JPS63133A - フオトマスクの検査方法 - Google Patents
フオトマスクの検査方法Info
- Publication number
- JPS63133A JPS63133A JP61143359A JP14335986A JPS63133A JP S63133 A JPS63133 A JP S63133A JP 61143359 A JP61143359 A JP 61143359A JP 14335986 A JP14335986 A JP 14335986A JP S63133 A JPS63133 A JP S63133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- predetermined
- defect
- defect detecting
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はフォトマスクのパターン面の検査方法に関し、
特にポジティブレジスト用のフォトマスクの検査方法に
関する。
特にポジティブレジスト用のフォトマスクの検査方法に
関する。
（ロ）従来の技術
半導体装置の製造に用いられるフォトマスクは、レチク
ルと呼ばれるマスクに形成した１つの所定パターンを縮
小して繰り返し転写することにより製造される。従って
原板であるレチクルに１つでも欠陥があると全パターン
の同一個所に同一欠陥が存在する共通欠陥となって表れ
、そのフォトマスクを使用したウェハーを全滅にするの
で絶対に避けなければならない。
ルと呼ばれるマスクに形成した１つの所定パターンを縮
小して繰り返し転写することにより製造される。従って
原板であるレチクルに１つでも欠陥があると全パターン
の同一個所に同一欠陥が存在する共通欠陥となって表れ
、そのフォトマスクを使用したウェハーを全滅にするの
で絶対に避けなければならない。
ところが、仮に欠陥数“０”のレチクルを用意しても転
写時にレチクル表面に異物が付着したり光学系に何らか
の異常があったりするとやはり共通欠陥となってしまう
ため、レチクルのみならず転写後のフォトマスクについ
ても入念な検査を行う必要がある。
写時にレチクル表面に異物が付着したり光学系に何らか
の異常があったりするとやはり共通欠陥となってしまう
ため、レチクルのみならず転写後のフォトマスクについ
ても入念な検査を行う必要がある。
このようなフォトマスクの検査方法として従来より顕微
鏡による目視検査が行われてきたが、これでは時間を要
するのとパターン図形の欠陥をも見落すという欠点があ
り、最近では例えば特開昭６０−２２０９３４号公報に
記載されているような検査装置を用いることが多い。斯
る装置は検査するフォトマスクの所定パターンをビデオ
カメラで走査し、その信号をデジタル信号に変換して設
計時のＣＡＤデータと比較することによりパターンの良
否を判定するものである。この装置を用いれば、短時間
でほぼ正確な検査を行うことができる。
鏡による目視検査が行われてきたが、これでは時間を要
するのとパターン図形の欠陥をも見落すという欠点があ
り、最近では例えば特開昭６０−２２０９３４号公報に
記載されているような検査装置を用いることが多い。斯
る装置は検査するフォトマスクの所定パターンをビデオ
カメラで走査し、その信号をデジタル信号に変換して設
計時のＣＡＤデータと比較することによりパターンの良
否を判定するものである。この装置を用いれば、短時間
でほぼ正確な検査を行うことができる。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、微細化が進むに伴って斯上した装置にも
より高い検出精度が求められるものの、現状では今だ要
求を満足するような高い精度を有する装置が実現してお
らず、特にパターンが最も小さくなるようなポジティブ
レジスト用のフンタクトホールマスクや電極配線用のマ
スク等では不完全な検査しかできない欠点があった。
より高い検出精度が求められるものの、現状では今だ要
求を満足するような高い精度を有する装置が実現してお
らず、特にパターンが最も小さくなるようなポジティブ
レジスト用のフンタクトホールマスクや電極配線用のマ
スク等では不完全な検査しかできない欠点があった。
例えば第４図に示す如く、大部分がクロムによる黒地で
コンタクトホールに対応した領域が２〜４μｍ′の白抜
パターンとなるフォトマスクを検査した場合、図示した
異常パターン（１１）のように白抜パターンの一部が欠
けたような欠陥や、電極配線パターンにおける配線間の
ブリッジ等は検出することができない。また欠陥として
は黒地の部分に白いピンホールを生ずる欠陥も考えられ
るが、レチクルが完全であればこのような欠陥はほとん
ど発生しないことが確認されている。
コンタクトホールに対応した領域が２〜４μｍ′の白抜
