JPS63132877A - イミダゾ−ル誘導体の製造方法 - Google Patents
イミダゾ−ル誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS63132877A JPS63132877A JP61278718A JP27871886A JPS63132877A JP S63132877 A JPS63132877 A JP S63132877A JP 61278718 A JP61278718 A JP 61278718A JP 27871886 A JP27871886 A JP 27871886A JP S63132877 A JPS63132877 A JP S63132877A
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- JP
- Japan
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- formula
- formic acid
- group
- ammonium salt
- ammonium
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- Granted
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、医薬品、特に潰瘍治療薬として有用なシメジ
ン(Cimetidine、N−シアノ−N’−メチル
−N“−(2−((5〜メチル−IH−イミダゾール−
4−イル)メチルチオ)エチル〕グアニジン)あるいは
シメチジン関連化合物の新規な製造方法に関する。
ン(Cimetidine、N−シアノ−N’−メチル
−N“−(2−((5〜メチル−IH−イミダゾール−
4−イル)メチルチオ)エチル〕グアニジン)あるいは
シメチジン関連化合物の新規な製造方法に関する。
従来、シメチジンあるいはシメチジン関連化合物の製造
方法についてはいくつかの提供がなされている(例えば
特開昭49−75574号、特開昭51−125074
号等)が、これらの諸法では高価なイミダゾール誘導体
を出発原料として用い、かつ多段階の反応を経る製造方
法であるためコストが高くつく欠点を有していた。
方法についてはいくつかの提供がなされている(例えば
特開昭49−75574号、特開昭51−125074
号等)が、これらの諸法では高価なイミダゾール誘導体
を出発原料として用い、かつ多段階の反応を経る製造方
法であるためコストが高くつく欠点を有していた。
本発明は、従来法における上記欠点を解消したイミダゾ
ール誘導体の新規な製造方法を提供するものであり、そ
の特徴とするところは、安価でかっ高収率で得られる原
料を用い最終段階でイミダゾール環を形成させることに
よって経済的にシメチジンあるいはシメチジン関連化合
物を得ることができるよう改良した点にある。
ール誘導体の新規な製造方法を提供するものであり、そ
の特徴とするところは、安価でかっ高収率で得られる原
料を用い最終段階でイミダゾール環を形成させることに
よって経済的にシメチジンあるいはシメチジン関連化合
物を得ることができるよう改良した点にある。
すなわち、本発明は、一般式(1)
%式%
〔式中、R1はアシル基、R2は低級アルキル基を示す
。〕で表わされるα−アシロキシケトン誘導体とギ酸誘
導体およびアンモニウム塩を反応させて式(n) 胃開 〔式中、R2は前記に同じである。〕で表わされるイミ
ダゾール誘4体を得ることを特徴とするイミダゾール誘
導体の製造方法をその要旨とする。本発明に係る式(1
)で表わされるα−アシロキシケトン誘導体中、RIに
用いられる低級脂肪族アシル基としては、ホルミル基、
アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリ
ル基、5ee−ブチリル基などが挙げられ、特に好まし
くはアセチル基である。またR2の低級アルキル基とし
てはメチル基、エチル基、ロープロピル基、イソプロピ
ル基、ロープチル基、5ec−ブチル基、イソブチル基
などを挙げることができ、好ましくはメチル基である。
。〕で表わされるα−アシロキシケトン誘導体とギ酸誘
導体およびアンモニウム塩を反応させて式(n) 胃開 〔式中、R2は前記に同じである。〕で表わされるイミ
ダゾール誘4体を得ることを特徴とするイミダゾール誘
導体の製造方法をその要旨とする。本発明に係る式(1
)で表わされるα−アシロキシケトン誘導体中、RIに
用いられる低級脂肪族アシル基としては、ホルミル基、
アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリ
ル基、5ee−ブチリル基などが挙げられ、特に好まし
くはアセチル基である。またR2の低級アルキル基とし
てはメチル基、エチル基、ロープロピル基、イソプロピ
ル基、ロープチル基、5ec−ブチル基、イソブチル基
などを挙げることができ、好ましくはメチル基である。
弐(I)で表わされるα−アシロキシケトン誘導体は、
本出願人による特願昭61−203640号「シアノグ
アニジン誘導体及びその製造法」に記載の化合物から、
後述する如く安価かつ高収率で得ることができる。また
、本願発明で用いられるギ酸誘導体としては、例えば、
ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸n−プロピル、ギ酸イソ
プロピル、ギ酸n−ブチル、ギ酸フェニルなどのギ酸エ
ステル、オルトギ酸メチル、オルトギ酸エチル、オルト
ギ酸フェニルなどのオルトギ酸エステル、酢酸ホルムア
ミジンなどのホルムアミジン類、ホルムイミド酸メチル
塩酸塩などのイミド酸誘導体などを用いることができ、
中でもオルトギ酸エステルが好ましく、とくにはオルト
ギ酸メチルが好ましい。
本出願人による特願昭61−203640号「シアノグ
アニジン誘導体及びその製造法」に記載の化合物から、
後述する如く安価かつ高収率で得ることができる。また
、本願発明で用いられるギ酸誘導体としては、例えば、
ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸n−プロピル、ギ酸イソ
プロピル、ギ酸n−ブチル、ギ酸フェニルなどのギ酸エ
ステル、オルトギ酸メチル、オルトギ酸エチル、オルト
ギ酸フェニルなどのオルトギ酸エステル、酢酸ホルムア
ミジンなどのホルムアミジン類、ホルムイミド酸メチル
塩酸塩などのイミド酸誘導体などを用いることができ、
中でもオルトギ酸エステルが好ましく、とくにはオルト
ギ酸メチルが好ましい。
また、アンモニウム塩としては例えば、ギ酸アンモニウ
ム、酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、安
息香酸アンモニウム、炭酸アンモニウムなどの有機およ
び無機のアンモニウム塩を用いることができ、特に好ま
しくはギ酸アンモニウムの如き脂肪族有機酸アンモニウ
ム塩である。
ム、酢酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、安
息香酸アンモニウム、炭酸アンモニウムなどの有機およ
び無機のアンモニウム塩を用いることができ、特に好ま
しくはギ酸アンモニウムの如き脂肪族有機酸アンモニウ
ム塩である。
ギ酸誘導体、アンモニウム塩の使用量は共に通常式(1
)のα−アシロキシケトン誘導体1モルに対して1ない
し100モルであり、好ましくは2ないし20モルであ
る。本発明においては、溶媒を使用しなくても行うこと
ができるが、溶媒を用いることが好ましい。この場合の
溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ロープ
ロバノール、イソプロパツールなどのアルコール系溶媒
、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン
などのエーテル系の溶媒、N、N−ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジエチルホルムアミド、ホルムアミド、ア
セアミドなどの脂肪族アミド系溶媒などが好ましい。こ
れらの溶媒の使用量は式(I)のα−アシロキシケトン
誘導体1重量部に対し0.5ないし100重量部、好ま
しくは2ないし50重量部である。
)のα−アシロキシケトン誘導体1モルに対して1ない
し100モルであり、好ましくは2ないし20モルであ
る。本発明においては、溶媒を使用しなくても行うこと
ができるが、溶媒を用いることが好ましい。この場合の
溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ロープ
ロバノール、イソプロパツールなどのアルコール系溶媒
、ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン
などのエーテル系の溶媒、N、N−ジメチルホルムアミ
ド、N、N−ジエチルホルムアミド、ホルムアミド、ア
セアミドなどの脂肪族アミド系溶媒などが好ましい。こ
れらの溶媒の使用量は式(I)のα−アシロキシケトン
誘導体1重量部に対し0.5ないし100重量部、好ま
しくは2ないし50重量部である。
反応温度は0℃ないし150℃、好ましくは40℃ない
し110°Cである。反応温度は0.1ないし40時間
、好ましくは0.5ないし20時間である。反応後、目
的物である式(n)で表わされるイミダゾール誘導体を
得るには、反応混合物中の溶媒を留去後、再結晶あるい
はクロマトグラフィーなどの通常用いられる一般的な精
製手段を用いることができる。
し110°Cである。反応温度は0.1ないし40時間
、好ましくは0.5ないし20時間である。反応後、目
的物である式(n)で表わされるイミダゾール誘導体を
得るには、反応混合物中の溶媒を留去後、再結晶あるい
はクロマトグラフィーなどの通常用いられる一般的な精
製手段を用いることができる。
以下、本発明の方法を実施例によって具体的に説明する
。
。
実施例I
N−(2−アセトキシ−3−オキソブチルチオ)エチ/
L/−N’−シアノーN#−メチルグアニジン155B
。
L/−N’−シアノーN#−メチルグアニジン155B
。
オルトギ酸メチル290mgをホルムアミド2.5 d
に溶かした後、ギ酸アンモニウム170mgを加え、1
00℃で2時間攪拌した。反応混合物中のホルムアミド
を減圧留去したのち、残香をシリカゲルクロマトグラフ
ィー(溶出溶媒;クロロホルム:メタノール=11)に
て単離、精製し、次いでイソプロパツールから再結晶し
て白色結晶の目的物36mgを得た(収率26%)。
に溶かした後、ギ酸アンモニウム170mgを加え、1
00℃で2時間攪拌した。反応混合物中のホルムアミド
を減圧留去したのち、残香をシリカゲルクロマトグラフ
ィー(溶出溶媒;クロロホルム:メタノール=11)に
て単離、精製し、次いでイソプロパツールから再結晶し
て白色結晶の目的物36mgを得た(収率26%)。
実施例2〜3
実施例1においてギ酸アンモニウムの代わりに表1記載
のアンモニウム塩を用いる以外は実施例1と同様の方法
で反応を行ったところ、シメチジンが表1の収率で得ら
れた。
のアンモニウム塩を用いる以外は実施例1と同様の方法
で反応を行ったところ、シメチジンが表1の収率で得ら
れた。
表 1
実施例4〜7
実施例1においてホルムアミドの代わりに表2記載の溶
媒を用いる以外は実施例1と同様の方法で反応を行った
ところ、シメチジンが表2の収率で得られた。
媒を用いる以外は実施例1と同様の方法で反応を行った
ところ、シメチジンが表2の収率で得られた。
表 2
実施例8〜10
実施例1においてオルトギ酸メチルの代わりに表3記載
のギ酸誘導体を用いる以外は実施例1と同様の方法で反
応を行ったところ、シメチジンが表3の収率で得られた
。
のギ酸誘導体を用いる以外は実施例1と同様の方法で反
応を行ったところ、シメチジンが表3の収率で得られた
。
表 3
実施例11
N−(2−ホルミノ「オキシ−3−オキソブチルチオ)
エチル−N′−シアノ−N“−メチルグアニジン136
mg、オルトギ酸メチル530mgをホルムアミド2゜
5−に溶かし、ギ酸アンモニウム320mgを加え、1
00℃で2時間攪拌した。実施例1と同様に後処理して
白色結晶の目的物(シメチジン) 28mgを得た(収
率22%)。
エチル−N′−シアノ−N“−メチルグアニジン136
mg、オルトギ酸メチル530mgをホルムアミド2゜
5−に溶かし、ギ酸アンモニウム320mgを加え、1
00℃で2時間攪拌した。実施例1と同様に後処理して
白色結晶の目的物(シメチジン) 28mgを得た(収
率22%)。
参考例1
5M二口フラスコに、N−(2−クロロ−3−オキソブ
チルチオ)エチル−N′−シアノ−N#−メチルグアニ
ジン(特願昭61−203640号記載の化合物)0.
64g 、メタノール10−1無水酢酸ナトリウム0゜
31gを入れ、室温にて8時間攪拌した。メタノールを
減圧留去し水を加え酢酸エチルで抽出した。
チルチオ)エチル−N′−シアノ−N#−メチルグアニ
ジン(特願昭61−203640号記載の化合物)0.
64g 、メタノール10−1無水酢酸ナトリウム0゜
31gを入れ、室温にて8時間攪拌した。メタノールを
減圧留去し水を加え酢酸エチルで抽出した。
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、酢酸エチルを減圧
留去して褐色液体の目的物0.57gを得た(収率83
%)。
留去して褐色液体の目的物0.57gを得た(収率83
%)。
’ H−NMRスペクトル(CDC1s−MeOD−d
4;PP11)(a)or(b) 2.
20(3H,5)(a)or(b) 2
.27(3tl、 5)(c)
2.80(2H,m)(d)
2.86(3H,d、J=5.4Hz)(e)
3.00(2H,m)(f)
3.42(2H,m)(g)
5.26(LH,dd、J=5.4and7
.2Hz)(h) 6.50〜6
.88(2B、m)参考例2 参考例1において、無水酢酸ナトリウムに代えてギ酸ナ
トリウムを用いたほかは参考例1と同様に反応を行った
。参考例1と同様に後処理したところ、褐色液体の目的
物を得た(収率46%)。
4;PP11)(a)or(b) 2.
20(3H,5)(a)or(b) 2
.27(3tl、 5)(c)
2.80(2H,m)(d)
2.86(3H,d、J=5.4Hz)(e)
3.00(2H,m)(f)
3.42(2H,m)(g)
5.26(LH,dd、J=5.4and7
.2Hz)(h) 6.50〜6
.88(2B、m)参考例2 参考例1において、無水酢酸ナトリウムに代えてギ酸ナ
トリウムを用いたほかは参考例1と同様に反応を行った
。参考例1と同様に後処理したところ、褐色液体の目的
物を得た(収率46%)。
Claims (1)
- (1)式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は低級脂肪族アシル基を示し、R^2は
低級アルキル基を示す。〕で表わされるα−アシロキシ
ケトン誘導体とギ酸誘導体およびアンモニウム塩を反応
させることを特徴とする式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R^2は前記に同じである。〕で表わされるイ
ミダゾール誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278718A JPS63132877A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | イミダゾ−ル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278718A JPS63132877A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | イミダゾ−ル誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63132877A true JPS63132877A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0586948B2 JPH0586948B2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=17601225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278718A Granted JPS63132877A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | イミダゾ−ル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63132877A (ja) |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP61278718A patent/JPS63132877A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0586948B2 (ja) | 1993-12-14 |
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