JPS6313784A - 追記形光学的情報記録部材 - Google Patents

追記形光学的情報記録部材

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JPS6313784A
JPS6313784A JP61156031A JP15603186A JPS6313784A JP S6313784 A JPS6313784 A JP S6313784A JP 61156031 A JP61156031 A JP 61156031A JP 15603186 A JP15603186 A JP 15603186A JP S6313784 A JPS6313784 A JP S6313784A
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recording medium
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medium
recording
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JP61156031A
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Satoru Oishi
哲 大石
Nobuhiro Tokujiyuku
徳宿　伸弘
Yoshie Kodera
小寺　喜衛
Masaharu Ishigaki
正治 石垣
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔座業上の利用分野〕 本発明は、ビデオディスク、デジタルオーディオディス
ク、コンビエータ用メモリディスク等に適用して好適な
光学的情報記録部材に係り、特に、情報の記録・再生に
好適な追記形光学的情報口ｄ録部材に関する。
〔従来の技術〕
追記形光学的情報記録部材は、通常レーザ光等の元ビー
ムを該部材に照射し、該部材からの反射光あるいは透過
光を検出することにより情報を再生している。また、情
報を記録するには例えばレーザ光の光ビームエネルギー
等を上記部材に与えて、該部材の記録媒体の１つの構造
状態を他の構造状態に物理的に変化させろことにより行
なうことができる。このような記録媒体としてはカルコ
ゲン化物が知られている。カルコゲン化物は、例えば非
晶質状態と結晶賀状・占の異なる２つの構造状態をとる
ことができる。例えば非晶質状法の上記記録媒体に元ビ
ームを照射し、加熱昇温すると該媒体は結晶賀状誌とな
る。
以上のような光学的情報記録部材の記録再生方法あるい
は原理については、特公昭５４−４１９０２号公法、特
公昭４７−２６８９７号公報等に記載され又いる。
また、上記記録媒体としては、例えば上述の特許公報等
に、カルコゲン化物を中心として元素周期率表において
■族、■族、Ｖ族、■族に属する金属および半導体の中
から、棹々の徂合せの記録媒体が提案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、元素の組合せの例が数多くあり、これ
らの由から、記録・再生に適切な情報記録媒体を選択す
ることはむすかしく、これ頂でに良好な特性を待つ例は
ほとんどなかった。
本発明の目的は、記録会再生を行なうに適した光学的情
報記録部材を提供することにある。
〔間にへ点を解決するための手段〕
上記目的は、Ｂｉ　、　Ｓｅ　、５ｂの３元素を含有し
てなる光学的情報記録媒体を用いて、情報を記録・再生
することにより、達成される。
〔作用〕
真空蒸着で形成したＢｉとＳｔより成る薄膜は、加熱に
より非晶質状態から結晶質状態に構造変化し、四時九薄
膜の反射率、改１率等の光学的特性が変化するっこのと
き、加熱による温度が結晶化に至るまでは、光学的特性
がほとんど変化せず、結晶化温室に至ると直ぐに光学的
特性が変化する。・これは、記録媒体の使用環境や保存
時の温度が高くても、結晶化温度より低ければ光学的特
性が変化しないため、慣糧記録媒体の長寿命化ができる
利点がある。しかし、該光学的特性は、ｌＪｉの元吸収
注が大ぎいことより、非晶質状態での反射率が太き（な
ってしまい、結晶化前板の反射率変化が犬ざくとれず、
情報の再生時、その再生信号レベルが小さく、情檄の質
が悪かった。そこで、ＢｉとＳｅよりなる薄ｊ罠に、光
吸収性の少な（するために第５元素を混入し、非晶・誓
状聾の反射率を下げ、結晶化＠後の反射率変化を大きく
することを図った。第３元素として、ｓｂを選び、ｓｂ
をＥｉとＳｔと共に真空蒸着により形成して光・吸収性
の少ない記録媒体を得た。結果、ｓｂ混入前後で光吸収
係数が、１．８から０．８に低下し非晶質状態での反射