パターンとなるフォトマスクを検査した場合、図示した
異常パターン（１１）のように白抜パターンの一部が欠
けたような欠陥や、電極配線パターンにおける配線間の
ブリッジ等は検出することができない。また欠陥として
は黒地の部分に白いピンホールを生ずる欠陥も考えられ
るが、レチクルが完全であればこのような欠陥はほとん
ど発生しないことが確認されている。
（＝）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、フォトマスク周
辺の余白部に所定パターン（２）と同じパターンの欠陥
検出パターン（３）を形成し、これを適正露光量以下の
光量で露光することにより白抜のパターンを縮小し欠陥
部を誇張して検査することを特徴とする。
辺の余白部に所定パターン（２）と同じパターンの欠陥
検出パターン（３）を形成し、これを適正露光量以下の
光量で露光することにより白抜のパターンを縮小し欠陥
部を誇張して検査することを特徴とする。
（＊）作用
本発明によれば、欠陥検出のためのパターンを適正露光
量以下の光量で露光したので白抜のパターンが縮小して
現像され、例えばその欠陥部により正常パターン（１０
）の開口面積の６０％しか開口きれてないような異常パ
ターン（１１）であれば、欠陥検出パターン（３）では
ほぼ完全につぶれてしまう。従ってこのようなパターン
を用いれば、従来の検査装置でも欠陥部を確実に検出す
ることができる。
量以下の光量で露光したので白抜のパターンが縮小して
現像され、例えばその欠陥部により正常パターン（１０
）の開口面積の６０％しか開口きれてないような異常パ
ターン（１１）であれば、欠陥検出パターン（３）では
ほぼ完全につぶれてしまう。従ってこのようなパターン
を用いれば、従来の検査装置でも欠陥部を確実に検出す
ることができる。
（へ）実施例
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第１図は本発明を適用したフォトマスクの平面図であり
、マスク基板（１）の主面中央に回路機能素子を形成す
るための所定パターン（２）が縦横に繰り返して形成さ
れ、その周辺の余白部には所定パターン（２）群と離間
して欠陥検出パターン（３）が形成されている。余白部
はウェハーにとって不必要な領域であり、ここに欠陥検
出パターン（３）を形成しても何ら問題無い。そして欠
陥検出パターン（３）は、先ずレチクルに形成した原板
のパターンをフォトリピータ−と呼ばれる装置でステッ
プ・アンド・リピートして露光することにより所定パタ
ーン（２）群を形成した後、その露光量の０．８倍程度
の光量で所定パターン（２）と同じパターンを露光する
ことにより形成する。
、マスク基板（１）の主面中央に回路機能素子を形成す
るための所定パターン（２）が縦横に繰り返して形成さ
れ、その周辺の余白部には所定パターン（２）群と離間
して欠陥検出パターン（３）が形成されている。余白部
はウェハーにとって不必要な領域であり、ここに欠陥検
出パターン（３）を形成しても何ら問題無い。そして欠
陥検出パターン（３）は、先ずレチクルに形成した原板
のパターンをフォトリピータ−と呼ばれる装置でステッ
プ・アンド・リピートして露光することにより所定パタ
ーン（２）群を形成した後、その露光量の０．８倍程度
の光量で所定パターン（２）と同じパターンを露光する
ことにより形成する。
このようにして形成した欠陥検出パターン（３）は、意
識的に過少露光したために所定パターン（２）に比べて
パターンが全体的に縮小して形成きれる。
識的に過少露光したために所定パターン（２）に比べて
パターンが全体的に縮小して形成きれる。
これを第２図及び第３図を用いて説明する。第２図はフ
ォトリピータ−によりパターンを露光する時の概略断面
図であり、（４）はレチクル、（５）はレン、（、（６
）はフォトマスクである。レチクル（４）表面にはクロ
ム膜（７）による所定パターン（２）が選択的に形成き
れており、フォトマスク（６）表面には未加工のクロム
膜（７）と微細加工に有利なポジティブレジスト（８）
が付着きれている。そしてレチクル（４）上部より超高
圧水銀灯の紫外線等の露光光（９）を照射すると、レチ
クル（４）に形成された白抜のパターン部を通過した光
がレンズ（５）を介してレジスト（８）表面に到達し、
レチクル（４）に形成した所定パターン（２）を例えば
１０：１の尺度でフォトマスク（６）表面に結像するよ
う構成きれている。
ォトリピータ−によりパターンを露光する時の概略断面
図であり、（４）はレチクル、（５）はレン、（、（６
）はフォトマスクである。レチクル（４）表面にはクロ
ム膜（７）による所定パターン（２）が選択的に形成き
れており、フォトマスク（６）表面には未加工のクロム
膜（７）と微細加工に有利なポジティブレジスト（８）
が付着きれている。そしてレチクル（４）上部より超高
