JPH04187764A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH04187764A JPH04187764A JP31757990A JP31757990A JPH04187764A JP H04187764 A JPH04187764 A JP H04187764A JP 31757990 A JP31757990 A JP 31757990A JP 31757990 A JP31757990 A JP 31757990A JP H04187764 A JPH04187764 A JP H04187764A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate holder
- wafer
- thin film
- cathode
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｍ楽土の利用分野］
本発明は、半導体製造装置に用いられるスパッタ装置に
関する。
関する。
［従来の技術］
従来の技術としては、ウェハーを固定している基板ホル
ダーが固定された状態でスパッタを行なっていた。
ダーが固定された状態でスパッタを行なっていた。
［発明が解決しようとする課Ｉ！］
しかし、前述の従来技術では、スパッタされた膜の分布
が不均一で、且つ段差被覆性にも劣る為ショート、断線
が発生し、配線不良となり、歩留り低下の原因になって
いた。
が不均一で、且つ段差被覆性にも劣る為ショート、断線
が発生し、配線不良となり、歩留り低下の原因になって
いた。
そこで、本発明は、従来のこの様な課題を解決するため
、基板ホルダーを回転させることによって、分布の向上
と段差被覆性を良好にし、ショート、断線の発生を防止
することにより、配線の向上、及び歩留りを向上させる
ことを目的とする。
、基板ホルダーを回転させることによって、分布の向上
と段差被覆性を良好にし、ショート、断線の発生を防止
することにより、配線の向上、及び歩留りを向上させる
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明のスパッタ装置はウェハーを固定している基板ホ
ルダーを回転することを特徴とする。
ルダーを回転することを特徴とする。
［実施例］
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第３図は従来のスパッタチャンバーの模式的な断面図で
あり、スパッタチャンバー１にはカソード２とアース電
位の基板ホルダー３が対向して配置され、その間には可
動のシャッター４が設けられている。カソード２にはタ
ーゲット５が取り付けられており、スパッタチャンバー
１にアルゴンガスを流入し、流入ガス量と排気速度のバ
ランスを他方真空ポンプによりスパッタチャンバー１の
内部圧力を１０−３Ｔ ｏ ｒ ｒ 〜１０−２Ｔ ｏ
ｒ ｒ程度に維持する。その後カソード２とアース電
位の基板ホルダー３の間に直流の０．５〜ＩＫＶ程度の
電圧を印加しグロー放電を発生させることにより、プラ
ズマ中からアルゴンの陽イオンがカソード２前面の陰極
暗部で加速され、ターゲット５の表面を叩き、ターゲッ
ト５の表面から金属薄膜原子が飛び出す。その後、シャ
ッター４を開き、一定時間グロー放電を行うことによっ
て、ウェハー６の表面に所定の厚みの薄膜を形成してい
ることは周知の技術である。
あり、スパッタチャンバー１にはカソード２とアース電
位の基板ホルダー３が対向して配置され、その間には可
動のシャッター４が設けられている。カソード２にはタ
ーゲット５が取り付けられており、スパッタチャンバー
１にアルゴンガスを流入し、流入ガス量と排気速度のバ
ランスを他方真空ポンプによりスパッタチャンバー１の
内部圧力を１０−３Ｔ ｏ ｒ ｒ 〜１０−２Ｔ ｏ
ｒ ｒ程度に維持する。その後カソード２とアース電
位の基板ホルダー３の間に直流の０．５〜ＩＫＶ程度の
電圧を印加しグロー放電を発生させることにより、プラ
ズマ中からアルゴンの陽イオンがカソード２前面の陰極
暗部で加速され、ターゲット５の表面を叩き、ターゲッ
ト５の表面から金属薄膜原子が飛び出す。その後、シャ
ッター４を開き、一定時間グロー放電を行うことによっ
て、ウェハー６の表面に所定の厚みの薄膜を形成してい
ることは周知の技術である。
ここで、第１図は本発明のスパッタチャンバーの模式的
な断面図であり、スパッタチャンバー１を他方高真空ポ
ンプで１０−８Ｔ ｏ ｒ ｒ 〜１０−７Ｔｏｒｒま
で排気し、その後、ウェハー６を基板ホルダー３の上に
固定した状態で基板ホルダー３を回転させながら、スパ
ッタチャンバー１にアルゴンガスを流入し、流入ガス量
と排気速度のバランスをとりながら、スパッタチャンバ
ー１の内部圧力を１０−３Ｔ ｏ ｒ ｒ 〜１０−２
Ｔ ｏ ｒ ｒ程度に維持した状態で、カソード２とア
ース電位の基板ホルダー３の間に電圧を印加すると、グ
ロー放電の発生により、プラズマ中からアルゴンの陽イ
オンがカソード２前面の陰極暗部で加速され、ターゲッ
ト５の表面を叩くことによりターゲット５の表面から金
属薄膜原子が飛び出すが、短時間シャッター４を閉の状
態にして放電を安定させる。その後、シャッター４を開
き、一定時間グロー放電を行なうことによって、ウェハ
ー６の表面には、著しく薄膜分布がよく、且つ第２図の
（ａ）、 （ｂ）の段差形状に示す様に、基板ホルダー
３とウェハー６を固定した場合に形成される段差被覆（
ａ）が、ウェハー６が固定されている基板ホルダー３を
回転させることによって形成される段差被覆は（ｂ）の
