JPS63143257A - スパツタ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 基板の背面に磁石を設置して、この基板とターゲットと
を対向配置し、スパッタ用ガスを用いてターゲットの成
分を基板上に薄膜状に被着させるスパッタ方法であって
、ターゲットの背面側に軟磁性体部材を設置することで
、基板の背面の磁石から発生する磁場が、ターゲットの
背面側の軟磁性体に引きつけられるようにすることで、
ターゲットに磁性体、或いは非磁性体のいずれを用いた
場合でも、基板とターゲットとの間の空間部に均一な磁
場が形成されるようにし、基板上にスパッタにより形成
される被膜の形成速度の向上を図るようにする。

〔産業上の利用分野〕

本発明はスパッタ方法に係り、特にターゲットの材質に
関係なく成膜速度を向上させたスパッタ方法に関する。

薄膜磁気ヘッドを形成するための磁性膜や、該磁気ヘッ
ドのギャップ膜の形成方法として、これらの被膜の形成
材料よりなるターゲットを用いてこのターゲットの成分
をスパッタ法で基板に薄膜状に形成するスパッタ方法が
用いられている。

このようなスパッタ方法を用いて被膜を形成し、それを
用いて薄膜磁気ヘッドを形成する際、形成される薄膜磁
気ヘッドの製造コストの低下を図るために、成膜速度を
向上させたスパッタ法が要望され、そのスパッタ方法を
、本出願人は特開昭５９−１２６７７６号公報に於いて
既に提案している。

〔従来の技術〕

第２図にこのような従来のスパッタ方法の説明図を示す
。

図示するように容器１の基板設置台２には背面側に磁石
３を設けた状態でスパッタによる被膜が形成されるべき
基板４が設置され、この基板４に対向して電極（ターゲ
ット設置台）５が設置され、この電極５上にはバフキン
グプレート６を介した状態で、基板上に形成すべき薄膜
を構成する材料で形成されたターゲット７が設置されて
いる。

この電極５の内部には図示しないが、水冷管が設置され
、バッキングプレート６を介してターゲット７を冷却し
ている。

この状態で、容器１内を排気バルブ８に連なる真空ポン
プを用いて例えば１０−　’　ｔｏｒｒ程度まで排気し
た後、スパッタ用ガスとしてのアルゴン（Ａｒ）ガスを
ガス導入管９より容器１内が、１０−　”　ｔｏｒｒ程
度の圧力になる迄導入する。

次いで基板設置台２と電極５との間に電界を印加してこ
の容器１内に導入されたＡｒガスをイオン化し、このイ
オン化したガスを用いてターゲット７を叩き、このター
ゲットより放出されるターゲット７の成分の粒子を基板
４上に付着させて薄膜を形成している。

このスパッタ時に、図示した磁石３より基板４の周囲に
磁場１０を発生させ、この磁場１０によって容器内に導
入されたＡｒガスのＡｒ分子が、ＡｒイオンとなるＡｒ
のイオン化率の向上を図り、それによって成膜速度の向
上を図るようにしている。

更に従来、第３図に示すように、ターゲットの材料とし
て軟磁性体のターゲソ）７Ａを用いた場合、磁石３より
発生する磁場１０の分布が、基板４の周囲のみならず、
ターゲット７Ａの近傍まで広がるようになり、基板４と
ターゲット７への間の空間部の全てに分布するようにな
る。そのため容器内に導入されたＡｒガスにこの磁場８
が影響を及ぼす容積は、従来のように基板４の周辺部だ
けでなく、基板４とターゲット７＾の間の全ての空間部
に広がるようになり、そのため容器内に導入されたＡｒ
ガスのＡｒ分子のイオン化率が大となるため、それによ
って成膜速度が更に向上することが分かっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

然し、第３図に示したように、ターゲットに軟磁性体の
ターゲット７Ａをを用いた場合には、基板４の背面に設
置された磁石３による磁場１０が、ターゲット７Ａと基
板４とのの間の全ての領域を覆うようになるが、ターゲ
ット７Ａに軟磁性体以外の材料のターゲットを用いた場
合には、このような磁場の広がりは見られず、そのため
容器内に導入されたＡｒガスのイオン化率も悪く、従っ
て成膜速度も向上しないといった問題点がある。

本発明のスパッタ方法は、上記した問題点を解決し、タ
ーゲットに軟磁性体以外の材料のターゲットを用いた場
合に於いても、基板の背面に設置された磁石による磁場
が、基板とターゲットの空間部の全てにわたって広がる
ようにし、それによってＡｒのイオン化率を高め、もっ
て被膜の成膜速度の向上を図るようにしたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のスパッタ方法は、容器内に背面に磁石を設置し
た基板と、該基板に対向してターゲットを設け、該容器
内を排気後、該容器内にスパッタ用ガスを導入し、基板
とターゲット間に電界を印加してターゲットの成分を基
板上に被着するスバ・フタ方法に於いて、 前記ターゲットの背面に軟磁性体部材を設置した状態で
ターゲットをスパッタすることを特徴とする。

〔作用〕

本発明のスパッタ方法は、ターゲットの背面側に軟磁性
体を設置することで、ターゲットに対向して設置された
基板の背面側に設置された磁石より発生する磁場がこの
軟磁性体に吸引されるようにし、この吸引された磁場が
、基板とターゲット間の空間部の全てを覆うようにして
、この磁場に依ってＡｒのイオン化率を高め、被膜の成
膜速度の向上を図るようにする。

〔実施例〕

以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。

第１図は本発明の一実施例の説明図である。

図示するように、容器１１の基板設置台１２上には背面
側に永久磁石１３を設けた状態でフォトセラム等よりな
る基板１４が設置され、この基板１４に対向して電極１
５が設置され、この電極１５上にはバッキングプレート
１６を介した状態で、本発明の軟磁性部材１７と基板上
に形成すべき薄膜の構成成分より成るターゲット１８が
積層して設置されている。

この軟磁性部材はニッケルー鉄（ＮｉＦｅ）合金等の材
料で形成された板状部材で、その大きさはターゲットに
等しい面積か、これより小さい面積に形成する。

更に電極１５の内部には水冷管が設置され、バッキング
プレート１６を介して本発明の軟磁性部材１７とターゲ
ット１８を冷却している。

このような状態で容器１１内を１０−’ｔｏｒｒ程度の
真空度に成る迄、排気バルブ１９に連なる真空ポンプで
排気した後、この容器１１内にスパッタ用ガスとしての
Ａｒガスを、ガス導入管２０より容器１１内の圧力が１
０−”ｔｏｒｒの真空度に成るまで導入する。

一方、磁石１３より発生する磁場２１の分布は、ターゲ
ット１８の背面側に設置した本発明の軟磁性部材１７に
引きつけられ、基板１４とターゲット１８との間の空間
部の全体に広がっている。

そのため、容器１１内に導入されたＡｒガスのＡｒ分子
のイオン化率が向上し、このイオン化されたＡｒイオン
によってターゲットより叩き出される粒子の量が大とな
るため、基板１４上に形成される被膜の成膜速度が向上
するようになる。

このようにすれば、用いるターゲットの材料が薄膜磁気
ヘッドのギャップ層に用いる、二酸化シリコン（５ｉ（
ｈ）やアルミナ（Ａｆ、０．）のような非磁性体になっ
た場合でも、その成膜速度は低下することは無い。

尚、他の実施例として、軟磁性部材を設置する代わりに
直接バッキングプレートを軟磁性体材料で形成しても同
様な効果が得られる。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明のスパッタ方法によれば、タ
ーゲットの材料が磁性体、或いは非磁性体の如何に係わ
らず被膜の成膜速度が向上し、本発明の方法を用いると
薄膜磁気ヘッドの製造コストが低下する効果がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明のスパッタ方法の説明図、第２図、およ
び第３図は従来のスパッタ方法の説明図である。 図に於いて、 １１は容器、１２は基板設置台、１３は磁石、１４は基
板、１５は電極、１６はバッキングプレート、１７は軟
磁性部材、１８はターゲット、１９は排気パルプ、２゜
はガス導入管、２１は磁場を示す。 本発明−／Ｔオリ技−図 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 背面に磁石（１３）を設置した基板（１４）と、該基板
   （１４）表面に対向配置したターゲット（１８）とを、
   容器（１１）内に設置し、該容器（１１）内を排気後、
   該容器（１１）内にスパッタ用ガスを導入し、基板（１
   ４）とターゲット（１８）間に電界を印加してターゲッ
   ト（１８）の成分を基板（１４）上に被着する方法に於
   いて、前記ターゲット（１８）の背面に軟磁性体部材（
   １７）を設置し、この状態で該ターゲット（１８）をス
   パッタすることを特徴とするスパッタ方法。