JPS63132041A - 銅箔処理方法 - Google Patents
銅箔処理方法Info
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 50
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 25
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 25
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 18
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(N)=O YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 5
- OHJMTUPIZMNBFR-UHFFFAOYSA-N biuret Chemical compound NC(=O)NC(N)=O OHJMTUPIZMNBFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 4
- -1 diacetylurea Chemical compound 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-imidazole Chemical compound CCC1=NC=CN1 PQAMFDRRWURCFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylurea Chemical compound NC(=O)NC1=CC=CC=C1 LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGCBRGRKKOCPAN-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutanamide Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC(N)=O PGCBRGRKKOCPAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- BDPMIHVEHJUJIW-UHFFFAOYSA-N (2,3-dichlorophenyl)-phenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC(Cl)=C(Cl)C=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 BDPMIHVEHJUJIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUTYWCZSEBLPAK-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)sulfonylurea Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)NC(N)=O)C=C1 RUTYWCZSEBLPAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEHVDNNLFDJLR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylurea Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=O)NC1=CC=CC=C1 GWEHVDNNLFDJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLBQJFBGQKFDKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-(4-ethoxyphenyl)urea Chemical compound CCOC1=CC=C(NC(=O)NC=C)C=C1 KLBQJFBGQKFDKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQSPRWMERUQXNE-UHFFFAOYSA-N Guanylurea Chemical compound NC(=N)NC(N)=O SQSPRWMERUQXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N N,N'-dimethylurea Chemical compound CNC(=O)NC MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- YSVZGWAJIHWNQK-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-2-bicyclo[2.2.1]heptanyl]methanol Chemical compound C1CC2C(CO)C(CO)C1C2 YSVZGWAJIHWNQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- GHDLZGOOOLEJKI-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonylurea Chemical compound NC(=O)NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GHDLZGOOOLEJKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVURNMLGDQYNAF-UHFFFAOYSA-N dimethyl(1-phenylethyl)amine Chemical compound CN(C)C(C)C1=CC=CC=C1 BVURNMLGDQYNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M ethyl(triphenyl)phosphanium;bromide Chemical compound [Br-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CC)C1=CC=CC=C1 JHYNXXDQQHTCHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N hydantoin Chemical compound O=C1CNC(=O)N1 WJRBRSLFGCUECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940091173 hydantoin Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002542 isoureas Chemical class 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- LFWFQGKVBOADLF-UHFFFAOYSA-N n-benzoyl-n-carbamoylbenzamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)N(C(=N)O)C(=O)C1=CC=CC=C1 LFWFQGKVBOADLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000000018 nitroso group Chemical group N(=O)* 0.000 description 1
- CMUOJBJRZUHRMU-UHFFFAOYSA-N nitrourea Chemical compound NC(=O)N[N+]([O-])=O CMUOJBJRZUHRMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VPJDULFXCAQHRC-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylurea Chemical compound NC(=O)NCC=C VPJDULFXCAQHRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003349 semicarbazides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC RKHXQBLJXBGEKF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WAGFXJQAIZNSEQ-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WAGFXJQAIZNSEQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、銅箔処理方法に関し、さらに詳しくは、銅箔
の接着性を向上させるための銅箔処理方法に関するもの
である。
の接着性を向上させるための銅箔処理方法に関するもの
である。
近来、印刷配線板の高密度化に伴い、配線ラインの幅は
ますます狭くなっている。したがって、w4箔と基材と
の接着力、すなわち、銅箔引き剥がし強さの向上が要求
されている。また、配線ラインの幅が狭くなるほど、塩
酸などで処理した後の銅箔の接着力の低下率も大きな問
題となっている。
ますます狭くなっている。したがって、w4箔と基材と
の接着力、すなわち、銅箔引き剥がし強さの向上が要求
されている。また、配線ラインの幅が狭くなるほど、塩
酸などで処理した後の銅箔の接着力の低下率も大きな問
題となっている。
従来、印刷配線板用の銅箔は、片面を粗化した後、クロ
メート処理またはクロメート処理および亜鉛処理を併用
した処理が行われており、このように処理された銅箔の
表面には、銅、亜鉛、クロムおよびそれらの酸化物が存
在する。また、それらの酸化物のうち、酸化銅(Cub
)、酸化亜鉛(Zn、o)は非常に塩酸に溶けやす(、
塩酸処理後の銅箔引き剥がし強さを低下させる原因とな
っている。
メート処理またはクロメート処理および亜鉛処理を併用
した処理が行われており、このように処理された銅箔の
表面には、銅、亜鉛、クロムおよびそれらの酸化物が存
在する。また、それらの酸化物のうち、酸化銅(Cub
)、酸化亜鉛(Zn、o)は非常に塩酸に溶けやす(、
塩酸処理後の銅箔引き剥がし強さを低下させる原因とな
っている。
本発明は、上記問題点に鑑み、印刷配線板等におけるf
!箔引き剥がし強さ、特に塩酸処理後の銅箔引き剥がし
強さを向上させるための銅箔処理方法を提供することを
目的とする。
!箔引き剥がし強さ、特に塩酸処理後の銅箔引き剥がし
強さを向上させるための銅箔処理方法を提供することを
目的とする。
すなわち、本発明の銅箔処理方法は、
a)尿素誘導体、
b)溶剤および
C)エポキシ樹脂
を配合したワニスでf1箔を処理することを特徴とする
。
。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明方法の銅箔処理用ワニスに配合されるa)の尿素
誘導体とは、一般式 %式% (式中、R1,RZ、R3およびR4は水素、アルキル
基、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、アシル基、アル
キル基もしくはアルケニル基を含む置換基、フェニル基
など芳香環を含む置換基またはイミダゾールなどの複素
環を含む置換基などの有機基を表し、それぞれ同一でも
異なっていてもよい。)で示される化合物であり、具体
的には、例えば尿素、N−モノアルキル尿素、N、N’
−ジアルキル尿素、N、N−ジメチル尿素等のN、N−
ジアルキル尿素、N−アリル尿素、ジアセチル尿素、ジ
ベンゾイル尿素、ベンゼンスルホニル尿素、p−トルエ
