JPS63142643A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置、特に、半導体チップの外部端子
に引出用配線が接続される半導体装置に適用して有効な
技術に関するものである。

〔従来の技術〕

テープキャリア方式（又はＴＡＢ　：工ａｐｅへｕｊ。

ｔａａｔ、ｅｄ　Ｂ　ｏｎｄｉｎｇ方式）を採用する半
導体装置は、次のように構成されている。半導体装置は
、半導体チップの外部端子（ポンディングパッド）の上
部に突起電極（バンプ）を介在させてリードを接続して
いる。リードは、フィルムテープ上に形成され、そのイ
ンナーリード部を突起＠極に接続している６突起電極と
インナーリード部との接続は、ボンディングツールで適
度な加圧及び加熱を与え、突起電極（Ａｕ）の表面とイ
ンナーリード部（Ｃｕ済）の表面のメッキＪｌ（Ｓｎ層
）とを溶融することにより行われる。この突起電極とイ
ンナーリード部との接続部分は、電気的及び機械的信頼
性を確保するために、ポリイミド樹脂等で樹脂封止（保
護）されている。

この種のテープキャリア方式を採用する半導体装置は、
量産に最適でしかも薄型化できる特徴を有している。

なお、テープキャリア方式を採用する半導体装置につい
ては、例えば、日経マグロウヒル社発行。

日経マイクロデバイス、■９８６年３月号、ｐＰ、１２
８〜１３５に記載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明者は、前記テープキャリア方式を採用する半導体
装置において、次の問題点が生じることを見出した。

前記半導体チップ周辺には、ウェーハから切り出すため
のスクライブエリアが設けられている。

スクライブエリア表面は、ダイシングに使用するカッタ
の摩耗やダイシング時の汚染物の発生を低減するために
、シリコン（基板）を露出させている。

前記半導体チップの外部端子とインナーリード部とを接
続する際に、ボンディングツールと半導体チップとの位
置ずれが生じた場合、インナーリード部が変形し、スク
ライブエリアのエツジとインナーリード部とが接触する
。つまり、半導体チップ（シリコン基板）とリードとが
短絡する。このため、半導体装置の製造上の歩留りを低
下させるという問題点が生じる。

本発明の目的は、半導体装置の製造上の歩留りを向上す
ることが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、半導体チップのスクライブエリア
と半導体チップの外部端子に接続される引出用配線との
接触を防止することが可能な技術を提供することにある
。

本発明の他の目的は、半導体チップの外部端子と引出用
配線とを良好に接続することが可能な技術を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は、前記目的を達成するための製造工
程を低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。

〔問題点を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。

半導体チップの外部端子に引出用配線が接続される半導
体装置において、前記半導体チップ周辺のスクライブエ
リア表面に絶縁膜を設ける。

〔作　用〕

上記した手段によれば、前記半導体チップと引出用配線
との接触（短絡）を防止することができるので、半導体
装置の製造上の歩留りを向上することができる。

以下、本発明の構成について、テープキャリア方式の半
導体装置に本発明を適用した一実施例と共に説明する。

なお、全図において、同一の機能を有するものは同一の
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

〔実施例〕

本発明の一実施例であるテープキャリア方式の半導体装
置を第１図（断面図）で示し、第１図の半導体装置の要
部を第２図（要部拡大断面図）で示す。

テープキャリア方式の半導体装置は、第１図及び第２図
に示すように構成されている。つまり、半導体装置は、
半導体チップ１及びフィルムテープ３で支持されたり一
ド４（引出用配線）のインナーリード部４Ａを樹脂封止
部材５で封止して構成されている。

半導体チップ１は、単結晶シリコンで形成される所定導
電型の基板ＩＡで構成されている。半導体チップｌの周
辺部の基板ＩＡの表面（図示しない半導体素子が形成さ
れている面）には、外部端子（ポンディングパッド）Ｉ
Ｂが設けられている。

第１図及び第２図において、図面を簡略化して外部端子
ＩＢを基板ＩＡの表面に直接設けているが、実際には、
複数Ｍ積層された絶縁膜の上部に外部端子ＩＢを設けて
いる６外部端子ＩＢは、例えば、アルミニウム膜、所定
の添加物（Ｃｕ、　ｓｉ）が含有されるアルミニウム膜
で形成される。

この外部端子ＩＢには、前記リード４のインナーリード
部４Ａが突起′？Ｂ、極２（又は及びバリアメタルＷＩ
）を介在させて接続されている。

突起電極２は、金（７￥Ｕ）で形成する。突起電極２は
、パッシベーション膜ｌＣに形成された接続孔ＩＤ及び
パッシベーション膜ＩＥに形成された接続孔ＩＦを通し
て外部端子ＩＢに接続される。

前記リード４は１例えば、銅（Ｃｕ）箔に錫（Ｓｎ）メ
ッキを施して形成されている。突起電極２とインナーリ
ード部４Ａとは、第２図に点線で示したボンディングツ
ール６を用いて適度な加圧と加熱を与え、Ａｕ−８ｎ共
晶で接続する。リード４のアウターリード部４Ｂは、例
えばプリント配線基板の配線に接続される。

リード４を支持するフィルムテープ３は、柔軟性を有す
る例えばポリイミド樹脂等で構成されている。

前記突起電極２は、半田等で形成してもよい。

前記パッシベーション膜ＩＣは、主に、耐湿性を向上す
るため、例えばプラズマで形成した窒化シリコン膜で形
成する。また、パッシベーション膜ＩＣは、プラズマで
形成した酸化シリコン膜や、ＣＶＤで形成した絶縁膜で
形成してもよい。前記パッシベーション膜ＩＥは、主に
、半導体チップ１表面に加わる外部応力を低減するため
、例えば柔軟性を有するポリイミド樹脂で形成する。

樹脂封止部材５は、例えば、レジンで形成する。

このように構成される半導体装置において、半導体チッ
プ１周辺のスクライブエリアＳ表面には、絶縁膜ＩＣｓ
が設けら九ている。スクライブエリアＳは、半導体チッ
プ１をウェーハから切り出すために設けられている。絶
縁膜ＩＣｓは、半導体チップ１の表面を覆うパッジベー
ジ目ン膜ＩＣと同一製造工程、つまり１例えばプラズマ
で形成した窒化シリコン膜で形成されている。絶縁膜Ｉ
Ｃ５の上部、つまり、スクライブエリアＳには、パッシ
ベーション膜１Ｅと同一製造工程で形成される絶縁膜（
例えば、ポリイミド樹脂膜）を設けていない。

このように、スクライブエリアＳ表面に絶ｍ膜ＩＣ５を
設けることにより、突起電極２とインナーリード部４Ａ
との接続に際し、ボンディングツール６と半導体チップ
１との位置ずれを生じて一点鎖線で示すようにインナー
リード部４Ａが変形した場合でも、インナーリード部４
ＡとスクライブエリアＳのエツジ部の基板ＩＣとの接触
を防止することができる。つまり、絶縁膜Ｉ　Ｃｓは、
半導体チップｌとリード４との短絡を防止することがで
きるので、半導体装置の製造上の歩留りを向上すること
ができる。

また、スクライブエリアＳの絶縁膜Ｉ　Ｃｓは、パッシ
ベーション膜ＩＣと同一製造工程で形成することができ
るので、絶縁ｇ４１　Ｃｓを形成するための製造工程を
低減することができる。

また、スクライブエリアＳに窒化シリコン膜等の比較的
硬質の絶縁膜ＩＣｓを設け、バンシベーションｒ！１Ａ
ＩＥのような軟質の絶縁膜を設けないことにより、ダイ
シングで使用するカッタの劣化を防止することができる
。さらに、ダイシング時に軟質な絶縁膜を飛散させるこ
とがないので、突起電極２、インナーリード部４Ａの夫
々の接着面を汚染することがない。つまり、突起電極２
とインナーリード部４Ａとの接着性（ボンディング性）
を向上することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて、種々変形し得ることは勿論である。

例えば１本発明は、半導体チップの外部端子にボンディ
ングワイヤ（引出用配線）を接続する、ＤＩＬＰ、ＬＣ
Ｃ等の半導体装置に広く適用することができる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得ることができる効果を簡単に説明すれば、次のと
おりである。

半導体装置の半導体チップ周辺のスクライブエリア表面
に絶縁膜を設けることにより、前記半導体チップと引出
用配線との接触を防止することができるので、半導体装
置の製造上の歩留りを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例であるテープキャリア方式
の半導体装置を示す断面図、 第２図は、第１図に示す半導体装置の要部拡大断面図で
ある。 図中、ｌ・・・半導体チップ、ＩＡ・・・基板、ＩＢ・
・・外部端子、ＩＣ，ＩＥ・・・パッシベーション膜、
ＩＤ、ＩＦ・・・接続孔、２・・・突起電極、３・・・
フィルムテープ、４・・・リード、４Ａ・・・インナー
リード部、５・・・樹脂封止部材、６・・・ボンディン
グツール、ｌＣｓ・・・絶縁膜、Ｓ・・・スクライブエ
リアである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体チップの外部端子に引出用配線が接続される
   半導体装置であって、前記半導体チップ周辺のスクライ
   ブエリア表面に絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体
   装置。 ２、前記引出用配線は、前記外部端子に突起電極を介在
   して接続されるリード、又は前記外部端子に直接々続さ
   れるボンディングワイヤであることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の半導体装置。 ３、前記スクライブエリア表面に設けられた絶縁膜は、
   前記半導体チップ表面に形成されるパッシベーション膜
   と同一製造工程で形成されることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項又は第２項に記載の半導体装置。 ４、前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜ポリイ
   ミド樹脂膜を順次積層して形成されており、前記スクラ
   イブエリア表面に設けられた絶縁膜は、前記窒化シリコ
   ン膜のみで形成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第３項に記載の半導体装置。