JPS63139059A - 金属及び塩熔融物に耐える材料、それらの製造及びそれらの使用 - Google Patents
金属及び塩熔融物に耐える材料、それらの製造及びそれらの使用Info
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- JPS63139059A JPS63139059A JP62285637A JP28563787A JPS63139059A JP S63139059 A JPS63139059 A JP S63139059A JP 62285637 A JP62285637 A JP 62285637A JP 28563787 A JP28563787 A JP 28563787A JP S63139059 A JPS63139059 A JP S63139059A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/591—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by reaction sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属及び塩熔融物に耐える材料、これらの材
料の製造及びそれらの使用に関する。
料の製造及びそれらの使用に関する。
l乳ALL
結晶シリコンを基にした安価な太陽電池の製造に含まれ
るコストは、現在の価格水準に関連してかなり低下させ
る必要がある。これは、結晶化プロセスからの化学的に
適した純シリコンの製造がら電池の成型までの新しい技
術の開発を必要条件とする。
るコストは、現在の価格水準に関連してかなり低下させ
る必要がある。これは、結晶化プロセスからの化学的に
適した純シリコンの製造がら電池の成型までの新しい技
術の開発を必要条件とする。
高純度石英の成型品は商業的に入手可能である。
石英は、化学的に非常に純粋な金属熔融物にほとんど汚
れの影響を及ぼさない材料の1つであるので、それは、
高純度シリコンの製造におけるチョクラルスキー(Cz
oehralski )引き上げプラントでのるつぼ材
料として有利に使用される。これに対して、シリコン熔
融物の結晶化のための石英チル鋳型の使用は問題を含む
。石英の線熱膨張係数(約5.5X10−))は、シリ
コンのそれ(3×10−’XC−Jよりも10分の1位
低い、シリコンは、同化の間に石英チル鋳型の壁としっ
かりと一体になるので、固化及びシリコンブロックの冷
却の間に張力か強められ、シリコンブロック中のクラッ
ク及び石英チル鋳型の破損を生じる。加えて、石英容器
は、必要な温度領域からの冷却に際して、失透したり粉
々になりがちである。従って、それらは再使用すること
ができず、そして、それらの高いコストのために、シリ
コン結晶化プロセスの全体のコストを増加させるのにか
なり寄与する。
れの影響を及ぼさない材料の1つであるので、それは、
高純度シリコンの製造におけるチョクラルスキー(Cz
oehralski )引き上げプラントでのるつぼ材
料として有利に使用される。これに対して、シリコン熔
融物の結晶化のための石英チル鋳型の使用は問題を含む
。石英の線熱膨張係数(約5.5X10−))は、シリ
コンのそれ(3×10−’XC−Jよりも10分の1位
低い、シリコンは、同化の間に石英チル鋳型の壁としっ
かりと一体になるので、固化及びシリコンブロックの冷
却の間に張力か強められ、シリコンブロック中のクラッ
ク及び石英チル鋳型の破損を生じる。加えて、石英容器
は、必要な温度領域からの冷却に際して、失透したり粉
々になりがちである。従って、それらは再使用すること
ができず、そして、それらの高いコストのために、シリ
コン結晶化プロセスの全体のコストを増加させるのにか
なり寄与する。
シリコン熔融物と石英壁との間の直接の接触、そして、
従って、シリコンブロックと石英るつぼの融解を避ける
ために、シリコンナイトライドでコートされた石英るつ
ぼが提案されている[ディー、さいとう、ニー、しむら
、ニス、いしかわ、太陽エネルギー材料(T 、 S
aito、 A 、 S himura。
従って、シリコンブロックと石英るつぼの融解を避ける
ために、シリコンナイトライドでコートされた石英るつ
ぼが提案されている[ディー、さいとう、ニー、しむら
、ニス、いしかわ、太陽エネルギー材料(T 、 S
aito、 A 、 S himura。
S、 Ishikawa、 5olar Ener
gy Materials)1.337−345 (