圧水銀灯の紫外線等の露光光（９）を照射すると、レチ
クル（４）に形成された白抜のパターン部を通過した光
がレンズ（５）を介してレジスト（８）表面に到達し、
レチクル（４）に形成した所定パターン（２）を例えば
１０：１の尺度でフォトマスク（６）表面に結像するよ
う構成きれている。
而してレジスト（８）に照射された露光光（９）は、光
の回折現像を伴うためにその照射量（露光量）を縦軸、
パターンの中心からの距離を横軸にとると第３図に示し
たような分布特性を有する。そのためレジスト（８）の
現像後の膜厚残存率が０％を満足する露光量が図示ＸＹ
のレベルであると設定するならば、分布特性を実線で示
した適正露光時では図示ＡＢの範囲だけ開孔することに
なる。ところが分布特性を破線で示した過少露光時では
、絶対的な露光量が不足する為に図示ＣＤの範囲しか開
孔できないことになる。そのため、この状態でクロム膜
（７）をエツチング除去すると過少露光した欠陥検出パ
ターン（３）では全体的にパターンが縮小されて形成さ
れるのである。
の回折現像を伴うためにその照射量（露光量）を縦軸、
パターンの中心からの距離を横軸にとると第３図に示し
たような分布特性を有する。そのためレジスト（８）の
現像後の膜厚残存率が０％を満足する露光量が図示ＸＹ
のレベルであると設定するならば、分布特性を実線で示
した適正露光時では図示ＡＢの範囲だけ開孔することに
なる。ところが分布特性を破線で示した過少露光時では
、絶対的な露光量が不足する為に図示ＣＤの範囲しか開
孔できないことになる。そのため、この状態でクロム膜
（７）をエツチング除去すると過少露光した欠陥検出パ
ターン（３）では全体的にパターンが縮小されて形成さ
れるのである。
第４図及び第５図は夫々所定パターン（２）と欠陥検出
パターン（３〉の−部を示す平面図であり、１例として
ポジティブレジスト用のコンタクトホールマスクを示す
。ポジティブレジスト用であるから、その大部分がクロ
ム膜（７）による黒地でコンタクトホールに対応した領
域が開孔されて白抜のパターンとなる。そして所定パタ
ーン（２）の−部に、完全に開孔された正常パターン（
１０）と、何らかの原因で白抜のパターンが一部欠けた
ような欠陥部を有する異常パターン（１１）とが形成さ
れていたならば、欠陥検出パターン（３）においては上
述した理由により正常パターン（１０）が略半分の大き
さに縮小して形成され且つ最初から半分つぶれたような
異常パターン（１１）はほとんどつぶれて形成されるこ
とになる。
パターン（３〉の−部を示す平面図であり、１例として
ポジティブレジスト用のコンタクトホールマスクを示す
。ポジティブレジスト用であるから、その大部分がクロ
ム膜（７）による黒地でコンタクトホールに対応した領
域が開孔されて白抜のパターンとなる。そして所定パタ
ーン（２）の−部に、完全に開孔された正常パターン（
１０）と、何らかの原因で白抜のパターンが一部欠けた
ような欠陥部を有する異常パターン（１１）とが形成さ
れていたならば、欠陥検出パターン（３）においては上
述した理由により正常パターン（１０）が略半分の大き
さに縮小して形成され且つ最初から半分つぶれたような
異常パターン（１１）はほとんどつぶれて形成されるこ
とになる。
また第６図に示す如く、電極配線用のパターンにおいて
、配線（１２）（１２）間に残留クロムによるブリッジ
欠陥（１３）が生じたようなパターンであれば、欠陥検
出パターン（３）では第７図に示す如く、ブリッジ欠陥
部（１３）が拡大きれ誇張されて形成きれる。
、配線（１２）（１２）間に残留クロムによるブリッジ
欠陥（１３）が生じたようなパターンであれば、欠陥検
出パターン（３）では第７図に示す如く、ブリッジ欠陥
部（１３）が拡大きれ誇張されて形成きれる。
従って第５図や第７図の様に形成した欠陥検出パターン
（３）を用いれば、従来の検出装置でも確実に検出する
ことができるのである。この時どの程度の光量で露光す
るかは検査装置の精度による。つまり検査装置の検出精
度にある程度の幅があるから、露光量を変化させて正常
パターン（１０〉を縮小した大きさの異るパターンを複
数個形成し、正常パターン（１０）が正常と判断きれる
限界の露光量を求めてその露光量にやや余裕をもたせた
露光量を欠陥検出パターン（３）の露光量として設定す
れば良いのである。このように設定すれば、正常パター
ン（１０）より開孔部の大きさが小きい異常パターン（
１１）は確実に検出されるようになる。
（３）を用いれば、従来の検出装置でも確実に検出する
ことができるのである。この時どの程度の光量で露光す
るかは検査装置の精度による。つまり検査装置の検出精
度にある程度の幅があるから、露光量を変化させて正常
パターン（１０〉を縮小した大きさの異るパターンを複
数個形成し、正常パターン（１０）が正常と判断きれる
