JPS6313145A - 書込み／消去型光デイスク - Google Patents
書込み／消去型光デイスクInfo
- Publication number
- JPS6313145A JPS6313145A JP61257264A JP25726486A JPS6313145A JP S6313145 A JPS6313145 A JP S6313145A JP 61257264 A JP61257264 A JP 61257264A JP 25726486 A JP25726486 A JP 25726486A JP S6313145 A JPS6313145 A JP S6313145A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- write
- optical disc
- heat
- type optical
- Prior art date
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- Granted
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光を用いて書込み（記録・再生）およ
び記録消去を行う書込み／消去型光ディスクに関し、録
音や録画に利用される。
び記録消去を行う書込み／消去型光ディスクに関し、録
音や録画に利用される。
従来の技術
レーザ光を用いて記録再生を行う光ディスクはレーザ光
を透明基板を透しその裏面記録溝に形成されている記録
膜に当てて、記録膜にレーザ光のエネルギーによる相変
化を引き起こさせ、その相変化による反射率の違いとし
て音や画像の信号を記録し、またそれを音や画像の信号
として再生するものである。又、レーザエネルギの与え
方を変えることにより元の反射率にもどすこともできる
。
を透明基板を透しその裏面記録溝に形成されている記録
膜に当てて、記録膜にレーザ光のエネルギーによる相変
化を引き起こさせ、その相変化による反射率の違いとし
て音や画像の信号を記録し、またそれを音や画像の信号
として再生するものである。又、レーザエネルギの与え
方を変えることにより元の反射率にもどすこともできる
。
記録膜は蒸着又はスパッタリングにより形成される。記
録消去はレーザ光を記録膜に当てて相変化させ反射率を
元にもどすこと例えば非晶質にすることで行われる。日
経エレクトロニクス１９８５．３．２５に示されている
ように、さらに記録方式が異なるカー効果を利用した光
磁気光ディスクなどがある。
録消去はレーザ光を記録膜に当てて相変化させ反射率を
元にもどすこと例えば非晶質にすることで行われる。日
経エレクトロニクス１９８５．３．２５に示されている
ように、さらに記録方式が異なるカー効果を利用した光
磁気光ディスクなどがある。
従来前記透明基板としては、主にガラス基板が用いられ
、樹脂基板としては、熱可塑タイプのポリメチルメタア
クリレート（以下ＰＭＭＡと略す）基板や、ポリカーボ
ネイト（以下ＰＣと略す）基板などが用いられている。
、樹脂基板としては、熱可塑タイプのポリメチルメタア
クリレート（以下ＰＭＭＡと略す）基板や、ポリカーボ
ネイト（以下ＰＣと略す）基板などが用いられている。
発明が解決しようとする問題点
前記従来の樹脂基板であるＰＭＭＡ基板やｐｃ基板は射
出成形機で生産でき、生産性は良いものの、耐熱性に優
れておらず、書込み／消去型光ディスク用としては不都
合であった。即ち、ＰＣ基板に形成された記録膜に対し
、レーザ光により記録・再生、消去をくり返して行うと
、数回から数十回でＰＣ基板の熱変形のために記録膜に
穴がおいてしまう。これはＰＭＭＡ基板の場合も同じで
、書込み／消去型光ディスクとしては品質を保証できず
。
出成形機で生産でき、生産性は良いものの、耐熱性に優
れておらず、書込み／消去型光ディスク用としては不都
合であった。即ち、ＰＣ基板に形成された記録膜に対し
、レーザ光により記録・再生、消去をくり返して行うと
、数回から数十回でＰＣ基板の熱変形のために記録膜に
穴がおいてしまう。これはＰＭＭＡ基板の場合も同じで
、書込み／消去型光ディスクとしては品質を保証できず
。
もっばら−回書込み型光ディスクとしてしか利用されて
いない。
いない。
本発明者らが、記録膜周辺の耐熱性の目標を得るだめコ
ンピュータにより解析を行った結果、記録周辺は２ｏＯ
℃以上の温度だなることが解った。
ンピュータにより解析を行った結果、記録周辺は２ｏＯ
℃以上の温度だなることが解った。
又、松下電器産業■樫原らは、光メモリシンポジウム
′８５論文集に発表している。
′８５論文集に発表している。
これに対応するだめ記録膜の下に適当な無機断熱膜を形
成する方法も考えられるが、ｐｃ基板等に無機膜を形成
する設備、工法、材料など、最適化するための課題と、
設備費用が高くなるため、光デイスクコストの削減が問
題で実用化されていないのが現状である。
成する方法も考えられるが、ｐｃ基板等に無機膜を形成
する設備、工法、材料など、最適化するための課題と、
設備費用が高くなるため、光デイスクコストの削減が問
題で実用化されていないのが現状である。
問題点を解決するための手段
本発明は前記目的を達成するため透明基板の裏面の記録
溝に前記透明基板を透して当てられるレーザ光により相
変化（結晶または非晶）を受ける記録膜を形成し、記録
膜を保護層で覆った光ディスクにおいて、前記透明基板
が、架橋反応硬化型の耐熱基板であることを特徴とする
。好しくけ架橋反応硬化型材料が主鎖分子にトリシクロ
環を有する分子である耐熱基板である。又、好しくけ前
記保護層を溝のない耐熱基板を接着したものとし、好し
くけ、トリシクロ環を有する分子が２官能アクリレート