率が２０％から１２≠に小さくなった。矢に、該媒体に
半導体レーザｉを照射して加熱すると該導体の反射率は
増力口し、２５チになった。これを工、８番と５ｔの２
元素による媒体とほぼ同じで、Ｓ、６を混入したことり
こより非晶λ状態の反射率か小さくなった分だけ、半導
体レーザ光照射１ｚＪｆ＆の反射率変化を大ざくできた
。
この結果、情報記録には、真空蒸着で結成した該媒体の
非晶質状態に半導体レーザ光を情檄に応じて照射し刀口
熱して別の溝造状懇に変化させ、記録する方法とした。
ここで、該媒体の好適な組成は、Ｂｉｘ５ｅｙＳｂ、−
ニーｙとして原子チで ｘ　＝　５〜３５原子チ ｙ＝２０〜６０原子チ である。これはＢｉ　５原子チ未請、５ｅ６ｏ原子チよ
り大きい場合には、該媒体が半導体レーザ元の吸収性が
ほとんどなく、塊法のレーザパワーでは、加熱−づ−る
Ｖこ不可能である。また、ＢＬ　３５原子チより大きく
、Ｓｔ　２０原子チ未賛の場合には、該媒体の結晶と非
晶質での反射率変化が小さく実用的でない。以上から上
記範囲に限定される。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１ 本発明の一実施例を第１図、第２図により説明する。第
１図において、１は光学的に透明な基材であり、ｐ　、
Ｍ　、＄ｆ　Ａより成っている。２は元竿的情報記録媒
体、３は索外森硬化保護膜である。元学的ｔＦｔ報記録
媒体２は、Ｂｉ　、　Ｓｔとｓｂをそれぞれ別々の蒸着
ボートに入れ、真空度５　Ｘ　１０−’、／’αにした
後、基材１を１２Ｏｒｐｍの回転数で回転させながら、
上記蒸着ポートに同時にｔ流を流し蒸着により得た。各
々の混合比は蒸着レートを制御して、原子係でＢｃ２６
　Ｓｅ、ｓ　５ｂ２ｓの組成を得た。このときの膜厚は
、約１０００，４であった。蒸ｆｉｓ＆、該記録媒体面
に紫外線硬化樹脂を塗布し紫外線照射により硬化させて
保護膜を約１０μ扉形成し、これを追記形光学的情報記
録部材とする。
蒸着と同時に、φ２５ｍｍのガラス板を基材１に貼り付
け、テストピースとしてガラス板上に上記記録媒体２を
設けたものを得た。該テストピースの蒸看後および２５
０℃５０分間熱処」・Ｈした懐の分光反射率特性を第２
図に示した。蒸Ｎ後の特性を自機４に、熱処理後の特性
を自機５に示した。半導体レーザの波長であるＢ５０ｎ
ｍにおいては該記録媒体の反射率は、熱処理により１２
チから３１優に増大した。
次に、蒸着後の情報記録地材乞１８０ｒＪｒｐｍで回転
させながら記録再生実験を行なった。レーザパワー８ｍ
Ｆで３ＪＶＩｉｚの信号を照射して別の構造状態で記録
し再生した所、５ｏｄＢの高Ｃ／Ｎ比を得た。
実施例２ 実施例１と同様であるが、Ｂｉ　、　Ｓａ　、５ｂの各
々の蒸着レートを変えて別組成の光学的情報記録部材を
得た。このとぎ、記録媒体２の組成は、原子チでＢｉ、
　Ｓ輸Ｓｂ、、であった。また、実施例と同様にガラス
板によるテストピースを２５０℃で３０分間熱処理した
結果、波長８３０３ｍでの反射率が１０チから２８％に
増大した。また、侮られた追記形光学的情報記録部材を
実施例１と同様に記録再生集液を行なった所、３ＭＨｚ
でＣ／Ｎ比ａｓｄＢを得た。
（比較例１） 実施例１と同様であるが、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓｂの各々の蒸
着レートを変えて別組成の追記形光学的ｆｉｖ報記録部
材を得た。このとき、記録媒体の組成は、原子チでＢ石
Ｓ〜Ｓへ。であった。また、実施例１と同様にガラス仮
によるテストピース’ｋ　２５０　’Ｃで３０分間熱処
理した所、１０チから２５慢に増大した。
しかし、得られた光学的情報記録部材を実施例１と同様
に記録・再生実験を行なった所、Ｃ／Ｎ２５ｔｔＢと小
さく実用的でなかった。これは、記録媒体が８５０ｎｍ
　）ＢＬ長の元に対し吸収が少ないため、現状のレーザ
パワーでは不光分であるために生じたものである。
このよプに、Ｂｉ　−５ｓ−５４を主成分とした記録媒
体の中には、半導体レーザ光の吸収性がほとんどなく、
現状のレーザパワーでは、加熱するに不可能な組成領域
があって、該組成を細かく調べた結果、Ｂｉ５原子チ未
満あるいは、Ｓｔ　６０原子チより大きく含有した場合
、該状態に相当した。
（比較例２） 実施例１と同様であるが、Ｂｉ　、　Ｓｔ　、５６の各
々の蒸発レートを変えて別組成の追記形光学的情報記録
部材を得た。このとき記録媒体の組成は、原子チで８乙
５゜Ｓｔ、Ｓへ。であった。また、実施例１と同様にガ
ラス板によるテストピースを２５０℃６０分間熱処理し
た所、５０チから３５俤に変化した。この変化量は小さ
く実用上問題で、得られた光学的情報記録部材を実施例
１と同様に記録・再生実験を行なった所、Ｃ／ｉＶ　２
０ｄＢと小さく実用的でなかりた。
こｎ、は、記録媒体の熱処理前後での反射率変化が小さ
い為にＣ／Ｎが小さくなったものである。ＢＬ。
Ｓｓ　、　Ｓｂを主成分とした他の＠成について調べた
結果、出３５原子チよつ犬ぎい、あるいは１．５ｇ２０
原子チ未満の場合には、該状況と同じで、Ｃ／Ｎがａ５
ｄＢ未満で、実用的でなかった。
以上の実施例、比較力、およびその他の実施例を表１に
まとめて、示す。
上記の４例以外に４例について、組成をかえて実状を行
った結果は、表１のようになった。
（以下余日） 表１ ４１．２は、上記した実施例１，２であり、属５．４は
、比較ｆ！ＡＪｓｓ４である。この表では、それぞれの
例の３元素の組成およびＣ７Ｎ比ケ記戦している。判定
の欄でＸはＣ７Ｎ比が低（（実用的でないものを、○は
Ｃ７Ｎ比ａ　５ｔｔＢ以上で好ましいものを、◎はＣ／
ｒＶ比５０ｄＢ以上で特に好ましいものを示している。
以上の結果を第３図に示す三角歯上に示す。実施例１と
同一の条件で、蒸庸形成改の非晶負状、標の記録媒体に
別の構造状態で記録した場合の記録再生特性が５−’、
ｌ＃でＣＮ比４５ｃｔＢ以上である組成は、実線６−７
−８−９に囲まれた範囲である。ここで、ＢＬ、　Ｓｔ
　、５ｂの組成はそれぞれ、５〜３５．２０〜６０，５
〜７５．ｌｆＬ子チの範囲である。
不発明は、Ｂｉ、Ｓｅ、５ｈの３元素より成る記録媒体
を提供するものであるが、これに限るものではな（，４
４元元累るいは第５元系として、Ｔ−２Ｓｉ　、　Ｓｎ
　、　ｐｄ　、　Ｉｎ　、　Ｇｔ　等（Ｄ半金ｍ半４体
、非釡属の中から少な（とも一種類を１０原子チ以下混
入させても、本発明による効果をそこなうことはない。
〔発明の句果〕
不発明によれば、半導体レーザ等のレーザな用いて、記
録・再生ができる情報記録媒体が得られ、元ディスクの
用途を拡大することかできる。
４．１Ａ！の量率な説明 第１図は、不発明による元学的情報記鎌部材のＩｆｒ面
図、第２図は、本発明の分′ｙｔ、特性図、第３図は、
本発明の記録・再生特性の良好を組成範囲を示す図であ
る。
１・・・基材　　　　　　　２・・・記録媒体３・・・
保護膜 代理人　弁理士　小　川　勃　男′ 尤　　１　　図 あ　２　図 浦　長　い包） 忌　　３　図 ３ｂ（ｇｚ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、基板上に記録媒体を形成してなる追記形光学的情報
    記録部材において、該記録媒体がＢｉとＳｅとＳｂの３
    元素からなり、該Ｂｉ、Ｓｅの組成がそれぞれ、５〜３
    ５原子％、２０〜６０原子％の範囲内にあることを特徴
    とする追記形光学的情報記録部材。
JP61156031A 1986-07-04 1986-07-04 追記形光学的情報記録部材 Pending JPS6313784A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61156031A JPS6313784A (ja) 1986-07-04 1986-07-04 追記形光学的情報記録部材
DE19873722078 DE3722078A1 (de) 1986-07-04 1987-07-03 Optisches informationsspeichermedium und optische informationsaufzeichungsvorrichtung

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JP61156031A JPS6313784A (ja) 1986-07-04 1986-07-04 追記形光学的情報記録部材

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JPS6313784A true JPS6313784A (ja) 1988-01-21

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JPS5557495A (en) * 1978-10-25 1980-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd Thermal recording medium
NL8403817A (nl) * 1984-12-17 1986-07-16 Philips Nv Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie.

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