JPS63144189A - 液相エピタキシヤル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシヤル成長装置Info
- Publication number
- JPS63144189A JPS63144189A JP28761086A JP28761086A JPS63144189A JP S63144189 A JPS63144189 A JP S63144189A JP 28761086 A JP28761086 A JP 28761086A JP 28761086 A JP28761086 A JP 28761086A JP S63144189 A JPS63144189 A JP S63144189A
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- JP
- Japan
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- temperature
- heater
- furnace core
- core tube
- crucible
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
るつぼの下方に補助し−タを付設することにより炉芯管
内での径方向の温度分布制御を可能ならしめる。
内での径方向の温度分布制御を可能ならしめる。
本発明は液相エピタキシャル成長（Ｌ Ｐ Ｅ）装置、
特にその加熱装置の改良に関する。
特にその加熱装置の改良に関する。
従来から結晶の育成温度を制御するために炉芯管周囲に
配設した抵抗加熱ヒータを例えば３分割し、炉芯管の縦
方向の温度分布をできるだけ均一に制御することが行わ
れている。
配設した抵抗加熱ヒータを例えば３分割し、炉芯管の縦
方向の温度分布をできるだけ均一に制御することが行わ
れている。
この方法によると縦方向の温度制御は比較的正確に行う
ことができるが結晶を育成すべき基板（ウェハ）の径方
向の温度分布は制御できない。
ことができるが結晶を育成すべき基板（ウェハ）の径方
向の温度分布は制御できない。
上述の如〈従来のＬＰＥ装置においては炉芯管の周囲に
設けた抵抗加熱コイルにより育成温度の制御を行ってい
るため、炉芯中央部と炉芯周壁部との間に温度勾配が発
生しく炉芯中央部が低温となる）、従って結晶育成温度
を正確に制御することが困難であった。
設けた抵抗加熱コイルにより育成温度の制御を行ってい
るため、炉芯中央部と炉芯周壁部との間に温度勾配が発
生しく炉芯中央部が低温となる）、従って結晶育成温度
を正確に制御することが困難であった。
本発明の目的は炉芯の径方向の温度制御を行い同方向の
温度分布を均一にし得るようにすることにある。
温度分布を均一にし得るようにすることにある。
上記目的を達成するために本発明によれば、るつぼの下
方に補助ヒータが付設される。
方に補助ヒータが付設される。
上記補助ヒータは従来の炉芯管周囲のヒータによる縦方
向の温度逝去とは別に、炉芯管の径方向の温度制御を行
うことができ、その結果径方向の温度分布を均一にする
ことができる。
向の温度逝去とは別に、炉芯管の径方向の温度制御を行
うことができ、その結果径方向の温度分布を均一にする
ことができる。
第１図は本発明のＬＰＥ装置の一実施例を示すもので、
炉芯管１７の内部にはるつぼ台１５上に基板あるいはウ
ェハ１０に育成すべき結晶物質を含む溶液１９を入れた
白金るつぼ１１が載置される。ウェハ１０は回転自在な
ホルダ１２により保持され、このホルダ１２を上下動さ
せることによりるつぼ１１内に出し入れすることができ
る。
炉芯管１７の内部にはるつぼ台１５上に基板あるいはウ
ェハ１０に育成すべき結晶物質を含む溶液１９を入れた
白金るつぼ１１が載置される。ウェハ１０は回転自在な
ホルダ１２により保持され、このホルダ１２を上下動さ
せることによりるつぼ１１内に出し入れすることができ
る。
溶液１９は例えば磁気バルブガーネットの構成元素の配
化物（ＳｍｚＯｚ 、 Ｙｚ０３． ＦｅｇＯ１＋ Ｇ
ａｔｅ３など）とフラックスのＰｂＯとＢｔＣｈから成
る融液（メルト）であり９００°〜１０００℃の高温状
態に保持される。
化物（ＳｍｚＯｚ 、 Ｙｚ０３． ＦｅｇＯ１＋ Ｇ
ａｔｅ３など）とフラックスのＰｂＯとＢｔＣｈから成
る融液（メルト）であり９００°〜１０００℃の高温状
態に保持される。
この融液を過冷却状態にし、基板１０を浸漬すると、基
板上に磁気バブルガーネット膜がエピタキシャル成長す
る。
板上に磁気バブルガーネット膜がエピタキシャル成長す
る。
基板ホルダ１２により水平に保持され、融液中で回転せ
しめられる。これによりウェハ内での膜厚、組成の変動
を小さく抑えることができる。
しめられる。これによりウェハ内での膜厚、組成の変動
を小さく抑えることができる。
上記の加熱温度制御は炉芯管１７の周囲に配設したコイ
ルヒータ１３により行われる。このヒータ１３は上述の
如（炉芯管１７の縦方向の温度分布が均一となるように
例えば３個のグループＧ、。
ルヒータ１３により行われる。このヒータ１３は上述の
如（炉芯管１７の縦方向の温度分布が均一となるように
例えば３個のグループＧ、。
Ｇｚ 、Ｇ！に分割され各々独立的に制御可能となっ
ている。つまりヒータグループａｔ、Ｇｘ。
ている。つまりヒータグループａｔ、Ｇｘ。
Ｇ、を適当に制御することにより炉芯管１７内部、即ち
るつぼ１１内部の溶液１９の縦方向の温度分布を均一に
することができる。以上の構成は公知である。
るつぼ１１内部の溶液１９の縦方向の温度分布を均一に
することができる。以上の構成は公知である。
本発明によれば、るつぼ１９の下方に別の補助ヒータ２
５が付設される。補助ヒータ２５は前述のヒータ１３と
同様の抵抗加熱コイルヒータあるいは平面ヒータあるい
はその他のどのようなヒータでもよい。補助ヒータ２５
はるつぼ１９の底面に直接接触させてもよいし、あるい
は伝熱性の台座２７を介してとりつけてもよい。尚、補
助ヒータ２５もヒータ１３と同様に径方向にいくつかに
分割してグループ毎に独立制御するようにしてもよい。
５が付設される。補助ヒータ２５は前述のヒータ１３と
同様の抵抗加熱コイルヒータあるいは平面ヒータあるい
はその他のどのようなヒータでもよい。補助ヒータ２５
はるつぼ１９の底面に直接接触させてもよいし、あるい
は伝熱性の台座２７を介してとりつけてもよい。尚、補
助ヒータ２５もヒータ１３と同様に径方向にいくつかに
分割してグループ毎に独立制御するようにしてもよい。
その分割の方法は例えばヒータを同心円状に配設した３
個のリングヒータ形状とすればよい。
個のリングヒータ形状とすればよい。
補助ヒータ２５は溶液１９の周辺部温度より低温になり
がちな中心部温度の温度補正（加熱）を行うものである
。
がちな中心部温度の温度補正（加熱）を行うものである
。
第２図は本発明の効果を示すもので同図（ａ）は本発明
によりるつぼの底部に補助ヒータを設けた場合、また同
図（ｂ）は従来技術（底部補助ヒータを設けない場合）
における、夫々炉芯管１１の径方向の温度分布を測定し
たものである。炉芯管の径は８ｃ１１、液面は約６ｃｍ
である。第２図（ａ）。
によりるつぼの底部に補助ヒータを設けた場合、また同
図（ｂ）は従来技術（底部補助ヒータを設けない場合）
における、夫々炉芯管１１の径方向の温度分布を測定し
たものである。炉芯管の径は８ｃ１１、液面は約６ｃｍ
である。第２図（ａ）。
（ｂ）から明らかな如く、補助ヒータ２５を設けること
により径方向の温度分布はほぼ均一になり、従来技術に
比しはるかに良好な温度制御が行える。
により径方向の温度分布はほぼ均一になり、従来技術に
比しはるかに良好な温度制御が行える。
尚、第２図（ａ）、（ｂ）において右側に示すグラフは
炉芯管の中心における縦方向の温度分布を参考に示すも
ので、炉芯管１１周囲の分割ヒータ１３により温度ばら
つきΔＴを±１．０℃の範囲内に抑えることができるこ
とを示す。
炉芯管の中心における縦方向の温度分布を参考に示すも
ので、炉芯管１１周囲の分割ヒータ１３により温度ばら
つきΔＴを±１．０℃の範囲内に抑えることができるこ
とを示す。
第３図は実際の結晶育成中の溶液の温度変化状況を示す
もので同図（ａ）に示す本発明によれば同図（ｂ）に示
す従来のものに比しはるかに温度変化が小さいことがわ
かる。即ち、本発明ではΔＴ≦０．５℃であるのに対し
、従来技術ではΔＴｚ２℃であった。
もので同図（ａ）に示す本発明によれば同図（ｂ）に示
す従来のものに比しはるかに温度変化が小さいことがわ
かる。即ち、本発明ではΔＴ≦０．５℃であるのに対し
、従来技術ではΔＴｚ２℃であった。
以上に記載した如く本発明によれば、るつぼ内の溶液の
温度分布は縦方向にも径方向にもほぼ均一に保持される
ので、結晶育成中の溶液温度変化を小さくすることがで
き育成が容易かつ正確に行える。
温度分布は縦方向にも径方向にもほぼ均一に保持される
ので、結晶育成中の溶液温度変化を小さくすることがで
き育成が容易かつ正確に行える。
第１図は本発明に係る液相エピタキシャル成長装置の図
解図、第２図は溶液の温度分布特性を示す線図で、同図
（ａ）は本発明、同図（ｂ）は従来技術を夫々示し、第
３図は育成中の溶液温度変化状況を示す線図で、同図（
ａ）は本発明、同図（ｂ）は従来技術を夫々示す。 １１・・・るつぼ、 １３・・・ヒータ、１７
・・・炉芯管、 ２５・・・補助ヒータ。
解図、第２図は溶液の温度分布特性を示す線図で、同図
（ａ）は本発明、同図（ｂ）は従来技術を夫々示し、第
３図は育成中の溶液温度変化状況を示す線図で、同図（
ａ）は本発明、同図（ｂ）は従来技術を夫々示す。 １１・・・るつぼ、 １３・・・ヒータ、１７
・・・炉芯管、 ２５・・・補助ヒータ。
Claims (1)
- 炉芯管（１７）内において、結晶物質を含む溶液のるつ
ぼ（１１）の下方に補助ヒータ（２５）を設けたことを
特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28761086A JPS63144189A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28761086A JPS63144189A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144189A true JPS63144189A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17719498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28761086A Pending JPS63144189A (ja) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144189A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472859U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-26 | ||
| US5366552A (en) * | 1991-06-14 | 1994-11-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for liquid-phase epitaxial growth |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815218A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-28 | Hitachi Ltd | 液相エピタキシヤル成長装置 |
-
1986
- 1986-12-04 JP JP28761086A patent/JPS63144189A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815218A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-28 | Hitachi Ltd | 液相エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0472859U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-26 | ||
| US5366552A (en) * | 1991-06-14 | 1994-11-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for liquid-phase epitaxial growth |
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