、又は２官能ジアクリレートを架橋反応させた耐熱基板
が好しぐ、さらに好しくけ前記透明基板である架橋硬化
型の耐熱基板のガラス転移温度が１５０’Ｃ以上であり
、６０℃、９０４ＲＨの吸水率が飽和時点で１．５チ以
下であるようにするとよい。
溝に前記透明基板を透して当てられるレーザ光により相
変化（結晶または非晶）を受ける記録膜を形成し、記録
膜を保護層で覆った光ディスクにおいて、前記透明基板
が、架橋反応硬化型の耐熱基板であることを特徴とする
。好しくけ架橋反応硬化型材料が主鎖分子にトリシクロ
環を有する分子である耐熱基板である。又、好しくけ前
記保護層を溝のない耐熱基板を接着したものとし、好し
くけ、トリシクロ環を有する分子が２官能アクリレート
、又は２官能ジアクリレートを架橋反応させた耐熱基板
が好しぐ、さらに好しくけ前記透明基板である架橋硬化
型の耐熱基板のガラス転移温度が１５０’Ｃ以上であり
、６０℃、９０４ＲＨの吸水率が飽和時点で１．５チ以
下であるようにするとよい。
尚、４００Å以下のＺｎＳ 又は３１０２の断熱無機膜
を記録膜の上下又は一方の面に形成して使用することも
できる。
を記録膜の上下又は一方の面に形成して使用することも
できる。
作 用
上記の各条件で架橋している透明基板は、書込み／消去
時のレーザ光エネルギーによって、記録溝又はレーザス
ポット樹脂部が熱変形することがなく、記録膜が破壊さ
れるのを防止することができる。
時のレーザ光エネルギーによって、記録溝又はレーザス
ポット樹脂部が熱変形することがなく、記録膜が破壊さ
れるのを防止することができる。
実施例
第１図、第２図、第３図に示す本発明の一実施例につい
て説明すれば、耐熱透明基板の記録溝６、トラック溝７
を持つ裏面に記録膜４を形成し、その上に保護層として
の耐熱基板２を接着剤５により接着しである。耐熱透明
基板１は、片面に記録溝６、トラック溝Ｔ用のガラス板
に接着補強したニッケルスタンハートカラス板トシリコ
ーンゴムスペーサとの空間に表−１に示した分子構造の
モノマーと熱開始剤（ベンゾイルパーオキサイド（ＢＰ
Ｏ））とその液状配合組成物Ａ１または厘２を注液し８
０℃に加熱する事によって一次硬化させ、その後脱型し
て８０℃２時間、１６０℃１．６時間のボストキュアを
行った架橋反応硬化型のものである。また耐熱基板２は
耐熱透明基板１と同様の条件で、ニッケルスタンパ−を
、ガラス板にした、両面平面の耐熱基板２を形成したも
のである。記録膜４は、溝付耐熱基板１上に酸化テルル
を主体とした記録材を４００人程度スパッタリングによ
り形成したものである。耐熱透明基板１とポキシの方が
優れた書込み／消去サイクル寿命を有している。又、本
発明の特殊なメタアクリレート組成物の基板ではさらに
優れた、長寿命性を示しており扁２が最良であることが
解る（一応現状の書込み／消去サイクルは１０５以上で
ある）。
て説明すれば、耐熱透明基板の記録溝６、トラック溝７
を持つ裏面に記録膜４を形成し、その上に保護層として
の耐熱基板２を接着剤５により接着しである。耐熱透明
基板１は、片面に記録溝６、トラック溝Ｔ用のガラス板
に接着補強したニッケルスタンハートカラス板トシリコ
ーンゴムスペーサとの空間に表−１に示した分子構造の
モノマーと熱開始剤（ベンゾイルパーオキサイド（ＢＰ
Ｏ））とその液状配合組成物Ａ１または厘２を注液し８
０℃に加熱する事によって一次硬化させ、その後脱型し
て８０℃２時間、１６０℃１．６時間のボストキュアを
行った架橋反応硬化型のものである。また耐熱基板２は
耐熱透明基板１と同様の条件で、ニッケルスタンパ−を
、ガラス板にした、両面平面の耐熱基板２を形成したも
のである。記録膜４は、溝付耐熱基板１上に酸化テルル
を主体とした記録材を４００人程度スパッタリングによ
り形成したものである。耐熱透明基板１とポキシの方が
優れた書込み／消去サイクル寿命を有している。又、本
発明の特殊なメタアクリレート組成物の基板ではさらに
優れた、長寿命性を示しており扁２が最良であることが
解る（一応現状の書込み／消去サイクルは１０５以上で
ある）。
即ち、ガラス転移温度が、２ｏｏ℃以上であるこ゛とが
さらに好ましいという結果を得た。
さらに好ましいという結果を得た。
発明の効果
本発明の架橋反応硬化型耐熱透明基板を用いると七によ
シ記録膜に穴が明くようなこと全防止するに充分な耐熱
性が得られ、数１００人〜１０００人程度の断熱無機膜
を形成する工程が不用となり設備費もかからなかった。
シ記録膜に穴が明くようなこと全防止するに充分な耐熱
性が得られ、数１００人〜１０００人程度の断熱無機膜
を形成する工程が不用となり設備費もかからなかった。
特に光学ギャップ層ではなく基板側の断熱膜が不用にな
った。光ディスクを安価に生産する目途も立った点で工
業的価値は大なるものがある。
った。光ディスクを安価に生産する目途も立った点で工
業的価値は大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例を示す半部の平面図、第２図
は横断正面図、第３図は同一部の拡大断面図、第４図は
本発明の実施例と比較例との特性図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・保護層、３・
・・・・・記録膜と接着層、４・・・・・・記録膜、６
・・・・・・接着層、６・・・・・・記録溝、７・・・
・・・トラック溝。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
は横断正面図、第３図は同一部の拡大断面図、第４図は
本発明の実施例と比較例との特性図である。 １・・・・・・透明基板、２・・・・・・保護層、３・
・・・・・記録膜と接着層、４・・・・・・記録膜、６
・・・・・・接着層、６・・・・・・記録溝、７・・・
・・・トラック溝。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (5)
- （１）透明基板の少なくとも裏面の記録溝に、前記透明
基板を透して当てられるレーザ光により相変化を受ける
記録膜を形成し、記録膜を保護層で覆った光ディスクに
おいて、前記透明基板が、架橋反応硬化型の耐熱基板で
あることを特徴とする書込み／消去型光ディスク。 - （２）保護層は、透明基板と同じ分子構造を有する組成
物を架橋反応硬化させた溝のない耐熱基板を接着したも
のである特許請求の範囲第１項記載の書込み／消去型光
ディスク。 - （３）透明基板である架橋反応硬化型の耐熱基板のガラ
ス転移温度が１５０℃以上であり、６０℃、９０％ＲＨ
の吸水率が飽和時点で１．５％以下である特許請求の範
囲第１項または第２項記載の書込み／消去型光ディスク
。 - （４）透明基板の少なくとも裏面の記録溝に、前記透明
基板を透して当てられるレーザ光により相変化を受ける
記録膜を形成し、記録膜を保護層で覆った光ディスクに
おいて、前記透明基板が少くともトリシクロ環を有する
化合物を架橋反応硬化させた耐熱基板であることを特徴
とする書込み／消去型光ディスク。 - （５）トリシクロ環を有する化合物の官能基が、２官能
であり、ジアクリレート、又はジメタアクリレートであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の書込み
／消去型光ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5113686 | 1986-03-07 | ||
| JP61-51136 | 1986-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313145A true JPS6313145A (ja) | 1988-01-20 |
| JPH0827977B2 JPH0827977B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12878403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257264A Expired - Lifetime JPH0827977B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-10-29 | 書込み／消去型光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827977B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258219A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | デイスク用基板およびその製造方法 |
| JPS619436A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学式デイスクの製法 |
| JPS6183213A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | デイスク基板とその製造方法 |
| JPS61142546A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-30 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | 光デイスク基板およびその製造方法 |
| JPS61281114A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-12-11 | Toray Ind Inc | 情報記録体用樹脂およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61257264A patent/JPH0827977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258219A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | デイスク用基板およびその製造方法 |
| JPS619436A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学式デイスクの製法 |
| JPS6183213A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | デイスク基板とその製造方法 |
| JPS61142546A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-30 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | 光デイスク基板およびその製造方法 |
| JPS61281114A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-12-11 | Toray Ind Inc | 情報記録体用樹脂およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0827977B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |