積された。このステアリン酸累積膜は、光
学顕微鋺、８１！：Ｍ（走査型電子顕微境）観察により
欠陥が全くないことが確かめられた。
メチルシリル）アミン雰囲気の中へ基板を置き、 ２０
℃で反応させる。反応時間が１００分、１０００分、１
５００分のものを各々炸裂した。反応後基板を取り出し
１００℃で１０分間ベークした０ＱＩＣＪ２ ０．２５
ｍ Ｍの水溶液上にステアリン酸のクロロホルム溶液
を展開し、クロロホルムが蒸発した後表面積を減少させ
て圧縮する・表面圧を２５ｄｙｎシーに保ったまま上記
疎水化処理し友熱酸化シリコン基板１１０ｔｉｌ／分の
スピードで水面に対して垂直にして沈めることによって
、第１層目を累積し友０続いて、同じスピードで引き上
げて第２層目が累積さｎ九〇同様な操作ｆ：！ｊり返え
して１０層累積された。このステアリン酸累積膜は、光
学顕微鋺、８１！：Ｍ（走査型電子顕微境）観察により
欠陥が全くないことが確かめられた。
■）比較例
実施例と同様の方法で熱酸化シリコン基板の疎水化処理
を行なった０但し、ビス（トリメチルシリル）アミンと
の反応時間は８０分、１０分、５分の３ｆｉ類とした口 実施例と同様にステアリン酸の累積を試みたが。
を行なった０但し、ビス（トリメチルシリル）アミンと
の反応時間は８０分、１０分、５分の３ｆｉ類とした口 実施例と同様にステアリン酸の累積を試みたが。
全く累積できなかった＠
〔発明の効果〕
本発明によれば、信頼性の高い有機薄膜の製造方法を提
供することができる。
供することができる。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- （１）ラングミュア・ブロジェット膜の製造方法におい
て、反応温度１０〜４０℃、気相で、１００分間以上シ
ランカップリング剤を反応させることにより基板を疎水
化処理する工程を具備することを特徴とする有機薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275144A JPS63130165A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 有機薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275144A JPS63130165A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 有機薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63130165A true JPS63130165A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17551296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61275144A Pending JPS63130165A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 有機薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63130165A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63242373A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | Ricoh Co Ltd | 膜形成方法 |
| US4940673A (en) * | 1987-10-02 | 1990-07-10 | U.S. Philips Corporation | PN junction passivation using methylated silyloxy groups |
| WO2023225239A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | The Gillette Company Llc | Non-fluorinated organic coating material for a razor blade |
| WO2023225242A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | The Gillette Company Llc | Non-fluorinated organic coating material for a razor blade |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP61275144A patent/JPS63130165A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63242373A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | Ricoh Co Ltd | 膜形成方法 |
| US4940673A (en) * | 1987-10-02 | 1990-07-10 | U.S. Philips Corporation | PN junction passivation using methylated silyloxy groups |
| WO2023225239A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | The Gillette Company Llc | Non-fluorinated organic coating material for a razor blade |
| WO2023225242A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | The Gillette Company Llc | Non-fluorinated organic coating material for a razor blade |
| WO2023225241A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | The Gillette Company Llc | Non-fluorinated organic coating material for a razor blade |
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