ンスルホニル尿素、トリアルキル尿素、テトラアルキル
尿素、フェニル尿素、ジフェニル尿素、N−p−エトキ
シフェニル−N′−ビニル尿素、ニロトソ尿素、ニトロ
尿素、ビラレア、ビウレット、グアニル尿素、ヒダント
イン、γ−カルバミルプロピルトリエトキシシラン、そ
の他ウレイド化合物、イソ尿素化合物、セミカルバジド
化合物などがある。これら化合物は、2種類以上を併用
して用いてもよい。
誘導体とは、一般式 %式% (式中、R1,RZ、R3およびR4は水素、アルキル
基、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、アシル基、アル
キル基もしくはアルケニル基を含む置換基、フェニル基
など芳香環を含む置換基またはイミダゾールなどの複素
環を含む置換基などの有機基を表し、それぞれ同一でも
異なっていてもよい。)で示される化合物であり、具体
的には、例えば尿素、N−モノアルキル尿素、N、N’
−ジアルキル尿素、N、N−ジメチル尿素等のN、N−
ジアルキル尿素、N−アリル尿素、ジアセチル尿素、ジ
ベンゾイル尿素、ベンゼンスルホニル尿素、p−トルエ
ンスルホニル尿素、トリアルキル尿素、テトラアルキル
尿素、フェニル尿素、ジフェニル尿素、N−p−エトキ
シフェニル−N′−ビニル尿素、ニロトソ尿素、ニトロ
尿素、ビラレア、ビウレット、グアニル尿素、ヒダント
イン、γ−カルバミルプロピルトリエトキシシラン、そ
の他ウレイド化合物、イソ尿素化合物、セミカルバジド
化合物などがある。これら化合物は、2種類以上を併用
して用いてもよい。
本発明方法のワニス中に配合されるこれら尿素誘導体の
濃度は、0.001〜10重量%とすることが好ましい
。尿素誘導体の濃度が0.001重量%より低いと、引
き剥がし強さ向上の効果に乏しく、一方、10重量%よ
り高いとドリル加工性、はんだ耐熱性などの特性の低下
をもたらす。
濃度は、0.001〜10重量%とすることが好ましい
。尿素誘導体の濃度が0.001重量%より低いと、引
き剥がし強さ向上の効果に乏しく、一方、10重量%よ
り高いとドリル加工性、はんだ耐熱性などの特性の低下
をもたらす。
本発明のワニス中に用いられるb)の溶剤としては、ア
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、メ
チルイソブチルケトン、酢酸エチル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、N、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド、メタノール、エタノ
ールなどがあり、これらは2種類以上を混合して用いる
こともできる。
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、メ
チルイソブチルケトン、酢酸エチル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、N、N−ジメチルホルムアミド
、N、N−ジメチルアセトアミド、メタノール、エタノ
ールなどがあり、これらは2種類以上を混合して用いる
こともできる。
本発明方法のワニス中に配合されるC)のエポキシ樹脂
としては、多官能であればどのようなものでもよく、特
に限定はされないが、例えばビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールAノポラフク型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Fノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グ
リシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型
エポキシ用脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシア
ヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂およ
びそれらのハロゲン化物、水素添加物などがあり、分子
量はどのようなものでもよく、また2種類以上を併用す
ることもできる。
としては、多官能であればどのようなものでもよく、特
に限定はされないが、例えばビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、タレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールAノポラフク型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Fノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グ
リシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型
エポキシ用脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシア
ヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂およ
びそれらのハロゲン化物、水素添加物などがあり、分子
量はどのようなものでもよく、また2種類以上を併用す
ることもできる。
本発明方法のワニス中のC)の溶剤とエポキシ樹脂の配
合量は、溶剤に対して0.01〜50重量%とすること
が好ましい。
合量は、溶剤に対して0.01〜50重量%とすること
が好ましい。
また、本発明方法のワニス中には、上記化合物の他に、
エポキシ樹脂の硬化剤または硬化促進剤を配合すること
もできる。
エポキシ樹脂の硬化剤または硬化促進剤を配合すること
もできる。
本発明方法のワニスに配合しうるエポキシ樹脂の硬化剤
としては、フェノール、クレゾール、ビスフェノールA
1ビスフエノールFなどとホルムアルデヒドを縮合した
ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ジシアンジア
ミド、ジアミノジフェニルメタン、ジクロロジアミノジ
フェニルメタン、ジアミノジフェニルメタンなどのアミ
ン類、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水トリメリッ
ト酸などの酸無水物などがある。
としては、フェノール、クレゾール、ビスフェノールA
1ビスフエノールFなどとホルムアルデヒドを縮合した
ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ジシアンジア
ミド、ジアミノジフェニルメタン、ジクロロジアミノジ
フェニルメタン、ジアミノジフェニルメタンなどのアミ
ン類、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水トリメリッ
ト酸などの酸無水物などがある。
また、本発明方法のワニス中に配合できる硬化促進剤と
しては、イミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−
エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダ
ゾールなどのイミダゾール類、エチルトリフヱニルホス
ホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムクロ
ライド、テトラブチルホスホニウムブロマイドなどの有
機リン化合物、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベ
ンジルジメチルアミン、ビリジリンなどの3級アミン、
ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルア
ンモニウムブロマイドなどがある。
しては、イミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−
エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダ
ゾールなどのイミダゾール類、エチルトリフヱニルホス
ホニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムクロ
ライド、テトラブチルホスホニウムブロマイドなどの有
機リン化合物、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベ
ンジルジメチルアミン、ビリジリンなどの3級アミン、
ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラエチルア
ンモニウムブロマイドなどがある。
本発明方法に用いられるワニスの配合方法は温度等特に
規定するものではない。
規定するものではない。
本発明方法による銅箔処理は、例えば、lf&を上記ワ
ニスに浸漬することによって行われる。その際の温度、
時間等は特に規定はしないが、温度については20〜5
0℃で処理することが望ましい。このようにして銅箔を
処理した後、乾燥炉等により、80〜200℃の範囲の
温度でワニスを乾燥させる。ここでの乾燥とは、使用し
たワニス中の溶剤を除去することを言う。また、乾燥は
空気中で行ってもよいが、好ましくは、窒素、アルゴン
など不活性気体中で行うことが好ましい。
ニスに浸漬することによって行われる。その際の温度、
時間等は特に規定はしないが、温度については20〜5
0℃で処理することが望ましい。このようにして銅箔を
処理した後、乾燥炉等により、80〜200℃の範囲の
温度でワニスを乾燥させる。ここでの乾燥とは、使用し
たワニス中の溶剤を除去することを言う。また、乾燥は
空気中で行ってもよいが、好ましくは、窒素、アルゴン
など不活性気体中で行うことが好ましい。
尿素誘導体を含有する溶液で銅箔を処理することにより
銅張積層板における銅箔の接着力、特に塩酸処理後の接
着力が向上する原因は、尿素誘導体が、銅箔表面の薄い
金属酸化物層と反応して、新たな有機金属化合物を生成
し、塩酸に不溶な物質を生成するためであると考えられ
る。
銅張積層板における銅箔の接着力、特に塩酸処理後の接
着力が向上する原因は、尿素誘導体が、銅箔表面の薄い
金属酸化物層と反応して、新たな有機金属化合物を生成
し、塩酸に不溶な物質を生成するためであると考えられ
る。
銅箔表面に薄い金属酸化物層があることは、次の方法に
より確認した。銅張積層板に用いられている銅箔には、
片面を粗化した後、クロメート処理またはクロメート処
理と亜鉛処理を併用した処理が行われている。この2種
類の方法によって表面処理された#r4箔について、粗
化面をESCA(X!光電子分光分析法)により分析し
た。クロメート処理銅箔のESCAスペクトルのチャー
トを第1図に示す。また、クロメート処理、亜鉛処理を
併用した銅箔のESCAスペクトルのチャートを第2図
に示す。第1図のチャートには、銅(Cu)、クロム(
Cr)、酸素(0)、炭素(C)のピークが見られ、表
面に金属酸化物として酸化銅(Cub)、酸化クロム(
c r z 03 >が存在することがわかる。第2図
のチャートには、銅箔表面には亜鉛(Zn)、クロム(
Cr)、酸素(0)、炭素(C)のピークが見られ、#
p4(CU)のピークは見られない。この表面をArプ
ラズマエツチングし、深さ方向に分析してい(と、新た
に銅(Cu)のピークが見られた。そこで、この銅箔の
表面には、金属酸化物として酸化亜鉛(ZnO)、酸化
クロム(cr203)が存在することがわかる。
より確認した。銅張積層板に用いられている銅箔には、
片面を粗化した後、クロメート処理またはクロメート処
理と亜鉛処理を併用した処理が行われている。この2種
類の方法によって表面処理された#r4箔について、粗
化面をESCA(X!光電子分光分析法)により分析し
た。クロメート処理銅箔のESCAスペクトルのチャー
トを第1図に示す。また、クロメート処理、亜鉛処理を
併用した銅箔のESCAスペクトルのチャートを第2図
に示す。第1図のチャートには、銅(Cu)、クロム(
Cr)、酸素(0)、炭素(C)のピークが見られ、表
面に金属酸化物として酸化銅(Cub)、酸化クロム(
c r z 03 >が存在することがわかる。第2図
のチャートには、銅箔表面には亜鉛(Zn)、クロム(
Cr)、酸素(0)、炭素(C)のピークが見られ、#
p4(CU)のピークは見られない。この表面をArプ
ラズマエツチングし、深さ方向に分析してい(と、新た
に銅(Cu)のピークが見られた。そこで、この銅箔の
表面には、金属酸化物として酸化亜鉛(ZnO)、酸化
クロム(cr203)が存在することがわかる。
また、尿素誘導体が、ある条件で金属酸化物と反応する
ことは、次に示す方法で確認した。第3図に、N、N−
ジメチル尿素と酸化亜鉛ZnOとを混合した試料のIR
スペクトルのチャートを示す。その混合試料を170℃
で1時間加熱した場合のIRスペクトルのチャートは第
4図のようになる。第5図にはN、N−ジメチル尿素の
みを170℃で1時間加熱した場合のIRスペクトルの
チャートを示す。これらチャートによれば、N。
ことは、次に示す方法で確認した。第3図に、N、N−
ジメチル尿素と酸化亜鉛ZnOとを混合した試料のIR
スペクトルのチャートを示す。その混合試料を170℃
で1時間加熱した場合のIRスペクトルのチャートは第
4図のようになる。第5図にはN、N−ジメチル尿素の
みを170℃で1時間加熱した場合のIRスペクトルの
チャートを示す。これらチャートによれば、N。
N−ジメチル尿素はZnOと混合して加熱した場合にの
み2080(J−’および2200cm−’に吸収が生
じ、有機金属化合物が生成していると考えられる。さら
に、N、N−ジメチル尿素は、ZnOと混合して加熱し
た場合に、塩酸不溶物を生成することも確認した。また
、このような変化は、酸化銅Cu Oの場合にも確認さ
れた。ビウレットとZnOを混合した試料についても同
様の操作を行い、得られたrRスペクトルのチャートを
第6図〜第8図に示す。
み2080(J−’および2200cm−’に吸収が生
じ、有機金属化合物が生成していると考えられる。さら
に、N、N−ジメチル尿素は、ZnOと混合して加熱し
た場合に、塩酸不溶物を生成することも確認した。また
、このような変化は、酸化銅Cu Oの場合にも確認さ
れた。ビウレットとZnOを混合した試料についても同
様の操作を行い、得られたrRスペクトルのチャートを
第6図〜第8図に示す。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明の範囲
はこれら例によりなんら限定されるものではない。
はこれら例によりなんら限定されるものではない。
舅韮7巨膿i聚
クロメート処理された銅箔を
尿素 1重量%メタノール
5重量%メチルエチルケトン
10重量%ビスフェノールA型エポキシ
樹脂 10ffi1%(エポキシ当量480) を配合したワニス中に20℃で浸漬することにより処理
した後、100℃、20分間乾燥して銅箔Aを得た。
5重量%メチルエチルケトン
10重量%ビスフェノールA型エポキシ
樹脂 10ffi1%(エポキシ当量480) を配合したワニス中に20℃で浸漬することにより処理
した後、100℃、20分間乾燥して銅箔Aを得た。
銅箔Bの作製
クロメート処理、亜鉛処理を行った銅箔をN、N−ジメ
チル尿素 3重量%エチレングリコールモ
ノメチルエーテル92重量% クレゾールノボランク型エポキシ樹脂 (エポキシ当量220) 5重量%を配合した
ワニスでw4箔Aの作製と同様にして処理し、150℃
、5分間乾燥して銅箔Bを得た。
チル尿素 3重量%エチレングリコールモ
ノメチルエーテル92重量% クレゾールノボランク型エポキシ樹脂 (エポキシ当量220) 5重量%を配合した
ワニスでw4箔Aの作製と同様にして処理し、150℃
、5分間乾燥して銅箔Bを得た。
且囮旦■立袈
クロメート処理および亜鉛処理された銅箔をγ−カルバ
ミルプロピルトリエトキシシラン0.5重量% メタノール 1重t%アセトン
88.5重量%臭素化ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂10重景% を配合したワニスで銅箔Aの作製と同様にして処理し、
90℃15分間乾燥し、銅箔Cを得た。
ミルプロピルトリエトキシシラン0.5重量% メタノール 1重t%アセトン
88.5重量%臭素化ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂10重景% を配合したワニスで銅箔Aの作製と同様にして処理し、
90℃15分間乾燥し、銅箔Cを得た。
銅箔D
クロメート処理された銅箔。
銅箔E
クロメート処理および亜鉛処理された銅箔。
銅箔A−Eを用いて、銅張積層板、フレキシブル配線板
、メタルコア配線板を製造し、銅箔引き剥がし強さを測
定した。結果を表に示す。
、メタルコア配線板を製造し、銅箔引き剥がし強さを測
定した。結果を表に示す。
銅張積層板は、通常のガラスエポキシ銅張積層板用プリ
プレグ5枚と、m箔AまたはDを2枚用い、170℃、
60分、50kg/calの条件で製造した。
プレグ5枚と、m箔AまたはDを2枚用い、170℃、
60分、50kg/calの条件で製造した。
フレキシブル配線板はベースフィルムにエポキシ樹脂系
接着剤を塗布した後、銅箔BまたはEを2枚用いて、1
60℃、90分、40kg/−の条件で製造した。
接着剤を塗布した後、銅箔BまたはEを2枚用いて、1
60℃、90分、40kg/−の条件で製造した。
メタルコア配線板は両面研摩したアルミ板に、エポキシ
樹脂系接着剤を両面塗布後、銅箔Cを用いて180℃、
30分、60kg/cdの条件で製造した。
樹脂系接着剤を両面塗布後、銅箔Cを用いて180℃、
30分、60kg/cdの条件で製造した。
以下余白
注1)銅箔引き剥がし強さ測定法
外層銅箔上に1n幅のラインを形成し、そのラインの9
0°方向の引き剥がし強さを、50mm/minの引き
剥がし速度で測定した。
0°方向の引き剥がし強さを、50mm/minの引き
剥がし速度で測定した。
塩酸処理法
1重1幅のラインを形成したMCL (銅張積層板)を
35℃の18%塩酸に60分間浸漬した。
35℃の18%塩酸に60分間浸漬した。
注2)はんだ耐熱性
260℃のはんだに、20秒間浸漬後、外観を目視によ
り評価し、ふくれのないものを○に1ふくれのあるもの
をNGとした。
り評価し、ふくれのないものを○に1ふくれのあるもの
をNGとした。
比較例1.2に示すように、尿素誘導体、溶剤、エポキ
シ樹脂を配合したワニスで処理しない銅箔を用いた場合
、銅箔引き剥がし強さは低い値となる。
シ樹脂を配合したワニスで処理しない銅箔を用いた場合
、銅箔引き剥がし強さは低い値となる。
本発明の銅箔処理方法により処理した銅箔を用いて積層
板等を作製した場合、銅箔引き剥がし強さ、特に、塩酸
処理後のw4箔引き剥がし強さを著しく向上させること
ができ、その工業的価値は大である。
板等を作製した場合、銅箔引き剥がし強さ、特に、塩酸
処理後のw4箔引き剥がし強さを著しく向上させること
ができ、その工業的価値は大である。
第1図は、表面粗化およびクロメート処理した銅箔のE
SCAスペクトルのチャートを表す。 第2図は、表面粗化、クロメート処理および亜鉛処理し
た銅箔のESCAスペクトルのチャートを表す。 第3図は、N、N−ジメチル尿素とZnOの混合物のI
Rスペクトルのチャートを表す。 第4図は、N、N−ジメチル尿素とZnOの混合物を1
70℃、1時間加熱した試料のIRスペクトルのチャー
トを表す。 第5図は、N、N−ジメチル尿素を170℃、1時間加
熱した試料のrRスペクトルのチャートを表す。 第6図は、ビウレットとZnOの混合物のIRスペクト
ルのチャートを表す。 第7図は、ビウレットとZnOの混合物を170℃、1
時間加熱した試料のIRスペクトルのチャートを表す。 第8図は、ビウレットを170℃、1時間加熱した試料
のIRスペクトルのチャートを表す。 きC・)工部 濤灸 (C靜) 第3図 X人(crt’i”’) 第4図 J4k (crrf’) 第5図 二双−& (cm’1 :A長(C酢1) 第7図 遍長Canf’)
SCAスペクトルのチャートを表す。 第2図は、表面粗化、クロメート処理および亜鉛処理し
た銅箔のESCAスペクトルのチャートを表す。 第3図は、N、N−ジメチル尿素とZnOの混合物のI
Rスペクトルのチャートを表す。 第4図は、N、N−ジメチル尿素とZnOの混合物を1
70℃、1時間加熱した試料のIRスペクトルのチャー
トを表す。 第5図は、N、N−ジメチル尿素を170℃、1時間加
熱した試料のrRスペクトルのチャートを表す。 第6図は、ビウレットとZnOの混合物のIRスペクト
ルのチャートを表す。 第7図は、ビウレットとZnOの混合物を170℃、1
時間加熱した試料のIRスペクトルのチャートを表す。 第8図は、ビウレットを170℃、1時間加熱した試料
のIRスペクトルのチャートを表す。 きC・)工部 濤灸 (C靜) 第3図 X人(crt’i”’) 第4図 J4k (crrf’) 第5図 二双−& (cm’1 :A長(C酢1) 第7図 遍長Canf’)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a)尿素誘導体、 b)溶剤および c)エポキシ樹脂 を配合したワニスで銅箔を処理することを特徴とする銅
箔処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27831486A JPS63132041A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 銅箔処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27831486A JPS63132041A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 銅箔処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132041A true JPS63132041A (ja) | 1988-06-04 |
Family
ID=17595611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27831486A Pending JPS63132041A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 銅箔処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132041A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147513A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Sumitomo Chem Co Ltd | Varnish composition |
| JPS59136368A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | Toshiba Chem Corp | 導電性接着剤 |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP27831486A patent/JPS63132041A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57147513A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-11 | Sumitomo Chem Co Ltd | Varnish composition |
| JPS59136368A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | Toshiba Chem Corp | 導電性接着剤 |
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