JPS63136514A - アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 - Google Patents
アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法Info
- Publication number
- JPS63136514A JPS63136514A JP61283386A JP28338686A JPS63136514A JP S63136514 A JPS63136514 A JP S63136514A JP 61283386 A JP61283386 A JP 61283386A JP 28338686 A JP28338686 A JP 28338686A JP S63136514 A JPS63136514 A JP S63136514A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- sic film
- film
- substrate
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明はアモルファスシリコンカーバイド膜の製法に関
し、より詳細には原料ガスの取り扱いを容易となすとと
もに膜質の制御を容易にしたアモルファスシリコンカー
バイド膜の製法に関する。
し、より詳細には原料ガスの取り扱いを容易となすとと
もに膜質の制御を容易にしたアモルファスシリコンカー
バイド膜の製法に関する。
近年、単結晶材料から成る半導体に加えて非晶質（アモ
ルファス）３膜から成る半導体が注目され、太陽電池等
の光電変換素子或いは電子写真用感光体としてのその利
用が活発に行われている。
ルファス）３膜から成る半導体が注目され、太陽電池等
の光電変換素子或いは電子写真用感光体としてのその利
用が活発に行われている。
その半導体材料としてはアモルファスシリコン（ａ−５
ｉ ）或いはアモルファスシリコンカーバイド（ａ−３
ｉＣ）が注目されており、特にａ−３ｉＣはａ−３ｉに
比べて大きなバンドギャップをもつと共に耐熱性、耐熱
衝撃性、耐摩耗性に優れていることがら感光体や発光、
受光素子としての応用が進められている。
ｉ ）或いはアモルファスシリコンカーバイド（ａ−３
ｉＣ）が注目されており、特にａ−３ｉＣはａ−３ｉに
比べて大きなバンドギャップをもつと共に耐熱性、耐熱
衝撃性、耐摩耗性に優れていることがら感光体や発光、
受光素子としての応用が進められている。
この３−５ｉＣ膜は、例えばグロー放電分解法により生
成され、その生成用ガスはメタン、エタン、プロパン、
エチレンなどのＣ（炭素）含有ガス、並びにシラン、ジ
シラン、トリシラン、４フツ化ケイ素などのＳｉ（ケイ
素）含有ガスが用いられている。
成され、その生成用ガスはメタン、エタン、プロパン、
エチレンなどのＣ（炭素）含有ガス、並びにシラン、ジ
シラン、トリシラン、４フツ化ケイ素などのＳｉ（ケイ
素）含有ガスが用いられている。
しかし乍ら、上記ガスを用いてａ−３ｉＣｐＩｉを形成
すると１μｍ ／ｈ以下という低い成膜速度でしか生成
されず、実用化するに当たり高い成膜速度が要求される
例えば電子写真用感光体の製造に際しては、約５〜３０
μｍの厚みが要求されることから成膜速度の向上が望ま
れている。
すると１μｍ ／ｈ以下という低い成膜速度でしか生成
されず、実用化するに当たり高い成膜速度が要求される
例えば電子写真用感光体の製造に際しては、約５〜３０
μｍの厚みが要求されることから成膜速度の向上が望ま
れている。
かかる要求に対して、本発明者等は前記Ｃ含有ガスとし
てアセチレン（Ｃ２Ｈ□）を用いると著しく高い成膜速
度が得られることを見出し、ａ−３ｉＣ膜の感光体とし
ての応用が可能であること提塞した。
てアセチレン（Ｃ２Ｈ□）を用いると著しく高い成膜速
度が得られることを見出し、ａ−３ｉＣ膜の感光体とし
ての応用が可能であること提塞した。
しかて乍ら、Ｃ２１１□ガスを原料ガスとして反応管内
に供給する場合、Ｃｚ！Ｉｚガスは高圧封入されたボン
ベを使用することができるが、ＣＺＨ２自体の性質とし
て高純度の０２１１□は高圧下（充填性ＩＫｇ／ｃｍ２
以上）で分解爆発性を有することから、その取り扱いに
際し細心の注意を払う必要があると共に製造効率の点で
問題がある。即ちボンベの充填圧は０゜５Ｋｇ／ｃｍ”
以下に設定される必要があり、そのためにボンベ１本当
たりのガス純量が他のＣ含有ガスに比べ格段に少なくボ
ンベの交換回数が頻繁になり効率を低下させる。
に供給する場合、Ｃｚ！Ｉｚガスは高圧封入されたボン
ベを使用することができるが、ＣＺＨ２自体の性質とし
て高純度の０２１１□は高圧下（充填性ＩＫｇ／ｃｍ２
以上）で分解爆発性を有することから、その取り扱いに
際し細心の注意を払う必要があると共に製造効率の点で
問題がある。即ちボンベの充填圧は０゜５Ｋｇ／ｃｍ”
以下に設定される必要があり、そのためにボンベ１本当
たりのガス純量が他のＣ含有ガスに比べ格段に少なくボ
ンベの交換回数が頻繁になり効率を低下させる。
また、ａ−ＳｉＣの成膜に際し、Ｃ２１１□ガスはＳｉ
含有ガスと比較しても高い分解能を有するが、それゆえ
に流量の調整が難しく、生成されるａ−５ｉＣ膜自体Ｃ
量の多くなる傾向になり、所望の組成を有する改質の優
れたａ−５ｉＣ膜を得るのが難しいという問題があった
。
含有ガスと比較しても高い分解能を有するが、それゆえ
に流量の調整が難しく、生成されるａ−５ｉＣ膜自体Ｃ
量の多くなる傾向になり、所望の組成を有する改質の優
れたａ−５ｉＣ膜を得るのが難しいという問題があった
。
本発明者等は蒸気問題点に対し研究を重ねた結果、反応
ガスのＣ含有ガスとしてＣＺＩ！□ガスおよびエチレン
系不飽和炭素水素或いは飽和炭素水素を併用して用いる
ことにより、高圧下におけるｃｚｎｚの分解爆発性を抑
制することができることにより反応ガスの取り扱いを容
易となすことができると共にボンベ１本当たりのＣ２Ｈ
２ガス純量を多くすることができるため、製造効率を向
上させることができ、また、Ｃ含有ガスとしての分解能
を制御し、流量の調整を容易にすることができることに
よって生成させるａ−５ｉＣ膜の膜質を向上させ、所望
の組成のａ−ＳｉＣ膜を生成することができることを知
見し本発明に至った。
ガスのＣ含有ガスとしてＣＺＩ！□ガスおよびエチレン
系不飽和炭素水素或いは飽和炭素水素を併用して用いる
ことにより、高圧下におけるｃｚｎｚの分解爆発性を抑
制することができることにより反応ガスの取り扱いを容
易となすことができると共にボンベ１本当たりのＣ２Ｈ
２ガス純量を多くすることができるため、製造効率を向
上させることができ、また、Ｃ含有ガスとしての分解能
を制御し、流量の調整を容易にすることができることに
よって生成させるａ−５ｉＣ膜の膜質を向上させ、所望
の組成のａ−ＳｉＣ膜を生成することができることを知
見し本発明に至った。
以下、本発明を詳述する。
本発明の製造方法によれば、反応ガスとして少なくとも
Ｓｉ含有ガスおよびＣ含有ガスを用いるものであって、
Ｃ含有ガスとしてはＣｚＨｚガスおよびＣｍＨｎ （但
し、ｍ≧１、ｎ≧４）ガスの混合ガスを用いることが本
発明における大きな特徴である。
Ｓｉ含有ガスおよびＣ含有ガスを用いるものであって、
Ｃ含有ガスとしてはＣｚＨｚガスおよびＣｍＨｎ （但
し、ｍ≧１、ｎ≧４）ガスの混合ガスを用いることが本
発明における大きな特徴である。
ＣｍＨｎガスとしては具体的にはエチレン系不飽和炭化
水素、飽和炭素水素であってそれ自体室温で気体である
ことが望ましく、例えばＣｚＨ６，Ｃ３！（ａ、ＣｔＨ
＋。＋Ｃ３ＨＩ□、ＣｚＨ４，ＣＪ６．ＣｔＨａ＋Ｃｓ
１１．。等で表わされる直鎖状あるいはこれらの異性体
が挙げられる。
水素、飽和炭素水素であってそれ自体室温で気体である
ことが望ましく、例えばＣｚＨ６，Ｃ３！（ａ、ＣｔＨ
＋。＋Ｃ３ＨＩ□、ＣｚＨ４，ＣＪ６．ＣｔＨａ＋Ｃｓ
１１．。等で表わされる直鎖状あるいはこれらの異性体
が挙げられる。
Ｃ２Ｈ２ガスとＣｍＨｎガスの割合は（ＣｍＨｎ／Ｃｚ
ｌｌｚ ＋ Ｃｍｔｌｎ）比で０．１乃至０．９、特に
０．３乃至０．８が望ましく、この比が０．１を下回る
と本発明の目的が達成され難＜、０．９を超えるとＣ２
Ｈ，ガスを用いることによる高速成膜化ができなくなる
。
ｌｌｚ ＋ Ｃｍｔｌｎ）比で０．１乃至０．９、特に
０．３乃至０．８が望ましく、この比が０．１を下回る
と本発明の目的が達成され難＜、０．９を超えるとＣ２
Ｈ，ガスを用いることによる高速成膜化ができなくなる
。
なお、このＣ含有ガスはＣ２Ｈ２の高圧下における分解
爆発性を抑制する目的からＣ２Ｈ２とＣｍＨｎガスとは
ボンベ等への密封時、常に両者を混合した状態で高圧密
封しておくことが必要である。
爆発性を抑制する目的からＣ２Ｈ２とＣｍＨｎガスとは
ボンベ等への密封時、常に両者を混合した状態で高圧密
封しておくことが必要である。
Ｓｉ含有ガスとしてはＳ ｉＩＩ ４＋ Ｓ ｉ ｔ
Ｈｂなどを用いることができ、このＳｉ含有ガスは上記
のＣ含有ガスに対してＣ含有ガス：Ｓｉ含有ガス・０．
０１：１乃至３：ｌ、特に０．０１：１乃至１：ｌの割
合で配合することが望ましい。
Ｈｂなどを用いることができ、このＳｉ含有ガスは上記
のＣ含有ガスに対してＣ含有ガス：Ｓｉ含有ガス・０．
０１：１乃至３：ｌ、特に０．０１：１乃至１：ｌの割
合で配合することが望ましい。
本発明の製造方法によれば、前述したＣ含有ガスおよび
Ｓｉ含有ガスの他に種々のガスを混入することができ、
例えば、生成されるａ−５ｉＣのダングリングボンドを
終端させることを目的として＋１．Ｆ。
Ｓｉ含有ガスの他に種々のガスを混入することができ、
例えば、生成されるａ−５ｉＣのダングリングボンドを
終端させることを目的として＋１．Ｆ。
ＣＩ等の一価元素を含有するガスを導入することができ
る。
る。
これらの反応ガスは反応系内に導入された後、例えば熱
、光、直流グロー放電、高周波グロー放電、マイクロ波
プラズマ等のエネルギー供給手段によって分解され、所
望の基板上にａ−５ｉＣ或いはａ−ＳｉＣ：）Ｉとして
生成する。具体的に半導体としての用途から生成される
ａ−３ｉＣは ５ｉ（１−Ｘ、ＣＭ・・・（１） 但し、０．０１≦Ｘ≦０．９、特に０．０５≦Ｘ≦０．
５で表わされる。
、光、直流グロー放電、高周波グロー放電、マイクロ波
プラズマ等のエネルギー供給手段によって分解され、所
望の基板上にａ−５ｉＣ或いはａ−ＳｉＣ：）Ｉとして
生成する。具体的に半導体としての用途から生成される
ａ−３ｉＣは ５ｉ（１−Ｘ、ＣＭ・・・（１） 但し、０．０１≦Ｘ≦０．９、特に０．０５≦Ｘ≦０．
５で表わされる。
本発明の製造方法によれば、ａ−３ｉＣとしての用途に
よっては、そのａ−３ｉＣ膜の特性を変えるために各種
の元素をドープすることができる。ａ−５ｉＣ膜自体は
弱いｎ型半導体であって例えばＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ等の
周期律表第Ｖａ族元素を１０． ＯＯＯｐｐｍ以下の範
囲でドープさせることによりさらにｎ型を強めることが
でき、逆にＢ、ＡＩ、Ｇａ＋ Ｉｎ等の周期律表第■ａ
族元素を０．１乃至１０．ＯＯＯｐｐｍの範囲でドープ
させることによってＰ型半導体とすることができる。
よっては、そのａ−３ｉＣ膜の特性を変えるために各種
の元素をドープすることができる。ａ−５ｉＣ膜自体は
弱いｎ型半導体であって例えばＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ等の
周期律表第Ｖａ族元素を１０． ＯＯＯｐｐｍ以下の範
囲でドープさせることによりさらにｎ型を強めることが
でき、逆にＢ、ＡＩ、Ｇａ＋ Ｉｎ等の周期律表第■ａ
族元素を０．１乃至１０．ＯＯＯｐｐｍの範囲でドープ
させることによってＰ型半導体とすることができる。
このような場合には、反応ガス中に各ドーピング元素を
含有するガス、例えば周期律表第ｍａ族元素含有ガスと
して８２＋１．、ＢＦ３．Ａｔ（Ｃｌｌ３） ：＋、Ｇ
ａ（Ｃｌｌ：＋） ３Ｉｎ（ＣＨ３）ｚ等を反応ガス中
に１０−ｂ乃至１モルχ、特に１０−５乃至０．１モル
χの割合で含有させ、また周期律表第Ｖａ族元素含有ガ
スとしてＰＨｉ＋Ｎｚ＋Ａｓｔ１３＋ＡｓＦ３，５ｂＦ
ｆｆ等を反応ガス中に１モル％以下、特に０゜１モル％
以下の割合で含有すれば良い。
含有するガス、例えば周期律表第ｍａ族元素含有ガスと
して８２＋１．、ＢＦ３．Ａｔ（Ｃｌｌ３） ：＋、Ｇ
ａ（Ｃｌｌ：＋） ３Ｉｎ（ＣＨ３）ｚ等を反応ガス中
に１０−ｂ乃至１モルχ、特に１０−５乃至０．１モル
χの割合で含有させ、また周期律表第Ｖａ族元素含有ガ
スとしてＰＨｉ＋Ｎｚ＋Ａｓｔ１３＋ＡｓＦ３，５ｂＦ
ｆｆ等を反応ガス中に１モル％以下、特に０゜１モル％
以下の割合で含有すれば良い。
次に本発明の製造方法の一実施例として高周波グロー放
電分解法を採用した場合を詳述する。
電分解法を採用した場合を詳述する。
第１図は一実施例に用いられる容量結合型グロー放電分
解装置を説明するための図である。なお、ドーピング元
素としてホウ素を選択した。
解装置を説明するための図である。なお、ドーピング元
素としてホウ素を選択した。
図中、第１、第２、第３、第４タンク（１） （２）
（３）（４）にはそれぞれＳ ｉ Ｈ、ガス、ＢｚＨｂ
ガス、１１２およびＣ，Ｈ２ガスとＣｍＨｎガスが前述
した割合で混合されたガスが圧縮密封されており、Ｈ２
はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガスは
対応する第１、第２、第３、第４調整弁（５） （６）
（７） （８）を開放することにより放出され、その
流量がマスフローコントローラ（９） （１０） （１
１） （１２）により制御されてメインパイプ（１３）
へ送られる。尚、（１４）は止め弁である。
（３）（４）にはそれぞれＳ ｉ Ｈ、ガス、ＢｚＨｂ
ガス、１１２およびＣ，Ｈ２ガスとＣｍＨｎガスが前述
した割合で混合されたガスが圧縮密封されており、Ｈ２
はキャリアーガスとしても用いられる。これらのガスは
対応する第１、第２、第３、第４調整弁（５） （６）
（７） （８）を開放することにより放出され、その
流量がマスフローコントローラ（９） （１０） （１
１） （１２）により制御されてメインパイプ（１３）
へ送られる。尚、（１４）は止め弁である。
メインパイプ（１３）を通じて流れるガスは反応管（１
５）へと送り込まれるが、この反応管内部には容量結合
型放電用電極（１６）が設置されており、これに印加さ
れる電力は５０−乃至３ ＫＷが、また周波数はＩＭＨ
２乃至１０ＭＩＩｚが適当である。反応管（１５）の内
部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用導電性基板
（１７）が試料保持台（１８）の上に載置されており、
この保持台（１８）はモーター（１９）により回転駆動
されるようになっており、そして、基板（１７）は適当
な加熱手段により約５０乃至４００°Ｃ好ましくは約１
５０乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更に、反
応管（１５）の内部はａ−５ｉ膜又はａ−５ｉＣ膜等の
形成時に高度の真空状態（放電圧０．１乃至２．０Ｔｏ
ｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ（２０）と拡
散ポンプ（２１）に連結される。
５）へと送り込まれるが、この反応管内部には容量結合
型放電用電極（１６）が設置されており、これに印加さ
れる電力は５０−乃至３ ＫＷが、また周波数はＩＭＨ
２乃至１０ＭＩＩｚが適当である。反応管（１５）の内
部には、アルミニウムから成る筒状の成膜用導電性基板
（１７）が試料保持台（１８）の上に載置されており、
この保持台（１８）はモーター（１９）により回転駆動
されるようになっており、そして、基板（１７）は適当
な加熱手段により約５０乃至４００°Ｃ好ましくは約１
５０乃至３００℃の温度に均一に加熱される。更に、反
応管（１５）の内部はａ−５ｉ膜又はａ−５ｉＣ膜等の
形成時に高度の真空状態（放電圧０．１乃至２．０Ｔｏ
ｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ（２０）と拡
散ポンプ（２１）に連結される。
以上のように構成されたグミ−放電分解装置において、
例えばＢがドーピングされたａ−３ｉＣ膜を基板（１７
）上に形成するに当たって第１、第２、第３、第４調整
弁（５） （６） （７） （８）を開放して第１、第
２、第３、第４タンク（１） （２） （３） （４）
よりそれぞれＳ ｉ ＩＩ ４ガス、ＣｚＨｚとＣｍｔ
ｌｎの混合ガス、Ｂ ２ｔｌ ｂガス及び１１□ガスを
放出し、これらの放出量はマスフローコントローラ（９
） （１０） （１１） （１２）により規制されてメ
インパイプ（１３）を介して反応管（１５）へと送り込
まれ、そして、反応管（１５）の内部が０．１乃至２．
ＱＴｏｒｒの真空状態、基板温度が５０乃至４００°
Ｃ５容量型放電用電極（１６）に周波数１乃至１０ Ｍ
ＩＩ ｚの高周波電力が５０Ｗ乃至３ ＫＷ印加され
るのに相撲ってグロー放電が起こり、ガスが分解してＢ
含有のａ−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。
例えばＢがドーピングされたａ−３ｉＣ膜を基板（１７
）上に形成するに当たって第１、第２、第３、第４調整
弁（５） （６） （７） （８）を開放して第１、第
２、第３、第４タンク（１） （２） （３） （４）
よりそれぞれＳ ｉ ＩＩ ４ガス、ＣｚＨｚとＣｍｔ
ｌｎの混合ガス、Ｂ ２ｔｌ ｂガス及び１１□ガスを
放出し、これらの放出量はマスフローコントローラ（９
） （１０） （１１） （１２）により規制されてメ
インパイプ（１３）を介して反応管（１５）へと送り込
まれ、そして、反応管（１５）の内部が０．１乃至２．
ＱＴｏｒｒの真空状態、基板温度が５０乃至４００°
Ｃ５容量型放電用電極（１６）に周波数１乃至１０ Ｍ
ＩＩ ｚの高周波電力が５０Ｗ乃至３ ＫＷ印加され
るのに相撲ってグロー放電が起こり、ガスが分解してＢ
含有のａ−３ｉＣ膜が基板上に高速で形成される。
なお、本発明の製造方法は上述した高周波グロー放電分
解法に限定されるものではなく他の成膜手段を採用して
も同様に高速成膜化を達成することができ、他の成膜手
段としては光ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
、直流グロー放電分解法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法
、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法が挙げら
れ、これらの手段においても前述した反応ガス組成比と
同様の組成比で系内に導入してこれを分解することによ
って高速にａ−３ｉＣ膜を生成することができる。
解法に限定されるものではなく他の成膜手段を採用して
も同様に高速成膜化を達成することができ、他の成膜手
段としては光ＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法
、直流グロー放電分解法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法
、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法が挙げら
れ、これらの手段においても前述した反応ガス組成比と
同様の組成比で系内に導入してこれを分解することによ
って高速にａ−３ｉＣ膜を生成することができる。
以下、本発明を次の例で説明する。
実施例
ダイヤモンドバイトを用いた超精密旋盤により鏡面に仕
上げた基板用アルミニウム製円筒状ドラムを有機溶剤を
用いた超音波洗浄及び蒸気洗浄を行った後乾燥し、第１
図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管（１
５）内に設置した。
上げた基板用アルミニウム製円筒状ドラムを有機溶剤を
用いた超音波洗浄及び蒸気洗浄を行った後乾燥し、第１
図に示した容量結合型グロー放電分解装置の反応管（１
５）内に設置した。
そして第１タンク（１）より５ｉｌｌａガス、第２タン
ク（２）より８２Ｈ，ガス、第３タンク（３）より１１
２ガス、第４タンク（４）より第１表に示された割合で
混合されたＣｚＨｚとＣｍｔｌｎと混合ガスをそれぞれ
第１表に示す流量で放出し、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒ
、高周波電力を１００Ｗに設定するとともに基板温度３
００℃に設定して前述したグロー放電分解法に基づいて
１時間成膜を行ったところ優れた膜質のＰ型のａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ；Ｂ膜を得た。そして、得られたａ−３ｉＣ：）
ｌ：ＩＩ膜の膜厚を測定した。
ク（２）より８２Ｈ，ガス、第３タンク（３）より１１
２ガス、第４タンク（４）より第１表に示された割合で
混合されたＣｚＨｚとＣｍｔｌｎと混合ガスをそれぞれ
第１表に示す流量で放出し、ガス圧を０．５Ｔｏｒｒ
、高周波電力を１００Ｗに設定するとともに基板温度３
００℃に設定して前述したグロー放電分解法に基づいて
１時間成膜を行ったところ優れた膜質のＰ型のａ−５ｉ
Ｃ：Ｈ；Ｂ膜を得た。そして、得られたａ−３ｉＣ：）
ｌ：ＩＩ膜の膜厚を測定した。
〔発明の効果〕
以上詳述した通り、本発明のアモルファスシリコンカー
バイド膜の製造方法によれば、炭素含有ガスとしてＣ２
Ｈ２ガスとＣｍＨｎガス（但しｍ≧１、ｎ≧４）を混合
して用いることによりＣ，１１、ガスの高圧下での分解
爆発性を緩和することができ、それによりガスの取り扱
いを容易となすことができると共にボンベ１本当たりの
Ｃ２１１□ガス純量を多（することができてボンベの交
換頻度を少なくして製造効率を向上させることができる
。また、０２ＨｚガスとＳｔ含有ガスを用いてａ−３ｉ
Ｃ膜を高速成膜する際の成膜速度を制御することが可能
となり、特に生成されるａ−５ｉＣ膜のＣｉを自在に変
化させることができることから所望の特性のａ−ＳｉＣ
膜を得ることができる。なおこの製造方法は高速成膜お
よび種々の特性のａ−ＳｉＣ膜を必要とする電子写真感
光体をはじめとしてあらゆる発光素子、受光素子に対し
適用されるものである。
バイド膜の製造方法によれば、炭素含有ガスとしてＣ２
Ｈ２ガスとＣｍＨｎガス（但しｍ≧１、ｎ≧４）を混合
して用いることによりＣ，１１、ガスの高圧下での分解
爆発性を緩和することができ、それによりガスの取り扱
いを容易となすことができると共にボンベ１本当たりの
Ｃ２１１□ガス純量を多（することができてボンベの交
換頻度を少なくして製造効率を向上させることができる
。また、０２ＨｚガスとＳｔ含有ガスを用いてａ−３ｉ
Ｃ膜を高速成膜する際の成膜速度を制御することが可能
となり、特に生成されるａ−５ｉＣ膜のＣｉを自在に変
化させることができることから所望の特性のａ−ＳｉＣ
膜を得ることができる。なおこの製造方法は高速成膜お
よび種々の特性のａ−ＳｉＣ膜を必要とする電子写真感
光体をはじめとしてあらゆる発光素子、受光素子に対し
適用されるものである。
第１図は本発明の一実施例に用いられる容量結合型グロ
ー放電分解装置を説明するための図である。 １．２，３．４ ・・・タンク １５・・・・・・反応管 １７・・・・・・基板
ー放電分解装置を説明するための図である。 １．２，３．４ ・・・タンク １５・・・・・・反応管 １７・・・・・・基板
Claims (1)
- 原料ガスとして少なくともＳｉ含有ガスとＣ含有ガスを
用い、これを分解して基板上にアモルファスシリコンカ
ーバイドを析出させるアモルファスシリコンカーバイド
膜の製法において、前記Ｃ含有ガスとしてＣ＿２Ｈ＿２
ガスおよびＣ＿ｍＨ＿ｎ（但しｍ≧１、ｎ≧４）ガスを
用いることを特徴とするアモルファスシリコンカーバイ
ド膜の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283386A JPS63136514A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283386A JPS63136514A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136514A true JPS63136514A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17664844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283386A Pending JPS63136514A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136514A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445992A (en) * | 1993-05-10 | 1995-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a silicon carbide film |
| JP2014175328A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Yamaguchi Univ | 窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるｎ型半導体及びその製造方法 |
| JP2018046085A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素のエピタキシャル成長方法 |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61283386A patent/JPS63136514A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445992A (en) * | 1993-05-10 | 1995-08-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming a silicon carbide film |
| JP2014175328A (ja) * | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Yamaguchi Univ | 窒素含有アモルファスシリコンカーバイドからなるｎ型半導体及びその製造方法 |
| JP2018046085A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素のエピタキシャル成長方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5445992A (en) | Process for forming a silicon carbide film | |
| JPS63137172A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 | |
| JPS61247020A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JP2659400B2 (ja) | 炭素含有シリコン薄膜の形成法 | |
| JPS63137171A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 | |
| JPH0517312B2 (ja) | ||
| JPS63137173A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 | |
| JPS6360830B2 (ja) | ||
| JPS61189627A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61190923A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS62136663A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS61184816A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61196519A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS62231264A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61102725A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS62177981A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JPS61196518A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61193426A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6189625A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61104613A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61193429A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS6338230A (ja) | 非晶質半導体の形成方法 | |
| JPS6189626A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61199625A (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPS61198622A (ja) | 堆積膜形成法 |