1983)]。
gy Materials)1.337−345 (
1983)]。
しかしながら、失透のために、このようにしてコートさ
れた材料もまた、ごく限られた程度で再使用可能でしか
ない。石英成型品の使用もまた、シリコン熔融物の温度
の増加につれての材料の軟化の増加によって限度があり
、シリコン熔融物を取り扱うための石英の使用には約1
500℃での実質的な限界がある。
れた材料もまた、ごく限られた程度で再使用可能でしか
ない。石英成型品の使用もまた、シリコン熔融物の温度
の増加につれての材料の軟化の増加によって限度があり
、シリコン熔融物を取り扱うための石英の使用には約1
500℃での実質的な限界がある。
グラファイトではもつと高い温度に到達することができ
る。さらにグラファイトは非常に加工しやすいので、金
属熔融物を取り扱うためのそれの使用は、非常に魅力的
に見える。高密度、明瞭に優れた結晶性及び比較してほ
とんど開口気孔がないことといった性質のグラファイト
は、商業的に入手可能であり、そしてシリコン熔融物に
対して適切な化学的抵抗を示す。
る。さらにグラファイトは非常に加工しやすいので、金
属熔融物を取り扱うためのそれの使用は、非常に魅力的
に見える。高密度、明瞭に優れた結晶性及び比較してほ
とんど開口気孔がないことといった性質のグラファイト
は、商業的に入手可能であり、そしてシリコン熔融物に
対して適切な化学的抵抗を示す。
液状シリコンと接触すると、グラファイトは薄いSiC
層を形成する。炭素の熔融物中への拡散によって、溶解
度の限界を越えるとSiCの析出物(5ecret 1
ons )が形成される。SiC析出物が太陽電池の効
率を著しく減らすということは、良く知られた現象であ
る。
層を形成する。炭素の熔融物中への拡散によって、溶解
度の限界を越えるとSiCの析出物(5ecret 1
ons )が形成される。SiC析出物が太陽電池の効
率を著しく減らすということは、良く知られた現象であ
る。
密な焼結されたシリコンナイトライド成型品は、焼結添
加物を使用しての5isN<のホットプレス加工によっ
て製造することができる。しかしながら、関係するプロ
セスが複雑で高価なので、この方法で製造された成型品
はシリコン熔融物の取り扱いにおけるコストの削減に対
して寄与することはできない。
加物を使用しての5isN<のホットプレス加工によっ
て製造することができる。しかしながら、関係するプロ
セスが複雑で高価なので、この方法で製造された成型品
はシリコン熔融物の取り扱いにおけるコストの削減に対
して寄与することはできない。
5isN<セラミックスの一般的な欠点は、その成型品
はダイアモンドの先を付けた工具で後処理することしか
出来ず、これは困難でかつ高価である。
はダイアモンドの先を付けた工具で後処理することしか
出来ず、これは困難でかつ高価である。
それ故、シリコンを取り扱うためのプロセス、特に融解
及び結晶化プロセスに含まれるコストを効果的に減らす
ためには、上述の欠点を有するこれまで使用されてきた
高価な材料、即ち石英、炭素及びSi、N+セラミック
スを、これらの欠点を有しない、新規な、安価なそして
製造容易な材料に置き換えるという問題が起きた。
及び結晶化プロセスに含まれるコストを効果的に減らす
ためには、上述の欠点を有するこれまで使用されてきた
高価な材料、即ち石英、炭素及びSi、N+セラミック
スを、これらの欠点を有しない、新規な、安価なそして
製造容易な材料に置き換えるという問題が起きた。
これらの要求は、後述する本発明による材料によって十
分に満たされる。
分に満たされる。
光3匡−1す81呼
本発明の材料は、α−及びβ−シリコンナイトライド、
シリコンオキシナイトライド、シリコンジオキサイド及
び元素状シリコンからなり、そして、従って、お互いに
並行して存在する数個の相によって特徴ずけられる。
シリコンオキシナイトライド、シリコンジオキサイド及
び元素状シリコンからなり、そして、従って、お互いに
並行して存在する数個の相によって特徴ずけられる。
従って、本発明は、金属及び塩溶融物に耐える、そして
シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、
シリコンジオキサイド及びシリコンで構成される複合材
料であることを特徴とする、材料に関する。
シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、
シリコンジオキサイド及びシリコンで構成される複合材
料であることを特徴とする、材料に関する。
1緩欠洸!
