JPH01287838A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
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- JPH01287838A JPH01287838A JP63118470A JP11847088A JPH01287838A JP H01287838 A JPH01287838 A JP H01287838A JP 63118470 A JP63118470 A JP 63118470A JP 11847088 A JP11847088 A JP 11847088A JP H01287838 A JPH01287838 A JP H01287838A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
この発明は、レーザビーム等の光ビームを記録層に照射
し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起させ
て情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透過
率等の光学特性の変化を検出することにより情報を再生
する情報記録媒体に関する。このような情報記録媒体と
しては、光ディスク又は光カード等がある。
し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起させ
て情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透過
率等の光学特性の変化を検出することにより情報を再生
する情報記録媒体に関する。このような情報記録媒体と
しては、光ディスク又は光カード等がある。
（従来の技術及びその課８）
従来、所謂イレーサブル光ディスク等の情報の消去が可
能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られ
ている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス
又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチル
メタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。この記録層を形成す
る材料としては、例えばＧｅＴｅ等のカルコゲナイド系
合金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（
例えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結
晶と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変
化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に
伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して
情報を読取ることができる。
能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られ
ている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス
又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチル
メタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上に
形成された記録層とを備えている。この記録層を形成す
る材料としては、例えばＧｅＴｅ等のカルコゲナイド系
合金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（
例えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結
晶と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変
化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に
伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して
情報を読取ることができる。
このような記録層としては、光ビームの照射条件によっ
て相変化が生じ易い共晶組成をを有する材料や金属間化
合物を形成する材料が適している。
て相変化が生じ易い共晶組成をを有する材料や金属間化
合物を形成する材料が適している。
しかしながら、従来、相変化型情報記録媒体の記録層と
して用いられているＧｅＴｅ等の合金は、一応上述の条
件は満足するものの、未だ情報記録媒体として十分な特
性を保持しているとは言えない。特に、相変化に伴う光
学的特性の変化量、即ち再生信号の大きさを一層向上さ
せること、並びに、初期化、記録及び消去を高速化する
ことが望まれている。また、結晶−非晶質間の相変化に
より情報を記録・消去する場合には、通常記録部分が非
晶質になるが、一般に非晶質は比較的安定性が低いため
、非晶質状態をより安定化することも要求されている。
して用いられているＧｅＴｅ等の合金は、一応上述の条
件は満足するものの、未だ情報記録媒体として十分な特
性を保持しているとは言えない。特に、相変化に伴う光
学的特性の変化量、即ち再生信号の大きさを一層向上さ
せること、並びに、初期化、記録及び消去を高速化する
ことが望まれている。また、結晶−非晶質間の相変化に
より情報を記録・消去する場合には、通常記録部分が非
晶質になるが、一般に非晶質は比較的安定性が低いため
、非晶質状態をより安定化することも要求されている。
この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
再生信号が大きく、また、初期化、記録及び消去を高速
化することができ、更に、記録した情報が安定である情
報記録媒体を提供することを目的とする。
再生信号が大きく、また、初期化、記録及び消去を高速
化することができ、更に、記録した情報が安定である情
報記録媒体を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
この発明にかかる情報記録媒体は、基板と、光ビームの
照射によって照射部分が相異なる２つの相間で相変化す
る記録層とを有する情報記録媒体であって、前記記録層
は、一般式（Ｍ ｇ ｒｏｏ−ｘ−ｙ Ｚ ｎ ｗ Ａ
ｙ ） ＋ｏｏ−８Ｄ、（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子
％で表わされ、夫々０くＸく１００、ｏ＜ｙ＜ｌｏｏ、
０＜ｚ＜２５の範囲内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、
Ｓｉ及びｓｂからなる群から選択される少なくとも１種
の元素であり、ＤはＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ及びＡｕか
らなる群から選択される少なくとも１種の元素である。
照射によって照射部分が相異なる２つの相間で相変化す
る記録層とを有する情報記録媒体であって、前記記録層
は、一般式（Ｍ ｇ ｒｏｏ−ｘ−ｙ Ｚ ｎ ｗ Ａ
ｙ ） ＋ｏｏ−８Ｄ、（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子
％で表わされ、夫々０くＸく１００、ｏ＜ｙ＜ｌｏｏ、
０＜ｚ＜２５の範囲内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、
Ｓｉ及びｓｂからなる群から選択される少なくとも１種
の元素であり、ＤはＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ及びＡｕか
らなる群から選択される少なくとも１種の元素である。
）で表される組成の合金を含むことを特徴とする。
（作用）
Ｍ ｇ −Ｚ ｎ合金に上記Ａで表される元素を含有さ
せた合金は、前述のような相変化型記録媒体の記録層と
しての条件を満たす材料であり、且つ相変化に伴う光学
的特性の変化量が大きい。この合金に、Ｄで表される元
素を２５原子％未満含有させることにより、非晶質相を
安定化させること、及び、結晶化速度を高めることがで
きる。従って、前述のような組成の記録層では、再生信
号レベルを高くすること、並びに、初期化、記録及び消
去を高速化することができ、記録した情報が安定である
。
せた合金は、前述のような相変化型記録媒体の記録層と
しての条件を満たす材料であり、且つ相変化に伴う光学
的特性の変化量が大きい。この合金に、Ｄで表される元
素を２５原子％未満含有させることにより、非晶質相を
安定化させること、及び、結晶化速度を高めることがで
きる。従って、前述のような組成の記録層では、再生信
号レベルを高くすること、並びに、初期化、記録及び消
去を高速化することができ、記録した情報が安定である
。
（実施例）
以下、添付図面を参照してこの発明について具体的に説
明する。第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体
を示す断面図である。基板１はポリオレフィン、エポキ
シ、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック、又はガラス等、こ
の技術分野で通常用いられる材料で形成されている。こ
の基板１の上に、保護層３、記録層２、保護層４及び保
護層５がこの順に形成されている。
明する。第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体
を示す断面図である。基板１はポリオレフィン、エポキ
シ、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック、又はガラス等、こ
の技術分野で通常用いられる材料で形成されている。こ
の基板１の上に、保護層３、記録層２、保護層４及び保
護層５がこの順に形成されている。
保護層３及び保護層４は、記録層２を挟むように配設さ
れており、有機高分子材料、例えばＰＭＭＡ、ポリスチ
レン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所謂２
Ｐ樹脂）、又は５ｉ０２、Ａｌ１０３、ＡＩＮ、ＺｎＳ
、若しくはＺｒＯ２等の誘電体で形成される。これら保
護層３．４は記録層２が空気中の水分の影響を受けるこ
とを未然に防止する作用、及び記録・消去の際にレーザ
ビーム等の光ビームにより記録層２の照射部分が飛散し
たり穴が形成されてしまうことを防止する作用を有して
いる。これら保護層３゜４はスピンコード法、蒸着法、
スパッタリング法等によって好適に形成することができ
る。なお、これら保護層３，４の厚みは１０人乃至数十
μｍであることが好ましい。
れており、有機高分子材料、例えばＰＭＭＡ、ポリスチ
レン等の熱可塑性樹脂若しくは紫外線硬化樹脂（所謂２
Ｐ樹脂）、又は５ｉ０２、Ａｌ１０３、ＡＩＮ、ＺｎＳ
、若しくはＺｒＯ２等の誘電体で形成される。これら保
護層３．４は記録層２が空気中の水分の影響を受けるこ
とを未然に防止する作用、及び記録・消去の際にレーザ
ビーム等の光ビームにより記録層２の照射部分が飛散し
たり穴が形成されてしまうことを防止する作用を有して
いる。これら保護層３゜４はスピンコード法、蒸着法、
スパッタリング法等によって好適に形成することができ
る。なお、これら保護層３，４の厚みは１０人乃至数十
μｍであることが好ましい。
保護層５は情報記録媒体取扱う際の表面での傷やほこり
等を防止するために配設されるもので、スピンコード法
等により紫外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射
して硬化させること等により形成される。この保護層５
の層厚は１００人乃至数十μｍであることが好ましい。
等を防止するために配設されるもので、スピンコード法
等により紫外線硬化樹脂を塗布し、これに紫外線を照射
して硬化させること等により形成される。この保護層５
の層厚は１００人乃至数十μｍであることが好ましい。
なお、保護層３゜４．５は設けることが好ましいが、必
ずしも設けなくてもよい。
ずしも設けなくてもよい。
記録層２は、（Ｍｇ＋ｏｏ−ｍ−ｙ ＺｎｘＡｙ）＋ｏ
ｏ−ｇＤｇ（ただし、Ｘ＋Ｙ＊Ｚは原子％で表わされ、
夫々０＜ｘ＜１００、Ｏ＜ｙ＜１００．０くｚく２５の
範囲内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ。
ｏ−ｇＤｇ（ただし、Ｘ＋Ｙ＊Ｚは原子％で表わされ、
夫々０＜ｘ＜１００、Ｏ＜ｙ＜１００．０くｚく２５の
範囲内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ。
Ｓｔ及びｓｂからなる群から選択される少なくとも１種
の元素であり、ＤはＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ。
の元素であり、ＤはＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ。
ｐｔ及びＡｕからなる群から選択される少なくとも１種
の元素である。）で表される合金で形成されており、蒸
着法、スパッタリング法等によって好適に形成すること
ができる。なお、合金ターゲットを使用して蒸着又はス
パッタリングする場合には、ターゲット組成と実際に形
成される膜の組成とに差があることを考慮する必要があ
る。また、多元同時蒸着又は多元同時スパッタリング等
によって成膜することもできる。記録層２の層厚は１０
０乃至３０００人であることが好ましい。
の元素である。）で表される合金で形成されており、蒸
着法、スパッタリング法等によって好適に形成すること
ができる。なお、合金ターゲットを使用して蒸着又はス
パッタリングする場合には、ターゲット組成と実際に形
成される膜の組成とに差があることを考慮する必要があ
る。また、多元同時蒸着又は多元同時スパッタリング等
によって成膜することもできる。記録層２の層厚は１０
０乃至３０００人であることが好ましい。
記録層２の主体をなすＭ ｇ ＋００−ｍ−ｙ Ｚ ｎ
、 Ａ 。
、 Ａ 。
は、照射する光ビームの条件を変えることにより結晶と
非晶質との間で相変化し得る材料であり、Ａで表される
元素の存在により結晶と非晶質との間の光学的特性（反
射率又は透過率等）の変化を増大させることができる。
非晶質との間で相変化し得る材料であり、Ａで表される
元素の存在により結晶と非晶質との間の光学的特性（反
射率又は透過率等）の変化を増大させることができる。
また、このような組成の合金にＤで表される元素を２５
原子％未満含有させることにより、非晶質を安定化させ
ることができ、更に、結晶化速度を大きくすることがで
きる。従って、記録層２を上述した組成にすることによ
り、再生信号を大きくすること、及び、記録した情報を
安定して保持することができ、更に、初期化、記録及び
消去を高速化することができる。
原子％未満含有させることにより、非晶質を安定化させ
ることができ、更に、結晶化速度を大きくすることがで
きる。従って、記録層２を上述した組成にすることによ
り、再生信号を大きくすること、及び、記録した情報を
安定して保持することができ、更に、初期化、記録及び
消去を高速化することができる。
なお、記録層２におけるＤ元素の含有量が２５原子％以
上になると、非晶質の安定性が低下してしまうので、Ｄ
元素の含有量は２５原子％未満とする。
上になると、非晶質の安定性が低下してしまうので、Ｄ
元素の含有量は２５原子％未満とする。
次に、第２図及び第３図を参照しながらこの実施例に係
る情報記録媒体の記録層の形成方法の一例について説明
する。第２図はこの実施例の記録層を形成するために用
いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面図
、第３図はその横断面図である。図中１０は真空容器を
示し、この真空容器１０はその底面にガス導入ボート１
１及びガス排出ボート１２を有している。ガス排出ボー
ト１２は排気装置１３に接続されており、この排気装置
１３により排出ボート１２を介して真空容器１０内が排
気される。また、ガス導入ボート１１はアルゴンガスボ
ンベ１４に接続されており、このボンベ１４から真空容
器ｌｏ内にガス導入ボート１１を介してスパッタリング
ガスとしてのアルゴンガスが導入される。真空容器ｌｏ
内の上部には、基板支持用の円板状の回転基台１５がそ
の面を水平にして配設されており、その下面に基板１が
支持され、図示しないモータによって回転されるように
なっている。また、真空容器１ｏ内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、夫々記録層の構成する所定元
素で形成されたスパッタリング源２１，２２．２３が配
設されており、各スパッタリング源には図示しない高周
波電源が接続されている。これらスパッタリング源２１
゜２２．２３の情報には、夫々モニタ装置２４゜２５．
２６が設けられており、これらモニタ装置により各スパ
ッタリング源からのスパッタリング量をモニタし、記録
層が所定の組成になるように各スパッタリング源に投入
する電力量を調節するようになっている。
る情報記録媒体の記録層の形成方法の一例について説明
する。第２図はこの実施例の記録層を形成するために用
いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面図
、第３図はその横断面図である。図中１０は真空容器を
示し、この真空容器１０はその底面にガス導入ボート１
１及びガス排出ボート１２を有している。ガス排出ボー
ト１２は排気装置１３に接続されており、この排気装置
１３により排出ボート１２を介して真空容器１０内が排
気される。また、ガス導入ボート１１はアルゴンガスボ
ンベ１４に接続されており、このボンベ１４から真空容
器ｌｏ内にガス導入ボート１１を介してスパッタリング
ガスとしてのアルゴンガスが導入される。真空容器ｌｏ
内の上部には、基板支持用の円板状の回転基台１５がそ
の面を水平にして配設されており、その下面に基板１が
支持され、図示しないモータによって回転されるように
なっている。また、真空容器１ｏ内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、夫々記録層の構成する所定元
素で形成されたスパッタリング源２１，２２．２３が配
設されており、各スパッタリング源には図示しない高周
波電源が接続されている。これらスパッタリング源２１
゜２２．２３の情報には、夫々モニタ装置２４゜２５．
２６が設けられており、これらモニタ装置により各スパ
ッタリング源からのスパッタリング量をモニタし、記録
層が所定の組成になるように各スパッタリング源に投入
する電力量を調節するようになっている。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排気
装置により真空容器１ｏ内を例えば１０ ”６Ｔ ｏｒ
ｒまで排気する。次いで、ガス導入ボート１１を介して
容器１０内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置１３
の排気量を調節して真空容器１０内を所定圧力のアルゴ
ンガス雰囲気に保持する。この状態で、基板１を回転さ
せつつ、スパッタリング源２１，２２．２３に所定時間
所定の電力を印加する。これにより、基板１に所定組成
の記録層が形成される。なお、保護層を形成する場合に
は、記録層２の形成に先立ち、保護層の組成に調整され
たスパッタリング源を用いて上述したようにスパッタリ
ングするこにより基板１上に保護層３を形成し、その後
記録層２を形成し、更に保護層３を形成する場合と同様
の条件で記録層２の上に保護層４を形成することができ
る。
装置により真空容器１ｏ内を例えば１０ ”６Ｔ ｏｒ
ｒまで排気する。次いで、ガス導入ボート１１を介して
容器１０内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置１３
の排気量を調節して真空容器１０内を所定圧力のアルゴ
ンガス雰囲気に保持する。この状態で、基板１を回転さ
せつつ、スパッタリング源２１，２２．２３に所定時間
所定の電力を印加する。これにより、基板１に所定組成
の記録層が形成される。なお、保護層を形成する場合に
は、記録層２の形成に先立ち、保護層の組成に調整され
たスパッタリング源を用いて上述したようにスパッタリ
ングするこにより基板１上に保護層３を形成し、その後
記録層２を形成し、更に保護層３を形成する場合と同様
の条件で記録層２の上に保護層４を形成することができ
る。
次に、この発明の情報記録媒体における初期化、並びに
、情報の記録、消去及び再生について説明する。
、情報の記録、消去及び再生について説明する。
初期化
記録層２は成膜直後に通常非晶質であるが、情報を記録
するためには結晶である必要があるので、レーザビーム
等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、記
録層２を結晶化する。
するためには結晶である必要があるので、レーザビーム
等の光ビームを記録層２に全面照射して加熱徐冷し、記
録層２を結晶化する。
記録
高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層２に照射し、
照射部分を加熱急冷して非晶質に相変化させ、記録マー
クを形成する。
照射部分を加熱急冷して非晶質に相変化させ、記録マー
クを形成する。
消去
記録層２に形成された記録マーク部に、記録の際よりも
低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マーク
部を結晶に相変化させ、情報を消去する。
低出力でパルス幅が長い光ビームを照射して記録マーク
部を結晶に相変化させ、情報を消去する。
再生
情報を記録した記録層２に比較的弱い光ビームを照射し
、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば
反射率の差を検出して情報を読取る。
、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば
反射率の差を検出して情報を読取る。
次に、この発明の試験例について説明する。
試験例１
耐熱ガラス基板上に、この発明の記録層の組成範囲内の
薄膜を第２図及び第３図に示すスパッタリング装置によ
り形成して１３個のサンプルを作製した。これらサンプ
ルの薄膜組成、成膜直後の構造、及び結晶化温度を第１
表に示す。
薄膜を第２図及び第３図に示すスパッタリング装置によ
り形成して１３個のサンプルを作製した。これらサンプ
ルの薄膜組成、成膜直後の構造、及び結晶化温度を第１
表に示す。
第 １ 表
この際に、記録層の構造はＸ線回折により解析し、結晶
化温度は高感度示差走査熱量計で測定した。第１表から
明らかなように、いずれも成膜直後に非晶質であり、そ
の結晶化温度は１５０℃以上であった。即ち、これらサ
ンプルの非晶質状態の安定性が高いことが確認された。
化温度は高感度示差走査熱量計で測定した。第１表から
明らかなように、いずれも成膜直後に非晶質であり、そ
の結晶化温度は１５０℃以上であった。即ち、これらサ
ンプルの非晶質状態の安定性が高いことが確認された。
試験例２
第１図に示した層構成を有する６個のサンプルを作製し
た。その際の記録層の組成を第２表に示す。
た。その際の記録層の組成を第２表に示す。
第 ２ 表
これらサンプルのうちサンプルＡは記録層がＭｇ−Ｚｎ
−Ｔｅ３元系合金で形成された比較例であり、サンプル
Ｂ−Ｆはこの発明の範囲内のものである。これらサンプ
ルについて、基板側から種々のパルス幅の単一パルスレ
ーザビームを記録層に集光照射し、パルス幅と照射部分
の反射率との間の関係を把握した。その結果を第４図に
示す。
−Ｔｅ３元系合金で形成された比較例であり、サンプル
Ｂ−Ｆはこの発明の範囲内のものである。これらサンプ
ルについて、基板側から種々のパルス幅の単一パルスレ
ーザビームを記録層に集光照射し、パルス幅と照射部分
の反射率との間の関係を把握した。その結果を第４図に
示す。
第４図は横軸に照射するレーザビームのパルス幅をとり
、縦軸に反射率変化量をとって、これらの関係を示すグ
ラフである。このグラフにおいて急激に反射率変化量が
増加するところが非晶質から結晶への相変化に対応する
。このグラフから明らかなように、第４元素として夫々
ＴＩ、Ｐｂ。
、縦軸に反射率変化量をとって、これらの関係を示すグ
ラフである。このグラフにおいて急激に反射率変化量が
増加するところが非晶質から結晶への相変化に対応する
。このグラフから明らかなように、第４元素として夫々
ＴＩ、Ｐｂ。
Ｂｉ、Ｐｔ、Ａｕを添加したサンプルＢ−Ｆは、結晶化
のためのレーザビームのパルス幅が第４元素を添加しな
いサンプルＡに比較して短くてよいことがわかる。即ち
、これら第４元素を添加することにより結晶化速度を高
速化することができた。
のためのレーザビームのパルス幅が第４元素を添加しな
いサンプルＡに比較して短くてよいことがわかる。即ち
、これら第４元素を添加することにより結晶化速度を高
速化することができた。
中でも、第４元素としてＴＩを用いたサンプルＢが最も
結晶化速度が大きかった。
結晶化速度が大きかった。
Ｍｇ−Ｚｎ−３ｅＳＭｇ−Ｚｎ−Ｇｅ、Ｍｇ−Ｚｎ−Ｔ
ｅに第４元素として夫々ＴＩ、Ｐｂ。
ｅに第４元素として夫々ＴＩ、Ｐｂ。
Ｂｉ、Ｐｔ、Ａｕを添加して記録層を形成した場合にも
同様な効果を得ることができた。
同様な効果を得ることができた。
試験例３
Ｍｇ６０ Ｚｎ３０ Ｔｅ１０に対し第４元素としてＴ
Ｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ、Ａｕを夫々添加量を変化させて
含有させた合金薄膜を、試験例１と同様に夫々ガラス基
板上に形成した複数のサンプルを作製した。これらのサ
ンプルについて試験例１と同様の方法により結晶化温度
を測定した結果、第４元素の添加量が２５原子％以上の
サンプルはいずれも結晶化温度が低く、非晶質の安定性
が悪かった。
Ｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ、Ａｕを夫々添加量を変化させて
含有させた合金薄膜を、試験例１と同様に夫々ガラス基
板上に形成した複数のサンプルを作製した。これらのサ
ンプルについて試験例１と同様の方法により結晶化温度
を測定した結果、第４元素の添加量が２５原子％以上の
サンプルはいずれも結晶化温度が低く、非晶質の安定性
が悪かった。
［発明の効果］
この発明によれば、記録層として
（Ｍｇ ＋０Ｏ−ｘ−ｙ Ｚ ｎ ｘ Ａｙ ） ｔｏ
ｏ−ｘ Ｄ ｔ （ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％で表
わされ、夫々０くｘく１００．０くｙく１００、Ｏ＜ｚ
＜２５の範囲内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｉ及
びｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素
であり、ＤはＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ及びＡｕからなる
群から選択される少なくともＩＦＪの元素である。）で
表される組成の合金を適用したので、記録層における結
晶と非晶質との間の光学的特性の差が大きく、非晶質の
安定性が高く、更に結晶化速度が大きい。従って、再生
信号レベルが高く、非晶質記録マークの安定性に優れ、
しかも初期化、記録及び消去を高速で実施することがで
きるという極めて特性が優れた情報記録媒体を得ること
ができる。
ｏ−ｘ Ｄ ｔ （ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％で表
わされ、夫々０くｘく１００．０くｙく１００、Ｏ＜ｚ
＜２５の範囲内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｉ及
びｓｂからなる群から選択される少なくとも１種の元素
であり、ＤはＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ及びＡｕからなる
群から選択される少なくともＩＦＪの元素である。）で
表される組成の合金を適用したので、記録層における結
晶と非晶質との間の光学的特性の差が大きく、非晶質の
安定性が高く、更に結晶化速度が大きい。従って、再生
信号レベルが高く、非晶質記録マークの安定性に優れ、
しかも初期化、記録及び消去を高速で実施することがで
きるという極めて特性が優れた情報記録媒体を得ること
ができる。
第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体を示す断
面図、第２図は記録層を形成するための装置の概略構成
を示す縦断面図、第３図はその横断面図、第４図は照射
するレーザビームのパルス幅と反射率変化量との関係を
示すグラフ図である。 １；基板、２；記録層、３．４，５．保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｇ１ 区 レーザビーム９ノぐ１しス重昌（Ｈｓｅｃ）第４ 寞
面図、第２図は記録層を形成するための装置の概略構成
を示す縦断面図、第３図はその横断面図、第４図は照射
するレーザビームのパルス幅と反射率変化量との関係を
示すグラフ図である。 １；基板、２；記録層、３．４，５．保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ｇ１ 区 レーザビーム９ノぐ１しス重昌（Ｈｓｅｃ）第４ 寞
Claims (1)
- 基板と、光ビームの照射によって照射部分が相異なる
２つの相間で相変化する記録層とを有する情報記録媒体
であって、前記記録層は、一般式（Ｍｇ＿１＿０＿０＿
−＿ｘ＿−＿ｙＺｎ＿ｘＡ＿ｙ）＿１＿０＿０＿−＿ｚ
Ｄ＿ｚ（ただし、ｘ、ｙ、ｚは原子％で表わされ、夫々
０＜ｘ＜１００、０＜ｙ＜１００、０＜ｚ＜２５の範囲
内にあり、ＡはＴｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｉ及びＳｂからな
る群から選択される少なくとも１種の元素であり、Ｄは
Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｔ及びＡｕからなる群から選択さ
れる少なくとも１種の元素である。）で表される組成の
合金を含むことを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118470A JPH01287838A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63118470A JPH01287838A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287838A true JPH01287838A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14737471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63118470A Pending JPH01287838A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01287838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7582346B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-09-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Inorganic optical recording medium comprising a heat dissipation layer |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP63118470A patent/JPH01287838A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7582346B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-09-01 | Commissariat A L'energie Atomique | Inorganic optical recording medium comprising a heat dissipation layer |
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