限界の露光量を求めてその露光量にやや余裕をもたせた
露光量を欠陥検出パターン（３）の露光量として設定す
れば良いのである。このように設定すれば、正常パター
ン（１０）より開孔部の大きさが小きい異常パターン（
１１）は確実に検出されるようになる。
そして実務上は、まず検査装置によって欠陥検出パター
ン（３）を走査し、欠陥が検出されなければ良品、検出
されればその部分に対応する所定パターン（２）の部分
を顕微鏡目視検査し、再度良否を判断すれば良い。また
更に完璧を期すならば、所定パターン（２）と欠陥検出
パターン（３）の双方を検査装置で走査したり、露光量
を異ならせて形成した複数個の欠陥検出パターン（３）
を検査することも考えられる。
ン（３）を走査し、欠陥が検出されなければ良品、検出
されればその部分に対応する所定パターン（２）の部分
を顕微鏡目視検査し、再度良否を判断すれば良い。また
更に完璧を期すならば、所定パターン（２）と欠陥検出
パターン（３）の双方を検査装置で走査したり、露光量
を異ならせて形成した複数個の欠陥検出パターン（３）
を検査することも考えられる。
（ト）発明の詳細
な説明した如く、本発明によれば極く微細化したパター
ンにおいてもパターンの欠陥を容易に且つ確実に検出で
きる利点を有する。また欠陥検出パターン（３）をフォ
トマスク周辺部に形成するので、実パターンには何ら影
響しない利点をも有する。
ンにおいてもパターンの欠陥を容易に且つ確実に検出で
きる利点を有する。また欠陥検出パターン（３）をフォ
トマスク周辺部に形成するので、実パターンには何ら影
響しない利点をも有する。
第１図は本発明のフォトマスクを示す平面図、第２図は
露光装置の概略断面図、第３図は露光量の分布特性図、
第４図及び第６図は所定パターン（２）の−部を示す平
面図、第５図及び第９図は欠陥検出パターン（３）の−
部を示す平面図である。 （１）はマスク基板、 （２）は所定パターン、（３）
は欠陥検出パターン、 （１０）は正常パターン、（１
１，）は異常パターンである。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外１名 第１図 第２図 第３図 ヤ曵・力゛ら４距＆ 第４図 第５図 昭和６１年２月２４日 特許庁長官殿 ｕへ１、事件の表
示 昭和６１年特許願第１４３３５ ’９号２、発明の名称 フォトマスクの検査方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８Ｕ三洋電機株式会社（外１名）４、代理人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：を話（東京）８３５−１１１１特許センクー駐
在中川５、補正命令の日付（発送日） 昭和６１年８月２６日 ７、補正の内容 明細書第１０頁第２行目′第９図」を１第７図」と補正
する。
露光装置の概略断面図、第３図は露光量の分布特性図、
第４図及び第６図は所定パターン（２）の−部を示す平
面図、第５図及び第９図は欠陥検出パターン（３）の−
部を示す平面図である。 （１）はマスク基板、 （２）は所定パターン、（３）
は欠陥検出パターン、 （１０）は正常パターン、（１
１，）は異常パターンである。 出願人 三洋電機株式会社外１名 代理人 弁理士 西野卓嗣 外１名 第１図 第２図 第３図 ヤ曵・力゛ら４距＆ 第４図 第５図 昭和６１年２月２４日 特許庁長官殿 ｕへ１、事件の表
示 昭和６１年特許願第１４３３５ ’９号２、発明の名称 フォトマスクの検査方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８Ｕ三洋電機株式会社（外１名）４、代理人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：を話（東京）８３５−１１１１特許センクー駐
在中川５、補正命令の日付（発送日） 昭和６１年８月２６日 ７、補正の内容 明細書第１０頁第２行目′第９図」を１第７図」と補正
する。
Claims (1)
- （１）所定パターンを規則的に複数個配列したフォトマ
スクの周辺の余白部に前記所定パターンと同じパターン
の欠陥検出パターンを形成し、この欠陥検出パターンを
適正露光量以下の光量で露光することにより欠陥部を誇
張して検査することを特徴とするフォトマスクの検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143359A JPS63133A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | フオトマスクの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61143359A JPS63133A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | フオトマスクの検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133A true JPS63133A (ja) | 1988-01-05 |