個々の成分は、本発明による材料においては、95重量
%までの量だけ存在する。
%までの量だけ存在する。
この材料と接触する塩及び金属熔融物に依存して、シリ
コンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、シリ
コンジオキサイド及びシリコンカーバイドの量を通じて
、成型品の湿潤性(wettability)及びそれ
の腐食に対する感受性に影響を及ぼすことは有利である
。かくして、シリコンジオキサイドはフッ化物またはフ
ッ化水素を含む熔融物によってひどく侵されるが、シリ
コンカーバイド及びシリコンナイトライドはもつと耐え
ることが知られている。シリコンジオキサイドは液状シ
リコンと反応して揮発性のシリコンモノオキサイドを形
成することもまた知られている。一方、シリコンジオキ
サイドはシリコン熔融物によって濡らされにくいが、シ
リコンナイトライド及びシリコンカーバイドは比較的よ
く濡らされる。シリコンジオキサイドは1300°C以
上の温度で徐々に軟化するので、反応焼結によって形成
することができる比較的高水準のシリコンナイトライド
及びシリコンオキシナイトライドは、この範囲の温度で
の変形に対するより大きな安定性を有する成型品を提供
する。
コンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、シリ
コンジオキサイド及びシリコンカーバイドの量を通じて
、成型品の湿潤性(wettability)及びそれ
の腐食に対する感受性に影響を及ぼすことは有利である
。かくして、シリコンジオキサイドはフッ化物またはフ
ッ化水素を含む熔融物によってひどく侵されるが、シリ
コンカーバイド及びシリコンナイトライドはもつと耐え
ることが知られている。シリコンジオキサイドは液状シ
リコンと反応して揮発性のシリコンモノオキサイドを形
成することもまた知られている。一方、シリコンジオキ
サイドはシリコン熔融物によって濡らされにくいが、シ
リコンナイトライド及びシリコンカーバイドは比較的よ
く濡らされる。シリコンジオキサイドは1300°C以
上の温度で徐々に軟化するので、反応焼結によって形成
することができる比較的高水準のシリコンナイトライド
及びシリコンオキシナイトライドは、この範囲の温度で
の変形に対するより大きな安定性を有する成型品を提供
する。
1つの特に好ましい具体例において、本発明による材料
は、40ないし90重皿%のシリコンナイトライド、2
ないし20重量%のシリコンジオキサイド、2ないし2
0重量%のシリコンオキシナイトライド及び2ないし2
0重量%の元素状シリコンを含む。
は、40ないし90重皿%のシリコンナイトライド、2
ないし20重量%のシリコンジオキサイド、2ないし2
0重量%のシリコンオキシナイトライド及び2ないし2
0重量%の元素状シリコンを含む。
本発明による材料はまた、適用の分野に依存して、別の
相としてシリコンカーバイドをも含む。
相としてシリコンカーバイドをも含む。
従って、本発明による材料の別のより好都合な具体例は
、シリコンカーバイドを60ffim%までの量、そし
て好ましくは15ないし30重量%の量だけ付加的に含
むことで特徴ずけられる。
、シリコンカーバイドを60ffim%までの量、そし
て好ましくは15ないし30重量%の量だけ付加的に含
むことで特徴ずけられる。
本発明による材料は、X線粉末回折(powderdi
ffractomeLry)によって明確に同定される
。物資の混合物の場合には、成分の干渉ラインが、回折
像においてお互いに並行して現れる。干渉ラインの位置
から、回折角、そして、ブラッグの式%式% に従って、格子面間隔dを決定することが可能である。
ffractomeLry)によって明確に同定される
。物資の混合物の場合には、成分の干渉ラインが、回折
像においてお互いに並行して現れる。干渉ラインの位置
から、回折角、そして、ブラッグの式%式% に従って、格子面間隔dを決定することが可能である。
かくして、本発明に従って製造された材料は、それらの
結晶学上のd値によってもつとも良く特徴ずけられる。
結晶学上のd値によってもつとも良く特徴ずけられる。
以下の反射光Cref 1exes )は、いつでも存
在しなければならない: 止1 6.603 2.803 2.150 1.543 1
.3144.677 2.855 2.074 1.5
07 1.2964.427 2.58フ 1.9
17 1.482 1゜2854.308 2.5
33 1.894 1.450 1.2643.874
2.484 1.822 1.433’1.25Z3
.798 2.4L9 1.8Q(11,4153,3
542,3861,7631,4023,2872,3
071,7481,3463,1292,2701,8
331,3372,8762,1751,5881,3
28付加的な相として存在し得るシリコンカーバイドの