様になり、段差被覆性も優れた薄膜を形成することが可
能になる。
な断面図であり、スパッタチャンバー１を他方高真空ポ
ンプで１０−８Ｔ ｏ ｒ ｒ 〜１０−７Ｔｏｒｒま
で排気し、その後、ウェハー６を基板ホルダー３の上に
固定した状態で基板ホルダー３を回転させながら、スパ
ッタチャンバー１にアルゴンガスを流入し、流入ガス量
と排気速度のバランスをとりながら、スパッタチャンバ
ー１の内部圧力を１０−３Ｔ ｏ ｒ ｒ 〜１０−２
Ｔ ｏ ｒ ｒ程度に維持した状態で、カソード２とア
ース電位の基板ホルダー３の間に電圧を印加すると、グ
ロー放電の発生により、プラズマ中からアルゴンの陽イ
オンがカソード２前面の陰極暗部で加速され、ターゲッ
ト５の表面を叩くことによりターゲット５の表面から金
属薄膜原子が飛び出すが、短時間シャッター４を閉の状
態にして放電を安定させる。その後、シャッター４を開
き、一定時間グロー放電を行なうことによって、ウェハ
ー６の表面には、著しく薄膜分布がよく、且つ第２図の
（ａ）、 （ｂ）の段差形状に示す様に、基板ホルダー
３とウェハー６を固定した場合に形成される段差被覆（
ａ）が、ウェハー６が固定されている基板ホルダー３を
回転させることによって形成される段差被覆は（ｂ）の
様になり、段差被覆性も優れた薄膜を形成することが可
能になる。
又、第１図のスパッタチャンバー１に設けられている基
板ホルダー３の回転速度を変化させることによって更に
薄膜分布が良く、段差被覆性にも非常に優れた薄膜を形
成することが可能となる。
板ホルダー３の回転速度を変化させることによって更に
薄膜分布が良く、段差被覆性にも非常に優れた薄膜を形
成することが可能となる。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明のスパッタ装置はウェハーを
固定している基板ホルダーを回転させることによって、
ウェハー上の薄膜分布の向上と段差被覆性を良好にし、
ショート、断線の発生を防止することにより配線の向上
、及び歩留りを向上させる効果がある。
固定している基板ホルダーを回転させることによって、
ウェハー上の薄膜分布の向上と段差被覆性を良好にし、
ショート、断線の発生を防止することにより配線の向上
、及び歩留りを向上させる効果がある。
第１図は、本発明のスパッタチャンバーを側面から観察
した模式的な断面図。 第２図（ａ）は従来のスパッタ装置によって形成された
薄膜の段差被覆の断面図。 第２図（ｂ）は本発明のスパッタ装置によって形成され
た薄膜の段差被覆の断面図。 第３図は、従来のスパッタチャンバーを側面から観察し
た模式的な断面図。 １・・・・・スパッタチャンバー ２・・・・・カソード ３・・・・・基板ホルダー ４・・・・・シャッター ５・・・・・ターゲット ６・・・・・ウェハー ７・・・・・配線金属被覆原子 晃３（図
した模式的な断面図。 第２図（ａ）は従来のスパッタ装置によって形成された
薄膜の段差被覆の断面図。 第２図（ｂ）は本発明のスパッタ装置によって形成され
た薄膜の段差被覆の断面図。 第３図は、従来のスパッタチャンバーを側面から観察し
た模式的な断面図。 １・・・・・スパッタチャンバー ２・・・・・カソード ３・・・・・基板ホルダー ４・・・・・シャッター ５・・・・・ターゲット ６・・・・・ウェハー ７・・・・・配線金属被覆原子 晃３（図
Claims (1)
- ウェハーを固定している基板ホルダーを回転することを
特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31757990A JPH04187764A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31757990A JPH04187764A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04187764A true JPH04187764A (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=18089815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31757990A Pending JPH04187764A (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04187764A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872289B2 (en) * | 1999-03-12 | 2005-03-29 | Anelva Corporation | Thin film fabrication method and thin film fabrication apparatus |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP31757990A patent/JPH04187764A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6872289B2 (en) * | 1999-03-12 | 2005-03-29 | Anelva Corporation | Thin film fabrication method and thin film fabrication apparatus |
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