JPS6314132A - エレクトロクロミツク表示素子 - Google Patents

エレクトロクロミツク表示素子

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Publication number
JPS6314132A
JPS6314132A JP61157849A JP15784986A JPS6314132A JP S6314132 A JPS6314132 A JP S6314132A JP 61157849 A JP61157849 A JP 61157849A JP 15784986 A JP15784986 A JP 15784986A JP S6314132 A JPS6314132 A JP S6314132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrolyte
transparent conductor
tungsten
soln
solution
Prior art date
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Pending
Application number
JP61157849A
Other languages
English (en)
Inventor
Ichisuke Yamanaka
山中 一助
Hiroshi Okamoto
岡本 博司
Tetsuichi Kudo
徹一 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Maxell Ltd
Priority to JP61157849A priority Critical patent/JPS6314132A/ja
Publication of JPS6314132A publication Critical patent/JPS6314132A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエレクトロクロミック表示素子に係り、特に製
造コストの低減に好適なタングステン酸化物電析薄膜を
用いたエレクトロクロミック表示素子に関する。
〔従来の技術〕
従来、エレクトロクロミンク表示素子に用いられるエレ
クトロクロミック物質である非晶質酸化タングステン薄
膜は、主として蒸着によって形成されてきた(特開昭4
7−8983)。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、真空技術を使用しているため薄膜形成
のコストが高く、とくに本発明の大面積エレクトロクロ
ミック表示素子に適用するには問題がある。このため、
より低コストでタングステン酸化物薄膜を形成する技術
の開発が望まれていた。
本発明の目的は、簡便な方法でタングステン酸化物薄膜
を形成する技術を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、タングステン酸化物薄膜を簡便な電析法で
形成することによって、達成される。
〔作用〕
タングステン酸化物の薄膜を電析によって形成するには
、タングステン酸化物がアルカリ水溶液に極めてよく溶
解することから、電析液は酸性でなければならない。
ところで、タングステン酸塩水溶液に塩酸などの−iを
加えて、液を酸性にすると不溶性の酸化タングステン水
和物(WO,・nH,o)  を生じる。従って、この
ままでは電解液に使用できない。
また、タングステン酸ナトリウム(NalWO,)のよ
うなタングステン酸塩を陽イオン交換樹脂で処理すると
Hs  (HaWaO*t )と推定されるある種のポ
リ酸が生ずることが、ジャーナル・オブ・ザ・レス−コ
モン・メタルス 2 (1960年) 第360頁から
第371頁(Journal of theLess−
Common Metals 2(1960) pp3
6ト371)において論じられている。イオン交換樹脂
で処理したばかりのこの溶液は肉眼では透明である。し
かし、しばらくすると溶液は濁り、さらに白いペースト
状の沈澱が生ずるとされる。従って、イオン交換樹脂で
処理したポリタングステン酸の溶液も電析液に使用でき
ない。
ところが、イオン交換樹脂で処理した溶液に少量の過酸
化水素水を添加すると沈澱を生じなくなる。これは、溶
液中に過酸化タングステン酸が生てい じているためと考えられ炒(RRichardson、
前述)。
しかも、過酸化水素の添加量が適切な場合には、溶液に
一対の電極を浸して電気分解すると陰極側に青く蕾色し
た被膜が生じることが本発明の過程で明らかKなった。
この被膜は、いわゆるタングステンブロンズと考えられ
、Hx WOsなる組成式で表わされる化合物と考えら
れる。過酸化水素の量がより少ない場合には、生じる被
膜は茶色となり、また、過酸化水素の量がより多い場合
には。
無色の被膜が得られる。これらの被膜は、それぞれ、タ
ングステンの酸化状態が4価および6価の状態の被膜と
考えられる。
上記の被膜は、過酸化水素とタングステンとのモル比が
1対6から1対1までの範囲ですみやかに生成し、過酸
化水素の量がこれ以上の場合には生成速度が遅くなる。
また、電析時の電流密度が小さい場合には、析出し難く
なる。100μA//12以上の電流密寂とするのが望
ましい。
また、上記電析被膜は、電極でプロトンやアルカリ金属
イオンとともKt子を同時に注入・放出することにより
発・消色し、エレクトロクロミック表示素子あるいは光
透過可変素子への応用が可能である。これらの素子は、
酸化タングステン蒸着膜を発色膜とした素子と同様な方
法で作成できる。電解質に電解液を用いたエレクトロク
ロミック表示素子の一例を第1図に示す。
第1図において、1は表示極側のガラス基板、2は透明
導電体、3は発色材料層、4は例えば−酸化ケイ素の蒸
着膜などで形成される透明導電体2の保護膜、5は電解
液、6は対向電極、7は対向電極側のガラス基板、8は
スペーサ、9は電解液中に挿入された背景材である。
電解液5には、例えば、L i CI O4のプb、ピ
レンカーボネート溶液の如きLi−塩の有機溶液が用い
られ、その中に挿入される背景材9には、多孔性アルミ
ナ基板、酸化チタンを充填したテフロンシート等が用い