d値はここには示されていない。
在しなければならない: 止1 6.603 2.803 2.150 1.543 1
.3144.677 2.855 2.074 1.5
07 1.2964.427 2.58フ 1.9
17 1.482 1゜2854.308 2.5
33 1.894 1.450 1.2643.874
2.484 1.822 1.433’1.25Z3
.798 2.4L9 1.8Q(11,4153,3
542,3861,7631,4023,2872,3
071,7481,3463,1292,2701,8
331,3372,8762,1751,5881,3
28付加的な相として存在し得るシリコンカーバイドの
d値はここには示されていない。
本発明はまた、本発明による材料の製造のための方法に
も関する。本発明による材料は、一般に、シリコン粉末
をS i O2ゾルで処理し注ぐことができる物体を形
成し、そしてがくして形成された物体を、SiO2ゾル
のゲル化を導く物質の添加後、型中で硬化させることに
よって製造される。
も関する。本発明による材料は、一般に、シリコン粉末
をS i O2ゾルで処理し注ぐことができる物体を形
成し、そしてがくして形成された物体を、SiO2ゾル
のゲル化を導く物質の添加後、型中で硬化させることに
よって製造される。
どのような形の成型品でもこのようにして製造すること
ができる。
ができる。
本発明による方法は、シリコン粉末をSiO□ゾル中に
懸濁させて注ぐことができる物体を形成し、この物体か
ら製作品を形成しかつ硬化し、そして、この成型品から
S i O2結合シリコンを除いた後、それを窒素下で
反応させて、窒化された製作品中にSiO□及び元素状
シリコンが検出できるだけ残るようにシリコンナイトラ
イド及びシリコンオキシナイトライドを形成させること
を特徴とする。
懸濁させて注ぐことができる物体を形成し、この物体か
ら製作品を形成しかつ硬化し、そして、この成型品から
S i O2結合シリコンを除いた後、それを窒素下で
反応させて、窒化された製作品中にSiO□及び元素状
シリコンが検出できるだけ残るようにシリコンナイトラ
イド及びシリコンオキシナイトライドを形成させること
を特徴とする。
本発明による方法の特別な特徴は、電解質の添加によっ
てゲル化できる5iOzゾルの使用にある。もっとも単
純な場合には、シリコン粉末をSiO2ゾル中に分散し
、電解質を添加し、そしてこの懸濁液を与えられた型の
中に注ぐ。
てゲル化できる5iOzゾルの使用にある。もっとも単
純な場合には、シリコン粉末をSiO2ゾル中に分散し
、電解質を添加し、そしてこの懸濁液を与えられた型の
中に注ぐ。
注ぐことができる物体を、酸、塩基、フッ化物、アルカ
リ土金属酸化物及び/またはアンモニウム塩の存在下で
硬化させることは、特に有利である。
リ土金属酸化物及び/またはアンモニウム塩の存在下で
硬化させることは、特に有利である。
数分後には、この懸濁液は硬化しゝ、そして鋳造成型品
は、困難なしに鋳型から取り出すことができる。硬化の
ために要求される時間は、添加される電解質のタイプと
量によって、S i O2ゾルの濃度によって、そして
シリコン粉末の5in2ゾル及び電解質に対する比率に
よって、広い範囲内で変えることができる。
は、困難なしに鋳型から取り出すことができる。硬化の
ために要求される時間は、添加される電解質のタイプと
量によって、S i O2ゾルの濃度によって、そして
シリコン粉末の5in2ゾル及び電解質に対する比率に
よって、広い範囲内で変えることができる。
引き続く乾燥プロセスは、収縮クラックを避けるために
比較的ゆっくりと実施されなければならない。このよう
にして得られた成型品は、加熱されそして窒素含有雰囲
気下で窒化されて妓初で特徴ずけられた材料を形成する
。
比較的ゆっくりと実施されなければならない。このよう
にして得られた成型品は、加熱されそして窒素含有雰囲
気下で窒化されて妓初で特徴ずけられた材料を形成する
。
成型された製作品は、減圧下で50ないし350℃の温
度で乾燥するのがもっとも良い。
度で乾燥するのがもっとも良い。
存在する5i02は、一部シリコンオキシナイトライト
に転換される;高濃度では、それは窒化プロセスの間に
成型品の表面に集まり、ゆう(glaze)が形成され
る。
に転換される;高濃度では、それは窒化プロセスの間に
成型品の表面に集まり、ゆう(glaze)が形成され
る。
本発明による成型品中の遊離のシリコンの存在は、それ
らの適用にとって、例えば液状シリコンの結晶化におい
ては、決定的なものではない。
らの適用にとって、例えば液状シリコンの結晶化におい
ては、決定的なものではない。
成型品を製造するための方法の1つの特別な変形例にお
いては、窒素との反応に不活性な材料が、注ぐことがで
きる懸濁液に添加される。この点に関して、純粋なシリ
コン化合物、例えばα−及びβ−シリコンナイトライド