| JPH0375854B2 JPH0375854B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=15336950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61143359A Granted JPS63133A (ja) | 1986-06-19 | 1986-06-19 | フオトマスクの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133A (ja) |
-
1986
- 1986-06-19 JP JP61143359A patent/JPS63133A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375854B2 (ja) | 1991-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5804340A (en) | Photomask inspection method and inspection tape therefor | |
| US4718767A (en) | Method of inspecting the pattern on a photographic mask | |
| US20070002322A1 (en) | Image inspection method | |
| KR0172801B1 (ko) | 공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법 | |
| US4778745A (en) | Defect detection method of semiconductor wafer patterns | |
| CN1217399C (zh) | 检测晶片阶段缺陷的方法 | |
| JP3879904B2 (ja) | グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
| JPH04328548A (ja) | フォトマスクの検査方法および装置 | |
| US7160650B2 (en) | Method of inspecting a mask | |
| JPH0375854B2 (ja) | ||
| US4637714A (en) | Inspection system for pellicalized reticles | |
| JPH06232229A (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| Gupta et al. | Defects in photomasks | |
| JP3092999B2 (ja) | レチクル欠陥検査方法 | |
| JPH07181686A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6076122A (ja) | 微細ピンホ−ル欠陥検査方法 | |
| US5403681A (en) | Method of producing semiconductor device and photomask therefor | |
| JPH01109717A (ja) | レジストパターン検査方法 | |
| Almog et al. | Size matters: defect detectability in reticle and wafer inspection including advanced aerial image simulation for defect printability | |
| JPS63163464A (ja) | マスク | |
| JPH0644147B2 (ja) | フォトマスクの欠陥検査方法 | |
| JP2007303971A (ja) | 薬液起因の欠陥検出方法及び半導体装置の製造方法 | |
| Eran et al. | Improved image acquistion for advanced reticle inspection | |
| JPS5832416A (ja) | パタ−ン欠陥検査方法 | |
| KR20010003507A (ko) | 포토마스크 검사방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |