JPS63140435A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） ・　　本発明は情報記録媒体に関する。

（従来の技術） 近年来、各種の技術分野において高密度記録再生が要求
されるようになり、色々な形式の情報記録媒体による高
密度記録再生が行なわれるようになったが、その一つと
して非晶質の状態と結晶の状態との間の相転移が可逆的
に行なわれるような記録材料を用いた書換え可能な情報
記録媒体についての研究も盛んに行なわれるようになっ
た。

そして、従来、書換えの可能な情報記録媒体を構成する
ために、非晶質の状態と結晶の状態との間の相転移が可
逆的に行なわれるような記録材料として発表されている
記録材料としては、例えばＴｅ０ｘ−Ｇｅ−５ｎや、５
ｎ−Ｔｅ−８ｓなどがあり、これらの記録材料をプラス
チックス製の基板あるいはガラス製の基板上に所定の厚
さの薄膜となるように成膜し、急熱急冷の条件、または
除熱徐冷の条件によりレーザ光で交互に照射することに
より、記録材料の薄膜の光学特性を可逆的に変化させて
、書換えの可能な情報記録媒体として使用されるように
していた。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、非晶質の状態と結晶の状態との間の相転移が
可逆的に行なわれることを利用する書換え可能な記録材
料として従来発表されている記録材料は数が少なく、ま
た、従来の記録材料は結晶化温度が低いことにより、非
晶質状態から結晶状態への相転移が容易に生じて、記録
された情報が失われるようなことが起こるために記録情
報の保存性が悪く、さらに、記録材料中で使用されてい
るテルルが酸化し易いために、テルルの酸化により記録
特性に経時的な劣化が生じることが問題になった。

（問題点を解決するための手段） 本発明はテルル、錫、硫化亜鉛、銅との混合物からなる
非晶質の薄膜を基板に付着形成した情報記録媒体、すな
わち、非晶質の状態と結晶の状態との間の相転移が確実
に可逆的に行なわれうる書換え可能な記録材料であって
、非晶質状態の安定性を左右する結晶化温度の高温度化
を図って、非晶質の状態が長期間にわたって保持されう
るような特性の安定な書換え可能な情報記録媒体で、し
かも、テルルの酸化が抑制されるような情報記録媒体を
提供して前記した従来の諸問題点を解決したものである
。

（実施例） 以下、添付図面を参照して本発明の情報記録媒体の具体
的な内容を詳細に説明する。第１図は本発明の情報記録
媒体の一部の縦断側面図であって。

第１図において１は基板、２は記録材料により基板１上
に成膜された薄膜であり、この記録材料の薄膜２は、そ
れの成膜時の状態においてテルル、錫、硫化亜鉛、銅と
の混合物からなる非晶質の薄膜となされている。

本発明の情報信号記録媒体、すなわち、テルル、錫、硫
化亜鉛、銅との混合物からなる非晶質の薄膜２を基板１
に付着形成した情報記録媒体は、例えば次のようにして
作られる。

硫化亜鉛（ＺｎＳ）の粉末と、テルル（Ｔｅ）の粉末と
、錫（Ｓ　ｎ）の粉末と、銅（Ｃｕ）の粉末とを。

それぞれ別個のタングステン製のボートに入れ、Ｉ　Ｘ
ＩＯ’Ｐａの真空度の真空雰囲気中で通電加熱によって
前記した４個のボート中の粉末を、前記した真空雰囲気
中に設置されているプリグループ付きの円盤状のアクリ
ル基板またはガラス基板に共蒸着して、前記のプリグル
ープ付きの基板１上に膜厚が略々１１００ｎの記録材料
による非晶質の薄膜２を成膜する。

前記のようにして基板１上に付着形成された記録材料に
よる非晶質の薄膜２は、テルル、錫、硫化亜鉛、銅との
混合物からなる非晶質の薄膜２であり、第２図は前記し
た記録材料の非晶質の薄膜の示差走査熱量計（ディファ
レンシャル・スキャニング・カロリーメータ）によるＤ
ＳＣ曲線である。

第２図によると前記した記録材料の非晶質の薄膜２すな
わちテルル、錫、硫化亜鉛、銅との混合物による非晶質
の薄膜は、１７０℃付近に非晶質の状態から結晶状態に
転移する際の発熱ピークが観察されるが、この相転移を
起こす温度（結晶化温度Ｔｘ）は、硫化亜鉛と銅との一
方または双方のものの添加量の増加によって高くなる。

そして、前記した結晶化温度Ｔｘが高い程、非晶質の状
態から結晶の状態への相転移が起こり難くなるために、
記録された情報の劣化が少なく、長期にわたって情報を
保存することが可能になる。

前記した硫化亜鉛は相転移を起こす温度（結晶化温度Ｔ
ｘ）を上昇させて非晶質の状態（成膜直後の状態）を安
定にするだけではなく、耐湿度性及び耐酸化性をも著る
しく向上させる。

テルル、錫、硫化亜鉛、銅との混合物からなる非晶質の
薄膜２を基板１に付着形成した本発明の情報記録媒体に
は、まず、前記の記録材料の非晶質の薄膜２に例えばフ
ラッシュランプを用いて光学的なエネルギを加えること
により、成膜直後の非晶質の状態を結晶状態に相転移さ
せるイニシャライズ（あるいは初期結晶化）が行なわれ
、それにより薄膜２の光学特性が変化する。

第３図はテルル、錫、硫化亜鉛、銅との混合物からなる
非晶質の薄膜２における光の反射率と、その薄膜を前記
のように初期結晶化した状態における光の率射率とを示
す特性曲線図である。この第３図に示されている薄膜２
の光の反射率の特性曲線によると、初期結晶化によって
光の波長が７８０ｎｍ〜８３０ｎｍの光に対する光の反
射率が上昇していることが判かる。

そして、前記のイニシャライズによって結晶状態とされ
た記録材料による薄膜２を有する情報記録媒体は、それ
が所定の回転数（例えば、毎分１８００回転）で回転さ
れている状態において、５〜９ｍｗの出力の半導体レー
ザがら情報信号によって強度変調されているレーザ光（
波長７８０ｎｍ）の光スポットで、結晶状態にされてい
る記録材料による薄膜２を照射すると、前記した記録材
料の薄膜２におけるレーザ光の照射部分が相転移によっ
て非晶質の状態に戻されて情報信号の記録が行なわれる
。

次に、情報記録媒体の回転数を１／４程度に下げて、８
〜１５ｍｗのレーザ光を照射すると、前記した非晶質の
状態の情報信号の記録部分は再び結晶状態に相転移して
情報信号の消去が行なわれる。記録と消去との動作は１
００回以上繰返して行なうことが可能である。

前記した記録材料の薄膜２、すなわち、テルル、鑓、硫
化亜鉛、銅との混合物からなる非晶質の薄膜２は、それ
に対して光学的エネルギが付与されることによって、そ
れの光学的性質が著るしく変化するだけではなく、同時
に電気伝導度等も大きく変化するものであるから、本発
明の情報記録媒体を用いて情報信号の記録再生を行なう
場合には、記録時に光学的エネルギではなく、電気的、
熱的エネルギを用いて情報信号の記録を行なうことも可
能であり、また、情報記録媒体からの情報信号の再生に
際しては、光の透過率（光の反射率）の変化の検出とい
うような光学的特性の変化を検出する手段を用いる他に
、電気抵抗の変化、静電容量値の変化の検出というよう
な他の検出手段を用いて情報信号の再生を行なうように
することも可能である。

前記したテルル、錫、硫化亜鉛、銅との混合物からなる
非晶質の薄膜２を基板１に付着形成した本発明の情報記
録媒体における前記した薄膜２の組成の一例を挙げると
、硫化亜鉛が１２原子％。

テルルが５５原子％〜６０原子％、錫が１４原子％〜２
０！ＪＫ子％、＃が１０原子％〜２０ｉ子％である。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の情報記録媒体は、テルル、＆ｌ、硫化亜鉛、銅との混
合物からなる非晶質の薄膜を基板に付着形成して構成し
たことにより、物理的な特性及び化学的な特性の双方の
特性が安定で、書換可能な光ディスクを容易に提供する
ことができるのであり、この本発明の情報記録媒体によ
れば、既述した従来の諸問題点はすべて良好に解決され
るのである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の情報記録媒体の一部の縦断側面図、第
２図は記録材料の薄膜２のＤＳＣ曲線、第３Ｉ３！は薄
膜の光に対する反射率特性曲線である。 １・・・基板、２・・・記録材料の薄膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. テルル、錫、硫化亜鉛、銅との混合物からなる非晶質の
   薄膜を基板に付着形成した情報記録媒体