、シリコンカーバイド、シリコンオキシナイトライド及
び/またはシリコンジオキサイドを使用することは特に
好都合である。大きさを減らした後で使用ずみのナイト
ライド成型品を添加すること、そして、随時、シリコン
粉末及び5iOzゾルの注ぐことができる懸濁液への精
製、かくして原材料への要求を減らすことによって、か
なりの節約が達成される。このリサイクルは、液状シリ
コンの汚染を防ぐために特に純粋な原材料が使用される
場合には、特に重要である。原材料の再使用は、結晶化
コストの削減に著しく寄与する。
いては、窒素との反応に不活性な材料が、注ぐことがで
きる懸濁液に添加される。この点に関して、純粋なシリ
コン化合物、例えばα−及びβ−シリコンナイトライド
、シリコンカーバイド、シリコンオキシナイトライド及
び/またはシリコンジオキサイドを使用することは特に
好都合である。大きさを減らした後で使用ずみのナイト
ライド成型品を添加すること、そして、随時、シリコン
粉末及び5iOzゾルの注ぐことができる懸濁液への精
製、かくして原材料への要求を減らすことによって、か
なりの節約が達成される。このリサイクルは、液状シリ
コンの汚染を防ぐために特に純粋な原材料が使用される
場合には、特に重要である。原材料の再使用は、結晶化
コストの削減に著しく寄与する。
注ぐことができる懸濁液中で使用される粉末の80重基
%までを、リサイクル材料によって置き換えることがで
きる。前に述べたX線回折反射光の強度比率は、添加さ
れるリサイクル材料の量に従って変化する。純粋なシリ
コンナイトライド、シリコンカーバイド、シリコンオキ
シナイトライドまたはシリコンジオキサイド相を添加す
る場合には、それらの相のX線回折反射光も、もちろん
最終生成物中に存在する。この場合にもまた、使用され
る粉末の全量の80重量%までが、シリコンナイトライ
ド、シリコンカーバイド、シリコンオキシナイトライド
またはシリコンジオキサイド相から、あるいはこれらの
相の混合物からなることができる。
%までを、リサイクル材料によって置き換えることがで
きる。前に述べたX線回折反射光の強度比率は、添加さ
れるリサイクル材料の量に従って変化する。純粋なシリ
コンナイトライド、シリコンカーバイド、シリコンオキ
シナイトライドまたはシリコンジオキサイド相を添加す
る場合には、それらの相のX線回折反射光も、もちろん
最終生成物中に存在する。この場合にもまた、使用され
る粉末の全量の80重量%までが、シリコンナイトライ
ド、シリコンカーバイド、シリコンオキシナイトライド
またはシリコンジオキサイド相から、あるいはこれらの
相の混合物からなることができる。
それ故、本発明による方法の1つの特に好ましい具体例
においては、粉末の形のシリコンナイトライド、シリコ
ンオキシナイトライド及び/またはシリコンカーバイド
を、シリコン粉末に、粉末の全量を基にして80重基%
までの址だけ、添加する。
においては、粉末の形のシリコンナイトライド、シリコ
ンオキシナイトライド及び/またはシリコンカーバイド
を、シリコン粉末に、粉末の全量を基にして80重基%
までの址だけ、添加する。
新しい材料を製造するためのこの方法は、使用されるシ
リコンの品質によって影響を受けない。
リコンの品質によって影響を受けない。
しかしながら、冶金グレードのシリコンが使用される場
合には、このシリコンの不純物含量は、結晶化の間、太
陽シリコン熔融物の汚染を除外するには高すぎる。この
場合には、シリコンを予備精製することを薦める。
合には、このシリコンの不純物含量は、結晶化の間、太
陽シリコン熔融物の汚染を除外するには高すぎる。この
場合には、シリコンを予備精製することを薦める。
高品質の材料の製造のためには、全不純物含址が<11
000pp、、そして好ましくは≦1100pp、であ
る精製されたシリコンを使用することを薦める。
000pp、、そして好ましくは≦1100pp、であ
る精製されたシリコンを使用することを薦める。
シリコン粉末をSin、ゾルに添加する前に酸化処理に
さらすこともまた、好都合である。これは、シリコン粉
末を40ないし350℃の温度で空気及び/またはスチ
ームで処理することによって、そしてまた20ないし1
00℃の温度でH2O2水溶液で処理することによって
、実施される。
さらすこともまた、好都合である。これは、シリコン粉
末を40ないし350℃の温度で空気及び/またはスチ
ームで処理することによって、そしてまた20ないし1
00℃の温度でH2O2水溶液で処理することによって
、実施される。
いかなる商業的な5iOzゾルでも、本発明の目的のた
めの懸濁液媒体及びバインダーとして使用することがで
きるが、1うないし40%のS i 02含呈及び3.
4ないし10のpH値を有するシリカゾルが好ましい。
めの懸濁液媒体及びバインダーとして使用することがで
きるが、1うないし40%のS i 02含呈及び3.
4ないし10のpH値を有するシリカゾルが好ましい。
アルカリ化されたシリカゾルが使用される場合には、シ
リコン粉末を高められた温度で空気で、または水性Hz
O2で処理することによって鈍感にすることが最も良
い。
リコン粉末を高められた温度で空気で、または水性Hz
O2で処理することによって鈍感にすることが最も良
い。
注ぐことができる物体をゲル化しそして硬化させるため
に、シリカゾルの、電解質、例えば酸、塩基、アンモニ
ウム塩、フッ化物またはアルカリ土金属酸化物の添加に
対する感じ易さを利用する。
に、シリカゾルの、電解質、例えば酸、塩基、アンモニ
ウム塩、フッ化物またはアルカリ土金属酸化物の添加に
対する感じ易さを利用する。
アンモニウム塩は、この目的のために特に有効であるこ
とが証明された、何故ならば、それらは、窒化プロセス
の前または間に全く残香を残すことなく完全に加熱する
ことができ、従って、成型品が引き続いて化学的に高い
純度のシリコン熔融物の取り扱いのために使用される場
合には、付加的な汚染源を形成しないからである。
とが証明された、何故ならば、それらは、窒化プロセス
の前または間に全く残香を残すことなく完全に加熱する
ことができ、従って、成型品が引き続いて化学的に高い
純度のシリコン熔融物の取り扱いのために使用される場
合には、付加的な汚染源を形成しないからである。
固体のS i Otゾルに対する比率は、使用されるシ
リコン粉末の粒径分布または添加される違った相の材料
、例えばシリコンカーバイド、シリコンナイトライドま
たはシリコンオキシナイトライドのタイプ及び量と同様
に、対応する成型品の密度にとって重要である。注がれ
るべき懸濁液の粘度は、細かいそして粗い粒子の分離が
ないような水準に調節されるべきである。
リコン粉末の粒径分布または添加される違った相の材料
、例えばシリコンカーバイド、シリコンナイトライドま
たはシリコンオキシナイトライドのタイプ及び量と同様
に、対応する成型品の密度にとって重要である。注がれ
るべき懸濁液の粘度は、細かいそして粗い粒子の分離が
ないような水準に調節されるべきである。
注ぐことができる物体の鋳型中でのゲル化及び硬化の後
で、製作品は鋳型から取り出されそして乾燥される。乾
燥は、成型品中のクラックの生成を避けるために、特に
注意深〈実施されなければならない、−最に、成型品を
、鋳型から取り出した後で空気中で室温で1週間の間、
乾燥することが好ましい。乾燥速度は、例えば大きさ及
び壁の厚さのような成型品のパラメータに依存し、従っ
て、示された時間は、おおよその値であるに過ぎない。
で、製作品は鋳型から取り出されそして乾燥される。乾
燥は、成型品中のクラックの生成を避けるために、特に
注意深〈実施されなければならない、−最に、成型品を
、鋳型から取り出した後で空気中で室温で1週間の間、
乾燥することが好ましい。乾燥速度は、例えば大きさ及
び壁の厚さのような成型品のパラメータに依存し、従っ
て、示された時間は、おおよその値であるに過ぎない。
比較的複雑な成型品を特に注意深く乾燥するためには、
本発明に従って、乾燥プロセスを限定された空気湿気の
チャンバー内で実施することもまた有効である。この最
初の乾燥工程の後で、第二の乾燥工程をより高い温度で
、そして随時減圧下で、実施することができる。かくし
て得られた成型品は、それらの未焼結の状1i (gr
een 5tate)で安定であり、そして機械加工で
きる。
本発明に従って、乾燥プロセスを限定された空気湿気の
チャンバー内で実施することもまた有効である。この最
初の乾燥工程の後で、第二の乾燥工程をより高い温度で
、そして随時減圧下で、実施することができる。かくし
て得られた成型品は、それらの未焼結の状1i (gr
een 5tate)で安定であり、そして機械加工で
きる。
未焼結の成型品は、1300℃ないし1480℃の温度
で、純窒素、窒素/貴ガス、窒素/水素、窒素/スチー
ム、窒素/水素/スチーム、窒素/アンモニアまたは窒
素/水素/アンモニアガス混合物である雰囲気下で、窒
化される。窒化プロセスの間、段階的にまたは連続的に
温度を1300℃から1400℃まで上げることが好ま
しい0本発明によれば、窒化プロセスは、温度をシリコ
ンの融点を越えて1480℃まで上げることによって終
結させることができる。窒化時間は、例えば大きさ及び
壁の厚さのような成型品のパラメータによって支配され
る。しかしながら、−aに、窒化プロセスは40ないし
100時間の反応時間の後では終わっている。もし必要
ならば、このようにして得られた窒化された成型品は、
機械加工容易であり、そして、例えば太陽電池の製造の
ために要求される純度基準を満足するシリコン熔融物の
取り扱いに適している。
で、純窒素、窒素/貴ガス、窒素/水素、窒素/スチー
ム、窒素/水素/スチーム、窒素/アンモニアまたは窒
素/水素/アンモニアガス混合物である雰囲気下で、窒
化される。窒化プロセスの間、段階的にまたは連続的に
温度を1300℃から1400℃まで上げることが好ま
しい0本発明によれば、窒化プロセスは、温度をシリコ
ンの融点を越えて1480℃まで上げることによって終
結させることができる。窒化時間は、例えば大きさ及び
壁の厚さのような成型品のパラメータによって支配され
る。しかしながら、−aに、窒化プロセスは40ないし
100時間の反応時間の後では終わっている。もし必要
ならば、このようにして得られた窒化された成型品は、
機械加工容易であり、そして、例えば太陽電池の製造の
ために要求される純度基準を満足するシリコン熔融物の
取り扱いに適している。
もしこの材料が1400℃以下の温度で使用されるので
あれば、短い窒化時間を適用することによって遊離の元
素状シリコンの高い金波を看する成型品を製造すること
が、経済的理由から有効である。特許請求された方法に
よって製造された成型品の1つの特別な利点は、それら
が、窒化プロセスの間、寸法的に安定のままでいる、即
ち、いかなる意味のある収縮または膨張も受けないとい
う事である。
あれば、短い窒化時間を適用することによって遊離の元
素状シリコンの高い金波を看する成型品を製造すること
が、経済的理由から有効である。特許請求された方法に
よって製造された成型品の1つの特別な利点は、それら
が、窒化プロセスの間、寸法的に安定のままでいる、即
ち、いかなる意味のある収縮または膨張も受けないとい
う事である。
優れた性質のおかげで、本発明による材料は、融点が1
800℃を越えない金属及び塩熔融物の取り扱いのため
のるつぼの製造に特に適している。
800℃を越えない金属及び塩熔融物の取り扱いのため
のるつぼの製造に特に適している。
従って、本発明はまた、本発明による材料の、金属、特
にシリコンの熔融及び結晶化のためのるつぼの製造のた
めの、そして金属熔融物、特にシリコン熔融物の取り扱
い及び処理における道具としての使用に関し、そして塩
熔融物の製造及び結晶化のための、そして塩熔融物の取
り扱い及び処理における道具としてのそれらの使用に関
する。
にシリコンの熔融及び結晶化のためのるつぼの製造のた
めの、そして金属熔融物、特にシリコン熔融物の取り扱
い及び処理における道具としての使用に関し、そして塩
熔融物の製造及び結晶化のための、そして塩熔融物の取
り扱い及び処理における道具としてのそれらの使用に関
する。
以下の実施例は、本発明を少しも限定することなしにそ
れを説明することを意図している。
れを説明することを意図している。
夫九吐
商業的な冶金品質のシリコン粉末を、3ないし30%[
(CI及び0.5ないし8%HFからなる酸混合物での
処理によって精製する。次に粉末を、酸がなくなるまで
蒸留水で洗い、そして空気中で250℃で乾燥する。2
730gのこのシリコン粉末を、30%5iOzを含む
1943gのシリカゾル中に懸濁させる。75gのシリ
コンナイトライド、シリコンオキシナイトライド及び/
またはシリコンカーバイドの添加の後で、114m1の
硫酸アンモニア水溶液(500g/I)を、ゲル化剤と
して添加する。ゲル化剤の添加は、約4分後に硬化が始
まるように計られている。
(CI及び0.5ないし8%HFからなる酸混合物での
処理によって精製する。次に粉末を、酸がなくなるまで
蒸留水で洗い、そして空気中で250℃で乾燥する。2
730gのこのシリコン粉末を、30%5iOzを含む
1943gのシリカゾル中に懸濁させる。75gのシリ
コンナイトライド、シリコンオキシナイトライド及び/
またはシリコンカーバイドの添加の後で、114m1の
硫酸アンモニア水溶液(500g/I)を、ゲル化剤と
して添加する。ゲル化剤の添加は、約4分後に硬化が始
まるように計られている。
このようにして得られた物体を、壁の厚さが0.5cm
で1010X10X20’(長さX幅×高さ;内寸)の
寸法の成型品の製造のためにデザインされたプラスチッ
クまたは金属鋳型の中に注ぐ。2時間後に、注ぐことが
できる物体の硬化は、成型品、セラミックでの使用に従
って以下では゛′未焼結の(Hreen )”として言
及する、が鋳型がら取り出すことができる程度まで進ん
だ0次に、未焼結の成型品を、室温で7日間空気中で乾
燥し、そして引き続いて真空乾燥キャビネット中で25
0℃に加熱する。
で1010X10X20’(長さX幅×高さ;内寸)の
寸法の成型品の製造のためにデザインされたプラスチッ
クまたは金属鋳型の中に注ぐ。2時間後に、注ぐことが
できる物体の硬化は、成型品、セラミックでの使用に従
って以下では゛′未焼結の(Hreen )”として言
及する、が鋳型がら取り出すことができる程度まで進ん
だ0次に、未焼結の成型品を、室温で7日間空気中で乾
燥し、そして引き続いて真空乾燥キャビネット中で25
0℃に加熱する。
未焼結の成型品を、66時間の期間にわたって1300
℃から連続的に1400℃まで増加する温度で、窒素の
雰囲気中で、窒化する。窒化プロセスを終結させるため
に、次に温度を1480℃に上げ、そしてそこで6時間
保持する。
℃から連続的に1400℃まで増加する温度で、窒素の
雰囲気中で、窒化する。窒化プロセスを終結させるため
に、次に温度を1480℃に上げ、そしてそこで6時間
保持する。
このようにして得られた窒化された製作品は、通常の工
具で容易に機械加工でき、そしてシリコン熔融物の製造
のためのるつぼとして使用できる。
具で容易に機械加工でき、そしてシリコン熔融物の製造
のためのるつぼとして使用できる。
シリコン熔融物の取り扱いに適したいがなる形の製作品
も、このようにして製造される。特に、この方法によっ
て、例えばチューブ及びるつぼそしてまたシリコン熔融
物の結晶化後、再使用できるチル鋳型を製造することが
可能である。
も、このようにして製造される。特に、この方法によっ
て、例えばチューブ及びるつぼそしてまたシリコン熔融
物の結晶化後、再使用できるチル鋳型を製造することが
可能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライ
ド、シリコンジオキサイド及びシリコンを含む複合材料
からなる高温の金属及び塩の熔融物に耐える材料。 2、複合物の個々の成分の各々が95重量%までの量だ
け存在する特許請求の範囲第1項記載の材料。 3、40ないし90重量%のシリコンナイトライド、2
ないし20重量%のシリコンジオキサイド、2ないし2
0重量%のシリコンオキシナイトライド及び2ないし2
0重量%の元素状シリコンを含む特許請求の範囲第1項
記載の材料。 4、60重量%までの量のシリコンカーバイドを付加的
に含む特許請求の範囲第1項記載の材料。 5、シリコンカーバイドの量が15ないし30重量%で
ある特許請求の範囲第4項記載の材料。 6、該複合材料と該シリコンカーバイドが別々の相中に
ある特許請求の範囲第4項記載の材料。 7、複合材料の成分が並行している複数の相中にある特
許請求の範囲第1項記載の材料。 8、a)シリコン粉末をSiO_2ゾル中に懸濁させて
注ぐことができる物体を形成すること、 b)該物体から製作品を成型すること、 c)成型された製作品を硬化すること、 そして、 d)硬化された製作品を窒素雰囲気中で窒化して、窒化
された製作品中にSiO_2及び元素状シリコンが検出
できるだけ残る程度までシリコンナイトライド及びシリ
コンオキシナイトライドを形成すること、 からなる特許請求の範囲第1項記載の材料を製造するた
めの方法。 9、SiO_2ゾル中への懸濁前に、シリコン粉末に酸
化処理を施す特許請求の範囲第8項記載の方法。 10、ステップa)で、シリコン粉末、及び粉末の総量
を基にして80重量%までの量のシリコンナイトライド
、シリコンオキシナイトライドまたはシリコンカーバイ
ドの少なくとも1つの粉末を、SiO_2ゾル中に懸濁
させる特許請求の範囲第8項記載の方法。 11、SiO_3ゾル中への懸濁前に、シリコン粉末に
酸化処理を施す特許請求の範囲第10項記載の方法。 12、酸、塩基、フッ化物、アルカリ土金属酸化物また
はアンモニウム塩の少なくとも1つの存在下で、注ぐこ
とができる物体を硬化させる特許請求の範囲第8項記載
の方法。 13、窒化ステップd)が、窒素雰囲気中で1300な
いし1480℃で実施される特許請求の範囲第8項記載
の方法。 14、窒素雰囲気が、アンモニア、水素またはスチーム
の少なくとも1つをもまた含む特許請求の範囲第13項
記載の方法。 15、特許請求の範囲第1項記載の材料からなりかつ製
造された、熔融金属または塩熔融物を閉じ込めることが
できる成型されたるつぼ。 16、特許請求の範囲第1項記載の材料から製造された
、熔融金属または塩熔融物を取り扱い及び処理するため
に有用な道具。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19863639335 DE3639335A1 (de) | 1986-11-18 | 1986-11-18 | Gegenueber metall- und salzschmelzen resistente werkstoffe, ihre herstellung und deren verwendung |
| DE3639335.5 | 1986-11-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63139059A true JPS63139059A (ja) | 1988-06-10 |
| JP2542402B2 JP2542402B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=6314182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285637A Expired - Lifetime JP2542402B2 (ja) | 1986-11-18 | 1987-11-13 | 金属及び塩熔融物に耐える材料、それらの製造及びそれらの使用 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4755220A (ja) |
| EP (1) | EP0268166B1 (ja) |
| JP (1) | JP2542402B2 (ja) |
| DE (2) | DE3639335A1 (ja) |
| NO (1) | NO178463C (ja) |
Cited By (3)
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