られる。電解液の代りにNa−β−A/、、0.等の固
体電解質を使用することも可能アある。対向電極6は、
ガラス基板上に設けた透明導電体6′と該透明導電体に
設けた例えばカーボンと非晶質タングステン酸鉄Few
 CWO4)s等の遷移金属酸化物扮末とを混合焼結し
た焼結体6〃を用いて形成される。この場合、焼結体6
“は電解液5と接する部分に設け、スペーサ8とは透明
導電体6′が直接に接するようにしてエポキシ等の接着
剤を用いて接着される。
〔実施例〕
以下1本発明の内容を具体的実施例でより詳細に説明す
る。
実施例 1 タングステン酸ナトリウム0.015モルを100m1
K溶解し、あらかじめH型とした強酸型イオン交換樹脂
カラムに流しこんに0カラムから滴下される溶液は黄色
をおびており、透明であった。
ついで、純水をカラムに流し込み、カラム中に生じたタ
ングステン酸を流し出した。流し出した溶液の総量を4
00mtとした。この溶液に市販の過酸゛化水素水と水
を添加し、総量を500mtとし、過酸化水素とタング
ステンとのモル比が2対3でちる潜抜を調製した。この
溶液のタングステンの濃度は0.03mot/lである
。¥i4製した溶液を1日室温で放置したのち、これを
電解液として、300 p A/ cm” C1t流密
度のもとて30分閲見析した。ここで、陰極電極には、
ガラス基板上に形成したシート抵抗が10Ω/筋2の酸
化インジウムを主成分とする透明導電膜を使用し、陽極
電極には、金の板を使用した。電析の結果、厚さ0.6
μmの青色着色被膜が得られた。
実施例 2 実施例1に示した方法と同様な方法で作成した青色着色
被膜を熱処理し、1mot/4の過塩素酸リチウムのプ
ロピレンカーボネート溶液中での発・消色反応の可逆性
におよぼす熱処理温度の影4’y!tサイクリック・ボ
ルタメトリによって調べた実施例でちる。ボルダモグラ
ムの測定は、対向電極を金の板、参照電極を銀−塩化銀
電標として測定した。青色着色被膜は100C,1時間
以上の熱処理により無色透明な被膜となる。また、エレ
クトロクロミック反応は、第2図に示したようにLoo
C,1時間以上、220C11時間以下で熱処理を行な
った場合に優れた可逆性を示す。なお、ポルタモグラム
は掃引速度を0.IV/Sとして判定した。
実施例 3 実施例1と同様にしてガラス基板上に、配線部分を一酸
化ケイ素の蒸着膜で被った酸化インジウム(Inxoa
)を主成分とするシート抵抗10Ω/cIn!のバタン
化された透明導電膜部分に゛社析発色膜ヲ0.6μm形
成した。これを、18CI’で1時間大気中で熱処理し
た。熱処理後の電析膜の膜厚は0.4μmであった。こ
うして作成した聚示極を用いて第1図に示した素子を作
成した。
第1図の電解液5には1moA/lのLiC20+のプ
ロピレンカーボネート溶液を用い、その中に挿入する背
景材9には、白色顔料である酸化チタン粉末を充填した
多孔性テフロンシート’を使用した。対向電極6には活
物質である非晶質タングステン酸鉄とカーボンとの重量
比が2:1の混合焼結体6“を透明導4体6′上に形成
した電極を使用した。
作成した素子に1.2V、IHzの方形波を印加して、
発・消色サイクルを繰り返した。発・消色時に注入・放
出される電荷は約5mC/CIr1”であった。また、
””C7cm”の電荷が注入された発色時の消去時に対
するコントラスト比は約3.0であった。
さらに1発・消色を107サイクル繰り返しても、はと
んど劣化は認められなかった。
〔発明の効果〕
上述の如く、本発明によれば、簡便かつ安価な方法で発
色材料を形成することができ、エレクトロクロミック表
示素子の低コスト化が可能であり、その工業的価値は高
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明のエレクトロクロミック光示素子の断
面図、第2図は、本発明の詳細な説明するだめの図であ
る。 1・・・基板、2・・・透明導電体、3・・・発色材料
層、4・・・保護膜、5・・・電解液、6・・・対向′
B極、7・・・基板。 8・・・スペーサ、9・・・背景材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、タングステンないしはその化合物と過酸化水素と水
    とを混合して得られる溶液から、電析により陰極側に析
    出させて得たタングステン酸化物を発色材料とし、対向
    電極を形成した基板との間に電解質を挾持したことを特
    徴とするエレクトロクロミック表示素子。 2、上記電析により陰極側に析出させて得たタングステ
    ン酸化物を100℃、1時間以上、220℃、1時間以
    下の条件で熱処理し、発色膜として用いたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項に記載のエレクトロクロミッ
    ク表示素子。
JP61157849A 1986-07-07 1986-07-07 エレクトロクロミツク表示素子 Pending JPS6314132A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61157849A JPS6314132A (ja) 1986-07-07 1986-07-07 エレクトロクロミツク表示素子

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61157849A JPS6314132A (ja) 1986-07-07 1986-07-07 エレクトロクロミツク表示素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6314132A true JPS6314132A (ja) 1988-01-21

Family

ID=15658706

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61157849A Pending JPS6314132A (ja) 1986-07-07 1986-07-07 エレクトロクロミツク表示素子

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